专利名称：形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种形成导电凸块的方法，更特别地，是有关于一种形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置。
背景技术：
基于环保的理由，在半导体制造过程中，不含铅的导电材料或含铅量极低的导电材料已逐渐普遍地被使用以代替含铅量极高的导电材料。
针对此一课题，本案申请人曾于2002年11月22日提出过名称为”一种于半导体晶片上形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的半导体晶片装置”的第91134055号中国台湾发明专利申请案。现在，本申请案揭露与上述专利申请案所揭露的手段不同的其他可行的手段。
此外，在BGA封装产品中，于封装基体的与载有晶片的表面相对的表面上形成有数个以矩阵形式排列的锡球。如上所述，含铅量高的锡球是不符合环保要求的。
发明内容有鉴于此，本发明的目的是提供一种形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置，具有制造程序简单、符合环保要求、体积小、成本低等优点。
基于上述目的，本发明提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成有数个暴露该晶片的对应的焊垫的中央部分的穿孔；
(3)以光阻材料于该绝缘层上形成一覆盖层且将该绝缘层的穿孔覆盖，于该覆盖层上借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露对应的焊垫的中央部分的暴露孔，由每一暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小；(4)在覆盖层的暴露孔形成之后，于该覆盖层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料，以使每一个暴露孔内的凸点形成材料形成一对应焊垫上的凸点；及(5)把该覆盖层移去且在每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层，以形成导电凸块，该金属层是从对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为塑料。
本发明还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一穿孔内形成一具有与该绝缘层的表面齐平的表面的光阻材料层，该光阻材料层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成数个暴露对应的焊垫中央部分的暴露孔，由每一暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小；(4)在光阻材料层的暴露孔形成之后，于该光阻材料层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料以使每一个暴露孔内的凸点形成材料于对应的焊垫上形成一凸点；及(5)把该光阻材料层移去且在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
较佳地，在移去光阻材料层及形成金属层的步骤(5)之后，更包含一个把该绝缘层移去的步骤。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为塑料。
本发明还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料于一对应的焊垫上形成一凸点；(4)把该绝缘层移去；(5)在该绝缘层被移去之后，于该晶片的整个焊垫安装表面上以光阻材料形成一保护层以使该凸点被覆盖，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，该保护层形成有数个用于暴露该凸点的开孔；及(6)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为塑料。
本发明还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料于一对应的焊垫上形成一凸点；(4)把该绝缘层移去；及(5)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为塑料。
本发明还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一凸点形成层，该凸点形成层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来使得仅该凸点形成层的对应于该焊垫中央部分的部分被留下作为凸点；及(3)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
较佳地，在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
较佳地，在形成凸点形成层的步骤(2)中，该凸点形成层是由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等的光阻材料形成。
较佳地，在形成金属层的步骤(3)中，金属层是根据凸点的材料而定来以如塑胶电镀、无化学电解电镀等的任何适当的电镀方式形成。
较佳地在形成金属层的步骤(3)之前，更包含如下的步骤以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一覆盖该凸点的绝缘层，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，于该绝缘层上形成数个暴露对应的凸点的穿孔。
本发明还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤
(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一凸点形成层，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，仅将该凸点形成层的对应于该焊垫中央部分的部分被留下作为凸点；(3)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一覆盖该凸点的绝缘层，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，该绝缘层上形成数个暴露对应的凸点的穿孔；及(4)在每一凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫的表面上。
较佳地，在形成凸点的步骤(2)之后，更包含一个于该晶片的每一焊垫的在凸点四周的表面上以电镀方式形成一电镀层的步骤。
较佳地，在形成凸点形成层的步骤(2)中，该凸点形成层是由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等光阻材料形成。
较佳地，在形成金属层的步骤(4)中，金属层是根据凸点的材料而定以塑胶电镀或无化学电解电镀的电镀方式形成。
本发明还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一封装基体，该封装基体具有一用于安装晶片的安装表面及一与该安装表面相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点的布设表面；(2)以光阻材料于该封装基体的整个布设表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该基体的对应该导电接点的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料形成一凸点；及(4)把该绝缘层移去且在形成于每一导电接点上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的导电接点的表面上。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料是掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料是无铅锡膏。
较佳地，在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料是塑料。
本发明还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一封装基体，该封装基体具有一用于安装晶片的安装表面及一与该安装表面相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点的布设表面；(2)以光阻材料于该封装基体的整个布设表面上形成一凸点形成层，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，使该凸点形成层的对应于该导电接点的中央部分的部分被留下作为凸点；及(3)在凸点形成之后，在每一凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的导电接点表面上。
较佳地，在形成凸点形成层的步骤(2)中，该凸点形成层是由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨的光阻材料形成。
较佳地，在形成金属层的步骤(3)中，该金属层是根据凸点的材料而定，以塑胶电镀或无化学电解电镀的电镀方式形成。
本发明还提供一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一封装基体，该封装基体具有一用于安装晶片的安装表面及一与该安装表面相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点的布设表面；(2)以导电胶为材料，通过使用一钢板的印刷方法，于该基体的每一导电接点上形成一凸点；及
(3)在形成于每一导电接点上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的导电接点表面上。
本发明还提供一种具有导电凸块的装置，其特征在于包含一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；及数个各形成于一对应的焊垫中央部分上的导电凸块，每一导电凸块包括一形成于一对应的焊垫上的凸点及一形成于该对应的凸点上且从该对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上的金属层。
较佳地，于该晶片的每一个焊垫上形成有一电镀层。
较佳地，该凸点是由掺杂有如金、银、铜、铝的导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶形成。
较佳地，该凸点是由无铅锡膏形成。
较佳地，该凸点是由塑料形成。
较佳地，该凸点是由光阻材料形成。
较佳地，该凸点是由掺杂有如金、银、铜、铁、铝的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨的光阻材料形成。
较佳地，更包含一形成于该晶片的焊垫安装表面的绝缘层，该绝缘层具有数个暴露对应的金属凸块的穿孔，每一金属凸块的金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
本发明还提供一种具有导电凸块的装置，其特征在于包含一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；数个各形成于一对应的焊垫中央部分上的凸点；及数个金属层，每一金属层是形成于一对应的凸点上且是从该对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上，每一金属层与对应的凸点共同形成一导电凸块。
较佳地，更包含数个电镀层，每一电镀层是形成于一对应的焊垫的在凸点四周的表面上。
较佳地，更包含一绝缘层，该绝缘层是形成于该晶片的焊垫安装表面上且具有数个用于暴露对应的导电凸块的穿孔。
本发明还提供一种具有导电凸块的装置，其特征在于包含一封装基体，该封装基体具有一用于安装晶片的安装表面及一与该安装表面相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点的布设表面；及数个各形成于该基体的一对应的导电接点上的导电凸块，每一导电凸块包括一形成于一对应的导电接点上的凸点及一形成于该对应的凸点上且从该对应的凸点延伸到对应的导电接点的表面上的金属层。
较佳地，该凸点是由掺杂有金、银、铜、铝的导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶形成。
较佳地，该凸点是由无铅锡膏形成。
较佳地，该凸点是由塑料形成。
较佳地，该凸点是由光阻材料形成。
较佳地，该凸点是由掺杂有如金、银、铜、铁、铝的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨的光阻材料形成。
本发明的形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置，具有制造程序简单、符合环保要求、体积小、成本低等优点。
图1至图8是为示意地显示本发明的第一较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图；图9至图16是为示意地显示本发明的第二较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图；图17至图23是为示意地显示本发明的第三较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图；图24至图29是为示意地显示本发明的第四较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图；图30至图33是为示意地显示本发明的第五较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图；图34至图38是为示意地显示本发明的第六较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图；图39至图42是为示意地显示本发明的第七较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图；图43至图48是为示意地显示本发明的第八较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图；图49至图51是为示意地显示本发明的第九较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图；及图52至图54是为示意地显示本发明的第十较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。
图式的主要元件代表符号表1 半导体晶片 10 焊垫安装表面11 焊垫 12 电镀层2 绝缘层 20 穿孔3 覆盖层 30 暴露孔4 凸点形成材料 5 金属层6 光阻材料层 60 暴露孔7 保护层 70 开孔8 凸点形成层 80 凸点9 封装基体 90 安装表面91 布设表面 92 导电接点93 钢板具体实施方式在本发明的较佳实施例被详细描述之前，应要注意的是，在整个说明当中，相同的元件是从头到尾由相同的标号标示。此外，为了清楚揭示本发明的特征，图式中的元件并非按实际比例描绘。
图1至图8是为示意地描绘本发明的第一较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一半导体晶片上。
首先，请参阅图1所示，一半导体晶片1是首先被提供。该半导体晶片1具有一焊垫安装表面10及数个安装于该焊垫安装表面10上的焊垫11(在图式中仅显示一个焊垫)。应要注意的是，该晶片1可以是为从一片晶圆(图中未示)切割出来的单一晶片或者可以是为未从一片晶圆切割出来的晶片。于该晶片1的每一个焊垫11上，一电镀层12是以电镀方式形成。
接着，一绝缘层2是形成于该半导体晶片1的整个焊垫安装表面10上，如在图2中所示。
在本实施例中，该绝缘层2是由像感光油墨(photo ink)、聚醯亚胺(polyimide)等等般的光阻材料形成。
随后，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，该绝缘层2是形成有数个暴露该晶片1的对应的焊垫11上的电镀层12的中央部分的穿孔20，如在图3中所示。
然后，于该绝缘层2上是以光阻材料形成一覆盖层3以致于该绝缘层2的穿孔20是被覆盖，如在图4中所示。借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，该覆盖层3是形成有数个暴露该晶片1的对应的焊垫11上的电镀层12的中央部分的暴露孔30，如在图5中所示。应要注意的是，由每一暴露孔30所暴露的电镀层12的中央部分的面积是比由穿孔20所暴露的电镀层12的中央部分的面积小。
在覆盖层3的暴露孔30的形成之后，于该覆盖层3的每一个暴露孔30内填注凸点形成材料4以致于每一个暴露孔30内的凸点形成材料4在适当的处理后作为一凸点，如在图6中所示。
该凸点形成材料4可以是为导电胶、锡膏等等般的导电材料或者可以是为塑胶等等般的非导电材料。在本实施例中，该凸点形成材料4是为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种金属粉末的导电胶。
然后，请参阅图7、8所示，该覆盖层3是被移去且在形成于每一电镀层12上的凸点4上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点4延伸到对应的电镀层12的表面上。
图9至图16是为是为示意地描绘本发明的第二较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一半导体晶片上。
请参阅图9所示，与第一较佳实施例相同，一半导体晶片1是首先被提供。该半导体晶片1具有一焊垫安装表面10及数个安装于该焊垫安装表面10上的焊垫11(在图式中仅显示一个焊垫)。于该晶片1的每一个焊垫11上，一电镀层12是以电镀方式形成。
接着，一绝缘层2是以与第一较佳实施例相同的形式和材料形成于该半导体晶片1的整个焊垫安装表面10上，如在图10中所示。
与第一较佳实施例相同，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，该绝缘层2是形成有数个暴露对应的电镀层12的中央部分的穿孔20，如在图11中所示。
随后，于该绝缘层2的每一穿孔20内是形成一具有与该绝缘层2的表面齐平的表面的光阻材料层6，如在图12中所示。
借着使用光罩(图中未示)进行曝光和化学冲洗等处理，该光阻材料层6是形成有数个暴露该晶片1的对应的焊垫11的电镀层12的中央部分的暴露孔60，如在图13中所示。
应要注意的是，由每一暴露孔60所暴露的电镀层12的中央部分的面积是比由穿孔20所暴露的电镀层12的中央部分的面积小。
在光阻材料层6的暴露孔60的形成之后，如在第一较佳实施例中所说明般，于该光阻材料层6的每一个暴露孔60内是填注有凸点形成材料4以致于每一个暴露孔60内的凸点形成材料4在适当的处理后作为一凸点，如在图14中所示。
然后，请参阅图15、16所示，该光阻材料层6是被移去且在形成于每一电镀层12上的凸点4上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点4延伸到对应的电镀层12的表面上。最后，该绝缘层2是被移去。
图17至图23是为是为示意地描绘本发明的第三较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一半导体晶片上。
请参阅图17所示，与第一较佳实施例相同，一半导体晶片1是首先被提供。该半导体晶片1具有一焊垫安装表面10及数个安装于该焊垫安装表面10上的焊垫11(在图式中仅显示一个焊垫)。于该半导体晶片1的每一个焊垫11上，一电镀层12是以电镀方式形成。
接着，一绝缘层2是以与该第一较佳实施例相同的形式和材料来形成于该半导体晶片1的整个焊垫安装表面10上，如在图18中所示。
与第一较佳实施例相同，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，该绝缘层2是形成有数个暴露对应的电镀层12的中央部分的穿孔20，如在图19中所示。
随后，如在第一较佳实施例中所说明般，于该绝缘层2的每一个穿孔20内是填注有凸点形成材料4以致于每一个穿孔20内的凸点形成材料4在适当的处理后作为一凸点，如在图20中所示。
然后，该绝缘层2是被移去，如在图21中所示。在该绝缘层2被移去之后，请参阅图22所示，于该晶片1的整个焊垫安装表面10上是以光阻材料形成一保护层7以致于该等凸点4是被覆盖。
接着，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，该保护层7是形成有数个用于暴露该等凸点4的开孔70，如在图23中所示。在该保护层7的开孔70的形成之后，在形成于每一电镀层12上的凸点4上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点4延伸到对应的电镀层12的表面上。
图24至图29是为示意地描绘本发明的第四较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一半导体晶片上。
本较佳实施例的在图24至图28中所示的处理流程是与第三较佳实施例的在图17至图21中所示的处理流程相同，因此，其的详细说明于此是被省略。
与第三较佳实施例不同，在本较佳实施例中，于该绝缘层2被移去之后，在形成于每一电镀层12上的凸点4上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点4延伸到对应的电镀层12的表面上。
图30至图33是为示意地描绘本发明的第五较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一半导体晶片上。
首先，请参阅图30所示，一半导体晶片1是首先被提供。该半导体晶片1具有一焊垫安装表面10及数个安装于该焊垫安装表面10上的焊垫11(在图式中仅显示一个焊垫)。于该晶片1的每一个焊垫11上，一电镀层12是以电镀方式形成。
接着，一凸点形成层8是形成于该半导体晶片1的整个焊垫安装表面10上，如在图31中所示。该凸点形成层8是可以由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等等的光阻材料形成。
然后，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，仅该凸点形成层8的对应于该等焊垫11上的电镀层12的中央部分的部分被留下作为凸点80，如在图32中所示。
随后，在形成于每一电镀层12上的凸点80上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点80延伸到对应的电镀层12的表面上。
应要注意的是，端视凸点80的材料而定，金属层5是能够以如塑胶电镀、无化学电解电镀等等般的任何适当的电镀方式形成。
图34至图38是为示意地描绘本发明的第六较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一半导体晶片上。
首先，请参阅图34所示，一半导体晶片1是首先被提供。该半导体晶片1具有一焊垫安装表面10及数个安装于该焊垫安装表面10上的焊垫11(在图式中仅显示一个焊垫)。于该晶片1的每一个焊垫11上，一电镀层12是以电镀方式形成。
接着，一凸点形成层8是形成于该半导体晶片1的整个焊垫安装表面10上，如在图35中所示。该凸点形成层8是可以由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等等的光阻材料形成。
然后，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，，仅该凸点形成层8的对应于该等焊垫11上的电镀层12的中央部分的部分被留下作为凸点80如在图36中所示。
随后，一绝缘层2是形成于该半导体晶片1的整个焊垫安装表面10上俾可覆盖该等凸点80，如在图37中所示。
接着，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，该绝缘层2是形成有数个暴露对应的凸点80的穿孔20，如在图38中所示。
然后，在形成于每一焊垫11上的凸点80上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点80延伸到对应的电镀层12的表面上。
图39至图42是为示意地描绘本发明的第七较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一半导体晶片上。
首先，如在图39中所示，一半导体晶片1是首先被提供。该半导体晶片1具有一焊垫安装表面10及数个安装于该焊垫安装表面10上的焊垫11(在图式中仅显示一个焊垫)。
接着，一凸点形成层8是形成于该半导体晶片1的整个焊垫安装表面10上。该凸点形成层8是可以由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等等的光阻材料形成。
然后，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，仅该凸点形成层8的对应于该等焊垫11的中央部分的部分被留下作为凸点80如在图40中所示。
在凸点80的形成之后，于该晶片1的每一焊垫11的在凸点80四周的表面上是以电镀方式形成一电镀层12。
随后，一绝缘层2是形成于该半导体晶片1的整个焊垫安装表面10上俾可覆盖该等凸点80，如在图41中所示。
接着，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，该绝缘层2是形成有数个暴露对应的凸点80的穿孔20，如在图42中所示。
然后，在每一凸点80上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点80延伸到对应的电镀层12的表面上。
应要注意的是，虽然在以上所述的较佳实施例中，于每一焊垫上是形成有一电镀层，然而，相同的效果是可以在于每一焊垫上不形成有一电镀层的下达成。
图43至图48是为示意地描绘本发明的第八较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一BGA封装基体上。
首先，请参阅图43、44所示，一BGA封装基体9是首先被提供。该BGA封装基体9具有一适于安装晶片(图中未示)的安装表面90及一与该安装表面90相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点92的布设表面91。
接着，一绝缘层2是形成于该封装基体9的整个布设表面91上，如在图45中所示。
随后，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，该绝缘层2是形成有数个暴露该基体9的对应的导电接点92的穿孔20，如在图46中所示。
然后，于该绝缘层2的每一个穿孔20内是填注有凸点形成材料4以致于每一个穿孔20内的凸点形成材料4在适当的处理后作为一凸点，如在图47中所示。
应要注意的是，该凸点形成材料是为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶，或者可以是为无铅锡膏，或者可以是为塑料。
然后，请参阅图48所示，该绝缘层2是被移去且在形成于每一导电接点92上的凸点4上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点4延伸到对应的导电接点92的表面上。
图49至图51是为示意地描绘本发明的第九较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一BGA封装基体上。
首先，请参阅图49所示，与第八实施例相同，一BGA封装基体9是首先被提供。该BGA封装基体9具有一用于安装晶片(图中未示)的安装表面90及一与该安装表面90相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点92的布设表面91。
接着，一凸点形成层8是形成于该封装基体9的整个布设表面91上。该凸点形成层8是可以由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等等的光阻材料形成。
随后，借着使用光罩(图中未示)的曝光和化学冲洗等处理，仅该凸点形成层8的对应于该等导电接点92的中央部分的部分被留下作为凸点80，如在图50中所示。
在凸点80的形成之后，在每一凸点80上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点80延伸到对应的导电接点92的表面上，如在图51中所示。
图52至图54是为示意地描绘本发明的第十较佳实施例的形成导电凸块的方法的流程的剖视图。在本较佳实施例中，导电凸块是形成于一BGA封装基体上。
首先，请参阅图52所示，与第八实施例相同，一BGA封装基体9是首先被提供。该BGA封装基体9具有一用于安装晶片(图中未示)的安装表面90及一与该安装表面90相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点92的布设表面91。
接着，以导电胶为材料，通过使用一钢板93的印刷方法，于该基体9的每一导电接点92上是形成有一凸点4。如在图53中所示。
随后，在形成于每一导电接点92上的凸点4上是以电镀方式形成一金属层5以致于导电凸块是被形成。每一金属层5是从一对应的凸点4延伸到对应的导电接点92的表面上，如在图54中所示。
综上所述，本发明的形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置，确能达到预期的目的与功效。
但，上述所揭的图式及说明，仅为本发明的实施例而已，非为限定本发明的保护范围。
权利要求
1.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成有数个暴露该晶片的对应的焊垫的中央部分的穿孔；(3)以光阻材料于该绝缘层上形成一覆盖层且将该绝缘层的穿孔覆盖，于该覆盖层上借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露对应的焊垫的中央部分的暴露孔，由每一暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小；(4)在覆盖层的暴露孔形成之后，于该覆盖层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料，以使每一个暴露孔内的凸点形成材料形成一对应焊垫上的凸点；及(5)把该覆盖层移去且在每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层，以形成导电凸块，该金属层是从对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
2.如权利要求1所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
3.如权利要求1所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
4.如权利要求1所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。
5.如权利要求1所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为塑料。
6.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一穿孔内形成一具有与该绝缘层的表面齐平的表面的光阻材料层，该光阻材料层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成数个暴露对应的焊垫中央部分的暴露孔，由每一暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小；(4)在光阻材料层的暴露孔形成之后，于该光阻材料层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料以使每一个暴露孔内的凸点形成材料于对应的焊垫上形成一凸点；及(5)把该光阻材料层移去且在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
7.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
8.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在移去光阻材料层及形成金属层的步骤(5)之后，更包含一个把该绝缘层移去的步骤。
9.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
10.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。
11.如权利要求6所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(4)中，该凸点形成材料为塑料。
12.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料于一对应的焊垫上形成一凸点；(4)把该绝缘层移去；(5)在该绝缘层被移去之后，于该晶片的整个焊垫安装表面上以光阻材料形成一保护层以使该凸点被覆盖，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，该保护层形成有数个用于暴露该凸点的开孔；及(6)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
13.如权利要求12所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
14.如权利要求12所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
15.如权利要求12所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。
16.如权利要求12所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为塑料。
17.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该晶片的对应的焊垫中央部分的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料于一对应的焊垫上形成一凸点；(4)把该绝缘层移去；及(5)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
18.如权利要求17所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
19.如权利要求17所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
20.如权利要求17所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为无铅锡膏。
21.如权利要求17所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料为塑料。
22.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面形成一凸点形成层，该凸点形成层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来使得仅该凸点形成层的对应于该焊垫中央部分的部分被留下作为凸点；及(3)在形成于每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
23.如权利要求22所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在提供半导体晶片的步骤(1)中，于该晶片的每一个焊垫上形成一电镀层。
24.如权利要求23所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成凸点形成层的步骤(2)中，该凸点形成层是由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等的光阻材料形成。
25.如权利要求23所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成金属层的步骤(3)中，金属层是根据凸点的材料而定来以如塑胶电镀、无化学电解电镀等的任何适当的电镀方式形成。
26.如权利要求23所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成金属层的步骤(3)之前，更包含如下的步骤以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一覆盖该凸点的绝缘层，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，于该绝缘层上形成数个暴露对应的凸点的穿孔。
27.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤；(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一凸点形成层，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，仅将该凸点形成层的对应于该焊垫中央部分的部分被留下作为凸点；(3)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一覆盖该凸点的绝缘层，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，该绝缘层上形成数个暴露对应的凸点的穿孔；及(4)在每一凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫的表面上。
28.如权利要求27所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成凸点的步骤(2)之后，更包含一个于该晶片的每一焊垫的在凸点四周的表面上以电镀方式形成一电镀层的步骤。
29.如权利要求27所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成凸点形成层的步骤(2)中，该凸点形成层是由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝等的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨等光阻材料形成。
30.如权利要求27所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成金属层的步骤(4)中，金属层是根据凸点的材料而定以塑胶电镀或无化学电解电镀的电镀方式形成。
31.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一封装基体，该封装基体具有一用于安装晶片的安装表面及一与该安装表面相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点的布设表面；(2)以光阻材料于该封装基体的整个布设表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露该基体的对应该导电接点的穿孔；(3)于该绝缘层的每一个穿孔内填注凸点形成材料以使每一个穿孔内的凸点形成材料形成一凸点；及(4)把该绝缘层移去且在形成于每一导电接点上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的导电接点的表面上。
32.如权利要求31所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料是掺杂有金、银、铜、铝等导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶。
33.如权利要求31所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料是无铅锡膏。
34.如权利要求31所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在填注凸点形成材料的步骤(3)中，该凸点形成材料是塑料。
35.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一封装基体，该封装基体具有一用于安装晶片的安装表面及一与该安装表面相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点的布设表面；(2)以光阻材料于该封装基体的整个布设表面上形成一凸点形成层，借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理，使该凸点形成层的对应于该导电接点的中央部分的部分被留下作为凸点；及(3)在凸点形成之后，在每一凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的导电接点表面上。
36.如权利要求35所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成凸点形成层的步骤(2)中，该凸点形成层是由光阻材料或掺杂有如金、银、铜、铁、铝的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨的光阻材料形成。
37.如权利要求35所述的形成导电凸块的方法，其特征在于在形成金属层的步骤(3)中，该金属层是根据凸点的材料而定，以塑胶电镀或无化学电解电镀的电镀方式形成。
38.一种形成导电凸块的方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一封装基体，该封装基体具有一用于安装晶片的安装表面及一与该安装表面相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点的布设表面；(2)以导电胶为材料，通过使用一钢板的印刷方法，于该基体的每一导电接点上形成一凸点；及(3)在形成于每一导电接点上的凸点上以电镀方式形成一金属层以形成导电凸块，每一金属层是从一对应的凸点延伸到对应的导电接点表面上。
39.一种具有导电凸块的装置，其特征在于包含一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；及数个各形成于一对应的焊垫中央部分上的导电凸块，每一导电凸块包括一形成于一对应的焊垫上的凸点及一形成于该对应的凸点上且从该对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上的金属层。
40.如权利要求39所述的具有导电凸块的装置，其特征在于于该晶片的每一个焊垫上形成有一电镀层。
41.如权利要求39所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由掺杂有如金、银、铜、铝的导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶形成。
42.如权利要求39所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由无铅锡膏形成。
43.如权利要求39所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由塑料形成。
44.如权利要求39所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由光阻材料形成。
45.如权利要求39所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由掺杂有如金、银、铜、铁、铝的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨的光阻材料形成。
46.如权利要求39所述的具有导电凸块的装置，其特征在于更包含一形成于该晶片的焊垫安装表面的绝缘层，该绝缘层具有数个暴露对应的金属凸块的穿孔，每一金属凸块的金属层是从一对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
47.一种具有导电凸块的装置，其特征在于包含一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；数个各形成于一对应的焊垫中央部分上的凸点；及数个金属层，每一金属层是形成于一对应的凸点上且是从该对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上，每一金属层与对应的凸点共同形成一导电凸块。
48.如权利要求47所述的具有导电凸块的装置，其特征在于更包含数个电镀层，每一电镀层是形成于一对应的焊垫的在凸点四周的表面上。
49.如权利要求47所述的具有导电凸块的装置，其特征在于更包含一绝缘层，该绝缘层是形成于该晶片的焊垫安装表面上且具有数个用于暴露对应的导电凸块的穿孔。
50.一种具有导电凸块的装置，其特征在于包含一封装基体，该封装基体具有一用于安装晶片的安装表面及一与该安装表面相对且布设有数个以矩阵形式排列的导电接点的布设表面；及数个各形成于该基体的一对应的导电接点上的导电凸块，每一导电凸块包括一形成于一对应的导电接点上的凸点及一形成于该对应的凸点上且从该对应的凸点延伸到对应的导电接点的表面上的金属层。
51.如权利要求50所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由掺杂有金、银、铜、铝的导电金属粉末中的任何一种或多种粉末的导电胶形成。
52.如权利要求50所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由无铅锡膏形成。
53.如权利要求50所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由塑料形成。
54.如权利要求50所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由光阻材料形成。
55.如权利要求50所述的具有导电凸块的装置，其特征在于该凸点是由掺杂有如金、银、铜、铁、铝的低价金属粉末中的任何一种或多种粉末或塑胶、石墨的光阻材料形成。
全文摘要
一种形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置，该具有导电凸块的装置包含一半导体晶片，该晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该表面上的焊垫；及数个各形成于一对应的焊垫的中央部分上的导电凸块，每一导电凸块包括一形成于一对应的焊垫上的凸点及一形成于该对应的凸点上且从该对应的凸点延伸到对应的焊垫的表面上的金属层。本发明的形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置，具有制造程序简单、符合环保要求、体积小、成本低等优点。
文档编号H01L21/60GK1665006SQ200410007390
公开日2005年9月7日 申请日期2004年3月2日 优先权日2004年3月2日
发明者沈育浓 申请人:沈育浓