专利名称：晶片的制造方法和粘接带的制作方法
技术领域：
本发明涉及在适用于IC卡和智能卡等膜化磨削加工中，晶片的膜化磨削和膜化的晶片运送等晶片制造方法和其中使用的粘接带。
背景技术：
作为半导体晶片，通常熟知硅和镓-砷等化合物半导体，其中多数使用硅。该硅晶片可由通过单晶拉伸法得到的高纯度硅锭切割为约500～1000μm的厚度来制造。通过各种方法加工这样制造的硅晶片，并在晶片上形成多种集成电路图案。然后，当形成该电路图案的晶片采用各种装置或者采用各种安装方式进行包装密封时，首先，为了变薄成规定的厚度，使用称作背砂研磨机的装置，磨削加工晶片里表面而进行膜化。另外，根据需要，有时也进行以化学腐蚀、CMP(化学·机械·研磨)等为代表的应力释放处理，以除去磨削加工时破碎层等磨削形变。
这时，在电路图案表面上贴合保护用粘接带，目的是防止来自磨削加工和应力释放处理中的磨削粉尘以及防止化学污染和磨削加工时的冲击造成的晶片自身的破损。晶片里表面的磨削加工结束后，在紫外线固化型粘接带的情况下，对该表面贴合的保护用粘接带预先进行紫外线照射后，剥离除此以外的保护用粘接带而不需要特别的后处理，存放在晶片盒中后，运送到切块工序。
可是，在这些现有的晶片里表面磨削加工方式中，里表面磨削后晶片厚度达到300μm以上时，由该晶片的磨削加工，产生晶片本身难以产生的弯度或者挠度。因此，磨削加工后的晶片与不进行磨削加工的晶片同样是平坦形状的晶片，所以，可将磨削加工后的晶片以原有的形状在运送到下一个工序的同时存放在晶片盒中。
另一方面，近年来，随着对移动仪器的安装使用扩大，以组合型CSP(芯片·尺寸·包装)为代表的三维高密度安装型组件正快速地普及起来。据此，随着芯片面积和组件投影面积的同一化和组件厚度的膜化，安装的芯片本身必须膜化，即必须将半导体晶片本身的厚度极端减薄为25～100μm。但是，这样膜化的晶片在原样地磨削加工后，难以保持磨削加工前的平坦形状。即，磨削加工后产生显著的弯度·挠度，晶片的顶端易弯曲变形为所谓炸马铃薯薄片形状。因此，使用背砂研磨机的晶片里表面磨削加工结束后，在吸附固定晶片的载置台上进行拆卸时，晶片本身容易变形为炸马铃薯薄片那样的形状。因此，由于这样的变形，容易在用于向下一个工序运送晶片的吸附支架上产生真空吸附误差，另外，在向晶片盒存放时，由于晶片弯曲，产生本身不能进行存放等问题。
作为解决这些问题的方法，例如，现已提出了预先在切块工序中使用的框架等比晶片直径还大的环状框架，并在全部表面上贴合表面保护带，在该带的中央部分贴合固定晶片的方法(特开平6-302569号公报)。根据该方法，将膜化磨削加工结束后的晶片形状通过环状框架保持为平坦形状，并将晶片连环状框架一起运送。
另外，特开2001-93864公报等公开了的方法是，预先使晶片介于石英玻璃或蓝宝石玻璃等硬质且平坦的衬底和两面带或蜡等粘合剂之间，或者通过由在衬底上设置的孔等吸引而使晶片和衬底贴合或者粘合，连该衬底一起进行晶片里表面磨削加工，保持膜化的晶片形状平坦，能够以在衬底上粘合的状态向下一个工序或在盒等中存放。
但是，这样的膜化的晶片形状的保持、运送方法在使用环状框架时，随着晶片直径的加大，在环状框架的大小适应于晶片直径的同时，需要增大背砂研磨机自身的吸附固定载置台。因此，必须重新开发与通用装置极为不同的特别装置，另外，也需要连环状框架一起存放的特别的盒或者存放方法。
另外，在贴合硬质衬底的晶片形状的保持、运送方法中，在晶片和硬质衬底的界面上不卷入气泡等进行粘合是困难的。另外，晶片的膜化磨削加工结束后，在现有装置中从衬底剥离晶片是困难的，而且剥离时容易引起晶片发生破损等新问题。
发明概要本发明的目的在于提供维持这些膜化的晶片形状保持和运送方面的性能，同时确保成为问题的晶片贴合以及从晶片剥离等与现有装置的适应性的晶片膜化磨削和膜化晶片运送方法。
另外本发明的目的在于提供适合于上述方法中使用的膜化磨削加工时的晶片粘接带。
本发明的上述及其它目的、特征和优点通过与附加的附图一起考虑，由下述的记载会变得更加清楚。
附图的简单说明
图1是本发明的晶片粘接带的晶片形状保持层的DSC图之一例。
图2是表示本发明的晶片粘接带的剖面图之一例。
发明详述本发明人为了克服这种现有的半导体晶片膜化磨削和膜化晶片运送方法中的问题，进行了各种深入研究，结果发现，在晶片磨削前，预先在电路图案表面上贴合具有晶片形状保持层的粘接带，晶片的里表面磨削加工结束后，从吸附固定磨削装置的晶片卡盘工作台取出晶片前，使该粘接带的晶片形状保持层由柔软的状态，固化为可以保持膜化的晶片形状的硬度，通过将该晶片连该粘接带一起从该卡盘工作台上拆卸并进行运送，可以原样地保持平坦形状的晶片，而且可以防止由于运送时造成的晶片的破损，同时可以存放在原有的晶片盒中，基于该发现，完成本发明。
即，本发明提供(1)一种晶片制造方法，其特征在于，具有(a)在磨削前，预先在晶片表面上贴合粘接带的工序，和(b)在晶片的磨削加工结束后，使该粘接带的晶片形状保持层固化为能够以平坦形状原样地保持晶片形状的硬度的工序。
(2)按照(1)项记载的晶片制造方法，其特征在于，上述粘接带作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，具有能够将膜化的晶片形状保持为平坦形状的晶片形状保持层。
(3)按照(1)或者(2)项记载的晶片制造方法，其特征在于，上述晶片形状保持层可通过氛围气体温度可逆地进行软化-固化变化。
(4)按照(1)～(3)项中任一项记载的晶片制造方法，其特征在于，在使上述的晶片形状保持层固化的工序中，晶片磨削结束后，由磨削时发热产生的加热状态将该粘接带冷却到晶片形状保持层可以平坦地保持晶片形状的温度。
(5)按照(3)项记载的晶片制造方法，其特征在于，构成上述粘接带的晶片形状保持层由至少一层以上的树脂层构成，其中含有在熔融开始温度Ti下进行软化-固化变化的侧链晶性聚合物。
(6)按照(1)～(5)项中任一项记载的晶片制造方法，其中，具有在原样地贴合上述粘接带的状态下进行运送的工序。
(7)一种晶片制造方法，其特征在于，具有在晶片的磨削前，预先在该晶片表面上一边加热至构成粘接带的晶片形状保持层的树脂的玻璃化温度以上一边使上述晶片形状保持层软化而贴合粘接带的工序；和在晶片磨削后，通过从磨削时发热产生的加热状态将该粘接带冷却到晶片形状保持层构成树脂的玻璃化温度以下而使其固化的工序。
(8)按照(7)项记载的晶片制造方法，其特征在于，上述晶片形状保持层作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，由至少一层以上的树脂层构成，使用具有构成粘接带的膜状支撑体的玻璃化温度以下的玻璃转化温度的树脂，通过冷却到该树脂的玻璃化温度以下进行固化，从而可逆地变化为能够将膜化的晶片形状保持为平坦形状的状态。
(9)一种晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，具有能够将膜化的晶片形状保持为平坦形状的晶片形状保持层。
(10)按照(9)项记载的晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，上述的晶片形状保持层可通过氛围气体温度可逆地进行软化-固化变化。
(11)按照(10)项记载的晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，上述晶片形状保持层通过冷却进行固化。
(12)按照(10)～(11)项中任一项记载的膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，上述晶片形状保持层由至少一层以上的树脂层构成，该树脂层含有侧链晶性聚合物，通过将该聚合物冷却到第一次熔融转化温度Tm以下进行固化。
(13)按照(10)～(11)项中任一项记载的膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，上述晶片形状保持层由至少一层以上的树脂层构成，该树脂层含有构成粘接带的膜状支撑体的玻璃化温度以下的玻璃化温度的树脂，通过冷却到该树脂的玻璃化温度以下进行固化。
在本说明书中，就侧链晶性聚合物而言，所谓熔融开始温度Ti是指由树脂软化状态实际上变化为固化状态结束的温度，换句话说，是加热前有序排列的稳定的树脂的特定部分通过加热到开始变为无序状态的温度。用图1进行说明。如果按照通常的条件，在升温速度10℃/分钟、空气氛围气体下进行本发明的粘接带的晶片形状保持层的DSC(差示扫描量热法)测定，则得到如图1中所示的熔化-温度曲线。本发明的粘接带中的晶片形状保持层随着温度的上升，显示出大的吸热峰。观察吸热峰的前后，熔化-温度曲线几乎是平坦的，把吸热前熔化-温度曲线为平坦部分的点A和吸热后熔化-温度曲线为平坦部分的点B用直线连接。把该直线作为基线。如果从点A再提高温度，则热量-温度曲线的斜率变为最大。在该点C引出切线，该切线与上述基线的交点是熔融开始温度Ti。如果越过点C，再使温度上升，则吸热曲线到达顶峰。该点是初期熔融转化温度Tm。在本发明中，所谓初始熔融转化温度Tm是指把加热前有序排列的稳定的聚合物的特定部分通过加热产生无序状态的温度。如果温度再上升，则到达熔化结束点B。这时的温度是熔化结束温度Te。
在本说明书中，所谓“保持膜化的晶片形状平坦”是指在用吸附支架运送和向晶片盒存放的情况下，磨削加工后的晶片实际上没有弯度等变形和挠度地保持粘接带。
另外，在本说明书中所谓“软化-固化变化”，是指不具有尽可能保持膜化的晶片形状平坦的硬度，即从柔性的某种状态固化变化为仅仅足以能够保持该晶片形状的硬度。
即，本发明的方法是把具有可逆地引起固化和软化的，可以保持膜化的晶片形状平坦的硬度的晶片形状保持层的粘接带，以晶片形状保持层的柔软状态预先贴合在进行磨削加工前的晶片上，膜化磨削加工结束后，在背砂研磨机的晶片吸附固定载置台上以平坦状态原样地固定晶片，通过使粘接带的晶片形状保持层固化，从而可以将晶片连粘接带一起以平坦的状态保持、运送和向盒内等存放的方法。另外，本发明的方法是，为了使粘接带的晶片形状保持层的硬度进行可逆地变化，粘接带从膜化的晶片上剥离时，在原有的粘接带剥离装置中，在吸附晶片的状态下，在粘接带弯曲180度方向的状态下进行剥离，从而可以容易地制造膜化的晶片的方法。
本发明的晶片制造方法中可以使用的粘接带，其特征在于，作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，通过赋予加热或者冷却的温度差，硬度可逆地进行变化，即，具有从柔软的状态固化为可以保持膜化的晶片形状平坦的硬度的性质，并由具有晶片形状保持层形成。
在本发明说明书中，所谓“可以保持晶片形状平坦的温度”是指构成晶片形状保持层的树脂由软化的状态实际上变化为固化状态结束的温度。在该温度以下可以维持固化状态。该温度只要是构成晶片形状保持层的树脂的第一次熔融转化温度或者玻璃化温度以下的温度即可，可以任意设定。“可以保持晶片形状平坦的温度”优选选自10～30℃的范围，但设定在与进行磨削加工场所的室温同样是优选的。
对于该粘接带，图2表示为剖面图的一个例子，1是膜状支撑体，2是上述的晶片形状保持层，3是粘合晶片的粘接剂层。
本发明中粘接带的晶片形状保持层具有的性质是通过冷却固化(硬质化)，可以得到保持膜化的晶片形状平坦的硬度。该晶片形状保持层是由通过氛围气体温度而可逆地引起软化-固化的变化的材料组成。软化点根据用途、使用方法等而稍微不同，但是优选选自30～100℃的范围，更优选选自40～60℃的范围，但是重要的不仅在规定的温度范围内可以引起软化-固化，而且可以选择与该温度范围不同的温度。
本发明的粘接带的形状保持层由于具有可逆地进行软化-固化变化的性质，所以，在通过背砂研磨机磨削加工晶片的里表面时，随着加工温度的上升，构成晶片形状保持层的树脂本身，由于过热而软化并可以得到适度的缓冲性，从而呈现了防止晶片破损的效果。而且，之后在粘接带从晶片上剥离时，通过使其软化、赋予粘接带本身柔软性，从而可采用原有的粘接带剥离装置，使该带弯曲至180度方向的剥离方法。
该粘接带的晶片形状保持层，优选含有可在熔融开始温度Ti下进行软化-固化变化的侧链晶性的聚合物。该聚合物通过加热至比熔融开始温度Ti高的温度进行软化，在比该温度低的温度下进行固化。
侧链晶性的聚合物，优选以丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯为主要成分的聚合物，作为侧链优选的是碳原子数10以上的直链烷基，更优选的是碳原子数10以上24以下的直链烷基。作为上述丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯，具体地可以举出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸酰胺、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸-2-氰基乙酯、丙烯腈等，但是并不限于这些。
另外，作为粘接带的晶片形状保持层，也优选使用在玻璃化温度范围内进行软化-固化变化的热塑性树脂。该树脂通过加热至比玻璃化温度高的温度而软化，通过冷却至该温度以下而固化。作为这样的热塑性树脂，可以举出苯乙烯-丁二烯共聚物。但是，在晶片形状保持层中使用的热塑性树脂的玻璃化温度，在构成粘接带的膜状支撑体的玻璃化温度以下。这样的热塑性树脂通过至少冷却到玻璃化温度而固化，达到尽可能保持膜化的晶片形状平坦的硬度。
对于构成粘接带的晶片形状保持层的树脂，并不限于上述的树脂，只要是通过氛围气体温度在规定的温度范围内进行软化-固化变化的即可，而不管哪种树脂都可以。
另外，作为粘接带的晶片形状保持层也可以混合使用紫外线固化型树脂等通过化学反应进行硬化的树脂，但这时晶片形状保持层至少由两种树脂构成，优选的是，由各自通过放射线照射进行固化的放射线固化型树脂和具有通过冷却至规定的温度进行结晶的性质的侧链晶性的聚合物，和/或通过加热至比玻璃化温度高的温度进行软化的热塑性树脂组成。作为这样的放射线固化型树脂，例如可以广泛使用通过光照射可以三维网状化的在分子内至少具有两个以上的光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物，具体的，可以广泛适用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、三丙烯酸季戊四醇酯、四丙烯酸季戊四醇酯、五丙烯酸二季戊四醇一羟基酯、六丙烯酸二季戊四醇酯、二丙烯酸1，4-丁二醇酯、二丙烯酸1，6-己二醇酯、聚二丙烯酸乙二醇酯和丙烯酸低聚酯等。
另外，除了上述的丙烯酸酯类化合物外，还可以使用尿烷丙烯酸酯类低聚物。尿烷丙烯酸酯类低聚物，可以举出，聚酯型或者聚醚型等多元醇化合物和，多价异氰酸酯化合物(例如，2，4-甲苯基二异氰酸酯、2，6-甲苯基二异氰酸酯、1，3-二甲苯基二异氰酸酯、1，4-二甲苯基二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应得到的末端异氰酸酯尿烷预聚物，与具有羟基的丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、甲基丙烯酸2-羟丙酯、聚丙烯酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸乙二醇酯等)反应得到的产物等。
晶片形状保持层的厚度，只要是固化时在其层厚中可以保持晶片形状的厚度即可而没有特别地限制，如果满足这一点，则越薄越好。优选10～200μm，更优选30～100μm。
在本发明方法使用的粘接带中，膜状支撑体通常优选使用塑料、橡胶等。膜状支撑体，在晶片形状保持层或者粘合剂中使用放射线固化型的树脂或者粘合剂时，在通过紫外线照射使放射线透过性物质固化时，选择光透过性良好的。作为这样的膜状支撑体，可以举出，例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙稀共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或者共聚物或者它们的混合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯-或者戊烯类共聚物等热塑性弹性体等，可以根据膜状支撑体的要求特性任意选择。
这些膜状支撑体可以使用现有已知的挤压法制造，但是在通过层压各种树脂得到膜状支撑体的情况下，可以使用共挤出法、层压法等制造，这时在通常的层压膜的制法中像平常那样进行，还可以在树脂和树脂之间设置粘接层。这样的膜状支撑体的厚度，从强度·伸度特性、放射线透过性的观点考虑，通常30～300μm是合适的。
作为在膜状支撑体上设置的粘合剂，在从膜化磨削加工结束后的晶片上剥离粘接带时，只要不产生由于该晶片破损和晶片表面的粘合剂残留而产生的污染等不良状态即可而未作特别地限制，但通过放射线，或通过紫外线固化，粘合剂呈现三维网状化，粘合力降低，同时在剥离后的晶片表面上难以产生粘合剂等残留物的紫外线固化型的粘合剂是优选的。作为这样的紫外线固化型粘合剂，只要显示出希望的紫外线固化性即可而未作特别地限制，但是，可以举出，例如，相对于100重量份的由丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸正丁酯的共聚物组成的丙烯酸类粘合剂，含有5～200重量份具有紫外线固化性的碳-碳双键的(甲基)丙烯酸酯化合物，并混合光引发剂和光敏剂、其它现有已知的粘合赋予剂、软化剂、抗氧剂等形成的组成。
在该膜状支撑体上设置的放射线固化性粘合剂层的厚度，为了使得与图案表面的粘合性变得良好，通常10～200μm是优选的。
对于由本发明的制造方法进行加工的晶片，没有特别地限制，可以使用任意的晶片。其中，特别是半导体晶片，作为半导体晶片，例如，已知硅和镓-砷等化合物半导体。另外，在本说明书中，所谓晶片既包括通过加工在其上形成集成电路图案的晶片，也包括不采用这样的加工的晶片。在磨削形成电路图案的晶片时，通过将本发明的粘接带与作为保护粘接带的电路图案表面贴合，可以防止磨削加工和应力释放处理中的磨削粉尘或者化学物质污染，另外，可以防止由于磨削加工时的冲击产生的晶片本身的破损。
采用本发明的晶片制造方法磨削的晶片适用于IC卡和智能卡等。该半导体用晶片的膜化磨削加工，例如由下面的工序组成。
(a)在晶片的里表面磨削前，预先在电路图案表面上一边加热一边粘合粘接带，沿着晶片形状顺着切开该粘接带的工序(b)通过里表面磨削晶片进行膜化的工序(c)在晶片的里表面磨削结束后，从磨削装置的卡盘工作台取出晶片前，把构成该粘接带的晶片形状保持层的至少一层的树脂层，从磨削时发热的加热状态开始冷却该粘接带，将该晶片形状保持层固化为可以保持晶片形状平坦的硬度的工序(d)以贴合该粘接带的原样状态进行运送的工序本发明中，在上述的工序(a)中，在晶片的里表面磨削前，预先在电路图案表面上粘合表面保护带时，优选一边加热到构成晶片形状保持层的树脂的第一次熔融转化温度或者玻璃化温度以上，一边粘合粘接带。另外，作为这些形状保持层，在混合使用紫外线固化型树脂等通过化学反应进行硬质化的树脂时，作为进行上述工序(a)和(b)的中间工序，即采用预先规定的方法对该紫外线固化树脂等照射紫外线，进行硬化的工序是优选的。
本发明的晶片制造方法在用于IC卡和智能卡等的显著膜化的晶片的磨削和运送中其效果特别明显，通过保持膜化的晶片为平坦形状，可以有效地防止引起粘合的粘接带剥离等问题和存放的不便。而且，根据该方法，可以原样地使用原有的生产线、装置来进行膜化晶片的制造。
另外，本发明的晶片粘接带具有晶片形状保持层，可以通过加热条件的不同，引起晶片粘接带的软化-硬化变化，采用上述的膜化晶片的制造方法是合适的。
下面基于实施例更加详细地说明本发明，但是本发明并不限于这些实施例。
而且，作为晶片形状保持层，除了使用在约50℃具有第一次熔融转化温度的侧链晶性的聚合物，即以碳原子数10以上的直链烷基作为侧链的甲基丙烯酸酯作为主要成分的聚合物以外，与上述进行相同的试验的结果是，可得到相同的结果。
实施例2作为膜状支撑体，在厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上，涂敷厚度30μm的在约50℃下具有由第一次熔融转化温度的侧链晶性的聚合物组成的与实施例1相同的丙烯酸酯作为主要成分的聚合物组成的树脂层作为晶片形状保持层和，厚度30μm的紫外线固化型树脂层(在100重量份的由丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸正丁酯共聚物组成的丙烯酸类粘合剂中，混合了80重量份的六丙烯酸二季戊四醇酯和1重量份作为光引发剂的α-羟基-环己基苯基酮而得到的产物)和作为粘合剂层的由厚度30μm的丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸正丁酯的共聚物组成的丙烯酸类粘合剂，制成粘接带。与实施例1同样在半导体晶片表面上贴合该粘接带后，从粘接带表面照射100mJ/cm2的紫外线。另外，除了在剥离粘接带时不进行紫外线照射外，与实施例1同样试验膜磨削加工处理后的晶片运送性和剥离性。其结果示于下述表1中。
实施例3作为膜状支撑体，在厚度100μm的等规聚丙烯上，涂敷作为晶片形状保持层的厚度100μm的玻璃化温度为60℃的苯乙烯-丁二烯共聚物组成的树脂层和、作为粘合剂层的厚度30μm的丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸正丁酯的共聚物组成的丙烯酸类粘合剂，制成粘接带。该粘接带与实施例2同样，试验膜磨削加工处理后的晶片运送性和剥离性。其结果示于下述表1中。
比较例1除了不设置实施例1中的晶片形状保持层以外，制成与实施例1同样的粘接带，试验膜磨削加工处理后的晶片运送性和剥离性。其结果示于下述表1中。
比较例2
除了不设置实施例2中的晶片形状保持层以外，制成与实施例2同样的粘接带，试验膜磨削加工处理后的晶片运送性和剥离性。其结果示于下述表1中。
比较例3除了不设置实施例3中的晶片形状保持层的苯乙烯-丁二烯共聚物的玻璃化温度为120℃以外，制成与实施例3同样的粘接带，试验膜磨削加工处理后的晶片运送性和剥离性。其结果示于下述表1中。
还有，下面各试验的评价标准如下所示。
(1)原有贴合装置适合性○没有卷入气泡，可以在晶片上贴合×有气泡卷入(2)50μm膜磨削性○没有发生晶片的破损和细微裂缝×发生了晶片的破损或者细微裂缝(3)BG装置内运送性○在真空吸附支架上可以吸附并运送×在真空吸附支架上产生吸附误差(4)晶片盒保存性○可以良好地保存，而且不与上下段的晶片接触×不能良好地保存或者保存后由于晶片的弯曲，与上下段的晶片接触(5)原有剥离装置适合性○可以没有损坏地剥离晶片×不能从晶片上剥离或者剥离后的晶片上有损坏表1
※-在前面的工序中由于发生意外情况而未进行评价由上述表1的比较例1和2的结果显而易见的是，在使用不具有晶片形状保持层的粘接带时，在晶片运送中从运送用的真空吸附支架上发生脱落，不能进行之后的工序。另外，在比较例3中由于晶片形状保持层是玻璃化120℃的苯乙烯-丁二烯共聚物，所以，由于晶片形状保持层柔软化时的加热温度，该粘接带的膜状支撑体本身熔融并吸附在贴合压板上，所以在晶片和粘接带界面上产生卷入气泡的问题，从而不能使用原有的贴合装置，也不能在膜磨削和粘合时由于气泡卷入产生的细微裂缝的状态下使用。
针对于此，在根据本发明方法的实施例1-3中，原有粘合装置适合性、50μm膜磨削性、BG装置内运送性、晶片盒保存性、原有剥离装置适合性中任一项都是良好的，进而可以有效地实现膜化晶片的制造。
与其实施方式一起对本发明进行说明，但是我们认为并没有特别限定，在说明我们的发明的细节中也没有构成限定，可以认为在不违反附加的权利要求的范围中所示的发明的精神和范围的情况下进行适当广泛的解释。
权利要求
1.一种晶片制造方法，其特征在于，具有(a)在磨削前，预先在晶片表面上贴合粘接带的工序，和(b)在晶片的磨削加工结束后，使该粘接带的晶片形状保持层固化为能够以平坦形状原样地保持晶片形状的硬度的工序。
2.按照权利要求1记载的晶片制造方法，其特征在于，上述粘接带作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，具有能够保持膜化的晶片形状为平坦形状的晶片形状保持层。
3.按照权利要求1记载的晶片制造方法，其特征在于，上述晶片形状保持层可通过氛围气体温度可逆地进行软化-固化变化。
4.按照权利要求1记载的晶片制造方法，其特征在于，在使上述晶片形状保持层固化的工序中，晶片磨削结束后，由磨削时发热产生的加热状态将该粘接带冷却到晶片形状保持层可以保持晶片形状平坦的温度。
5.按照权利要求3记载的晶片制造方法，其特征在于，构成上述粘接带的晶片形状保持层由至少一层以上的树脂层构成，其中含有在熔融开始温度Ti下进行软化-固化变化的侧链晶性聚合物。
6.按照权利要求1～5中任一项记载的晶片制造方法，其中，具有在原样地粘合上述粘接带的状态下进行运送的工序。
7.按照权利要求1记载的晶片制造方法，其特征在于，具有在晶片的磨削前，预先在该晶片表面上通过一边加热至构成粘接带的晶片形状保持层的树脂的玻璃化温度以上一边使上述晶片形状保持层软化而贴合粘接带的工序；和在晶片磨削后，通过从磨削时发热产生的加热状态冷却到晶片形状保持层构成树脂的玻璃化温度以下而使该粘接带固化的工序。
8.按照权利要求7记载的晶片制造方法，其特征在于，上述晶片形状保持层作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，由至少一层以上的树脂层构成，使用的是具有构成粘接带的膜状支撑体的玻璃化温度以下的玻璃转化温度的树脂，通过冷却至该树脂的玻璃化温度以下进行固化，从而可逆地变化为能够将膜化的晶片形状保持为平坦形状的状态。
9.一种晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，作为构成膜状支撑体的其中至少一层，或者在膜状支撑体和在该膜状支撑体上涂敷的粘合剂层的中间，具有能够保持膜化的晶片形状为平坦形状的晶片形状保持层。
10.按照权利要求9记载的晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，上述的晶片形状保持层通过氛围气体温度可逆地进行软化-固化变化。
11.按照权利要求10记载的晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，上述晶片形状保持层通过冷却进行固化。
12.按照权利要求10～11中任一项记载的晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，上述晶片形状保持层由至少一层以上的树脂层构成，其中含有侧链晶性聚合物，通过将该聚合物冷却到第一次熔融转化温度Tm以下进行固化。
13.按照权利要求10～11中任一项记载的晶片膜化磨削加工时的粘接带，其特征在于，上述晶片形状保持层由至少一层以上的树脂层构成，其中含有具有构成粘接带的膜状支撑体的玻璃化温度以下的玻璃化温度的树脂，通过冷却到该树脂的玻璃化温度以下进行固化。
全文摘要
一种晶片的制造方法以及其中使用的粘接带，该法具有(a)在磨削前，预先在晶片表面粘合粘接带的工序；和(b)晶片的磨削加工结束后，使该粘接带的晶片形状保持层固化为能够以平坦形状原样地保持晶片形状的硬度的工序。
文档编号H01L21/304GK1472773SQ03145428
公开日2004年2月4日 申请日期2003年6月12日 优先权日2002年6月12日
发明者石渡伸一 申请人:古河电气工业株式会社