专利名称：形成集成电路基片的方法
技术领域：
一种用于制造半导体装置的方法，特别是具有改良传导路径的半导体装置。
背景基片是相对平坦和刚性的结构，它提供IC封装中的管芯的机械支承并通常发送信号和功率到IC和从IC接收信号和功率。常规基片常包括与管芯连接的导电引线，以使除了与IC封装连接的其它电路之外，管芯与IC封装中的其它管芯和/或电路交换信号。IC封装常施涂于作为互连IC封装的系统的一部分的电路板组件，它们形成诸如计算机或蜂窝电话的电子装置。
将管芯结合到IC封装中的基片上的一种方法是倒装芯片结合。一种形式的倒装芯片结合被称作为受控塌陷芯片连接或C4方法。C4方法通常包括将焊料块置于管芯上露出的焊盘上。焊料块通常在管芯与晶片分离前被置于该管芯上。随后，将每个管芯翻转(即，倒转)并使其与基片上的焊盘或焊料块的相应图形对准。进行回流过程以便将块/盘结合到基片和管芯上以，从而在管芯和基片之间形成一系列焊料列。焊料列用作管芯和基片之间的导电路径，通过该导电路径传送信号和传递功率。
基片通常安装于诸如主板的板上。在基片和板之间形成互连的一种方法被称作球栅阵列(BGA)。在BGA中，焊料球阵列(大于C4焊料连接)被熔化和形成于基片上。随后，将整个基片翻转到板表面上，通过熔化焊料形成焊接而将BGA连接到该板。
通常，多数类型的基片上的焊盘由在添加焊料以形成与管芯相连的焊盘之前以表面涂层覆盖的铜制成。当前将无电镀镍和浸镀金用作高密度互连基片中的C4和BGA盘的表面涂层。无电镀镍提供在减少形成焊盘的铜和焊料之间的电迁移中关键的阻挡层。电迁移会引起焊盘中的可靠性问题，特别是在高电流应用中，其中铜和焊料之间会存在不可接受水平的电迁移。
浸镀金提供对无电镀镍的氧化阻挡层。氧化阻挡层是很关键的，因为氧化镍易于形成于无电镀镍上且它很难结合任何材料，特别是焊料，以使氧化镍变厚。
使用无电镀镍作为阻挡层存在着与之关联的可靠性问题，因为在将无电镀镍施涂于铜焊盘上时磷终止于无电镀镍中。由于将无电镀镍施涂于焊盘上的方式，磷终止于焊盘上形成的无电镀镍中。
在高密度互连(HDI)基片中的焊盘上施涂无电镀镍和浸镀金表面涂层的可选方案是直接将浸镀金对着铜焊盘予以施涂。直接的浸镀金表面涂层提供焊料接点/焊盘界面的增强的刚度。
与使用直接浸镀金表面涂层相关联的一个缺点在于它不包括阻挡层。因此，由于特别是涉及延长时间周期的较高电流和温度的高功率CPU应用中的电迁移，直接的浸镀金表面涂层是不可靠的。
HDI基片通常采用被形成图形以便在焊盘和/或互连上形成开口的焊料抗蚀剂。焊盘和/或互连上的开口适于接纳形成附着管芯的最终的焊盘的焊料。焊料抗蚀剂需要直接坚固地结合到结合焊盘的表面涂层，以便可以在铜和焊料之间形成坚固接点。因此，由于焊料抗蚀剂材料极难被直接结合到金表面上，所以将直接浸镀金用作焊盘的表面涂层会造成其它问题。
图1-5示出了形成基片的方法。
图6-10示出了形成基片的另一方法。
图11-19示出了形成基片的另一方法。
图20-25示出了形成集成电路的方法。
图26是示出包括了图25所示类型的至少一个集成电路组件的电子系统的框图。
图中，相同的标号表示相同的元件。
具体实施例方式
在以下的详细描述中，参考示出一些示例性实施例的附图。这些实施例足够详细地描述以使本领域的熟练技术人员能实施本发明。可以使用其它实施例，进行结构、逻辑和电气改变，而不背离本发明的范围。
图1-5示出了根据各种实施例的形成诸如用于集成电路的高密度互连基片的基片的方法。如图1所示，该方法可包括将抗蚀剂20施涂于基片10的背侧16，其中该基片10包括其正侧14和背侧16上的形成图形的导电层11A、11B。在各种实施例中，导电层11A、11B可由铜制成，而抗蚀剂20可以是有机材料，诸如环氧树脂/丙烯酸材料。
图2示出该方法可进一步包括从基片10的正侧14中去除形成图形的导电层11A的一部分12(参见图1)，以形成焊盘22和/或基片10的正侧14上的互连。形成图形的导电层11A的那部分12可通过包括蚀刻(例如，湿蚀刻)的各种工艺去除。
如图3所示，该方法可进一步将另一抗蚀剂24施涂于基片10的正侧14上并在各抗蚀剂20、24中形成露出基片10的正侧14上的焊盘22以及基片10的背侧16上的焊盘26的图形。在各种实施例中，抗蚀剂24可以是有机材料，诸如环氧树脂/丙烯酸材料。此外，抗蚀剂24可通过诸如光刻工艺的平版工艺形成图形。
该方法可进一步包括将电解镍28施涂于基片10上的焊盘22、26上。电解镍28可施涂于基片10的两侧14、16上的焊盘22、26，因为导电层11B在基片10的背侧16上就位以形成焊盘22、26之间的一部分电路径。
在各种实施例中，将电解镍28施涂于基片上的焊盘22、26上可包括将电解镍施涂于基片的一侧或两侧14、16上的焊盘22、26中的一些。电解镍28是通过各种工艺施涂于基片10上的焊盘22上的镍，这些工艺诸如电镀或者在将基片浸入包含镍离子的电解液中时将电流施加于基片10上。
图4示出了方法的示例形式，它还包括从基片10的背侧16中去除抗蚀剂20并从基片10的背侧16中去除导电层11B的一部分13(参见图3)以形成基片10的背侧16上的焊盘26和/或互连。抗蚀剂20和导电层11B的一部分13可通过诸如湿蚀刻的各种工艺被去除。
如图5所示，该方法还可包括将更多抗蚀剂30施涂于基片10的背侧16上并在抗蚀剂30中形成露出基片10的背侧16上焊盘26的图形。在各种实施例中，抗蚀剂30可以是有机材料，诸如有机环氧树脂/丙烯酸材料。此外，抗蚀剂30可通过诸如光刻工艺的平版工艺形成图形。
该方法可进一步包括将诸如无电镀金32的金施涂于焊盘22、26上的电解镍28上，这些焊盘22、26位于基片10的正侧和背侧14、16上的抗蚀剂24、30中的一个或两者的图形内(参见图5)。金32可通过常规浸渍工艺加以施涂。在各种可选实施例中，电解金可施涂于电解镍28上同时所有的焊盘22、26仍电连接(即，在如图4所示的导电层11B的一部分13从基片10的背侧16中去除以露出焊盘26之前)。
将金施涂于电解镍上提供了氧化阻挡层，它使电解镍上形成的氧化镍的量最小。最小化氧化镍量可有助于将材料(特别是焊料)结合到焊盘22、26。
该方法可进一步包括在基片10的正侧和背侧14、16上的抗蚀剂24、26的图形内的焊盘22、26上形成焊料(未示出)。可利用任何常规技术将焊料形成于焊盘22、26上。
焊盘22、26上的电解镍28可提供有助于减小电迁移的阻挡层，该电迁移特别在高电流应用中产生于完成的焊盘内的铜和焊料之间。电解镍28可与被形成图形以形成开口33(图5)的抗蚀剂24、30相容。开口33可适于接纳完成焊盘22、26所必需的焊料。
图6-10示出了根据各种实施例形成诸如集成电路的高密度互连基片的基片的另一种方法。如图6所示，该方法可包括将诸如铜层的导电层51施涂于基片50的一侧54B上，该基片50包括其两侧54A、54B上的焊盘62和/或互连。
图7示出该方法可进一步包括将抗蚀剂60A、60B施涂于基片50的两侧54A、54B上，在每个抗蚀剂60A、60B中形成露出基片50的两侧54A、54B上的焊盘62的图形。该方法还可包括将电解镍58施涂于基片50的一侧或两侧54A、54B上的一些或所有焊盘62。在各种实施例中，金可通过诸如电镀法的各种工艺施涂于电解镍58上，因为焊盘62可通过导电层51仍部分地予以电连接。
如图8所示，该方法还可包括从包括导电层51的基片50的侧面54B中去除抗蚀剂60B。此外，可以从基片50中去除导电层51的一部分53(参见图7)以限定包括导电层51的基片50的侧面54B上的焊盘62和/或互连。
图9示出该方法还可包括将另一抗蚀剂61施涂于包含导电层51的基片50的侧面54B上。随后，可在抗蚀剂61中形成图形以露出先前包含导电层51的基片50的侧面54B上的焊盘62。
该方法还可包括将诸如无电镀金72的金施涂于基片50上的抗蚀剂60A、61中的一个或两个的图形内的焊盘62上的电解镍58(参见图10)。在各种实施例中，该方法可包括在基片50的两侧54A、54B上的抗蚀剂64A、61的图形内的焊盘62上形成焊料(未示出)。
图11-19示出了根据各种实施例形成诸如集成电路的高密度互连基片的基片的另一种方法。该方法可包括将导电层101A、101B施涂于基片100的正侧104和背侧106上(图11)。
如图12所示，该方法还可包括将第一抗蚀剂111施涂于基片100的正侧104上并将第二抗蚀剂112施涂于基片100的背侧106上。该方法还可包括在第一抗蚀剂111和第二抗蚀剂112中形成图形。该方法还可包括将导电材料施涂于导电层101A、101B上以形成第一和第二抗蚀剂111、112的图形内的焊盘122。
图13和14示出该方法还可包括从基片100的正侧和背侧104、106中去除第一和第二抗蚀剂111、112(图13)，并将第三抗蚀剂120施涂于基片100的背侧106(图14)。如图15所示，该方法还可包括从基片100的正侧104中去除导电层101A的一部分102(参见图14)，以限定基片100的正侧104上的焊盘122和/或互连。
图16示出该方法还可包括将第四抗蚀剂130施涂于基片100的正侧104上。该方法还可包括在第三和第四抗蚀剂120、130中形成图形以露出基片100的正侧和背侧104、106上的焊盘122。该方法还可包括将电解镍138施涂于基片100上的一些或全部焊盘122。如上所述，将电解镍138施涂于基片100上的焊盘122可包括在将基片100浸渍于包含镍离子的电解液时将电流施加到基片100上。
图17示出该方法还可包括从基片100的背侧106中去除第三抗蚀剂120以及从基片100的背侧106中去除导电层101B的一部分103(参见图15和16)以形成基片100的背侧106上的焊盘122和/或互连。如图18所示，该方法还可包括将第五抗蚀剂140施涂于基片100的背侧106上并在第五抗蚀剂140中形成露出基片100的背侧106上的焊盘122的图形。
图19示出该方法还可包括将诸如无电镀金的金139施涂于焊盘122上的电解镍138。金139可施涂于基片100的正侧和/或背侧104、106上的第四和第五抗蚀剂130、140中的一个或两个的图形内。在各种实施例中，金139可通过诸如电镀的各种工艺施涂于电解镍138上，同时所有焊盘122仍通过导电层101B电连接(参见图16)。该方法还可包括在基片100的正侧和/或背侧104、106上的抗蚀剂130、140的图形内的焊盘122上形成焊料。
图20-25示出了根据各种实施例形成集成电路组件200(参见图25)的方法。如图20所示，该方法可包括将抗蚀剂160施涂于包含形成图形的导电层151A、151B的基片150的背侧156，其中焊盘162形成于基片150的正侧154和背侧156上。图21示出该方法还可包括从基片150的正侧154中去除形成图形的导电层151A的一部分152(参见图20)，以进一步限定基片150的正侧154上的焊盘162和/或互连。
图22示出该方法还可包括将另一抗蚀剂170施涂于基片150的正侧154上。该方法还可包括在每个抗蚀剂160、170中形成露出基片150的正侧和背侧154、156上的焊盘162的图形。该方法还可包括将电解镍168施涂于基片150的一个或两个侧面154、156上的一些或所有焊盘162。
如图25所示，该方法还可包括在焊盘162上形成焊料184并将至少一个电子组件附着到基片150的正侧和/或背侧154、156上的焊盘162。在图25所示的示例中，管芯190可附着于基片150的正侧154上的焊盘162上而板192(例如，主板)可附着于基片150的背侧156上的焊盘162上。在各种实施例中，至少一个附加电子组件可被附着于基片150的正侧和/或背侧154、156上的焊盘162，以形成集成电路组件200。作为示例，管芯190可以是处理器或无线收发器。
图23示出在焊盘162上形成焊料可包括从基片150的背侧154中去除抗蚀剂160。该方法还可包括从基片150的背侧156中去除导电层151B的一部分153(参见图22)，以进一步限定基片150的背侧156上的焊盘162和/或互连。如图24所示，该方法还可包括将又一抗蚀剂180施涂于基片150的背侧154上并在抗蚀剂180中形成露出基片150的背侧156上的焊盘162的图形。
图24和25示出该方法还可包括在将焊料184(图25)形成于焊盘162上之前将诸如无电镀金的金182施涂于抗蚀剂170、180中的一个或两个的图形内的电解镍168上。在各种可选实施例中，在从基片150中去除导电层151B的一部分153之前，金182可通过诸如电镀的各种工艺施涂于电解镍168上(参见图22)。
这里所述的示例方法可在形成包含由铜和焊料形成的焊盘的高密度互连基片中使用。基片中焊盘的铜部分形成为具有电解镍表面涂层，它提供减小焊料和铜之间的电迁移的阻挡层。焊盘的铜部分上的电解镍表面涂层还可与焊料抗蚀剂相容，这些焊料抗蚀剂用于形成在焊盘铜部分顶上接纳焊料的开口。
图26示出了诸如计算机系统的电子系统270的框图，它可以包括可经由系统总线272与电子系统270中的各种组件耦合的电子装置271。电子装置271可包括至少一个集成电路，诸如图25所示的集成电路组件200。电子装置271还可包括微处理器、微控制器、图形处理器或数字信号处理器276和/或定制电路或专用集成电路，诸如用于在诸如蜂窝电话、传呼机、便携式计算机、双向无线电装置和类似电子系统的无线装置中使用的通信电路277。系统总线272可以是单总线或任何总线组合。
电子系统270还可包括外部存储器280，它依次包括适合于特定应用的一个或多个存储器元件，诸如随机存取存储器(RAM)形式的主存储器282、一个或多个硬盘驱动器284和/或处理诸如软盘、紧致盘(CD)、和数字视频盘(DVD)的可拆卸媒介286的一个或多个驱动器。
电子系统270还可包括显示装置288、扬声器289和控制器290，诸如键盘、鼠标、轨迹球、游戏控制器、麦克风、语音识别装置或将信息输入电子系统272的任何其它装置。
图1-26仅仅是代表性的而未按比例绘制。其某些比例会被夸大，而其它会被最小化。在阅读以上描述后，许多其它实施例将是本领域熟练技术人员显而易见的。
提供以上描述，许多其它实施例将为本领域的熟练技术人员显而易见。本发明的范围应参考附图连同权利要求书的等效物的完整范围加以确定。
权利要求
1.一种形成基片的方法，该方法包括将抗蚀剂施涂于基片的背侧，其中该基片的正侧和背侧上具有形成图形的导电层；从所述基片的正侧中去除形成图形的导电层的一部分以形成所述基片的正侧上的焊盘和互连；将另一抗蚀剂施涂于所述基片的正侧上；形成露出所述基片的正侧和背侧上的焊盘的每个抗蚀剂中的图形；以及将电解镍施涂于所述基片上的焊盘上。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括通过镀敷将金施涂于焊盘上的电解镍上。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括从基片的背侧中去除抗蚀剂；以及从基片的背侧中去除所述导电层的一部分以形成所述基片背侧上的焊盘和互连。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括将又一抗蚀剂施涂于所述基片的背侧上；以及形成露出所述基片的背侧上的焊盘的抗蚀剂中的图形。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括将金施涂于所述焊盘上的电解镍，所述焊盘位于所述基片的正侧和背侧上的至少一个抗蚀剂的图形内。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括在所述焊盘上形成焊料，所述焊盘位于所述基片的正侧和背侧上的至少一个抗蚀剂的图形内。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将电解镍施涂于所述基片上的焊盘包括将电解镍施涂于所述基片的正侧和背侧之一上的焊盘。
8.一种形成基片的方法，该方法包括将导电层施涂于基片的一侧，该基片包括其两侧上的焊盘和互连；将抗蚀剂施涂于所述基片的两侧上；形成露出基片两侧上的焊盘的每个抗蚀剂中的图形；以及将电解镍施涂于所述基片上的焊盘。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括通过镀敷将金施涂于所述焊盘上的电解镍上。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，将电解镍施涂于所述基片上的焊盘包括将电解镍施涂于所述基片的正侧和背侧之一上的焊盘。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括从包括导电层的基片的侧面中去除所述抗蚀剂；以及从基片中去除所述导电层的一部分以重新限定由导电层结合的基片的侧面上的焊盘和互连。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括将抗蚀剂施涂于已包括导电层的基片的侧面；以及形成露出已包括导电层的基片的侧面上的焊盘的抗蚀剂中的图形。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括将金施涂于所述焊盘上的电解镍，所述焊盘位于所述基片上的至少一个抗蚀剂的图形内。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括在焊盘上形成焊料，所述焊盘位于所述基片上的至少一个抗蚀剂的图形内。
15.一种形成基片的方法，该方法包括将导电层施涂于基片的正侧和背侧上；将第一抗蚀剂施涂于所述基片的正侧并将第二抗蚀剂施涂于所述基片的背侧；在第一抗蚀剂和第二抗蚀剂中形成图形；将所述第一和第二抗蚀剂的图形内的导电材料施涂于所述导电层上；从所述基片的正侧和背侧中去除第一和第二抗蚀剂；将第三抗蚀剂施涂于基片的背侧；从所述基片的正侧中去除导电层的一部分以形成所述基片的正侧上的焊盘和互连；将第四抗蚀剂施涂于所述基片的正侧；在第三和第四抗蚀剂中形成图形以露出所述基片的正侧和背侧上的焊盘；将电解镍施涂于所述基片上的焊盘；从所述基片的背侧中去除第三抗蚀剂；从所述基片的背侧中去除导电层的一部分以形成所述基片的背侧上的焊盘和互连；将第五抗蚀剂施涂于基片的背侧；以及形成露出基片背侧上的焊盘的第五抗蚀剂中的图形。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括在从所述基片的背侧中去除导电层之前通过镀敷将金施涂于焊盘上的电解镍。
17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括将金施涂于所述焊盘上的电解镍，所述焊盘位于第三和第四抗蚀剂中的至少一个的图形内。
18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，将导电层施涂于基片的正侧和背侧包括将铜层施涂于基片的正侧和背侧。
19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括在焊盘上形成焊料，这些焊盘位于第三和第五抗蚀剂中至少一个图形内。
20.如权利要求15所述的方法，其特征在于，将电解镍施涂于所述基片上的焊盘包括在将基片浸入包含镍离子的电解液时将电流施加到所述基片上。
21.一种形成集成电路组件的方法，该方法包括将抗蚀剂施涂于基片的背侧，所述基片包括其正侧和背侧上的形成图形的导电层；从所述基片的正侧中去除形成图形的导电层的一部分以形成所述基片的正侧上的焊盘和互连；将另一抗蚀剂施涂于所述基片的正侧；形成露出所述基片的正侧和背侧上的焊盘的每个抗蚀剂中的图形；将电解镍施涂于基片上的焊盘；在所述基片的正侧和背侧上的至少一个抗蚀剂的图形内的焊盘上形成焊料；以及将电子组件耦合到所述基片的正侧和背侧之一上的焊盘中的焊料。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，将电子组件附着到所述基片的正侧和背侧之一上的焊盘包括将管芯附着到所述基片的正侧上的焊盘。
23.如权利要求22所述的方法，其特征在于，将电子组件附着到所述基片的正侧和背侧之一上的焊盘包括将板附着到所述基片的背侧上的焊盘。
24.如权利要求21所述的方法，其特征在于，还包括在焊盘上形成焊料之前通过镀敷将金施涂于焊盘上的电解镍。
25.如权利要求21所述的方法，其特征在于，电子组件是处理器。
26.如权利要求21所述的方法，其特征在于，电子组件是无线收发器。
27.如权利要求21所述的方法，其特征在于，在焊盘上形成焊料包括从基片背侧中去除抗蚀剂；从基片背侧中去除导电层的一部分以形成所述基片背侧上的焊盘和互连；将另一抗蚀剂施涂于所述基片的背侧上；以及形成露出基片背侧上的焊盘的另一抗蚀剂中的图形。
28.一种计算机系统，包括总线；与所述总线耦合的存储器；与所述总线电连接的集成电路组件，该集成电路组件包括通过一定过程形成的基片，该过程包括当基片在其正侧和背侧上具有形成图形的导电层时将抗蚀剂施涂于基片背侧；从基片的正侧中去除形成图形的导电层的一部分以形成所述基片正侧上的焊盘和互连；将另一抗蚀剂施涂于基片的正侧；形成露出所述基片的正侧和背侧上的焊盘的每个抗蚀剂中的图形；以及将电解镍施涂于所述基片上的焊盘。
29.如权利要求28所述的计算机系统，其特征在于，形成基片的过程还包括将金施涂于焊盘上的电解镍。
30.如权利要求28所述的计算机系统，其特征在于，形成基片的过程还包括在焊盘上形成焊料。
全文摘要
一种形成适于附到一个或多个电子组件上的集成电路基片的方法。该方法包括将抗蚀剂施涂于基片的背侧，该基片的正侧和背侧上具有形成图形的导电层。该方法还包括从基片的正侧中去除形成图形的导电层的一部分以形成基片的正侧上焊盘和互连并将另一抗蚀剂施涂于基片的正侧上。该方法还包括在每个抗蚀剂中形成露出基片的正侧和背侧上的焊盘的图形以及将电解镍施涂于基片上的焊盘上。
文档编号H01L21/48GK1813503SQ200480018326
公开日2006年8月2日 申请日期2004年6月18日 优先权日2003年6月30日
发明者C·谷如姆斯, H·阿兹弥, A·林 申请人:英特尔公司