分别设为46at%、48at%和6at%。此外，对于构成非磁性 晶界的SiO 2含量，若以第2磁性层32的体积为基准，为35体积％。
[0124] 根据与实施例2相同的步骤，测量所获得的磁记录层的饱和磁化Ms和磁各向异性 常数Ku，计算出磁性晶粒的实际磁各向异性常数Ku_grain。磁记录层的结构及测量结果如 第5表所示。
[0125] (实施例4)
[0126] 除了将第2磁性层32的磁性晶粒的第3元素变更为Mn以外，重复实施例2的步骤，获 得磁记录介质。形成本实施例的第2磁性层32时，采用Mn靶材替换Ru靶材。
[0127] 在形成第2磁性层32时，调整施加于各个靶材的电力，对于第2磁性层32的磁性晶 粒中的Fe、Pt及Mn含量，若以磁性晶粒的总原子数为基准，则分别设为39at %、50at %和 llat%。此外，构成非磁性晶界的B和C的含量，若以第2磁性层32的体积为基准，则分别为15 体积％及5体积％。调整第2磁性层32的形成时间，形成了膜厚为3nm、5nm和7nm的第2磁性层 32〇
[0128] 根据与实施例2相同的步骤，测量所获得的磁记录层的饱和磁化Ms和磁各向异性 常数Ku，计算出磁性晶粒的实际磁各向异性常数Ku_grain。磁记录层的结构及测量结果如 第5表所示。
[0129]【表8】
[0131] 根据第5表得知，实施例2、3、4的磁记录介质具有较大的实际磁各向异性常数Ku_ grain和饱和磁化Ms，实施例2和3的磁记录介质所具有的磁记录层构成为包括由FePt-C构 成的第1磁性层31、和由FePtRu-BC构成的第2磁性层32,实施例4的磁记录介质所具有的磁 记录层构成为包括由FePt-C构成的第1磁性层31、和由FePtRu-SiO 2构成的第2磁性层32。另 一方面，在比较例4的磁记录介质中发现了饱和磁化Ms和实际磁各向异性常数Ku _gr a i η的 明显下降，比较例4的磁记录介质所具有的磁记录层构成为具有由不含Ru作为第3元素的 FePtMn-BC构成的第2磁性层32。由此可知，本实施例的磁记录介质可以实现已记录的磁化 (信号）的较高的热稳定性及较大的信号输出这两者。
[0132] 此外，得知在第2磁性层的膜厚相同时，由硼(B)和碳(C)的混合物形成非磁性晶界 的实施例3的磁记录介质会比由二氧化娃(Si〇2)形成非磁性晶界的实施例4的磁记录介质 具有更大的饱和磁化Ms和实际磁各向异性常数Ku _gr a i η，实施例4。
[0133] (实施例5)
[0134] 清洗具有平滑表面(001)的MgO单晶基板，准备非磁性基板。将清洗后的非磁性基 板导入溅射装置内。
[0135] 当非磁性基板加热至430°C后，在压力为1.5Pa的Ar气体中，通过采用了FePt靶材 及C靶材的DC磁控溅射法，形成了具有颗粒状结构且膜厚为2nm的FePt-C第1磁性层。对FePt 靶材施加的电力为50W，对C靶材施加的电力为345W。关于所获得的第1磁性层的磁性晶粒中 的Fe及Pt含量，若以磁性晶粒的总原子数为基准，分别为50at %和50at %。此外，对于构成 非磁性晶界的C的含量，若以第1磁性层的体积为基准，则为40体积％。
[0136] 接下来，当将形成了第1磁性层的非磁性基板加热至430°C后，在压力为1.5Pa的Ar 气体中，通过采用了FePt靶材、Ru靶材、B靶材及C靶材的磁控溅射法，形成了具有颗粒状结 构且膜厚为7nm的FePtRu-BC第2磁性层，获得了由第1磁性层和第2磁性层构成的磁记录层。 对FePt靶材施加的DC电力为50W，对Ru靶材施加的DC电力为1W，对B靶材施加的RF电力为 349W，对C靶材施加的DC电力为59W。关于所获得的第2磁性层的磁性晶粒中的Fe、Pt及Ru含 量，若以磁性晶粒的总原子数为基准，分别为47at %、47at %和6at %。此外，对于构成非磁 性晶界的B和C含量，若以第2磁性层的体积为基准，分别为15体积％及5体积％。
[0137]接下来，当对形成了磁记录层的非磁性基板冷却至25°C后，在压力为0.5Pa的Ar气 体中，通过采用了Pt靶材的DC磁控溅射法，形成了膜厚为5nm的Pt保护层，获得了磁记录介 质。
[0138] 根据与实施例1相同的步骤，对所获得磁记录层的饱和磁化Ms和磁各向异性常数 Ku进行测量。此处，作为磁性晶粒和非磁性晶界的总体积的单位体积的能量值，测量磁各向 异性常数Ku。因此，计算出磁性晶粒的实际磁各向异性常数Ku_grain。实际磁各向异性常 数Ku_grain是将测量的磁各向异性常数Ku除以磁记录层中磁性晶粒的体积比率而得出。 测量结果如第6表所示。
[0139] (实施例6)
[0140] 与实施例5同样地准备非磁性基板。将清洗后的非磁性基板导入溅射装置内。
[0141] 当非磁性基板加热至430°C后，在压力为1.5Pa的Ar气体中，通过采用了FePt靶材、 Ru靶材及C靶材的DC磁控溅射法，形成了具有颗粒状结构且膜厚为2nm的FePtRu-C第1磁性 层31。对FePt靶材施加的电力为50W，对Ru靶材施加的电力为IW，对C靶材施加的DC电力为 350W。对于所获得的第1磁性层的磁性晶粒中的Fe、Pt及Ru含量，若以磁性晶粒的总原子数 为基准，分别为47at%、47at%和6at%。此外，对于构成非磁性晶界的C的含量，若以第1磁 性层的体积为基准，为40体积％。
[0142] 接下来，通过与实施例5相同的步骤，形成第2磁性层及保护层，获得磁记录介质。 针对获得的磁记录介质，求出磁记录层的饱和磁化Ms、磁各向异性常数Ku以及磁性晶粒的 实际磁各向异性常数Ku_grain。测量结果如第6表所示。
[0143] 【表9】
[0144] 第6表:实施例5及实施例6的评价结果
[0146] *1:以磁性晶粒的总原子数为基准的比率
[0147] *2: lemu/cc = lA/mm
[0148] *3:107erg/cc = J/cm3
[0149] 仅在第2磁性层中含Ru的实施例5的磁记录介质与实施例2~4的磁记录介质相同， 都具有较大的Ms、Ku及Ku_grain。另一方面，对于在第1磁性层及第2磁性层这两者中都含 Ru的实施例6的磁记录介质，虽然数值上有些许减少，但是也具有足够大的Ms、Ku及Ku_ grain。特别在磁性晶粒的实际磁各向异性常数Ku_grain上获得了 1.00J/cm3( 1.00 X 107erg/cc)的较大值。此外，实施例5及实施例6的磁记录介质具有良好形状的M-H磁滞回 线。
[0150] 符号说明
[0151] 10 基板
[0152] 20籽晶层
[0153] 30磁记录层
[0154] 31第1磁性层
[0155] 32第2磁性层
[0156] 40保护层
【主权项】
1. 一种磁记录介质，其特征在于，包含非磁性基板和磁记录层，所述磁记录层含有有序 合金，所述有序合金包含:选自由Fe和Ni所组成的组中的至少1种元素;选自由Pt、Pd、Au、Rh 和Ir所组成的组中的至少1种元素；以及Ru。2. 如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述有序合金是含有Fe、Pt和Ru的Llo 型有序合金。3. 如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层具有颗粒状结构，所述 颗粒状结构具备含有所述有序合金的磁性晶粒和非磁性晶界，所述非磁性晶界包含选自由 碳、硼、碳化物、氧化物及氮化物所组成的组中的至少1种材料。4. 如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层包含多个磁性层，所述 多个磁性层中的至少1个层是含有所述有序合金的磁性层。5. 如权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层包含不含有所述有序合 金的至少1个磁性层。6. 如权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层包含具有颗粒状结构的 至少1个磁性层，所述颗粒状结构具备磁性晶粒和非磁性晶界，所述非磁性晶界包含选自由 碳、硼、碳化物、氧化物及氮化物所组成的组中的至少1种材料。7. 如权利要求6所述的磁记录介质，其特征在于，具有所述颗粒状结构的磁性层中的至 少1个层的磁性晶粒含有所述有序合金。8. 如权利要求7所述的磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层由第1磁性层和在所述 第1磁性层上形成的第2磁性层组成，所述第1磁性层具有具备不含所述有序合金的磁性晶 粒、和含碳的非磁性晶界的颗粒状结构，所述第2磁性层具有具备由所述有序合金构成的磁 性晶粒、和含碳及硼的非磁性晶界的颗粒状结构。9. 如权利要求7所述的磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层由第1磁性层和在所述 第1磁性层上形成的第2磁性层组成，所述第1磁性层具有具备含所述有序合金的磁性晶粒、 和含碳的非磁性晶界的颗粒状结构，所述第2磁性层具有具备由所述有序合金构成的磁性 晶粒、和含碳及硼的非磁性晶界的颗粒状结构。
【专利摘要】本发明的目的在于，提供一种磁记录层及具有该磁记录层的磁记录介质，该磁记录层具有高磁各向异性常数Ku及低居里温度Tc。本发明所述磁记录介质的特征在于，包含非磁性基板和磁记录层，磁记录层含有有序合金，该有序合金包含选自由Fe和Ni所组成的群中的至少1种元素、选自由Pt、Pd、Au、Rh和Ir所组成的群中的至少1种元素、以及Ru。
【IPC分类】G11B5/65, G11B5/66
【公开号】CN105637585
【申请号】CN201580002204
【发明人】森谷友博, 中田仁志, 菊池洋人, 片冈弘康, 古田旭, 岛津武仁
【申请人】富士电机株式会社
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年3月13日
【公告号】WO2015151425A1