描绘装置、曝光描绘装置、记录有程序的记录介质以及描绘方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及描绘装置、曝光描绘装置、记录介质W及描绘方法，特别设及对基板描 绘描绘图案的描绘装置、对基板通过曝光来描绘描绘图案的曝光描绘装置、记录有通过上 述描绘装置来执行的程序的记录介质、W及对基板描绘描绘图案的描绘方法。
【背景技术】 阳〇〇引W化公知具有将对玻璃布进行浸溃处理使其干燥而得到的预浸材料、刚性功能 优良的金属板等设为核屯、基板、并在运些核屯、基板上将树脂层与布线层堆叠多层而得到的 多层布线构造的多层布线基板。另外，近年来，针对该多层布线基板要求薄型化W及省空间 化，所W提出了不具有核屯、层的薄型的多层布线基板。
[0003] 在运些多层布线基板中，由于化学处理而基板发生翅曲，或者由于强度不足而基 板发生变形，从而有时在各层描绘的描绘图案（布线图案）的层间的位置对准变得困难。尽 管如此，由于描绘图案的高密度化，描绘图案中的连接盘（land)直径W及孔径被微小化， 所W要求高精度的层间的位置对准。
[0004] 为了满足该要求，提出了根据由于基板的翅曲W及变形而产生的基板的歪斜而使 描绘图案变形之后在基板上进行描绘的技术。根据该技术，层间的位置对准的精度提高，但 每当将层重叠时，歪斜累积，所W有可能在上位层描绘的描绘图案的形状与设计上的描绘 图案的形状相背离，难W将电子部件安装到基板上。
[0005]另外，也提出了将表示描绘图案的图像分割成多个区域，根据基板的歪斜，在每个 分割区域中使上述图像旋转移动的技术。根据该技术，在各分割区域中，设计上的描绘图案 的形状与实际上描绘的描绘图案的形状的偏移量降低。但是，在该技术中，存在图像处理变 得复杂运样的课题、W及需要针对各分割区域形成用于在层之间连接描绘图案的定位孔的 机构运样的课题。
[0006] 作为解决运些课题的技术，在日本特开2005-157326号公报W及日本特开 2011-95742号公报中，公开了能够在图像处理不变得复杂的条件下抑制所描绘的描绘图案 与设计上的描绘图案的偏移的描绘装置。
[0007]目P，上述特开2005-157326号公报的描绘装置预先取得基板的变形信息，根据该 变形信息，转换光栅数据，W使得在变形后的基板上记录的描绘图案与通过该光栅数据来 表示的描绘图案形状相同。然后，根据被转换的光栅数据来在变形前的基板上记录描绘图 案。
[0008]另外，上述专利文献2的描绘装置使用具有规定作为描绘对象的区域的位置坐标 W及在上述区域中设置的基准点的位置的描绘数据，根据基板的位置坐标的位移方式校正 基准点的位置。然后，根据校正的基准点的位置，在维持上述区域的形状的状态下校正该区 域内的各坐标。
【发明内容】
[0009] 发明所要解决的课题
[0010] 在上述日本特开2005-157326号公报公开的技术中，根据所取得的变形信息来使 描绘图案较大地变形，所W向最终得到的基板的电子部件的安装被改善，但存在与下层的 位置对准的精度有可能恶化运样的课题。
[0011] 另外，在上述日本特开2011-95742号公报公开的技术中，伴随着作为描绘对象的 区域的大小相对于校正前的区域的大小发生变化，也有可能最终发生安装用焊盘与电子部 件的电极的位置偏移，难W将电子部件安装到基板上。
[0012] 本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够在抑制安装用焊盘 与电子部件的电极的间距偏移的同时，实现高精度的层间的位置对准的描绘装置、曝光描 绘装置、程序W及描绘方法。
[0013] 用于解决课题的技术方案
[0014] 为了达到上述目的，本发明的描绘装置具备：取得部，取得表示在被曝光基板上设 置的多个基准标记的设计上的位置即第一位置的坐标数据、表示W所述第一位置作为基准 而确定的在所述被曝光基板上描绘的描绘图案的坐标数据W及表示所述多个基准标记各 自的实际的位置即第二位置的坐标数据；导出部，根据所述第一位置W及所述第二位置来 导出表示所述被曝光基板的歪斜的大小的物理量，并且针对所述多个基准标记的每个，导 出针对所述第一位置W及所述第二位置的偏移的校正量；降低部，从由所述导出部导出的 各个校正量中，在所述物理量越大时降低越多的量；W及校正部，在W所述第二位置作为基 准在所述被曝光基板上描绘所述描绘图案的情况下，根据由所述降低部降低后的校正量来 校正表示所述描绘图案的坐标数据。
[0015] 根据本发明的描绘装置，通过取得部，取得表示在被曝光基板上设置的多个基准 标记的设计上的位置即第一位置的坐标数据、表示W上述第一位置作为基准而确定的在上 述被曝光基板描绘的描绘图案的坐标数据W及表示上述多个基准标记各自的实际的位置 即第二位置的坐标数据。另外，通过导出部，根据上述第一位置W及上述第二位置来导出表 示上述被曝光基板的歪斜的大小的物理量，并且针对上述多个基准标记的每个基准标记， 导出针对上述第一位置W及上述第二位置的偏移的校正量。
[0016] 此处，在本发明的描绘装置中，通过降低部，从由上述导出部导出的各个校正量 中，降低上述物理量越大则越多的量。
[0017] 另外，在本发明的描绘装置中，通过校正部，W上述第二位置作为基准在上述被曝 光基板上描绘上述描绘图案的情况下，根据由上述降低部降低的校正量，来校正表示上述 描绘图案的坐标数据。
[0018] 目P，本发明的描绘装置从根据基准标记的设计上的位置与实际的位置的偏移量而 导出的各个校正量中，降低上述物理量越大则越多的量，根据降低的校正量来校正表示上 述描绘图案的坐标数据。
[0019] 运样，根据本发明的描绘装置，被曝光基板的歪斜的大小越大则使校正量越小，其 结果，校正后的描绘图案的形状接近于被曝光基板的歪斜的形状，能够在抑制安装用焊盘 与电子部件的电极的间距偏移的同时，实现高精度的层间的位置对准。
[0020] 此外，在本发明的描绘装置中，也可W由所述导出部导出所述多个基准标记的每 个的所述第一位置W及所述第二位置的偏移量的最大值、所述偏移量各自的平均值W及所 述偏移量各自的累计值中的至少一个，来作为所述物理量。另外，在本发明的描绘装置中， 也可W由所述导出部导出根据所述第一位置得到的所述多个基准标记的相互间的距离与 根据对应的所述第二位置得到的所述多个基准标记的相互间的距离的差分的最大值、所述 差分各自的平均值W及所述差分各自的累计值中的至少一个，来作为所述物理量。通过导 出基准标记各自的偏移量的最大值来作为上述物理量，从而能够更可靠地进行校正。另外， 通过导出基准标记各自的偏移量的平均值，能够抑制由特异的偏移引起的误校正的发生。 进而，通过导出基准标记各自的偏移量的累计值，能够进行反映了所有的偏移量的校正。
[0021] 此外，在本发明的描绘装置中，也可W是所述降低部通过进行使由所述导出部导 出的各个校正量乘W所述物理量越大则越小的低于1的正值、除W所述物理量越大则越大 的超过1的值、W及减去所述物理量越大则越大并且小于该校正量的正值运些运算中的至 少1种，而从由所述导出部导出的各个校正量中，在所述物理量越大时降低越多的量。由 此，能够通过简单的运算来降低校正量。
[0022] 此外，本发明的描绘装置也可W所述描绘图案是表示电子布线的电路图案，所述 校正部在由所述降低部降低后的校正量大于W使导通通孔收纳在所述描绘图案中的连接 盘的内部的方式确定的第一校正量的情况下，根据该第一校正量来校正表示所述描绘图案 的坐标数据。由此，能够防止成为被曝光基板不良的原因的连接盘缺口（导通通孔向连接 盘外的鼓出）。
[0023] 此外，在本发明的描绘装置中，也可W所述描绘图案是表示阻焊层的部件安装用 的开口孔的阻焊图案，所述校正部在由所述降低部降低后的校正量大于W使所述开口孔容 纳在用于与部件接合的导体焊盘的内部的方式确定的第二校正量的情况下，根据该第二校 正量来校正表示所述描绘图案的坐标数据。由此，能够防止成为被曝光基板不良的原因的 导体焊盘与开口孔的位置偏移。
[0024] 此外，在本发明的描绘装置中，也可W是所述导出部根据从所述第一位置W及所 述第二位置的偏移量中减去由所述被曝光基板的平行移动导致的偏移、由旋转导致的偏移 W及由伸缩导致的偏移中的至少一个而得到的偏移量，导出所述校正量。由此，能够更可靠 地抑制安装用焊盘与电子部件的电极的间距偏移。
[00巧]此外，在本发明的描绘装置中，也可W还具备受理部，该受理部受理将所述物理量W及所述校正量的降低率分别对应起来的降低信息的输入，所述降低部使用在由所述受理 部受理的降低信息中与由所述导出部导出的所述物理量对应起来的降低率，来降低由所述 导出部导出的校正量。由此，能够容易地设定校正量的降低的程度，其结果，能够提高对于 用户的便利性。
[00%] 另一方面，为了达到上述目的，本发明的曝光描绘装置具备：本发明的描绘装置；W及曝光部，根据由所述描绘装置的所述校正部校正的坐标数据，在所述被曝光基板上对 所述描绘图案进行曝光来进行描绘。
[0027] 因此，根据本发明的曝光描绘装置，与本发明的描绘装置同样地发挥作用，所W与 该描绘装置同样地，能够在抑制安装用焊盘与电子部件的电极的间距偏移的同时，实现高 精度的层间的位置对准。
[0028] 此外，在本发明的曝光描绘装置中，也可W还具备控制部，该控制部当在所述被曝 光基板上层叠多层的描绘图案而进行描绘的情况下，控制所述取得部、所述导出部、所述降 低部、所述校正部W及所述曝光部，针对所述多层的每层，分别进行由所述取得部实施的取 得、由所述导出部实施的导出、由所述降低部实施的降低、由所述校正部实施的校正W及由 所述曝光部实施的曝光。由此，即使在层叠多个描绘图案而进行描绘的情况下，也能够在抑 制安装用焊盘与电子部件的电极的间距偏移的同时，实现高精度的层间的位置对准。
[0029] 此外，在本发明的曝光描绘装置中，也可W还具备存储部，该存储部存储表示作为 所述被曝光基板的歪斜的大小而被容许的上限即所述物理量的最大容许量的容许量信息， 所述控制部在由所述导出部导出的所述物理量大于通过所述容许量信息表示的最大容许 量的情况下，禁止由所述曝光部对所述被曝光基板实施的曝光。由此，能够避免无益的曝光 的实施。
[0030] 另外，为了达到上述目的，在本发明的记录介质中记录的程序使计算机执行W下 处理：取得表示在被曝光基板上设置的多个基准标记的设计上的位置即第一位置的坐标数 据、表示W所述第一位置作为基准而确定的在所述被曝光基板上描绘的描绘图案的坐标数 据W及表示所述多个基准标记各自的实际的位置即第二位置的坐标数据，根据所述第一位 置W及所述第二位置来导出表示所述被曝光基板的歪斜的大小的物理量，并且针对所述多 个基准标记的每个，导出针对所述第一位置W及所述第二位置的偏移的校正量，从所导出 的各个所述校正量中，在所述物理量越大时降低越多的