液晶显示装置的制造方法

文档序号:6932904
专利名称:液晶显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及制造液晶显示器(LCD)的方法,更具体地说涉及用来制造使具有宽视角的显示器成为可能的LCD的方法。
本发明的现有技术一般地说,在能够提供宽视角的LCD中,具有宽视角的显示是通过在TFT(薄膜晶体管)的保护膜上安排公共电极和像素电极以及通过在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式旋转处在液晶层中的液晶分子的分子轴线的方向得以实现的,其典型的实例是IPS(平面内切换)型LCD。
图20展示构成在公开号为Hei 10-186407的日本专利申请中揭示的能够提供宽视角的传统的IPS型LCD的一个像素部分的示意的构造。在前面揭示的传统的IPS型LCD的一个像素部分中,配备有栅极204、漏极线206、公共电极(氧化锡铟(ITO))210、公共电极207、像素电极(ITO)211、像素电极(漏极层)213和TFT。在IPS型LCD中,显示是通过在像素电极(ITO)211和公共电极(ITO)210之间产生本质上平行于基板表面的电场和使液晶分子的方向在平行于基板表面的面内按照电场旋转得以实现的。另一方面,TFT主要包括源极218、漏极215和半导体层219或类似的东西。另外还备有两个接触孔,一个是用于公共电极(ITO)210的接触孔217,另一个是用于像素电极(ITO)211的接触孔312。
图21至图26是展示用来制造图20中展示的传统的IPS型LCD的的过程1-5的剖视图。在图21至图26的每张图中,TFT元件部分展示图20的TFT沿着A-A’线截取的剖视图;像素部分展示图20的像素部分的一部分沿着B-B’线截取的剖视图;公共电极接触孔部分展示图20的公共电极接触孔部分沿着C-C’线截取的剖视图;栅极端子部分展示栅极端子的剖视图;而漏极端子部分展示漏极端子的剖视图。
首先,如图21所示,栅极金属层(未示出)是借助溅射法在玻璃基板上形成的,而栅极204是在栅极金属层上利用在指定区域的第一掩模形成的,以致用于扫描的信号线(未示出)和栅极204整体地形成。然后,如图22所示,层间(栅极)绝缘膜223、a-硅层(无定形的a-硅半导体)238和n+a-硅层(高浓度的n型无定形a-硅)239是借助在整个玻璃基板表面上沉积依次形成的,而岛235是借助使用第二掩模在层间绝缘膜223上方形成的。接下来,如图23所示,漏极金属层是借助溅射法在玻璃基板上形成的,然后,通过使用第三掩模,源极218、像素电极213、漏极215和漏极线206是这样形成的,以致源极218和像素电极213是整体成形的、漏极215和漏极线206是整体成形的;而图23所示的孔洞是通过完成干(等离子体)蚀刻在沟道部分上形成的。在这个时刻,由于被蚀刻到同样程度的不仅有n+a-硅层239(图22)而且有a-硅层238(图22),所以沉积a-硅层238的厚度变得比较大。然后,如图24所示,钝化膜222和有机绝缘膜221是叠在玻璃基板上的,而有机绝缘膜接触孔是为了提供对源极218的连接使用第四掩模在有机绝缘膜221中形成的,以致使有机绝缘膜接触孔穿过有机绝缘膜221到达钝化膜222。接下来,如图25所示,钝化膜222和层间绝缘膜223的曝光部分是借助蚀刻法利用第五掩模除去的,以便形成规定的接触孔。最后,如图26所示,ITO膜11是借助溅射法或类似的方法形成的以致使其厚度大约为50纳米,然后,为了提供源极218和像素电极211之间的连接通过使用第六掩模借助湿蚀刻法除去ITO膜11中不想要的部分。当公共电极210由ITO膜构成时,铬(Cr)的溅射是在钝化膜222上这样完成的,以致Cr膜的厚度变成100纳米,使公共电极210满足上述的条件。然后,形成定向膜(未示出)以覆盖它们全体。
但是,用来制造在公开号为Hei 10-186407的日本专利申请中揭示的IPS型LCD的传统方法有问题,即由于使用第一至第六掩模,TFT的制造过程变得比较长。
此外,当在制造IPS型LCD的情况下使用已知缩短的制造TFT工艺时,由于制图过程是用光刻过程在半导体层和电极上完成的,半导体层和电极的形状是一样的,所以TFT的台阶变得比较大,这使对液晶取向施加控制变得困难,因此引起黑色亮度增加,并引起所谓的“浮动黑色”。
再者,当采用缩短的TFT制造工艺时,钝化膜的覆盖变得软弱,这引起(用于源极和漏极的)电极材料从有缺陷的覆盖部分渗透到液晶中并因此引起渐进的显示故障(圆点状瑕疵或黑色瑕疵)发生。
本发明的概述鉴于上述的问题,本发明的目的是提供一种制造LCD的方法,该方法将能够提供宽视角,使各个过程能够被缩短,而且能够提供改善的可靠性。
按照本发明的第一方面,提供了一种制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过在平行于有源矩阵基板表面的表面上旋转以密封的方式构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向得以实现的,该方法包括在透明绝缘基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层和a-硅层然后通过光刻制图形成包括栅极、栅极绝缘膜和半导体层的岛的过程;
在透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜和漏极金属层然后通过光刻制图除去漏极金属层的指定部分形成漏极线的过程;在透明绝缘基板上形成绝缘膜然后通过光刻制图在指定位置形成穿过绝缘膜并为源极和漏极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在透明绝缘基板上形成透明的导电膜、然后通过光刻制图除去透明的导电膜的不想要的部分形成个个都具有梳齿状构造的像素电极和公共电极以致使像素电极和公共电极呈交错排列并且把源极接到像素电极上且把漏极接到漏极线上的过程。
按照本发明的第二方面,提供了一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过旋转在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向得以实现的,该方法包括在透明绝缘基板上形成栅极金属层然后通过光刻制图形成栅极的过程;在透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜、a-硅层、n+a-硅层和漏极金属层、然后通过使用利用具有多个厚度各不相同的区域的光敏抗蚀膜的光刻术除去漏极金属层的不想要的部分完成制图、再在未曝光的部分上进行灰化处理和完成回流处理、再依次通过除去一部分n+a-硅层和一部分a-硅层和剥除已经历回流处理的光敏抗蚀膜、从而形成漏极线和岛的过程;在透明绝缘基板上形成绝缘膜、然后通过光刻制图在指定位置形成穿过绝缘膜并为岛的源极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在透明绝缘基板上形成将变成像素电极的透明的导电膜、然后通过光刻制图除去透明的导电膜的不想要的部分、和把像素电极接到源极上形成像素电极和公共电极的过程。
按照本发明的第三方面,提供了一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过旋转在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向得以实现的,该方法包括在透明绝缘基板上形成栅极金属层然后通过光刻制图形成栅极的过程;在透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜、a-硅层、n+a-硅层和漏极金属层、然后通过使用利用具有多个厚度各不相同的区域的光敏抗蚀膜的光刻术除去a-硅层、n+a-硅层和漏极金属层的不想要的部分完成制图,再在未曝光的部分上进行灰化处理,然后再通过除去a-硅层、n+a-硅层和漏极金属层的某个规定部分和剥除未曝光的部分形成漏极线和岛的过程;在透明绝缘基板上形成绝缘膜然后通过光刻制图在规定位置形成穿过绝缘膜并为岛的源极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在透明绝缘基板上形成将变成像素电极的透明的导电膜、然后通过光刻制图除去透明的导电膜的不想要的部分和把像素电极接到源极上形成像素电极和公共电极。
按照本发明的第四方面,提供了一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过旋转在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向得以实现的,该方法包括在透明绝缘基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层和a-硅层然后通过光刻制图形成由栅极、栅极绝缘膜和半导体层组成的岛的过程;在透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜和漏极金属层然后通过光刻制图除去漏极金属层的某个指定部分形成漏极线的过程;在透明绝缘基板上形成绝缘膜然后通过印刷的方法在规定位置形成穿过绝缘膜并为源极和漏极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在透明绝缘基板上形成透明的导电膜、然后通过光刻制图除去透明的导电膜的不想要的部分形成个个都具有梳状构造的像素电极和公共电极以致使像素电极和公共电极呈交错排列、而且把源极接到像素电极上并把漏极接到漏极线上的过程。
按照本发明的第五方面,提供了一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过旋转在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向得以实现的,该方法包括在透明绝缘基板上形成栅极金属层然后通过光刻制图形成栅极的过程;在透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜、a-硅层、n+a-硅层和漏极金属层,然后通过采用利用具有多个厚度各不相同的区域的光敏抗蚀膜的光刻术除去漏极金属层的不想要的部分完成制图再在未曝光的部分上进行灰化和回流处理,然后再通过除去一部分n+a-硅层和一部分a-硅层和剥除已经历回流处理的光敏抗蚀膜形成漏极线和岛的过程;在透明绝缘基板上形成绝缘膜然后通过印刷的方法在规定的位置形成穿过绝缘膜并为所述岛的源极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在透明绝缘基板上形成将变成像素电极的透明的导电膜然后通过光刻制图除去透明的导电膜的不想要的部分和把像素电极接到源极上形成像素电极和公共电极的过程。
按照本发明的第六方面,提供了一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过旋转在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向得以实现的,该方法包括在透明绝缘基板上形成栅极金属层然后通过光刻制图形成栅极的过程;在透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜、a-硅层、n+a-硅层和漏极金属层,然后通过采用利用具有多个厚度各不相同的区域的光敏抗蚀膜的光刻术除去漏极金属层的不想要的部分、完成制图、再在未曝光的部分上进行灰化处理,然后再通过除去a-硅层、n+a-硅层和漏极金属层的某个指定部分和剥除未曝光的部分形成漏极线和岛的过程;在透明绝缘基板上形成绝缘膜和通过印刷的方法在规定的位置形成穿过绝缘膜并为岛的源极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在透明绝缘基板上形成将变成像素电极的透明的导电膜然后通过光刻制图除去透明的导电膜的不想要的部分和把像素电极接到源极上形成像素电极和公共电极的过程。
在前面的描述中,优选的模式是这样的模式,即其中绝缘膜是由存在于绝缘层下部的无机绝缘膜和存在于绝缘层上部的有机绝缘膜组成的,而且在通过光刻在存在于绝缘膜上部的有机绝缘膜的规定位置形成孔洞部分之后,利用存在于绝缘膜上部的有机绝缘膜作为掩模在存在于绝缘膜下部的无机绝缘膜上完成蚀刻。
另外,优选的模式是这样的模式,即其中栅极是由高熔点金属制成的单层膜、或者是包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜。
另外,优选的模式是这样的模式,即其中源极和漏极个个都是由高熔点金属制成的单层膜,或者是由包含由高熔点金属制成的上层和由铝或铝合金制成的下层的双层膜,或者是包含由高熔点金属制成的上层、由铝或铝合金制成的中层和由高熔点金属制成的下层的三层膜。
另外,优选的模式是这样的模式,即其中高熔点金属是铬(Cr)或鉬(Mo)。
再者,优选的模式是这样的模式,即其中绝缘膜是感光膜。
采用上述的各种构造,用来制造能够提供宽视角的LCD的方法能使其制造过程缩短、能防止TFT的台阶变大并且能通过钝化膜提供极好的覆盖。
附图简要说明本发明的上述和其它目的、优势和特点通过下面结合附图的描述将变得显而易见,其中

图1是展示依照本发明的第一实施方案提供宽视角的LCD的有源矩阵基板的配置的电路图;图2是展示构成本发明的第一实施方案的提供宽视角的LCD的一个像素部分的配置的平面图;图3是展示构成本发明的第一实施方案的提供宽视角的LCD的一个像素部分的配置的剖视图;图4是展示用来制造本发明的第一实施方案的LCD的第一光刻过程(PR1)的剖视图;图5是展示用来制造本发明的第一实施方案的LCD的第二光刻过程(PR2)的剖视图;图6是展示用来制造本发明的第一实施方案的LCD的第三光刻过程(PR3)的剖视图;图7是展示用来制造本发明的第一实施方案的LCD的第四光刻过程(PR4)的剖视图;图8是展示用来制造本发明的第一实施方案的LCD的第五光刻过程(PR5)的剖视图;图9是更详细地解释用来制造本发明的第一实施方案的LCD的第一光刻过程(PR1)的剖视图;图10是展示构成本发明的第二和第三实施方案的提供宽视角的LCD的一个像素部分的配置的平面图11是展示构成本发明的第二和第三实施方案的提供宽视角的LCD的一个像素部分的配置的剖视图;图12是展示用来制造本发明的第二和第三实施方案的LCD的第一光刻过程(PR1)的剖视图;图13是展示用来制造本发明的第二和第三实施方案的LCD的第二光刻过程(PR2)的剖视图;图14是展示用来制造本发明的第二和第三实施方案的LCD的第三光刻过程(PR3)的剖视图;图15是展示用来制造本发明的第二和第三实施方案的LCD的第四光刻过程(PR4)的剖视图;图16是展示用来制造本发明的第二和第三实施方案的LCD的第五光刻过程(PR5)的剖视图;图17是详细解释用来制造本发明的第二实施方案的LCD的第二光刻过程(PR2)的剖视图;图18是进一步详细解释用来制造本发明的第三实施方案的LCD的第二光刻过程(PR2)的剖视图;图19展示在本发明的LCD中金属离子的洗提量。
图20是展示构成提供宽视角的传统LCD的一个像素部分的配置的平面图;图21是展示用来制造传统的LCD的第一光刻过程(PR1)的剖视图;图22是展示用来制造传统的LCD的第二光刻过程(PR2)的剖视图;图23是展示用来制造传统的LCD的第三光刻过程(PR3)的剖视图;图24是展示用来制造传统的LCD的第四光刻过程(PR4)的剖视图;图25是展示用来制造传统的LCD的第五光刻过程(PR5)的剖视图;图26是展示用来制造传统的LCD的第六光刻过程(PR6)的剖视图。
优选实施方案的详细说明实现本发明的最佳模式将参照附图用各种各样的实施方案予以进一步的详细描述。第一实施方案图1是展示本发明的第一实施方案的提供宽视角的LCD的有源矩阵基板的配置的电路图。在第一实施方案的LCD中,具有ITO-TCP(Tape Carrier Package-带式载体封装)结构的IPS型有源矩阵基板被使用,其中公共电极7和像素电极被安排在TFT的保护膜(有机膜)上,而ITO是供像素电极使用的材料。所以,显示是通过旋转在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向得以完成的。在有源矩阵基板中,安装在TFT基板1上的是TFT2、栅极端子3、漏极端子5、从栅极端子3延伸出来的栅极线4、从漏极端子5延伸出来的漏极线6、公共电极端子8以及从公共电极端子8延伸出来与公共电极7连接的公共电极连接线9。
图2是展示构成第一实施方案的提供宽视角的LCD的一个像素部分的配置的平面图。在该实施方案的LCD的一个像素部分中备有漏极线6、栅极线4、公共电极7、像素电极(漏极层)13、公共电极(ITO)10、像素电极(ITO)11。TFT部分是由源极18、漏极15和半导体层19构成的。此外,还备有用于像素电极(漏极层)13的接触孔14、用于像素电极(ITO)11的接触孔12和用于漏极线6的接触孔16。
图3是展示构成第一实施方案的提供宽视角的LCD的一个像素部分的配置的剖视图。如图3所示,第一透明基板28是以面对第二透明基板29的方式放置的,让液晶27和定向膜20夹在第一透明基板28和第二透明基板29之间。在第一透明基板28一侧依次形成的是层间绝缘膜23、像素电极(漏极层)13、漏极线6、钝化膜22、有机绝缘膜21、公共电极(ITO)10、像素电极(ITO)11和偏振片31。在第二透明基板28一侧形成的是黑色基底25、彩色层26、外涂层24、导电层30和另一个偏振片31。
图4至图8是展示用来制造在图1至3中展示的第一实施方案的LCD的过程的剖视图。在图4至8的每张图中,TFT元件部分展示沿着图2的A-A’线截取的TFT的剖视图,像素部分展示沿着图2的B-B’线截取的像素部分的一部分的剖视图,公共电极接触孔部分展示沿着图2的C-C’线截取的接触孔部分的剖视图,栅极端子部分展示栅极端子3的剖视图,而漏极端子部分展示漏极端子5的剖视图。
首先,如图4所示,在由玻璃或类似的东西制成的透明绝缘基板上依次形成的是具有由高熔点金属(例如,铬、鉬、钛之类的金属)制成的上层和由铝之类的东西制成的下层的栅极层32、由SiNx或类似的东西制成的栅极绝缘膜33(氮化a-硅膜)、以及将变成半导体层19的a-硅层34。栅极层32是这样形成的,即通过完成铝的溅射形成栅极层32的下层,以致使铝层的厚度变成100至300纳米和通过完成诸如Cr、Mo、Ti之类的高熔点金属的溅射形成栅极层32的上层,以致使上层的厚度变成50至150纳米。栅极绝缘膜33和a-硅层34是通过使用等离子体CVD(化学蒸气淀积)形成的,以致使栅极绝缘膜33的厚度变成大约200至400纳米而a-硅层34的厚度变成100至300纳米。然后,通过使用第一掩模在栅极层32和栅极线4打算形成的区域中形成光刻胶图案,而完成干蚀刻是为了除去栅极层32、栅极绝缘膜33和a-硅层34中的未被光刻胶图案覆盖的部分。
接下来,如图5所示,由SiNx(氮化a-硅)构成的层间绝缘膜23是采用等离子体CVD法在透明基板28的整个表面上形成的。采用溅射法在层间绝缘膜23上形成的是叠合层,该叠合层将变成源极18/漏极15(未示出),具有由诸如Cr、Mo、Ti之类的高熔点金属制成的准备叠合在叠合层的上部中的一层、和由铝或类似的东西制成的准备叠合在叠合层的中间部分中的一层、以及由诸如Cr、Mo、Ti之类的高熔点金属制成的准备叠合在叠合层的下部中的一层,层间绝缘膜23的厚度优选大约为100至200纳米。由诸如Cr、Mo、Ti之类的高熔点金属制成的准备叠合在叠合层的上部中的这一层(源极18/漏极15)的厚度优选大约为50至150纳米。由铝或类似的东西制成的层的厚度优选大约为100至300纳米。由诸如Cr、Mo、Ti之类的高熔点金属制成的准备叠合在叠合层的下部中的这层的厚度优选大约为30至100纳米。在形成叠合层之后,为了覆盖漏极线16,通过使用第二掩模形成光刻胶图案,为了除去不想要的金属层形成漏极线6的蚀刻已告完成。
接下来,如图6所示,用SiNx或类似的东西制成的钝化膜22是通过溅射在基板28的整个表面上形成的致使其厚度为(例如)100至200纳米。在此,作为用于钝化膜22的材料,为了在后面的工艺中以令人满意的方式形成接触孔,就用于a-硅层34和栅极绝缘膜33的蚀刻而言具有宽广的选择范围的材料是更优选的。
然后,也如图6所示,诸如正型酚醛清漆抗蚀涂层之类的有机绝缘膜21是在透明绝缘基板28的整个表面上形成的,以致使其厚度为2.0微米至3.5微米。作为用于有机绝缘膜21的材料,例如,JSR公司制造的“OPTMERTMPC系列”(商标名)或类似的东西可以被使用。然后,通过使用第三掩模,形成具有在a-硅层34的上部中的源极孔部分36中的孔、漏极孔部分37、栅极线4和漏极线6的光刻胶图案,并形成有机绝缘膜21。
接下来,如图7所示,钝化膜22和有机绝缘膜21的露出部分是利用第四掩模通过干蚀刻法除去的,以便形成特定的接触孔。为了保证与a-硅层34欧姆接触,第一透明基板28被保持在PH3等离子体的气氛中,磷(P)在a-硅层34上扩散,以便在a-硅层34的表面上形成n+a-硅层。这是通过用等离子体设备以0.1W/cm3的RF(射频)功率使用在200Pa的压力下以1000SCCM(标准立方厘米)供应的PH3/H2气体(0.5%PH3)在300℃的温度下完成持续5分钟的处理实现的。
然后,如图8所示,为了形成将变成像素电极11的ITO膜,在第一透明基板28的整个表面上完成ITO溅射以致使其厚度大约为40至120纳米,再通过使用第五掩模借助湿蚀刻法除去ITO膜的不想要的部分,将源极18接到像素电极11上并且将漏极15接到漏极线6上。此外,在第一实施方案中,ITO是作为用于像素电极11的材料使用的,但是除了ITO之外,ZnO(氧化锌)、通过用Zn取代ITO中的Sn获得的IZO(氧化锌铟)或类似的东西也可以被使用。
最后,用ITO膜作为掩模通过干蚀刻工艺除去a-硅层34和栅极绝缘膜33,最终完成有源矩阵基板。
图9是详细解释在制造第一实施方案的LCD时用来形成栅极/岛的第一光刻过程(PR1)的剖视图。在该实施方案中,光敏抗蚀涂层是在由栅极金属(金属)32、夹层(栅极)绝缘膜33和a-硅(无定形a-硅半导体)层34组成的岛35上形成的,然后完成把遮光膜36用于岛35并且把半透膜37用于栅极端子部分3的网板曝光。曝光工艺之后,为了除去存在于岛35和栅极端子部分3之上的光敏抗蚀涂层(这些部分未曝光),依次完成显影、蚀刻和灰化。然后,在栅极端子部分3中的a-硅层34和夹层(栅极)绝缘膜33上完成蚀刻,最后把岛35上存留的光敏抗蚀涂层剥掉。
因此,按照第一实施方案用来制造提供宽视角的LCD的方法,仅仅使用5个掩模,就可以通过绝缘膜把栅极层32、漏极15和像素电极11彼此分开,并能够形成a-硅层34的侧壁和表面被层间绝缘膜23和钝化膜22完全覆盖的沟道保护型有源矩阵基板。所以,这种制造工艺与传统方法相比至少可以通过一个光刻过程得到简化。
此外,在第一实施方案中使用的材料将在下面予以具体地解释。作为用于栅极层32的材料,采用的是厚度为100至450纳米的由Cr、Mo、Cr/Al、Mo/Al之类的材料制成的薄膜。作为用于源极18/漏极15的材料,采用的是厚度为150至550纳米的由Cr、Mo、Cr/Al、Mo/Al/Mo之类的材料制成的薄膜。作为用于像素电极11和13的材料,采用的是厚度为40至120纳米的ITO制成的薄膜。作为用于栅极绝缘膜33的材料,采用的是厚度为200至400纳米的SiNx薄膜。作为用于a-硅层(半导体层)34的材料,采用的是厚度为150至300纳米的a-硅膜和厚度为30至70纳米的n+a-硅膜。作为钝化膜22使用的材料,采用的是厚度为100至300纳米的SiNx薄膜。作为用于有机绝缘膜21的材料,采用的是厚度为2.0至3.5微米的酚醛清漆型光敏抗蚀涂层(例如,JSR公司制造的“OPTMERTMPC系列”)。
此外,作为玻璃基板的材料,采用的是0.7毫米厚的无碱玻璃平板。作为用于彩色滤光片的材料,采用的是厚度为1.0至1.5微米的负型光敏丙烯酸颜料扩散抗蚀涂层(例如,JSR公司制造的“OPTMERTMCR系列”)。作为用于黑色基底25的材料,采用的是光密度(OD值)或3以上而薄膜电阻为1010Ω/□或以上的负型光敏丙烯酸颜料扩散抗蚀涂层或碳抗蚀涂层(例如,JSR公司制造的“OPTMERTMCR系列”)。作为用于偏振片31的材料,采用的是碘光偏振膜(例如,Nitto Denko公司制造的“NPFTMCR系列”或Sumitomo Chemical公司制造的“SUMIKALANTM系列”)。作为面层电极,采用的是薄膜电阻为20Ω/□至40Ω/□厚度为80至150纳米的的ITO膜。作为用于液晶27的材料,采用的是含氟化合物(例如,Chisso Petrochemical公司制造的“LIXONTM系列”)。作为用于平面内隔离器的材料,采用的是4.0至5.5微米厚的用二乙烯基苯的交联聚合物制成的薄膜。作为用于密封件的材料,采用的是环氧树脂粘合剂(例如,MitsuiChemical有限公司制造的“STRACTBONDTM系列”)。作为用于密封孔的材料,采用的是UV(紫外线)固化的丙烯酸酯树脂。作为用于定向膜20的材料,采用的是厚度为30至60纳米的聚酰亚胺定向膜(例如,Nisson Chemical有限公司制造的“SUNEVERTM系列”或者JSR公司制造的“OPTMERTMAL系列”)。第二和第三实施方案图10是展示构成本发明的第二和第三实施方案的提供宽视角的LCD的一个像素部分的构造的平面图。在图10中,图2所示的用于像素电极(漏极层)13的接触孔14和用于漏极线6的接触孔16是看不见的。这是由于后面描述的制造方法的差异。在图10中,相同的参考数字分配给功能与在图2所示的第一实施方案中相同的对应的部分。另外,在第二和第三实施方案中用于各个组成部分的材料与在第一实施方案中所用的那些相同,因此对它们的描述被省略了。
图11是展示构成第二和第三实施方案的提供宽视角的LCD的一个像素部分的构造的剖视图。如图11所示,第一透明基板128以面对第二透明基板129的方式放置,把液晶层127和定向膜120夹在第一透明基板128和第二透明基板129之间。在第一透明基板128的一侧依次形成的是(1)层间绝缘膜123;(2)像素电极(漏极层)113、漏极线106和漏极115;(3)钝化膜122;(4)有机绝缘膜121;(5)公共电极(ITO)110和像素电极(ITO)111;以及(6)偏振片131。在第二透明基板129的一侧依次形成的是(1)黑色基底125;(2)彩色层126;(3)外涂层124;(4)导电层130和(5)偏振片131。图11所示的第二和第三实施方案的像素的构造明显地不同于图2所示的第一实施方案,即存在于漏极线106之下的a-硅层138和n+a-硅层139两者都被看到了。
图12至18是解释用来制造第二和第三实施方案的提供宽视角的LCD的工艺的剖视图。
首先,如图12所示,在第一透明基板128上形成的是栅极金属层(未示出),在栅极金属层上的某个特定区域凭借已知的光刻技术利用第一掩模形成栅极104。
接下来,如图13所示,在第一透明基板128上依次形成层间绝缘膜123、a-硅层138、n+a-硅层139和漏极金属层,并且通过使用第二掩模将a-硅层138、n+a-硅层139和漏极金属层中不想要的部分除去,形成像素电极(漏极层)113、漏极线106、漏极105和岛135。
然后,如图13和14所示,在透明绝缘基板28上依次形成钝化膜122和有机绝缘膜122,并且通过使用第三掩模在钝化膜122上的某个特定位置形成穿过有机绝缘膜121的孔,以便为岛135的源极118提供连接。
然后,如图15所示,钝化膜122在用来为源极118提供连接的孔上的露出部分是通过使用第四掩模被除去的,以便形成钝化触点。
接下来,如图16所示,在透明绝缘基板28上形成将变成像素电极111的ITO膜,并且通过使用第五掩模将ITO膜中不想要的部分除去,以便在源极118和像素电极111之间提供连接。
在第二实施方案中,如图17所示,与在图13中描述的第二光刻过程(PR2)不同的是,通过网板曝光除去漏极金属层106中不想要的部分,而且在未曝光的部分上完成灰化处理再完成回流处理之后,一部分n+a-硅层139和一部分a-硅层138被除去,然后,被留下的第二掩模在回流处理之后被剥除,以便形成岛135。
在第三实施方案中,如图18所示,与在图13中描述的第二光刻过程(PR2)不同的是,在上述的透明绝缘基板28上依次形成层间绝缘膜123、a-硅层138、n+a-硅层139和漏极金属层106,并且通过使用第二掩模完成网板曝光,以便除去上述的a-硅层138、n+a-硅层139和漏极金属层106中不想要的部分,并且在光敏抗蚀涂层的未曝光部分上完成灰化处理之后,上述的a-硅层138、n+a-硅层139和漏极金属层106中某个特定的部分被除去,然后通过剥除未曝光的部分形成岛135。
因此,按照用来制造第二和第三实施方案的提供宽视角的LCD的方法,通过仅仅使用5个掩模,栅极104、漏极115和像素电极111可以通过绝缘膜彼此分开,因此a-硅层138和n+a-硅层139的表面和侧面都被层间绝缘膜123和钝化膜122完全覆盖的沟道保护型有源矩阵基板能够形成。所以,这种制造工艺与传统的方法相比至少可以简化一个光刻过程。第四实施方案用来制造第四实施方案的提供宽视角的LCD的方法是参照图4至图9和图11至图18予以介绍的。在第四实施方案中,不同于第一至第三实施方案的情况,形成有机绝缘膜触点和钝化触点是用同一个工艺完成的,所以,LCD的制造与第一至第三实施方案相比可以进一步再简化一个光刻过程。
换言之,在第四实施方案中,如同第一实施方案的修改那样,如图4至9所示,在透明绝缘基板上依次形成栅极金属层(未示出)、栅极绝缘层(未示出)和a-硅层,然后通过使用第一掩模形成栅极32、栅极绝缘膜33和a-硅半导体层34。接下来,在透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜23和漏极金属层,然后通过使用第二掩模在特定区域除去漏极金属层106形成漏极线6。然后,在透明绝缘基板上依次形成钝化膜22和有机绝缘膜21,并且通过使用第三掩模,形成穿过有机绝缘膜21,以便在钝化膜22上某个特定位置为源极18/漏极15提供连接的孔部分36和37以及漏极线6上的孔,并且通过除去在用来为源极18/漏极15提供连接的孔部分36和37处露出的钝化膜22的一部分、和在TFT元件部分中的漏极线6上的孔部分中露出的钝化膜22的一部分同时形成钝化触点。接下来,在透明绝缘基板28上形成将变成像素电极的ITO膜,然后通过使用第四掩模除去ITO膜中不想要的部分,以便提供源极18和像素电极11之间的连接和提供漏极15和漏极线6之间的连接。
此外,在第四实施方案中,如同第二实施方案的修改那样,在透明绝缘基板28上形成栅极金属层(未示出),然后通过使用第一掩模形成栅极104,然后在透明绝缘基板28上依次形成层间绝缘膜123、a-硅层138、n+a-硅层139和漏极金属层106,然后通过使用第二掩模借助网板曝光将漏极金属层中不想要的部分除去,再在第二掩模的未曝光部分上完成灰化处理之后和在回流处理之后将n+a-硅层139和a-硅层138的一部分除去,然后将已经历回流处理的第二掩模剥除,以形成岛135。然后,在透明绝缘基板28上依次形成钝化膜122和有机绝缘膜121,并且通过使用第三掩模在钝化膜122上的某个特定位置形成用来为岛135的源极118提供穿过有机绝缘膜123的连接的孔部分,同时钝化膜122在用来为源极118提供连接的孔部分处的露出部分被除去,以便为源极118提供连接,于是钝化触点得以形成。然后,在透明绝缘基板28上形成将变成像素电极111的ITO膜,再通过使用第四掩模除去ITO膜中不想要的部分,以便把源极118接到像素电极111上。
此外,在第四实施方案中,作为第三实施方案的修改方案,如图11至18所示,在第一透明绝缘基板128上形成栅极金属层(未示出),然后通过使用第一掩模,形成栅极104。然后,在第一透明绝缘基板128上依次形成层间绝缘膜123、a-硅层138、n+a-硅层139和漏极金属层,然后借助第二掩模用网板曝光法把a-硅层138、n+a-硅层139和漏极金属层上不想要的部分除去,并且在第二掩模的未曝光部分上完成灰化处理之后把a-硅层138、n+a-硅层139和漏极金属层中的特定部分除去再把各个未曝光的部分除去,以便形成漏极线106、漏极115和岛135。接下来,在第一透明绝缘基板128上依次形成钝化膜122和有机绝缘膜121,然后通过使用第三掩模在钝化膜122的特定位置形成用来为岛135的源极118提供穿过有机绝缘膜121的连接的孔部分,同时钝化膜122在用来为源极118提供连接的孔部分的露出部分被除去,以便为源极118提供连接,并且形成钝化膜触点。然后,在透明绝缘基板28上形成将变成像素电极111的ITO膜,然后通过使用第五掩模除去ITO膜的不想要的部分,把源极118接到像素电极111上。
在上述的实施方案中,实例中所展示的有机绝缘膜是借助涂敷法形成的,但是它可以通过印刷法形成。在这种情况下,用来形成有机绝缘膜的PR(光敏抗蚀涂层)工艺变成不必要的,这进一步缩短LCD的制造工艺。
图19是展示在本发明的LCD中金属离子的洗提量的图表。这张图表示通过在20伏和60℃下连续729小时对显示板施加应力获得的金属离子进入液晶的洗提量(作为参考,不施加电压获得的Cr的洗提量被展示出来)。这表明进入液晶的金属离子洗提量在作为高熔点金属的Cr和Mo的情况下是大的而且保护膜的覆盖作用是非常重要的。
显然,本发明不局限于上述的实施方案,而是可以在不脱离本发明的范围和精神的情况下予以改变和修改。例如,在上述的实施方案中,提供宽视角的LCD被描述成宽视角的显示是通过把公共电极和像素电极安排在TFT的保护膜上和通过旋转在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封方式构成液晶层的液晶分子的方向得以实现的,但是,本发明可以应用于所有用来制造LCD的方法。
此外,在上述的实施方案中,岛是由栅极、栅极绝缘层和半导体层组成的,但是岛也可以用其它的组成部分构成。
另外,在上述的实施方案中,无定形硅(a-硅)被用作半导体层材料,但是,也可以使用其它材料。
此外,在上述的实施方案中,SiN被用作钝化膜材料,但是,也可以使用其它的材料。
权利要求
1.一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上,并通过沿平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向旋转得以实现的,所述的方法包括在透明绝缘基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层和a-硅(无定形a-硅)层,然后通过光刻制图形成包括栅极、栅极绝缘膜和半导体层的岛的过程;在所述的透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜和漏极金属层、然后通过光刻制图除去所述的漏极金属层的指定部分形成漏极线的过程;在所述的透明绝缘基板上形成绝缘膜、然后通过光刻制图在指定位置形成穿过所述的绝缘膜并为源极和漏极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在所述的透明绝缘基板上形成透明的导电膜、然后通过光刻制图除去所述的透明的导电膜的不想要的部分形成个个都具有梳齿状构造的所述的像素电极和所述的公共电极以致使所述的像素电极和所述的公共电极呈交错排列、而且把所述的源极接到所述的像素电极上并把所述的漏极接到所述的漏极线上的过程。
2.根据权利要求1的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的绝缘膜是由存在于所述绝缘层的下部的无机绝缘膜和存在于所述绝缘层的上部的有机绝缘膜组成的,而且在通过光刻在存在于所述绝缘膜的所述上部的所述的有机绝缘膜的规定位置形成孔洞部分之后,利用存在于所述的绝缘膜的上部的所述的有机绝缘膜作掩模完成在存在于所述的绝缘膜的下部的所述的无机绝缘膜上的蚀刻。
3.根据权利要求1的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的栅极是由高熔点金属制成的单层或者是包含由高熔点金属制成的上层和由铝(A1)或铝合金制成的下层的双层膜。
4.根据权利要求1的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的源极和所述的漏极每个都是由高熔点金属制成的单层膜,或者是由包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜,或者是包含由高熔点金属制成的上层、由铝(Al)或铝合金制成的中层和由高熔点金属制成的下层的三层膜。
5.根据权利要求3的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的高熔点金属是铬(Cr)或鉬(Mo)。
6.根据权利要求4的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的高熔点金属是铬(Cr)或鉬(Mo)。
7.根据权利要求1的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的绝缘膜是感光膜。
8.一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式沿构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向旋转得以实现的,所述的方法包括在透明绝缘基板上形成栅极金属层、然后通过光刻制图形成栅极的过程;在所述的透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜、a-硅(无定形a-硅)层、n+a-硅(高浓度n型无定形a-硅)层和漏极金属层,然后通过采用使用具有多个厚度各不相同的区域的光敏抗蚀膜的光刻法除去所述的漏极金属层的不想要的部分、完成制图、再在未曝光的部分上进行灰化处理和进行回流处理,再通过除去一部分所述的n+a-硅层和一部分所述的a-硅层和剥除已经历所述回流处理的所述的光敏抗蚀膜形成漏极线和岛的过程;在所述的透明绝缘基板上形成绝缘膜、然后通过光刻制图在规定位置形成穿过所述的绝缘膜并为所述岛的源极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在所述的透明绝缘基板上形成将成为像素电极的透明的导电膜、然后通过光刻制图除去所述的透明的导电膜的不想要的部分形成所述的像素电极和所述的公共电极和把所述的像素电极接到所述的源极的过程。
9.根据权利要求8的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的绝缘膜是由存在于所述绝缘层的下部的无机绝缘膜和存在于所述绝缘层的上部的有机绝缘膜组成的,而且在通过光刻在存在于所述绝缘膜的所述上部的所述的有机绝缘膜的规定部分形成孔洞部分之后,利用存在于所述的绝缘膜的上部的所述的有机绝缘膜作为掩模对存在于所述的绝缘膜的下部的所述无机绝缘膜进行蚀刻。
10.根据权利要求8的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的栅极是由高熔点金属制成的单层膜、或者是包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜。
11.根据权利要求8的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的源极和所述的漏极每个都是由高熔点金属制成的单层膜,或者是由包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜,或者是包含由高熔点金属制成的上层、由铝(Al)或铝合金制成的中层和由高熔点金属制成的下层的三层膜。
12.根据权利要求10的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的高熔点金属是铬(Cr)或鉬(Mo)。
13.根据权利要求11的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的高熔点金属是铬(Cr)或鉬(Mo)。
14.根据权利要求8的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的绝缘膜是感光膜。
15.一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式沿构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向旋转得以实现的,所述的方法包括在透明绝缘基板上形成栅极金属层然后通过光刻制图形成栅极的过程;在所述的透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜、a-硅(无定形a-硅)层、n+a-硅(高浓度n型无定形a-硅)层和漏极金属层然后通过采用使用具有多个厚度各不相同的区域的光敏抗蚀膜的光刻法除去所述的a-硅层、所述的n+a-硅层和所述的漏极金属层的不想要的部分、进行制图和在未曝光的部分上进行灰化处理,再通过除去所述的a-硅层、所述的n+a-硅层和所述的漏极金属层的某个规定部分和剥除所述的未曝光的部分形成漏极线和岛的过程;在所述的透明绝缘基板上形成绝缘膜然后通过光刻制图在规定位置形成穿过所述的绝缘膜并为所述岛的源极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在所述的透明绝缘基板上形成将变成像素电极的透明的导电膜、然后通过光刻制图除去所述的透明的导电膜的不想要的部分形成所述的像素电极和所述的公共电极和把所述的像素电极接到所述的源极上的过程。
16.根据权利要求15的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的绝缘膜是由存在于所述绝缘层的下部的无机绝缘膜和存在于所述绝缘层的上部的有机绝缘膜组成的,而且在通过光刻在存在于所述绝缘膜的所述上部的所述的有机绝缘膜的规定位置形成孔洞部分之后,利用存在于所述的绝缘膜的上部的所述的有机绝缘膜作为掩模在存在于所述的绝缘膜的下部的所述的无机绝缘膜上完成蚀刻。
17.根据权利要求15的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的栅极是由高熔点金属制成的单层膜、或者是包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜。
18.根据权利要求15的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的源极和所述的漏极每个都是由高熔点金属制成的单层膜,或者是由包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜,或者是包含由高熔点金属制成的上层、由铝(Al)或铝合金制成的中层和由高熔点金属制成的下层的三层膜。
19.根据权利要求17的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的高熔点金属是铬(Cr)或鉬(Mo)。
20.根据权利要求18的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的高熔点金属是铬(Cr)或鉬(Mo)。
21.根据权利要求15的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的绝缘膜是感光膜。
22.一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式沿构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向旋转得以实现的,所述的方法包括在透明绝缘基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层和a-硅(无定形a-硅)层,然后通过光刻制图形成由栅极、栅极绝缘膜和半导体层组成的岛的过程;在所述的透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜和漏极金属层,然后通过光刻制图除去所述的漏极金属层的某个指定部分形成漏极线的过程;在所述的透明绝缘基板上形成绝缘膜,然后通过印刷的方法在规定的位置形成穿过所述的绝缘膜并为所述的源极和所述的漏极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在所述的透明绝缘基板上形成透明的导电膜,然后通过光刻制图除去所述的透明的导电膜的不想要的部分以使所述像素电极和所述公用电极呈交错排列,形成个个都具有梳状构造的所述的像素电极和所述的公共电极和把所述的源极接到所述的像素电极上、以及把所述的漏极接到所述的漏极线上的过程。
23.根据权利要求22的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的绝缘膜是由存在于所述绝缘层的下部的无机绝缘膜和存在于所述绝缘层的上部的有机绝缘膜组成的,而且在通过光刻在存在于所述绝缘膜的所述上部的所述的有机绝缘膜的规定位置形成孔洞部分之后,利用存在于所述的绝缘膜的上部的所述的有机绝缘膜作为掩模在存在于所述的绝缘膜的下部的所述的无机绝缘膜上完成蚀刻。
24.根据权利要求22的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的栅极是由高熔点金属制成的单层膜、或者是包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜。
25.根据权利要求22的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的源极和所述的漏极个个都是由高熔点金属制成的单层膜,或者是由包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜,或者是包含由高熔点金属制成的上层、由铝(Al)或铝合金制成的中层和由高熔点金属制成的下层的三层膜。
26.一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式沿构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向旋转得以实现的,所述的方法包括在透明绝缘基板上形成栅极金属层、然后通过光刻制图形成栅极的过程;在所述的透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜、a-硅(无定形a-硅)层、n+a-硅(高浓度n型无定形a-硅)层和漏极金属层,然后通过采用利用具有多个厚度各不相同的区域的光敏抗蚀膜的光刻术除去所述的漏极金属层的不想要的部分、完成制图、再在未曝光的部分上进行灰化和回流处理,然后再通过除去一部分所述的n+a-硅层和一部分所述的a-硅层和剥除已经历所述的回流处理的所述的光敏抗蚀膜形成漏极线和岛的过程;在所述的透明绝缘基板上形成绝缘膜、然后通过印刷的方法在规定的位置形成穿过所述的绝缘膜并为所述岛的源极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在所述的透明绝缘基板上形成将变成所述的像素电极的透明的导电膜、然后通过光刻制图除去所述的透明的导电膜的不想要的部分形成所述的像素电极和所述的公共电极和把所述的像素电极接到所述的源极上的过程。
27.根据权利要求26的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的绝缘膜是由存在于所述绝缘层的下部的无机绝缘膜和存在于所述绝缘层的上部的有机绝缘膜组成的,而且在通过光刻在存在于所述绝缘膜的所述上部的所述的有机绝缘膜的规定位置形成孔洞部分之后,利用存在于所述的绝缘膜的上部的所述的有机绝缘膜作为掩模在存在于所述的绝缘膜的下部的所述的无机绝缘膜上完成蚀刻。
28.根据权利要求26的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的栅极是由高熔点金属制成的单层膜、或者是包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜。
29.根据权利要求26的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的源极和所述的漏极个个都是由高熔点金属制成的单层膜,或者是由包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜,或者是包含由高熔点金属制成的上层、由铝(Al)或铝合金制成的中层和由高熔点金属制成的下层的三层膜。
30.一种用来制造提供宽视角的液晶显示器的方法,其中具有宽视角的显示器是通过把公共电极和像素电极放在薄膜晶体管的保护膜上和通过在平行于有源矩阵基板表面的表面上以密封的方式沿构成液晶层的液晶分子的分子轴线的方向旋转得以实现的,所述的方法包括在透明绝缘基板上形成栅极金属层、然后通过光刻制图形成栅极的过程;在所述的透明绝缘基板上依次形成层间绝缘膜、a-硅(无定形a-硅)层、n+a-硅(高浓度n型无定形a-硅)层和漏极金属层,然后通过采用使用具有多个厚度各不相同的区域的光敏抗蚀膜的光刻术除去所述的漏极金属层的不想要的部分、完成制图、再在未曝光的部分上进行灰化处理,然后再通过除去所述的a-硅层、所述的n+a-硅层和所述的漏极金属层的某个指定部分和剥除所述的未曝光的部分形成漏极线和岛的过程;在所述的透明绝缘基板上形成绝缘膜然后通过印刷的方法在规定的位置形成穿过所述的绝缘膜并为所述的岛的源极提供连接的绝缘膜触点的过程;以及在所述的透明绝缘基板上形成将变成所述的像素电极的透明的导电膜和通过光刻制图除去所述的透明的导电膜的不想要的部分形成所述的像素电极和所述的公共电极和把所述的像素电极接到所述的源极上的过程。
31.根据权利要求30的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的绝缘膜是由存在于所述绝缘层的下部的无机绝缘膜和存在于所述绝缘层的上部的有机绝缘膜组成的,而且在通过光刻在存在于所述绝缘膜的所述上部的所述的有机绝缘膜的规定位置形成孔洞部分之后,利用存在于所述的绝缘膜的上部的所述的有机绝缘膜作为掩模在存在于所述的绝缘膜的下部的所述的无机绝缘膜上完成蚀刻。
32.根据权利要求30的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的栅极是由高熔点金属制成的单层膜、或者是包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜。
33.根据权利要求30的用来制造提供所述的宽视角的液晶显示器的方法,其中所述的源极和所述的漏极个个都是由高熔点金属制成的单层膜,或者是由包含由高熔点金属制成的上层和由铝(Al)或铝合金制成的下层的双层膜,或者是包含由高熔点金属制成的上层、由铝(Al)或铝合金制成的中层和由高熔点金属制成的下层的三层膜。
全文摘要
一种用来制造液晶显示器的方法,该方法提供宽视角、缩短制造过程和提供高可靠性。该方法包括形成栅极金属层、栅极绝缘层和a-硅层并且通过光刻制图形成岛的过程、形成层间绝缘膜和漏极金属层并且通过光刻制图形成漏极线的过程、形成有机的绝缘膜并且借助光刻在规定的位置形成用来提供与源极和漏极连接的有机绝缘触点的过程、以及形成透明的导电膜并且通过光刻制图形成像素电极和公共电极的过程。
文档编号H01L29/66GK1479145SQ02132129
公开日2004年3月3日 申请日期2002年8月30日 优先权日2002年8月30日
发明者桥本宜明, 田中宏明, 木村茂, 城户秀作, 作, 明 申请人:Nec液晶技术株式会社
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