一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作方法_5

文档序号:9201476阅读:来源:国知局
/减小,且输入电压Vi、输出电压Vo和阻变元件M的阻值关系 满足式(4)。
[0123] 本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以 限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含 在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种基于运算放大器的忆阻器编程电路,其特征在于,包括:阻变元件M、第一电阻 Rl、脉冲开关P和运算放大器; 所述运算放大器的反相输入端作为所述忆阻器编程电路的输入端Vi,所述运算放大器 的同相输入端接地,所述运算放大器的输出端作为所述忆阻器编程电路的输出端Vo; 所述脉冲开关P的一端通过所述阻变元件M连接至所述运算放大器的反相输入端,所 述脉冲开关P的另一端作为所述忆阻器编程电路的脉冲输入端pulse; 所述第一电阻Rl连接在所述脉冲开关P的一端与所述运算放大器的输出端之间。2. 如权利要求1所述的忆阻器编程电路,其特征在于,工作时,所述脉冲输入端pulse 接零电压,所述阻变元件M两端的电压降处于第二阈值电压Vt2与第一阈值电压Vtl之间, 通过给所述脉冲输入端pulse施加正向脉冲,使得所述阻变元件M的阻值正向改变;通过给 所述脉冲输入端pulse施加负向脉冲,使得所述阻变元件M的阻值反向改变。3. -种基于运算放大器的忆阻器编程电路,其特征在于,包括:阻变元件M、电路元件 X、脉冲开关P和运算放大器; 所述阻变元件M的一端作为所述忆阻器编程电路的输入端Vi,所述阻变元件M的另一 端连接至所述运算放大器的反相输入端; 所述运算放大器的正相输入端接地,所述运算放大器的输出端作为所述忆阻器编程电 路的输出端Vo; 所述脉冲开关P的一端连接至所述阻变元件M的一端,所述脉冲开关P的另一端作为 所述忆阻器编程电路的脉冲输入端pulse; 所述电路元件X连接在所述运算放大器的反相输入端与输出端之间。4. 如权利要求3所述的忆阻器编程电路,其特征在于,工作时,所述脉冲输入端pulse 接零电压,所述阻变元件M两端的电压降处于第二阈值电压Vt2与第一阈值电压Vtl之间; 通过给脉冲输入端施加正向脉冲使得所述阻变元件M的阻值改变;通过给所述脉冲输入端 施加负向脉冲使得所述阻变元件M的阻值反向改变。5. 如权利要求3所述的忆阻器编程电路,其特征在于,所述电路元件X为使运算放大器 出现深度负反馈的电路元件或子电路。6. 如权利要求5所述的忆阻器编程电路,其特征在于,所述电路元件X为电阻或电容。7. 如权利要求1-6任一项所述的忆阻器编程电路,其特征在于,所述阻变元件M为忆阻 器;所述忆阻器的正极是指从正极施加大于第一阈值电压Vtl的偏置会使忆阻器从高阻状 态转变为低阻状态;所述忆阻器的负极是指从负极施加小于第二阈值电压Vt2的偏置会使 忆阻器从低阻状态转变为高阻状态。8. -种基于权利要求1或3所述的忆阻器编程电路的操作方法,其特征在于,包括下述 步骤: 511 :通过在所述输入端Vi施加工作电压,同时使得所述脉冲输入端pulse接零电压, 且脉冲开关P关断,使得所述的忆阻器编程电路正常工作,输出端口Vo正常输出; 所述工作电压是指使得所述阻变元件M两端的电压降在第二阻阈值电压Vt2与第一阈 值电压Vtl之间的电压; 512 :通过给脉冲输入端pulse施加正向脉冲使得脉冲开关P导通,电流由脉冲输入端 pulse经脉冲开关P流经阻变元件M后,再利用运算放大器深度负反馈的虚地特性流经到 地;改变了所述阻变元件M的阻值,从而改变了所述的忆阻器编程电路的参数; 其中,当电流由阻变元件M的正极流向负极,则阻变元件M的阻值逐渐降低;当电流由 阻变元件M的负极流向正极,则阻变元件M的阻值逐渐升高; S13 :通过给脉冲输入端pulse施加负向脉冲使得脉冲开关P导通,电流由地利用运算 放大器深度负反馈的虚地特性流经阻变元件M,再流经脉冲开关P到脉冲输入端pulse;反 向改变了阻变元件M的阻值,从而反向改变所述的忆阻器编程电路的参数; 其中,当电流由阻变元件M的正极流向负极时,阻变元件M的阻值逐渐降低;当电流由 阻变元件M的负极流向正极时,阻变元件M的阻值逐渐升高。9. 一种反相放大器,其特征在于,包括第一电阻R11、第二电阻R12、第三电阻R13、第 一二极管Dll、第二二极管D12、N型MOS管Qll、P型MOS管Q12、阻变元件M和运算放大器; 所述第一电阻Rll的一端作为所述反相放大器的输入端Vi;所述第一电阻Rll的另一 端连接所述阻变元件M的一端,所述阻变元件M的另一端连接至所述运算放大器的反相输 入端; 所述运算放大器的正相输入端接地,所述运算放大器的输出端作为所述反相放大器的 输出端Vo; 所述第二电阻R12连接在所述运算放大器的反相输入端与输出端Vo之间; 所述N型MOS管Ql1的栅极和所述P型MOS管Q12的栅极均接地,所述N型MOS管Ql1 的源极和所述P型MOS管Q12的源极连接后作为所述反相放大器的脉冲输入端pulse,所 述N型MOS管Qll的漏极连接至所述第一二极管Dll的负极,所述P型MOS管Q12的漏极 连接至所述第二二极管D12的正极; 所述第一二极管Dll的正极和所述第二二极管D12的负极均连接至所述第一电阻Rll 的另一端; 所述第三电阻R13连接在脉冲输入端pulse与地之间。10. -种反相放大器,其特征在于,包括第一电阻R21、第二电阻R22、第三电阻R23、阻 变元件M、运算放大器、第一二极管D21、第二二极管D22、N型MOS管Q21和P型MOS管Q22 ; 所述第一电阻R21的一端作为所述反相放大器的输入端Vi,所述第一电阻R21的另一 端连接所述运算放大器的反相输入端; 所述运算放大器的正相输入端接地,所述运算放大器的输出端作为所述反相放大器的 输出端Vo; 所述阻变元件M的一端连接至所述运算放大器的反相输入端,所述阻变元件M的另一 端通过所述第三电阻R23连接至所述运算放大器的输出端; 所述P型MOS管Q22的栅极和所述N型MOS管Q21的栅极均接地,所述P型MOS管Q22 的源极和所述N型MOS管Q21的源极连接后作为所述反相放大器脉冲输入端pulse,所述P 型MOS管Q22的漏极连接至所述第二二极管D22的正极,所述N型MOS管Q21的漏极连接 至所述第一二极管D21的负极; 所述第二二极管D22的负极和所述第一二极管D21的正极均连接至所述阻变元件M的 另一端; 所述第二电阻R22连接在所述P型MOS管Q22的源极与地之间。11. 一种积分电路,其特征在于,包括第一电阻R31、第二电阻R32、电容C31、第一二极 管D31、第二二极管D32、N型MOS管Q31、P型MOS管Q32、阻变元件M和运算放大器; 所述第一电阻R31的一端作为所述积分电路的输入端Vi;所述第一电阻R31的另一端 连接所述阻变元件M的一端; 所述阻变元件M的另一端连接至所述运算放大器的反相输入端; 所述运算放大器的正相输入端接地,所述运算放大器的输出端作为所述积分电路的输 出端Vo; 所述电容C31连接在所述运算放大器的反相输入端与输出端Vo之间; 所述N型MOS管Q31的栅极和所述P型MOS管Q32的栅极均接地,所述N型MOS管Q31 的源极和所述P型MOS管Q32的源极连接后作为所述积分电路的脉冲输入端pulse,所述N 型MOS管Q31的漏极连接至所述第一二极管D31的负极,所述P型MOS管Q32的漏极连接 至所述第二二极管D32的正极; 所述第一二极管D31的正极和所述第二二极管D32的负极均连接至所述第一电阻R31 的另一端; 所述第二电阻R32连接在所述N型MOS管Q31的源极与地之间。12.-种微分电路,其特征在于,包括第一电阻R41、第二电阻R42、电容C41、阻变元件M、运算放大器、第一二极管D41、第二二极管D42、N型MOS管Q41和P型MOS管Q42 ; 所述电容C41的一端作为所述微分电路的输入端Vi,所述电容C41的另一端连接所述 运算放大器的反相输入端; 所述运算放大器的同相输入端接地,所述运算放大器的输出端作为所述微分电路的输 出端Vo; 所述阻变元件M的一端连接至所述运算放大器的反相输入端,所述阻变元件M的另一 端通过所述第二电阻R42连接至所述运算放大器的输出端; P型MOS管Q42的栅极和N型MOS管Q41的栅极均接地,P型MOS管Q42的源极和N型MOS管Q41的源极连接后作为所述微分电路的脉冲输入端pulse,P型MOS管Q42的漏极连 接至第二二极管D42的正极,N型MOS管Q41的漏极连接至第一二极管D41的负极; 所述第一二极管D41的正极和所述第二二极管D42的负极均连接至所述阻变元件M的 另一端; 所述第一电阻R41连接在所述Q41的源极与地之间。
【专利摘要】本发明公开了一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作方法,编程电路包括:阻变元件、运算放大器、脉冲开关、第一电阻;运算放大器的反相输入端作为编程电路的输入端,同时连接阻变元件的一端;阻变元件的另一端连接脉冲开关的一端,同时连接第一电阻的一端;第一电阻的另一端作为编程电路的输出端,同时连接运算放大器的输出端;脉冲开关的另一端作为脉冲输入端;运算放大器的同相输入端接地。本发明利用阻变元件的阈值电压性质,通过改变阻变元件的阻值来改变电路的性能,可应用于多种现有所述的阻变元件编程电路之中,并且使用器件数较少,操作简单,节省功耗和时间,提高电路工作效率。
【IPC分类】G11C13/00
【公开号】CN104916312
【申请号】CN201510297341
【发明人】缪向水, 孙康, 李祎, 周亚雄
【申请人】华中科技大学
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年6月3日
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