存储器的测试装置和测试方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电学领域，尤其涉及一种存储器的测试装置和测试方法。
【背景技术】
[0002]在对静态随机存储器(Static RAM, SRAM)进行读取时，SRAM的存储单元能够提供的电流大小表征了对这个存储单元的读取的难易程度。SRAM的存储单元能够提供的电流越大，则读取成功的可能性越高，反之读取就越容易失败。
[0003]在SRAM的测试电路中，测试存储单元的电流大小并对存储单元的电流大小做出统计，能够帮助SRAM芯片的设计者和生产者快速判断工艺制程的好坏，进而对生产工艺或设计做出改进.
[0004]现今，专用集成电路(Applicat1nSpecific Integrated Circuit, ASIC)设计中SRAM的容量以兆比特计，即一颗SRAM芯片中可能存在几百甚至上千万的存储单元。由于外部测试设备速度较慢，利用外部设备对所有存储单元的电流进行测试并做出统计将耗费相当长的时间，效率极低，且不具有实际可行性。而如果随机挑选若干存储单元进行测试，则统计的结果将存在很大的误差。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是现有存储器的测试方法效率较低或误差较大。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种存储器的测试装置，所述存储器包括存储单元和与所述存储单元连接的位线，所述存储器的测试装置还包括:比较单元，所述比较单元和位线一一对应连接，所述比较单元包括至少两个电压比较器，所述电压比较器的第一输入端连接位线，所述电压比较器的第二输入端适于输入基准电压，位于同一个比较单元中的电压比较器的第二输入端输入的基准电压值不相同。
[0007]可选的，所述电压比较器为电压感应放大器。
[0008]可选的，所述存储器的测试装置还包括:编码器，所述编码器与所述比较单元一一对应连接，所述比较单元中的电压比较器的输出端连接所述编码器的输入端。
[0009]可选的，所述比较单元的数量为至少两个，所述至少两个比较单元的结构相同。
[0010]本发明还提供一种存储器的测试方法，所述存储器包括存储单元和与所述存储单元连接的位线，所述存储器的测试方法包括:
[0011]激活需测试的存储单元，同一次激活的存储单元连接不同的位线；
[0012]存储单元被激活后，获得被激活的存储单元在预定时刻对应的第一数字编码，所述第一数字编码表征在预定时刻所述被激活的存储单元连接的位线上的电压值与至少两个基准电压值的比较结果，所述至少两个基准电压值不相同；
[0013]测量与不同的第一数字编码对应的存储单元连接的位线上的电流值以获得存储单兀和电流值的对应关系。
[0014]可选的，所述存储器的测试方法还包括:将第一数字编码转换为第二数字编码，所述第二数字编码的位数小于第一数字编码。
[0015]可选的，所述存储器的测试方法还包括:基于所述存储单元和电流值的对应关系计算全部需测试的存储单元对应的电流值的平均值及方差。
[0016]可选的，所述存储器的测试方法还包括:基于所述存储单元和电流值的对应关系获得不同电流值对应的需测试的存储单元数量。
[0017]可选的，获得全部需测试的存储单元对应的第一数字编码之后，执行所述测量与不同的第一数字编码对应的存储单元连接的位线上的电流值以获得存储单元和电流值的对应关系的步骤。
[0018]可选的，所述需测试的存储单元分多次进行激活，在第一次激活并获得第一数字编码之后，或者在激活并获得的第一数字编码与前一次激活并获得的第一数字编码不相同时，执行所述测量与不同的第一数字编码对应的存储单元连接的位线上的电流值以获得存储单兀和电流值的对应关系。
[0019]与现有技术相比，本发明的技术方案对数量较多的存储单元进行测试，并且无需执行较多次数的测量操作，从而降低了测量的误差，效率也较高。
【附图说明】
[0020]图1是本发明存储器的测试装置的一结构示意图；
[0021]图2是本发明存储器的测试装置的另一结构示意图；
[0022]图3是本发明存储器的测试装置的又一结构示意图；
[0023]图4是本发明存储器的测试方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0024]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0025]本发明实施例提供一种存储器的测试装置，所述存储器包括:存储单元和与所述存储单元连接的位线，所述存储器的测试装置还包括:比较单元，所述比较单元和位线一一对应连接，所述比较单元包括至少两个电压比较器，所述电压比较器的第一输入端连接位线，所述电压比较器的第二输入端适于输入基准电压，位于同一个比较单元中的电压比较器的第二输入端输入的基准电压值不相同。在同一个比较单元中的电压比较器的使能信号端可以接收同一个使能信号，即同一个比较单元中的电压比较器同时工作或同时停止工作。
[0026]如图1所示，存储器包括位线BL，所述存储器的测试装置包括与位线BL对应连接的比较单元1，比较单元1包括η个电压比较器。所述η个电压比较器的第一输入端均连接与比较单元1连接的位线BL，第二输入端分别输入电压值不同的基准电压。所述存储器的测试装置还可以包括电容C，所述电容C的第一端连接位线BL，第二端接地。所述电压比较器可以为电压感应放大器。
[0027]具体的，所述η个电压比较器包括:第1个电压比较器SA1、第2个电压比较器SA2、第3个电压比较器SA3...第η个电压比较器SAn。
[0028]第1个电压比较器SA1的第一输入端连接位线BL,第二输入端适于输入第1个基准电压VREF1 ;第2个电压比较器SA2的第一输入端连接位线BL,第二输入端适于输入第2个基准电压VREF2 ;第3个电压比较器SA3的第一输入端连接位线BL,第二输入端适于输入第3个基准电压VREF3 ；……第η个电压比较器SAn的第一输入端连接位线BL，第二输入端适于输入第η个基准电压VREFn。其中，第1个基准电压VREF1、第2个基准电压VREF2、第3个基准电压VREF3……第η个基准电压VREFn的电压值均不相同。
[0029]电压比较器可以根据位线BL上的电压值和基准电压值之间的比较结果输出数字编码0或1。例如，位线BL上的电压值大于基准电压值时输出数字编码1，位线BL上的电压值小于基准电压值时输出数字编码0。第1个电压比较器SA1输出数字编码D1、第2个电压比较器SA2输出数字编码D2、第3个电压比较器SA3输出数字编码D3…第η个电压比较器SAn输出数字编码Dn。由于第1个电压比较器SA1至第η个电压比较器SAn输入的基准电压值不相同，所以，输出的数字编码D1至Dn可能会有所不同，每个数字编码代表位线BL上的电压值与一个基准电压值的比较结果。
[0030]在比较单元1中，η个电压比较器可以按照预定顺序进行排列，所述预定顺序与输入所述电压比较器的基准电压值相关。假设，第1个基准电压VREF1至第η个基准电压VREFn的电压值逐渐增大，即第1个基准电压VREF1的电压值最小，第η个基准电压VREFn的电压值最大，则电压比较器可以按照输入的基准电压值大小进行排序，输入第1个基准电压VREF1的电压比较器SA1排在第1位，输入第2个基准电压VREF2的电压比较器SA2排在第2位，输入第3个基准电压VREF3的电压比较器SA3排在第3位……输入第η个基准电压VREFn的电压比较器SAn排在第η位。第1个基准电压VREF1至第η个基准电压VREFn的电压值可以为等差数列。
[0031]存储器可以包括多个位线和与其一一对应的比较单元。例如，如图2所示，存储器包括呈2行3列排布的6个存储单元和3条位线。其中，存储单元11和存储单元21连接第1条位线BL1，存储单元12和存储单元22连接第2条位线BL2，存储单元13和存储单元23连接第3条位线BL3。与该存储器相对应的，所述存储器的测试装置包括:与第1条位线BL1连