专利名称：强电介质存储器装置及其驱动方法
技术领域：
本发明涉及在存储单元内使用强电介质电容器而构成的强电介质存储器装置，特别涉及在1个存储单元中可以存储3值以上的数据的强电介质存储器装置及其驱动方法。
背景技术：
近年来，积极地研究开发PZT、SBT等强电介质膜、使用了该膜的强电介质电容器、及强电介质存储器装置。
正如特开平7-122661号公报、特开平8-180673号公报中公开了的那样，涉及到可存储多值数据的存储器有把极化翻转电压互相不同的多个强电介质电容器并联连接而构成1个存储单元的存储器。
然而，在这些技术中，存在着下述课题。在把极化翻转电压互相不同的多个强电介质电容器并联连接的存储单元中，为了形成极化翻转电压不同的强电介质电容器，制造工艺变得复杂，或者并联连接的多个强电介质电容器的占有面积变大，因而引起强电介质存储器装置的价格提高。
发明公开本发明的目的在于提供不使制造工艺复杂化、此外，不使强电介质电容器的占有面积增大、每一个存储单元可存储3值以上的多值数据的强电介质存储装置及其驱动方法。
本发明是一种强电介质存储器装置，它包含把至少具有强电介质电容器的多个存储单元排列起来而形成的存储单元阵列，该装置通过对上述强电介质电容器施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压，可以有选择地把3值以上的数据存储到该强电介质电容器中。
在本发明中，通过对强电介质电容器施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压、再把各个极化状态作为数据读出，可以存储3个以上的数据。此时，可设定各极化状态，以便在读出时具有能够判别数据的足够的裕量。
按照本发明，由于在单一的强电介质电容器中能够存储3个以上的数据，故与把多个强电介质电容器组合起来而构成一个存储单元的情况相比，不使强电介质电容器的占有面积增大，能够达到高集成化。
在上述3个以上极化状态中，可以是2个极化状态为饱和极化状态、至少1个极化状态为部分极化状态。
本发明例如可应用于下面的强电介质存储器装置中。
(A)2晶体管2电容器(2T2C)型强电介质存储器装置在该强电介质存储器装置中，上述存储单元具有1条字线、2条位线、1条板线、2个晶体管及2个上述强电介质电容器，第1晶体管的栅与上述字线连接，第1晶体管的源·漏分别与第1位线及第1强电介质电容器的第1电极连接，上述第1强电介质电容器的第2电极与上述板线连接，第2晶体管的栅与上述字线连接，第2晶体管的源·漏分别与第2位线及第2强电介质电容器的第1电极连接，上述第2强电介质电容器的第2电极与板线连接。
(B)1晶体管1电容器(1T1C)型强电介质存储器装置在该强电介质存储器装置中，上述存储单元具有1条字线、1条位线、1条板线、1个晶体管及1个上述强电介质电容器，上述晶体管的栅与上述字线连接，上述晶体管的源·漏分别与上述位线及上述强电介质电容器的第1电极连接，上述强电介质电容器的第2电极与上述板线连接。
(C)简单矩阵型强电介质存储器装置在该强电介质存储器装置中，上述存储单元具有1条字线、1条位线及1个上述强电介质电容器，上述字线及上述位线分别与上述强电介质电容器的第1电极及第2电极连接。
本发明的第1方法是强电介质存储器装置的驱动方法，它驱动包含把至少具有强电介质电容器的多个存储单元排列起来而形成的存储单元阵列的强电介质存储器装置，该方法包含第1步骤，它在选定了的存储单元中，对上述强电介质电容器施加规定的电压，把该强电介质电容器设定成1个极化状态；第2步骤，它通过在上述选定了的存储单元中、对上述强电介质电容器分别施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压，有选择地把3值以上的数据写入到该强电介质电容器中；以及第3步骤，它在上述选定了的存储单元中、对上述强电介质电容器施加规定的电压，根据该强电介质电容器极化状态的变化来读出数据。
本发明的第1方法可应用于例如上述(B)、(C)强电介质存储器装置中。
本发明的第2方法是上述(C)强电介质存储器装置的驱动方法，它包含第1步骤，它在选定了的存储单元中，对第1强电介质电容器施加规定的电压，把该强电介质电容器设定成1个极化状态；第2步骤，它通过在上述选定了的存储单元中、对上述第1强电介质电容器分别施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压，有选择地把3值以上的数据写入到该第1强电介质电容器中，同时，对第2强电介质电容器施加规定的电压，把该第2强电介质电容器设定成1个极化状态；以及第3步骤，它在上述选定了的存储单元中、对上述第1强电介质电容器及上述第2强电介质电容器施加规定的电压，根据该第1强电介质电容器极化状态的变化与该第2强电介质电容器极化状态的变化之差来读出数据。
在第1及第2方法中，上述第3步骤兼作下一次写入中的第1步骤，在上述第3步骤之后可以进行与上述第2步骤相同的写入。此时，在上述第3步骤中对上述强电介质电容器施加的电压可以与在上述第1步骤中对上述强电介质电容器施加的电压相同。
附图的简单说明
图1为示出在本发明实施形态中的、强电介质电容器的结构的剖面图。
图2为示出在本发明实施形态中的、强电介质电容器的磁滞回线的图。
图3为示出在本发明实施形态中的、强电介质电容器的另一磁滞回线的图。
图4为示出在本发明实施形态中的2T2C存储单元的等效电路的图。
图5为示出在本发明实施形态中的1T1C存储单元的等效电路的图。
图6A为示出在本发明实施形态中把由简单矩阵构成的存储单元排列起来而形成的强电介质存储器装置的平面图，图6B为图6A的A-A线剖面图。
图7为示出在本发明实施形态中进行强电介质电容器的初始化、写入、读出的工作电压波形之一例的图。
图8为示出在本发明实施形态中进行强电介质电容器的初始化、写入、读出的工作电压波形另一例的图。
图9为示出对各种写入电压的、读出电压与极化量之关系的曲线图。
图10为示出为了测定图9所示的极化量，对强电介质电容器施加的电压波形的曲线图。
用于实施发明的最佳形态下面，一边参照附图，一边说明本发明的实施形态。
(第1实施形态)图1为示出在本实施形态中的、强电介质电容器100的剖面图。图1中，101为强电介质膜，102为下部电极，103为上部电极。在强电介质电容器100中，其上部电极103及下部电极102的某一方为第1电极，另一方为第2电极。作为强电介质膜101，可使用SBT(SrBi2Ta2O9)、PZT(PbZr1-XTiXO3)或其它强电介质材料。可使用溶液涂布法、CVD法等来形成强电介质膜101。作为下部电极102及上部电极103，可使用白金或铱等贵金属、其它金属材料，或这些金属的氧化物，以及上述材料的层叠结构等。上部电极103及下部电极102，可使用溅射法等来形成。
图2为示出图1所示强电介质电容器100的极化量(P)～电压(V)的磁滞回线的图。在该强电介质电容器100中，磁滞回线成为下述那样。当对强电介质电容器100施加电压Vs时极化量成为Ps，其后当使电压为0时极化量成为Pr。进而，当使电压为-Vc时极化量大致成为0，当使电压为-Vs时极化量成为-Ps。当使电压再次为0时极化量成为-Pr。进而，当使电压为Vc时极化量大致成为0，当使电压为Vs时极化量再次返回到Ps。一般来说，把2值数据存储到该强电介质电容器中的方法，即把施加电压为0时的2个饱和极化状态(极化量Pr，-Pr)作为2值数据进行存储的方法是已知的。
按照本发明人的实验，确认了下面的情况。在从已经施加了电压Vs的状态施加0＞-V＞-Vs的电压-V、其后使电压返回到0时的极化量之再现性良好、稳定。此外，在从已经施加了电压-Vs的状态施加0＜V＜Vs的电压V、其后使电压返回到0时的极化量之再现性更加稳定。即，不仅得到施加电压为-Vs或Vs时的饱和极化状态，而且还得到了施加电压为在-Vs与Vs之间的电压-V或V时、再现性更加稳定的极化状态(下面，把这样的极化状态称为<部分极化状态>)。如果在这样的部分极化状态下也可以确保在读出时能够相对于其它极化状态进行数据判别的裕量，就能够进行数据的划分。因而，通过从饱和极化状态及部分极化状态中选择能够进行数据划分的3个以上极化状态，能够把3值以上的多值数据写入1个强电介质电容器中，或从其读出。这一点可以说就在不仅包含本实施形态、而且包含其它实施形态的本发明中。
例如，如图2所示那样，在已经使电压为Vs极化量成为Ps之后施加翻转电压-Vc(0＞-Vc＞-Vs)、其后使电压为0时，磁滞环描绘出箭头所示的轨迹。此时的极化量可保持为稳定的值P1。而且，如果在读出时能够判别饱和极化量Pr、-Pr与极化量P1，则作为能够在强电介质电容器中存储的极化状态除了饱和极化状态(极化量Pr、-Pr)之外、还存在着部分极化状态(极化量P1)。在此，如果把极化量Pr的状态(第1饱和极化状态)定义为“0”，把极化量P1的状态(部分极化状态)定义为“1”，把极化量-Pr的状态(第2饱和极化状态)定义为“2”，则可存储3值数据。
图7为示出在本实施形态中的、进行强电介质电容器的初始化、写入、读出的工作电压的脉冲波形之一例的图。图7中，标号701为进行“0”的写入及读出时的工作电压的波形，标号702为进行“1”的写入及读出时的工作电压的波形，标号703为进行“2”的写入及读出时的工作电压的波形。
图7中，在瞬时t1～t2期间内，对选定了的存储单元的各强电介质电容器施加电压Vs，进行强电介质电容器的初始化。在瞬时t3～t4期间内，在写入“0”的情况下对强电介质电容器施加电压Vs，在写入“1”的情况下对强电介质电容器施加电压-Vc，在写入“2”的情况下对强电介质电容器施加电压-Vs。在瞬时t5～t6期间内，对选定了的各强电介质电容器施加电压Vs，分别读出数据。在该读出时施加的电压波形可兼作在瞬时t1～t2中施加的初始化电压波形。
图8为示出在本实施形态中的、进行强电介质电容器的初始化、写入、读出的工作电压的脉冲波形之另一例的图。图8中，标号801为进行“0”的写入及读出时的工作电压的波形，标号802为进行“1”的写入及读出时的工作电压的波形，标号803为进行“2”的写入及读出时的工作电压的波形。
在图8所示之例中，瞬时t1～t2期间的初始化及瞬时t5～t6期间的读出与图7所示之例相同，瞬时t3～t4期间的写入与图7所示之例不同。即，在本例中，在写入“0”的情况下对强电介质电容器施加电压0，在写入“1”的情况下对强电介质电容器施加电压-Vc，在写入“2”的情况下对强电介质电容器施加电压-Vs。此外，在读出时施加的电压波形与在瞬时t1～t2中施加的初始化的波形相同，可兼作在瞬时t7～t8中施加的再写入的初始化电压波形。
如上所述，在本实施形态中，在强电介质电容器的初始化、写入、读出中，可采用各种电压波形的形态。当然，电压波形的极性可与图示之例相反。
在本实施形态中，能够在1个强电介质电容器中存储3值数据及从其读出3值数据。本实施形态的强电介质存储器装置的制造工艺与现有的、在1个强电介质电容器中进行2值存储的强电介质存储器装置相同，此外，每一个存储单元的占有面积也是同等的。因而，与现有的存储多值数据的强电介质存储器装置相比较，其制造工艺是容易的，并能实现存储单元的高集成化。
(笫2实施形态)图3为示出本实施形态中的、图1所示的强电介质电容器100的极化量(P)～电压(V)的磁滞回线的图。图3示出可存储4值数据时的磁滞回线之例。
如图3所示那样，使用上述强电介质电容器，在已经施加了电压Vs使极化量成为Ps之后施加电压-V1(0＞-V1＞-Vs)进行写入、其后使施加电压为0时，磁滞环描绘出箭头A1所示的轨迹。此时的极化量保持为稳定的值P1。此外，在施加比上述电压-V1小组比电压-Vs大的电压-V2进行写入、其后使施加电压为0时，磁滞环描绘出箭头A2所示的轨迹。此时的极化量保持为稳定的值P2。即，如果在读出时能够判别饱和极化量Pr、-Pr及极化量P1、P2，则作为能够在强电介质电容器中存储的极化状态除了饱和极化状态(极化量Pr、-Pr)之外、还存在着部分极化状态(极化量P1、P2)。在此，如果把极化量Pr的状态(第1饱和极化状态)定义为“0”，把极化量P1的状态(第1部分极化状态)定义为“1”，把极化量P2的状态(第2部分极化状态)定义为“2”，把极化量-Pr的状态(第2饱和极化状态)定义为“3”，则通过使写入时的电压成为4个电压(Vs、-V1、-V2、-Vs)，能够写入及读出上述“0”、“1”、“2”、“3”的数据。因而，在本实施形态中，可以把4值数据存储到1个强电介质电容器中及从其中读出4值数据。
在本实施形态中，也与第1实施形态相同，与现有的存储多值数据的强电介质存储器装置相比较，其制造工艺是容易的，并能实现存储单元的高集成化。
在第1、第2实施形态中，以负电压进行了在部分极化状态下的写入，但是，即使使该电位为正电位也可以进行同样的工作。此外，在第1、第2实施形态中，说明了3值或4值的多值数据，但是，也可以存储更大的多值数据，例如5值以上的数据。
(第3实施形态)图4为示出在本实施形态中的、2T2C存储单元400的等效电路的图。图4中，示出1个存储单元的等效电路，省略了周边的驱动电路及读出用的放大电路等。图4中，401为字线，402为第1位线，403为第2位线，404为板线，405为第1MOS晶体管，406为第2MOS晶体管，407为第1强电介质电容器，408为第2强电介质电容器。
第1 MOS晶体管405的栅与字线401连接。第1 MOS晶体管405的源·漏分别与第1位线402及第1强电介质电容器407的第1电极连接。进而，第1强电介质电容器407的第2电极与板线404连接。第2 MOS晶体管406的源·漏分别与第2位线403及第2强电介质电容器408的第1电极连接。进而，第2强电介质电容器408的第2电极与板线404连接。
在该2T2C存储单元400中，在选定了的存储单元中，对第1强电介质电容器407施加规定的电压，把第1强电介质电容器407设定成1个极化状态来进行初始化。接着，通过对第1强电介质电容器407施加用于设定3个以上极化状态的3个、以上不同电压的某一个，有选择地把3值以上的数据的某一个写入到第1强电介质电容器407中。同时，对第2强电介质电容器408施加规定的电压，把第2强电介质电容器设定成1个极化状态。接着，对第1、第2强电介质电容器施加规定的电压，把第1强电介质电容器407极化状态的变化及第2强电介质电容器408极化状态的变化作为电位分别进行检测，根据两者之差写入第1强电介质电容器中，或者读出数据。
下面，描述本实施形态中的工作之例。
初始化首先，预先使第1位线402及第2位线403的电位为0。然后，驱动字线401使第1、笫2 MOS晶体管405、406分别成为导通状态，对板线404施加例如-Vs电压。此时，把电压Vs或接近于Vs的电压施加到第1、第2强电介质电容器407、408上。其结果，对第1、第2强电介质电容器407、408进行了初始化。
写入驱动字线401、使第1、第2 MOS晶体管405、406分别成为导通状态。把3个以上的多值数据的某一个数据从第1位线402写入第1强电介质电容器407中，把例如数据“0”从第2位线403写入第2强电介质电容器408中。其后，使第1、第2 MOS晶体管405、406分别成为截止状态，以保持写入了的数据。
读出预先使第1位线402及第2位线403的电位为0。然后，驱动字线401使第1、第2 MOS晶体管405、406分别成为导通状态，对板线404施加例如-Vs电压。此时，把电压Vs或接近于Vs的电压施加到第1、第2强电介质电容器407、408上。其结果，把预先存储了的规定的数据通过第1位线402从第1强电介质电容器407读出。此外，把预先存储了的数据“0”通过第2位线403从第2强电介质408读出。通过把该第1位线402的电位与第2位线403的电位加以比较，可以检测在第1位线402上读出了的数据的逻辑值。
使用了2T2C存储单元的强电介质存储器装置的制造工艺与现有的、在1个强电介质电容器中进行2值信息存储的强电介质存储器装置相同，此外，每一个存储单元的占有面积也是同等的。因此，按照本实施形态的强电介质存储器装置，由于能够在1个强电介质电容器中存储3个以上的数据，故能实现存储单元的高集成化、大容量化。
对上述第2强电介质电容器408施加规定的电压、把第2强电介质电容器设定成1个极化状态的瞬间可以是，把上述第1强电介质电容器407设定成1个极化状态来进行初始化的瞬间。
(第4实施形态)图5为示出在本实施形态中的、1T1C存储单元500的等效电路的图。图5中，对与图4所示部分相同的部分标以相同的标号。图5中，省略了周边的驱动电路及读出用的放大电路等。
MOS晶体管405的栅与字线401连接。MOS晶体管405的源·漏分别与位线402及强电介质电容器407的第1电极连接。进而，第1强电介质电容器407的第2电极与板线404连接。
在该1T1C存储单元500中，在选定了的存储单元中，对强电介质电容器407施加规定的电压，把强电介质电容器407设定成1个极化状态来进行初始化。接着，在选定了的存储单元中，通过对强电介质电容器407施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压的某一个，有选择地把3值以上的数据的某一个写入到强电介质电容器407中。接着，在选定了的存储单元中，对强电介质电容器407施加规定的电压，把强电介质电容器407极化状态的变化作为电位进行检测来读出数据。
下面，说明本实施形态中的工作之例。
初始化预先使位线402的电位为0。然后，驱动字线401使MOS晶体管405成为导通状态，对板线404施加例如-Vs电压。此时，把电压Vs或接近于Vs的电压施加到强电介质电容器407上。其结果，对强电介质电容器407进行了初始化。
写入驱动字线401、使MOS晶体管405成为导通状态。把3个以上的多值数据的某一个数据从位线402写入强电介质电容器407中。其后，使MOS晶体管405成为截止状态，以保持写入了的数据。
读出预先使位线402的电位为0。然后，驱动字线401使MOS晶体管405成为导通状态，对板线404施加例如-Vs电压。此时，把电压Vs或接近于Vs的电压施加到强电介质电容器407上。其结果，把预先存储了的规定的数据通过位线402从强电介质电容器407读出。通过用读出放大器等对该信号进行处理，可以检测在位线402上读出了的数据的逻辑值。
在使用了1T1C存储单元的该情况下也与其它实施形态一样，由于能够在1个强电介质电容器中存储3个以上的数据，故能实现存储单元的高集成化、大容量化。
(第5实施形态)图6A、图6B为示出在本实施形态中的、具有把存储单元以没有晶体管的方式排列成简单矩阵型的存储单元阵列的强电介质存储器装置600的结构的图。图6中，省略了的周边的驱动电路及读出用的放大电路等。图6A为存储单元阵列的平面图，图6B为图6A的A-A线剖面图。图6A中，601为排列了规定条数的字线(只图示出一部分字线)，602为排列了规定条数的位线(只图示出一部分位线)。
如图6B所示那样，在基体608上形成了存储单元阵列。在基体608上层叠了字线601、强电介质膜607、位线602。把强电介质膜607配置在字线601与位线602之间。因而，在字线601与位线602的交点上分别形成强电介质电容器。而且，字线及位线的某一方为强电介质电容器的第1电极，另一方为第二电极。
在具有简单矩阵型存储单元阵列的该强电介质存储器装置600中，也使朝向在字线与位线的交点上形成的强电介质电容器的写入电压成为3个电压以上，把3值以上的数据存储到1个强电介质电容器中，进而可以进行数据的读出。
(实验例)图9为示出在以图10所示的工作波形施加了电压的情况下，测定对于各种写入电压的、读出工作中的极化量的结果的曲线图。图9中，在曲线图栏外记述的电压表示写入电压(图10三角波的最大值)。图10中，以标号a示出的三角波表示初始化的工作波形，以标号b示出的三角波表示写入的工作波形，以标号c示出的三角波表示读出的工作波形(0～1.5～0V)。再有，图10示出了写入电压为0.5V的情况。
图9中，例如在写入电压为0V时，读出时极化量的变化成为最大，在写入电压为1.5V时，读出时极化量的变化成为最小。而且，在把0与1.5之间的电压作为写入电压施加时，得到了根据写入电压而不同的、稳定的磁滞回线。因此，确认了，对于不同的写入电压可以得到分别不同的读出极化量。由此可知，通过选择对强电介质电容器施加的电压，可以进行3值以上的多值数据的写入及读出。这样，即使使初始化波形的电压方向与读出波形的电压方向相反，也能够进行多值数据的写入及读出。进而，在进行再写入时，如果施加初始化波形、再施加写入波形来进行，即可。
上面，描述了本发明的实施形态，但本发明并不限定于此，在本发明要点的范围内可采取各种形态。
权利要求
1.一种强电介质存储器装置，该装置包含把至少具有强电介质电容器的多个存储单元排列起来而形成的存储单元阵列，其特征在于，通过对上述强电介质电容器施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压，可以有选择地把3值以上的数据存储到该强电介质电容器中。
2.根据权利要求1牛所述的强电介质存储器装置，其特征在于，在上述3个以上极化状态中，至少1个极化状态为部分极化状态。
3.根据权利要求1或2中所述的强电介质存储器装置，其特征在于，上述存储单元具有1条字线、2条位线、1条板线、2个晶体管及2个上述强电介质电容器，第1晶体管的栅与上述字线连接，第1晶体管的源·漏分别与第1位线及第1强电介质电容器的第1电极连接，上述第1强电介质电容器的第2电极与上述板线连接，第2晶体管的栅与上述字线连接，第2晶体管的源·漏分别与第2位线及第2强电介质电容器的第1电极连接，上述第2强电介质电容器的第2电极与板线连接。
4.根据权利要求1或2中所述的强电介质存储器装置，其特征在于，上述存储单元具有1条字线、1条位线、1条板线、1个晶体管及1个上述强电介质电容器，上述晶体管的栅与上述字线连接，上述晶体管的源·漏分别与上述位线及上述强电介质电容器的第1电极连接，上述强电介质电容器的第2电极与上述板线连接。
5.根据权利要求1或2中所述的强电介质存储器装置，其特征在于，上述存储单元具有1条字线、1条位线及1个上述强电介质电容器，上述字线及上述位线分别与上述强电介质电容器的第1电极及第2电极连接。
6.一种强电介质存储器装置的驱动方法，该方法驱动包含把至少具有强电介质电容器的多个存储单元排列起来而形成的存储单元阵列的强电介质存储器装置，其特征在于，包含第1步骤，它在选定了的存储单元中，对上述强电介质电容器施加规定的电压，把该强电介质电容器设定成1个极化状态；第2步骤，它通过在上述选定了的存储单元中、对上述强电介质电容器分别施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压，有选择地把3值以上的数据写入到该强电介质电容器中；以及第3步骤，它在上述选定了的存储单元中、对上述强电介质电容器施加规定的电压，根据该强电介质电容器极化状态的变化来读出数据。
7.根据权利要求6中所述的强电介质存储器装置的驱动方法，其特征在于，上述第3步骤兼作下一次写入中的第1步骤，在上述第3步骤之后进行与上述第2步骤相同的写入。
8.根据权利要求7中所述的强电介质存储器装置的驱动方法，其特征在于，在上述第3步骤中对上述强电介质电容器施加的电压与在上述第1步骤中对上述强电介质电容器施加的电压相同。
9.一种强电介质存储器装置的驱动方法，该方法是根据权利要求3中所述的强电介质存储器装置的驱动方法，其特征在于，包含第1步骤，它在选定了的存储单元中，对第1强电介质电容器施加规定的电压，把该强电介质电容器设定成1个极化状态；第2步骤，它通过在上述选定了的存储单元中、对上述第1强电介质电容器分别施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压，有选择地把3值以上的数据写入到该第1强电介质电容器中，同时，对第2强电介质电容器施加规定的电压，把该第2强电介质电容器设定成1个极化状态；以及第3步骤，它在上述选定了的存储单元中、对上述第1强电介质电容器及上述第2强电介质电容器施加规定的电压，根据该第1强电介质电容器极化状态的变化与该第2强电介质电容器极化状态的变化之差来读出数据。
10.一种强电介质存储器装置的驱动方法，该方法是根据权利要求3中所述的强电介质存储器装置的驱动方法，其特征在于，包含第1步骤，它在选定了的存储单元中，对上述第1及笫2强电介质电容器施加规定的电压，分别把该第1及第2强电介质电容器设定成1个极化状态；第2步骤，它通过在上述选定了的存储单元中、对上述第1强电介质电容器分别施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压，有选择地把3值以上的数据写入到该第1强电介质电容器中；以及第3步骤，它在上述选定了的存储单元中、对上述第1及第2强电介质电容器施加规定的电压，根据该第1强电介质电容器极化状态的变化与该第2强电介质电容器极化状态的变化之差来读出数据。
11.根据权利要求9或10中所述的强电介质存储器装置的驱动方法，其特征在于，上述第3步骤兼作下一次写入中的第1步骤，在上述第3步骤之后进行与上述第2步骤相同的写入。
12.根据权利要求11中所述的强电介质存储器装置的驱动方法，其特征在于，在上述第3步骤中对上述第1及第2强电介质电容器施加的电压与在上述第1步骤中对上述第1及第2强电介质电容器施加的电压相同。
全文摘要
强电介质存储器装置包含把至少具有强电介质电容器的多个存储单元排列起来而形成的存储单元阵列。通过对强电介质电容器施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压(例如，Vs、－Vc、－Vs)，可以有选择地把3值(例如，Pr(0)、P1(1)、－Pr(2))以上的数据存储到该强电介质电容器中。
文档编号H01L21/8246GK1426585SQ01808693
公开日2003年6月25日 申请日期2001年12月27日 优先权日2000年12月28日
发明者长谷川和正 申请人:精工爱普生株式会社