专利名称：金属－电介质－金属电容的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体集成电路器件，尤其是涉及一种增大硅片单位面积电容容量的金属-电介质-金属电容。
背景技术：
目前，在半导体工艺中，有这样一种金属-电介质-金属电容，其构造为在层间膜工艺/钨接触孔或钨通孔形成后，淀积安设下部电极的金属，在下部电极上淀积安设一层介质膜，然后在淀积安设上部电极。通过将上部，下部电极分别进行光刻，刻蚀，得到一个金属-电介质-金属电容。上述金属-电介质-金属电容已在实际生产中得到广泛应用。
这种金属-电介质-金属电容在许多实际应用中需占用很大比例的硅片面积，为了减少单位芯片的成本，提高集成度，就要求增大单位面积的该电容的容量，通常的增大硅片单位面积电容容量的方法有两种一种是使用厚度较薄的介质膜，一种是使用较大介电常数的介质膜。
采用第一种方法时，会遇到两个问题1.对介质的质量，成膜设备要有更高的要求。因为介质膜越薄，越容易出现缺陷点，造成该电容的击穿电压不良，影响成品率；2.使用厚度较薄的介质膜，电容的击穿电压也随之降低，太薄有时不能满足电路的要求。
因此使用厚度较薄的介质膜有一定的限度。
采用第二种方法，会有以下的问题1.引入新材料可能增加工艺集成的难度；2.需增加新设备的投资。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的上述不足，提出一种增大硅片单位面积的电容容量的金属-电介质-金属电容。
本实用新型的上述目的是通过下述技术方案实现的包括下部电极、电介质膜、上部电极，在制作电容的区域上的层间膜上设置有凹槽，在所述凹槽上设置下部电极；在所述下部电极上设有所述电介质膜，在所述电介质膜上设有所述上部电极。
和现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果本实用新型采用沟槽层间膜结构，将下部电极由通常的二维结构改进成三维结构，从而增大下部电极的面积，增大单位硅片面积的该电容。
图1是目前的金属-电介质-金属电容的结构图；图2是本实用新型金属-电介质-金属电容的结构图。
其中，1为层间膜；2为下部电极；3为电介质；4为上部电极。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步描述。
如图1所示，在层间膜上设有下部电极，在下部电极上设有电介质，在电介质上设有上部电极，这样的金属-电介质-金属电容是二维平面的，上下部电极的面积较小，因此，金属-电介质-金属电容的电容容量也就较小。
如图2所示，在要制作电容的部分通过光刻/刻蚀，在该区域的层间膜上形成凹槽，在上述凹槽上安设下部电极，得到有凹凸但光滑的下部电极；在下部电极上分别安设与其形状相适应的电介质和上部电极。这样的结构可增大单位硅片面积上下部电极的面积，从而增大了属-电介质-金属电容的电容容量，获得了更大的单位硅片面积的电容容量，使得硅片的集成度大大提高。
权利要求1.一种金属-电介质-金属电容，包括下部电极、电介质膜、上部电极，其特征在于在制作电容的区域上的层间膜上设置有凹槽，在所述凹槽上设置下部电极；在所述下部电极上设有所述电介质膜，在所述电介质膜上设有所述上部电极。
专利摘要本实用新型公开了一种金属－电介质－金属电容，旨在提供一种可增大单位硅片面积的电容容量的金属－电介质－金属电容。其技术方案的要点是包括下部电极、电介质膜、上部电极，在制作电容的区域上的层间膜上设置有凹槽，在所述凹槽上设置下部电极；在所述下部电极上设有所述电介质膜，在所述电介质膜上设有所述上部电极。
文档编号H01G4/33GK2796101SQ20042001941
公开日2006年7月12日 申请日期2004年1月13日 优先权日2004年1月13日
发明者肖胜安 申请人:上海华虹Nec电子有限公司