半导体芯片的制造方法

专利名称：半导体芯片的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体芯片的制造方法。
背景技术：
在半导体工业中，为了响应封装或高密度封装的减薄，通过层叠芯片技术进行半导体晶片的减薄。通过在与图形形成表面(电路表面)相反的侧面中研磨晶片表面的所谓后-表面研磨执行减薄。通常，在执行后-表面研磨的常规方法和输送中，尽管仅仅由后研磨保护带保持晶片，但是减薄实际上仅仅可以完成至约150μm的厚度，因为研磨之后具有保护带的晶片被翘曲或研磨处的厚度均匀性低的问题。为了解决这些问题，使用具有高硬度和大厚度(从100至200μm)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)作为后研磨保护带的衬底，由此可以制造具有约50μm厚度的半导体晶片。
其间，通过被称作切割工序的切割步骤，将减薄的半导体晶片切割为单个芯片。具体，在由减薄至50μm或以下的非常小厚度的半导体晶片获得芯片的过程中，切割工序中的低产量变为一个问题。这是因为，在切割被后-表面研磨减薄的半导体晶片并层叠到称作切割带的压敏胶粘带的普通方法中，在与压合胶粘片接触的半导体晶片的切割处产生碎屑(边缘碎屑)。
为了解决半导体晶片的切割时的问题，日本未审查的专利公报号(特开)5-335411，特开2000-195826和特开2002-353170，公开一种在半导体晶片的后表面研磨之前在电路表面上的划片线(之后将被切割的线，被单个地分为半导体芯片)中，通过半划线和通过后续后表面研磨预先设置具有比最终完成的厚度更大的深度的沟槽，分割为芯片与研磨同时执行。在该方法中，可以大大地提高超薄晶片的切割工序中的产量。但是，在晶片被分开之后执行研磨之后的芯片键合带(diebonding tape)与研磨表面的粘结，在层叠的IC等的应用中这是最需要的，因此仅仅芯片键合带必须被分开地切割以及生产率大大地减小。
作为能防止碎屑的另一种方法，特开号6-132432公开了通过使用蜡，后表面研磨在硬支撑件上层叠的半导体晶片，然后从后表面(非电路表面)切割该晶片的方法。在该方法中，可以根据蜡材料的种类防止碎屑，但是，在切割之后，半导体晶片必须被浸入溶剂中，以便除去蜡，这减小芯片制造的生产量。

发明内容
由此，本发明的目的是提供一种用于制造半导体芯片的方法，包括切割半导体晶片的步骤，在切割处的碎屑可以被减小、最小化甚至被有效地防止。
在本发明的一个实施例中，提供一种用于制造半导体芯片的方法，包括在透光的支撑件上涂敷包括光吸收剂和热可分解树脂的光致发热转换层的步骤，假如在辐射能的照射时，光致发热转换层将辐射能转变为热量并由于该热量被损坏或分解，制备具有电路表面和非电路表面的半导体晶片，电路表面具有电路图形，非电路表面在电路表面的相反侧面上，通过将电路表面和光致发热的转换层放置为互相面对，通过光可固化的粘合剂层叠该半导体晶片和透光支撑件，以及从透光支撑件侧面照射光，以固化该光可固化的粘结层，由此形成在外表面上具有非电路表面的层叠体的步骤，研磨半导体晶片的非电路表面，直到半导体晶片达到希望厚度的步骤，从非电路表面侧切割该研磨的半导体晶片，以将其切割为多个半导体芯片的步骤，从透光支撑件侧照射辐射能，以分解该光致发热的转换层，由此导致分为具有粘结层和透光支撑件的半导体芯片的步骤，以及可选地从半导体芯片除去该粘结层的步骤。
在本发明的另一实施例中，在切割该研磨的半导体晶片之前，芯片键合带被固定到半导体晶片。


图1是示出在本发明的半导体芯片的制造方法中形成的层叠体的一个实施例的剖面图。
图2(a)和2(b)示出可用于本发明的方法的真空粘结设备的剖面图。
图3是可用于本发明的方法的研磨设备的部分剖面图。
图4(a)和4(b)示出可用于本发明的方法的切割设备的剖面图。
图5(a)和5(a’)至5(e)示出了分开支撑件和剥落粘结层的工序的示图。
图6是可用于激光照射工序的层叠体固定设备的剖面图。
图7(a)至7(f)示出了激光照射设备的透视图。
图8(a)和8(b)示出了在分开芯片和支撑件的操作中使用的拾取单元的示意性示图。
图9示出了从芯片剥落粘结层的状态的示意性示图。
具体实施例方式
根据本发明，被研磨至非常小厚度的半导体晶片可以被切割为半导体芯片，而不产生碎屑。此外，该半导体芯片可以与支撑件隔开，而不导致任何损坏。
此外，在切割该研磨的半导体晶片之前，当在半导体晶片上层叠芯片键合带时，可以容易地制造具有芯片键合粘合剂的半导体芯片，以及促进制造层叠的IC(多芯片封装(MCP))的工序。
本发明的半导体芯片的制造方法包括执行后表面研磨，然后在透光支撑件上切割半导体晶片，以将半导体晶片分为半导体芯片的一系列步骤。通过粘结层在硬的透光支撑件上固定半导体晶片，由此晶片可以被研磨至非常小的厚度，而不导致任何损坏，以及也可以被切割，而不产生碎屑。此外，在半导体芯片和透光支撑件之间设置光致发热的转换层。在辐射能如激光的照射下，该光致发热的转换层分解，以及能够将半导体芯片与支撑件分开，具有最小的损坏或没有损坏。以此方式，根据本发明的方法，可以制造具有优质的超薄半导体芯片，很少有或几乎没有碎屑缺陷。
下面详细描述本发明的半导体芯片的制造方法。
包括半导体晶片/粘合剂层/光致发热层/透光层的层叠体的制造在执行后-表面研磨之前，制造包括半导体晶片/粘结层/光致发热转换层/支撑件的层叠体。图1示出了在本发明的半导体芯片的制造方法中，通过层叠体形成步骤获得的层叠体的一个例子。在图1中，层叠体1依次包括半导体晶片2、光可固化的粘结层3、光致发热的转换层4和透光支撑件5。为了之后执行后表面研磨，半导体晶片的电路表面与粘结层3接触，以及非电路表面被露出。在层叠体的制造中，重要的是防止有害的外来物质如空气进入这些层之间。如果空气进入这些层之间，层叠体的厚度均匀性被损害，以及半导体晶片不能被研磨至较小的厚度。在制造层叠体的情况下，例如，可以考虑下列方法。首先，通过之后描述的任意一种方法，在支撑件上涂敷用于光致发热转换层的前体涂敷溶液，例如，通过照射紫外线干燥和固化。此后，在固化的光致发热转换层和半导体晶片的电路表面(非研磨侧中的表面)的任意一个或两个表面上涂敷光可固化的粘合剂。这些光致发热的转换层和半导体晶片通过光可固化的粘合剂层叠，然后通过例如，从支撑件侧照射光(例如，紫外线)，固化该光可固化的粘合剂，由此可以形成层叠体。这种层叠体的形成优选在真空中执行，以防止空气进入这些层之间。这些可以通过，例如使用特开号11-283279中描述的真空粘结设备来实现。之后描述可以用来形成层叠体的真空粘结设备。
该层叠体优选被设计为将被研磨的衬底的研磨过程中使用的水不侵入和这些层之间的粘附力时足够高的，以不会引起衬底脱落，以便光致发热的转换层是抗研磨的和不被包含研磨衬底的灰尘的水流(浆料)磨蚀。
在下列实施例中，使用激光作为辐射能量，以及使用硅晶片作为半导体晶片，但是本发明不限于此。
图2示出了用于制造上述层叠体的真空粘结设备的剖面图。真空粘结设备20包括真空室21；在真空室21中设置的支撑部件22，其上布置硅晶片2或支撑件5之一；设置在真空室21中以及在支撑部件22的上部可在垂直方向上移动的保持/释放装置23，保持/释放支撑件5或硅晶片2的另一个。真空室21通过真空管线24和真空阀25连接到减压设备(未示出)，以便真空室21内的压力可以被减小。保持/释放装置23具有在垂直方向上可上下移动的杆26，在杆(shaft)26的远端设置接触表面部件27，在接触表面部件27的周边设置的弹簧片28，以及从每个弹簧片28伸出的保持爪29。如图2(a)所示，当弹簧片与真空室21的上表面接触时，弹簧片28被压缩并且保持爪29朝向垂直方向，以在周边边缘处保持支撑件5或晶片2。另一方面，如图2(b)所示，当杆26被下压和支撑件5或晶片2紧邻支撑部件上布置的晶片2或支撑件5闭合时，保持爪29与弹簧片28一起被释放，以重叠支撑件5和晶片2。
具体地，通过使用该真空粘结设备20可以如下来制造层叠体。首先，如上所述，在支撑件上形成光致发热的转换层，以制备具有在其上形成的光致发热转换层的支撑件5。分开地，制备将被层叠的晶片。在支撑件5和晶片2的光致发热转换层的任意一个或两个上涂敷粘合剂。在如图2(a)所示的真空粘结设备20的真空室21中布置因此制备的支撑件5和晶片2，通过减压设备减小压力，杆26被下压，以层叠晶片和支撑件，如图2(b)所示，以及在打开到空气之后，通过从支撑件5侧在其上照射光固化该光可固化的粘合剂，以获得层叠体。
图3示出了用于本发明的研磨设备的部分剖面图。该研磨设备30包括基座31和旋转地安装在锭子32的底部的砂轮33。基座31的底下设置吸入孔34，吸入孔34被连接到减压设备(未示出)，由此将被研磨的材料被吸引并固定在研磨设备30的基座31上。图1所示的本发明的层叠体1被制备和用作将被研磨的材料。层叠体1的支撑件侧面被放置在研磨设备30的基座31上并通过使用减压设备的吸力来固定。此后，当馈送水流时，旋转的砂轮33接触到层叠体1，由此执行研磨。研磨可以被执行至150μm或以下的超薄级别。在另一实施例中，研磨可以被执行至50μm或以下的超薄级别，更优选25μm或以下。
在将半导体晶片研磨至希望的级别之后，研磨的半导体晶片被切割，由此切割为多个半导体芯片。研磨之后，层叠体1的半导体晶片2的电路表面在粘结层3侧上，因此，从外面不能直接观察电路表面上的划片线(将被切割的线)。因此，切割设备需要具有在内侧面观察电路表面的功能。图4示出了可用于本发明的切割设备的示意性示图。层叠体1通过诸如上述研磨设备的减压机构固定在卡盘工作台41上。这里，图4(a)示出了具有图像识别单元43的设备，其包括光源和在层叠体上的电荷耦合器件(CCD)，以及图4(b)示出具有图像识别单元43的设备，其包括光源和在层叠体下面的电荷耦合器件(CCD)。图4(a)的设备需要使用能穿过半导体层的光源照射光，如紫外线，以及使用对这种光敏感的CCD。另一方面，图4(b)的设备需要使用能穿过透光支撑件和光致发热的转换层的光，如可见光或紫外线，也使用对这种光敏感的CCD。从光源照射的光在半导体晶片的电路表面上反射，以及该光通过CCD变为电信号，由此电路表面上的划片线可以被识别为图像。基于因此识别的位置线，通过切割刀片42切割半导体晶片。该切割优选在将芯片键合带固定到研磨的半导体晶片之后执行，因为可以形成具有芯片键合带的半导体芯片。但是，染料键合带通常抑制红外线的透射。此外，硅晶片的光学性能受杂质影响和随着掺杂的杂质量增加，红外线透射率有时减小。在此情况下，使用图4(b)所示的设备类型。
在切割之后，层叠体1被除去并传递到通过激光分开芯片和支撑件的下一步骤，以及执行从该芯片剥落粘结层。图5示出了分开支撑件和剥落粘结层的步骤。如上面的切割步骤所述，根据该情况，在层叠体1(图5(a))的芯片侧中布置芯片键合带51或不布置芯片键合带51(图5(a’))。在具有多个芯片的层叠体1的芯片侧面上布置压敏胶粘带52。压敏胶粘带52通常通过环状金属框架53固定在平面内(图5(b))。随后，从层叠体1的支撑件侧照射激光54(图5(c))。在照射激光之后，支撑件5被拾取，以将支撑件5与芯片分开(图5(d))。最后，通过剥落分开粘结层3，以获得减薄的芯片6(图5(e))。这里，压敏胶粘带52应该具有足够高的粘结强度，以在除去粘结层3时固定单个芯片6，但是足够低，以在除去粘结层3之后便于其剥落。
图6示出了例如，可以用于照射激光的步骤的层叠体固定设备的剖面图。层叠体1被安装在固定板61上，以便支撑件相对于固定设备60处于上表面。固定板61由多孔金属如烧结金属或具有表面粗糙度的金属制成。固定板61通过真空设备(未示出)从底下减压，由此层叠体1通过吸力被固定在固定板61上。真空吸力优选足够强，在分开支撑件和剥落粘结层的后续步骤中不引起芯片脱落。在因此固定的层叠体上照射激光。对于该激光的照射，激光源具有足够高的输出，以在选择被光致发热转换层吸收光的波长下引起光致发热转换层中的热可分解树脂的分解，以便可以产生分解气体，以及支撑件和晶片可以分开。例如，可以使用YAG激光器(波长1,064nm)、二次谐波发生YAG激光器(波长532nm)和半导体激光器(波长从780至1,300nm)。
作为激光照射设备，选择能扫描激光束和设置激光输出和光束移动速度，以在照射表面上形成希望图形的设备。此外，为了稳定照射材料(层叠体)的处理质量，选择具有大的聚焦深度的设备。聚焦深度根据设备设计中的尺寸精度而改变以及不被特别限制，但是聚焦深度优选是30μm或以上。图7示出了可用于本发明的激光照射设备的透视图。图7(a)的激光照射设备70装备有检流计，其具有由X轴和Y轴构成的双轴结构，以及被设计为通过Y轴检流计72反射从激光振荡器71振荡的激光，进一步被X轴检流计73反射并照射在固定板上的层叠体1上。照射位置由检流计72和73的方向决定。图7(b)的激光照射设备70装备有单轴检流计或多角镜74以及在垂直于扫描方向的方向上可移动的载物台76。来自激光振荡器71的激光被检流计或多角镜74反射，进一步被保持镜75反射并照射在可移动载物台76上的层叠体1上。照射位置由检流计或多角镜74的方向和可移动载物台76的位置决定。在图7(c)的设备中，在可移动载物台76上安装激光振荡器71，载物台76在X和Y的双轴方向上移动，以及在层叠体1的整个表面上照射激光。图7(d)的设备包括固定的激光振荡器71和可移动载物台76，载物台76在X和Y的双轴方向上移动。图7(e)的设备具有一结构，以便激光振荡器71被安装在可移动载物台76′上，载物台76′可以在轴方向上移动，层叠体1被安装在可移动载物台76″上，载物台76″可以在垂直于可移动载物台76′的方向上移动。
在担心层叠体1的芯片被激光照射损坏的情况下，优选形成(参见，图7(f))具有陡峭的能量分布以及导致较少泄漏能量到相邻区域的顶帽形状，以抑制相邻区中的损坏。通过(a)通过声光器件使光束偏斜的方法、通过使用折射/衍射形成光束的方法或(b)通过使用孔径或缝隙切割两个边缘处的加宽部分的方法可以改变光束形状等。
激光照射能量由激光功率、光束扫描速度和光束直径决定。例如，可以使用的激光功率是，但是不局限于0.3至100瓦特(W)，扫描速度典型地从0.1至40米/秒(m/s)，以及光束直径典型地从5至300μm或以上。该步骤的速度可以通过升高激光功率和由此增加扫描速度来增加。此外，由于当光束直径变大时扫描操作的数目可以被进一步减小，因此当激光功率足够地高时，可以考虑增加光束直径。
光致发热转换层中的热可分解树脂被激光照射分解，以产生气体，结果，在这些层内产生裂缝，以及光致发热的转换层本身被分开。当空气进入裂缝之间时，裂缝的重粘结可以被阻止。因此，为了便于空气的侵入，优选从层叠体的边缘部分和整个层叠体执行光束的扫描。
如上所述，光致发热转换层的玻璃态转化温度(Tg)优选是常温(20℃)或以上。如果Tg过分地低，那么在分解树脂的冷却过程中分开的裂缝可能互相重粘结，以及光致发热转换层不可能被分开。重粘结被认为是因为光致发热转换层的裂缝由于支撑件的自重互相粘附而发生。因此，当设法不影响支撑件的自重时，例如，通过在从下半部到上半部的垂直方向上执行激光照射(即，通过执行激光照射，支撑件处于底侧的结构)，可以阻止重粘结。
为了从层叠体的边缘部分照射激光，可以使用在从边缘部分接近晶片(切割之后的多个芯片)的切线方向线性地往复它的同时照射激光的方法和从边缘部分到中心螺旋地照射激光如唱机记录的方法。
在激光照射之后，支撑件与通过晶片的切割制造的一组芯片隔开，以及对于该操作，使用利用真空的一般拾取单元。该拾取单元是连接到真空设备的圆柱体部件，其中吸盘被固定到远端。图8示出了用于将支撑件与芯片分开的操作的拾取单元的示意性示图。在图8(a)的情况下，拾取单元80被固定在支撑件5的中心以及在垂直方向上拾取，由此剥落该支撑件。另外，如图8(b)所示，拾取单元80被固定到支撑件5的边缘部分，以及支撑件被剥落，同时从横向侧吹出压缩空气(A)，以使空气进入芯片6和支撑件5之间，由此可以进一步容易地剥离该支撑件。
在分开支撑件之后，芯片上的粘结层被除去。图9示出了粘结层被剥离时的状态的示意性示图。对于粘结层3的除去，可以优选使用用于除去粘合剂的压敏胶粘带90，该压敏胶粘带90与粘结层3可以产生比芯片6和粘结层3之间的粘附力更强的粘附力。这种压敏胶粘带90被铺设，以粘结在粘结层3上，然后箭头方向剥落，由此除去粘结层3。以此方式，可以获得与压敏胶粘片粘合的粘结状态中的多个芯片6。
此后，从压敏胶粘带52一个接一个地拾取各个芯片6，然后根据封装的形式使它经受将它接合在引线框或内插器上，或在多层类型的情况下，将它结合在另一芯片上的芯片键合步骤。在芯片不与芯片键合带层叠的情况下，这里使用树脂或粘结膜作为接合剂。
通过进一步经过连接芯片端子和引线框的内引线的引线键合步骤、用树脂模塑它以防止被外力损坏或杂质的掺杂的密封步骤(模塑步骤)、涂敷焊剂电镀或浸渍引线表面的引线表面处理步骤以及分别地切断封装的切割成形步骤，完成该装配工序。
下面描述用于本发明的半导体芯片的制造的元件半导体晶片半导体晶片被减薄，以通过层叠芯片的技术，处理封装或高密度封装的减薄，以及该减薄通过在与图形形成的晶片表面(电路表面)相反的表面上的后表面研磨来执行。形成为芯片的半导体晶片的例子包括硅和砷化镓(GaAs)。
透光支撑件透光支撑件必须是能透射辐射能如本发明中使用的激光或用于固化光可固化的粘合剂(例如，紫外线)的光的材料，以平坦的状态保持半导体晶片以及在研磨或运输过程中没有损坏。如果辐射能可以被透射到光致发热的转换层，以通过实际的照射能量强度分解光致发热转换层，以及同时用于固化该粘合剂的光可以被透射，那么该支撑件的透射率是足够的。但是，透射率优选是，例如，50％或以上。此外，透光支撑件优选具有足够高的硬度，以防止在研磨时半导体晶片翘曲，以及支撑件的抗挠刚度优选是2×10-3(Pa m3)或以上，更优选3×10-2(Pa m3)或以上。有用的支撑件的例子包括玻璃板和丙烯酸板。此外，为了增强与相邻层如光致发热转换层粘结，如果希望，可以用硅烷偶联剂等等表面处理支撑件。
有时在照射辐射能时支撑件被暴露于光致发热转换层中产生的热量，或暴露于由于研磨时的摩擦生热所导致的高温。此外，为了形成金属膜，有时在将支撑件与半导体芯片分开之前，增加诸如干法电镀(汽相淀积溅射)、湿法电镀(无电镀或电解电镀)、电镀或刻蚀的处理。特别，在硅晶片的情况下，支撑件有时经受高温处理，以形成氧化膜。根据该处理条件，选择具有抗热性、抗化学性和低膨胀系数的支撑件。具有这些性能的支撑件的例子包括玻璃如合成玻璃、硼硅玻璃和蓝宝石玻璃，例如Pyrex，Corning#_1737和#_7059(Corning Inc.)以及Tenpax(SCHOTT GLAS)。
在后表面研磨之后和切割之前，有时提供用化学溶液刻蚀半导体表面的中间步骤。执行该步骤是为了除去半导体晶片的后表面上的碎层(损坏层)，该碎层是通过研磨产生的，以及增强晶片的弯曲强度。在某些情况下，通过作为减薄半导体晶片的工序中的最后阶段的刻蚀，除去几十μm。在半导体晶片是硅单晶的情况下，通常使用包含氢氟酸的混合酸作为刻蚀化学溶液，但是，在玻璃支撑件的情况下(除蓝宝石玻璃)外，支撑件的边缘部分也被化学溶液刻蚀。在支撑件的再使用中该现象变为一个问题，但是通过在玻璃衬底上预先提供抗酸材料(抗刻蚀化学溶液的材料)，该玻璃可以防止被氢氟酸侵蚀。作为保护膜，可以使用抗酸的树脂，以及优选可以溶于特定的溶剂，以溶液形式涂敷，干燥和由此固定在玻璃衬底上的树脂。此外，保护膜需要透射所照射的足够激光量，用于将半导体晶片与玻璃支撑件分开。在该观点中，例如，可以使用在分子内不包含凝聚(condensing)键的非晶聚烯烃、环状的烯烃共聚物和聚氯乙烯可用作保护膜。
为了在研磨之后获得半导体晶片的厚度均匀性，支撑件的厚度优选是均匀的。例如，为了将硅晶片减薄至50μm或以下和实现±10％或更好的均匀性，支撑件的厚度差量必须被减小至±2μm或以下。在重复地使用支撑件的情况下，支撑件优选还具有抗划痕性。为了重复地使用支撑件，必须选择辐射能的波长和支撑件，以通过辐射能抑制支撑件上的损坏。例如，当使用Pyrex玻璃作为支撑件和照射三次谐波产生YAG激光器(355nm)时，晶片的切割之后支撑件和半导体芯片可以被分开，但是，在该激光波长下，这种支撑件显示出低的透射率并吸收辐射能，结果，支撑件被热损坏，以及在某些情况下不能再使用。
光致发热转换层在透光支撑件上设置光致发热转换层。光致发热转换层包含光吸收剂和热可分解的树脂。以激光等的形式在光致发热转换层上照射的辐射能被光吸收剂所吸收并转变为热能。产生的热能突然地升高光致发热转换层的温度，以及该温度达到光致发热转换层中的热可分解树脂(有机成分)的热分解温度，致使树脂的热分解。通过热分解形式产生的气体在光致发热的转换层中形成空隙层(气隙)，以及将光致发热的转换层分为两部分，由此支撑件和半导体芯片被分开。
光吸收剂吸收所使用的波长下的辐射能。辐射能通常是300至2,000nm的波长下的激光，优选300至1,100nm，以及其特定的例子包括在1,064nm的波长下发光的YAG激光、532nm的波长下的二次谐波发生YAG激光以及在780至1,300nm的波长下的半导体激光。光吸收剂根据激光的波长而改变，但是可以使用的光吸收剂的例子包括炭黑、石墨粉、微颗粒金属粉末如铁、铝、铜、镍、钴、锰、铬、锌和碲，金属氧化物粉末如黑色氧化钛、以及染料和颜料如芳香族二氨基金属络合物、脂肪族二胺基金属络合物、芳香族硫醇基金属络合物、巯基苯酚基金属络合物、斯夸琳基染料(squarylium-based dye)、花青基染料、次甲基基染料、萘醌基染料和蒽醌基染料。光吸收剂可以用包括蒸气淀积的金属膜的薄膜形式。在这些光吸收剂当中，炭黑是特别有用的，因为炭黑显著地减小剥落力，即在辐射能的照射之后将半导体芯片与支撑件分开需要的力，以及加速该分开。此外，当染料(在激光的波长下有选择地吸收光和在另一波长范围中透光的染料)和炭黑结合用作吸光剂时，这些对于光致发热转换层的形成是特别有用的，该光致发热转换层能有选择地透射切割步骤中使用的定位的光。
光致发热转换层中的光吸收剂的浓度根据光吸收剂的种类、颗粒状态(结构)和分散度而改变，但是在炭黑具有约5至500nm的颗粒尺寸的情况下，浓度通常从5至70体积％，如果浓度小于5体积％，那么光致发热转换层的热产生对于热可分解树脂的分解可能是不足的，而如果它超出70体积％，光致发热转换层的成膜性能变得不足，以及可能容易地引起与相邻层的粘结故障。此外，如果炭黑的量过分地大，那么用于固化光可固化(例如，UV-可固化)粘合剂的固化光如紫外线的透射率减小，光可固化的粘合剂用于固定半导体晶片和透光支撑件。因此，炭黑的量应该优选60体积％或以下。为了减小辐射能的照射之后除去支撑件时的力和防止研磨过程中光致发热转换层的研磨，包含于光致发热转换层中的炭黑优选是20至60体积％的量，更优选从35至55体积％。
可以被使用的热可分解树脂的例子包括凝胶、纤维素、纤维素酯(例如，醋酸纤维素、硝化纤维)、多酚、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩醛、聚碳酸酯、聚氨酯、聚酯、聚原酸酯(polyorthoester)、聚缩醛、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、偏二氯乙烯与丙烯腈的共聚物、聚(甲基)丙烯酸酯、聚氯乙烯、硅树脂和包含聚氨酯单位的嵌段共聚物。这些树脂可以被分别地使用或结合其两种或多种使用。树脂的玻璃态转化温度(Tg)优选是常温(20℃)或以上，以便防止由于热可分解树脂的热分解形成的空隙层所分开的光致发热转换层重粘结。为了防止重粘结，Tg更优选是100℃或以上。在透光支撑件是玻璃的情况下，可以使用分子内部具有能氢键合到玻璃表面上的硅烷醇基的极性基因(例如，-COOH，-OH)的热可分解树脂，以便增加玻璃和光致发热转换层之间的粘结。此外，在需要化学溶液处理如化学刻蚀的应用中，可以使用分子内部具有在热处理时能自交联的官能团的热可分解树脂、能通过紫外线或可见光交联的热可分解树脂或其前体(例如，单体低聚物混合物)，以给予光致发热转换层化学抵抗性。
透明填料如果希望，光致发热转换层可以包含透明填料。透明填料用于防止由于热可分解树脂的热分解形成的空隙层分开的光致发热转换层的重粘结。因此，半导体晶片的研磨和切割之后分开半导体芯片和支撑件的力以及具有辐射能的后续照射可以被进一步减小。此外，由于可以防止重粘结，热可分解树脂的选择中的余地(latitude)被扩大。透明填料的例子包括硅石、滑石粉和硫酸钡。当使用颗粒的光吸收剂如炭黑时，光吸收剂具有减小用于分开的力的功能而且具有干扰可见光或紫外线的透射率的功能。因此，光可固化的(例如，UV-可固化的)粘合剂的固化不能令人满意地进行或可能需要很长的时间。在此情况下，使用透明填料，由此在照射之后可以容易地分开芯片和支撑件，而不干扰光可固化粘合剂的固化。当使用颗粒的光吸收剂如炭黑时，可以通过光吸收剂的总量决定透明填料的量。光致发热转换层中的颗粒的光吸收剂(例如，炭黑)和透明填料的总量优选基于光致发热转换层的体积从5至70体积％。利用该范围中的总量，用于芯片和支撑件的分开的力可以被充分地减小。但是，用于该分开的力还受颗粒的光吸收剂和透明填料的颗粒状态影响。更具体地说，在颗粒状态是复杂的颗粒状态(由于结构的发展的颗粒状态)的情况下与颗粒状态接近球形的情况下相比，有时利用少量进一步有效地减小用于分开的力。因此，在某些情况下基于“关键性填料体积浓度”规定颗粒的光吸收剂和透明填料的总量。术语“关键性填料体积浓度”(CFVC)意味着在干燥状态留下颗粒光吸收剂和透明填料的混合物以及热可分解树脂以刚好填充空隙体积的量与填料混合时的填料体积浓度。亦即，填料体积浓度，当颗粒光吸收剂的混合物中热可分解树脂以刚好填充空隙体积的量与填料混合时，和透明填料被定义为100％CFVC。在光致发热转换层中的颗粒光吸收剂和透明填料的总量优选是CFVC的80％或以上，更优选90％或以上。利用该范围中的总量，在能量照射之后芯片和支撑件容易被分开。
如果希望，光致发热转换层可以包含其他添加剂。例如，在通过以单体或低聚物的形式涂敷热可分解树脂，并且此后聚合或固化该树脂从而形成层的情况下，该层可以包含光聚合引发剂。同样，对于各种目的，用于增加玻璃和光致发热转换层之间的粘结的偶合剂的添加和用于提高抗化学性的交联剂的添加是有效的。此外，为了促进分开，通过光致发热转换层的分解，可以包含低温气体发生器。可以使用的低温气体发生器的代表性例子包括发泡剂和升华剂。发泡剂的例子包括碳酸氢钠、碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸锌、偶氮二碳酰胺、偶氮二异丁腈(azobisisobutylonitrile)、N，N′-二亚硝基五亚甲基-四胺、p-甲苯磺酰肼(toluenesulfonylhydrazine)和p，p-氧代双(苯磺酰肼)。升华剂的例子包括2-重氮基-5，5-二甲基环己烷-1，3-二酮，樟脑、萘、冰片(borneal)、丁酰胺、戊酰胺、4-叔丁基苯酚、呋喃-2-羧酸、琥珀酸酐、1-金刚烷醇(adamantanol)和2-金刚烷酮(adamantanone)。
光致发热转换层可以通过混合光吸收剂如炭黑、热可分解树脂和溶剂来形成，以制备前体涂层溶液，在支撑件上涂敷该涂层溶液，并干燥它。此外，光致发热转换层可以通过混合作为用于热可分解树脂的原材料的光吸收剂、单体或低聚物来形成，如果希望，选择性地添加剂如光聚合引发剂和溶剂，以制备前体涂层溶液代替热可分解树脂溶液，在支撑件上涂敷获得的涂层溶液，干燥并由此聚合/固化它。对于涂敷，可以使用适合于硬支撑件上的涂敷的一般涂敷方法，如旋涂、金属型涂敷(die coating)和辊式涂敷。
一般说来，光致发热转换层的厚度不被限制，只要支撑件和芯片可以被分开，但是该厚度通常是0.1μm或以上。如果厚度小于0.1μm，那么用于充分的光吸收需要的光吸收剂的浓度变高以及这损坏成膜性能，结果，与相邻层的粘结可能失败。另一方面，如果光致发热转换层形成至5μm或以上的厚度，同时保持通过光致发热转换层的热分解能够分开所需要的光吸收剂的浓度恒定，那么光致发热转换层(或其前体)的透射率减小，结果，光可固化的，例如紫外光(UV)-可固化的光致发热转换层或粘结层的固化有时被抑制，不能获得足够地固化的产品。因此，在例如，紫外光-可固化的光致发热转换层的情况下，为了使在辐射能的照射之后将芯片与支撑件分开所需要的力最小，以及防止研磨过程中光致发热转换层的研磨，光致发热转换层的厚度优选从0.3至3μm，更优选从0.5至2.0μm。
光可固化的粘合剂光可固化的粘合剂用于通过光致发热转换层将半导体晶片固定到支撑件。在通过光致发热转换层的分解，分开芯片(通过晶片的切割形成)和支撑件之后，获得与光可固化的粘合剂粘接的芯片。因此，粘结层必须容易通过剥落与衬底分开。在该方法中，粘合剂具有足够高的粘结强度，以将晶片固定到支撑件，但是具有足够低的粘结强度，以通过剥落分开。作为可用于本发明的粘合剂，适当地使用，如果希望，通过添加光聚合引发剂到(1)具有可聚合乙烯烃的低聚物，如丙烯酸氨基甲酸酯(urethane acrylate)、丙烯酸环氧酯和聚酯丙烯酸酯和/或(2)丙烯酸或甲基丙酸烯单体而获得的UV-可固化粘合剂。添加剂的例子包括增稠剂、增塑剂、分散剂、填料、阻燃剂和抗热老化剂。
具体，为了在硅晶片上的凸凹不平的电路图形中填充粘结层和致使厚度均匀，在涂敷和层叠操作过程中的温度(例如，25℃)下，粘合剂优选具有小于10,000cps的粘滞度。该液体粘合剂优选通过之后描述的各种方法当中的旋涂法来涂敷。因而，粘合剂、UV-可固化的粘合剂和可见光-可固化粘合剂是特别优选的，因为粘结层的厚度可以被制得均匀，而且由于上述原因，处理速度是高的。
在固化之后在25℃下，粘合剂的储能模量优选是5×108Pa或以上，因为半导体晶片不会由于研磨过程中施加的应力而扭曲，因此能够均匀的研磨至非常小的厚度，此外半导体晶片可以防止由于切割时局部地施加的应力而导致碎屑。
当在半导体晶片上固化该光可固化的粘合剂时，由于固化收缩减小粘合面积和与晶片的粘结易于被减小。为了保证足够高的粘结，光可固化的粘合剂优选是在加热至比玻璃态转化温度(Tg)更高的温度下可以恢复粘结的粘合剂。当在25至180℃的温度下测量时，这种粘合剂具有最小3.0×107至7.0×107Pa的储能模量。如果最小储能模量过高，那么不能获得足够高的粘结，以及这可能导致水侵入晶片和粘结层之间的界面中，晶片的边缘碎屑或在中间晶片的中心部分的损坏。另一方面，如果最小储能模量过分地低，那么在某些情况下加热步骤如层叠步骤之后芯片键合带与粘结层可能很难被分开。
此外，在研磨过程中晶片和粘结层的界面最大可达到的温度(通常从40至70℃，例如，50℃)下的储能模量优选是9.0×107(Pa)或以上，更优选是3.0×108(Pa)或以上。利用该范围中的储能模量，防止在研磨过程中通过研磨刀片在垂直方向上的压缩使得粘结层的局部变形至损坏硅晶片的程度。
在本申请中使用的术语“储能模量”或”弹性模量”意味着在温度缓变模式中和拉伸模式中，在1Hz的频率下，0.04％的应变和5℃/min的温度缓变率，通过使用具有22.7mm×10mm×50μm的样品尺寸的粘合剂测量的储能模量。该储能模量可以使用由Rheometrics公司制造的SOLIDS ANALYZER RSAII(商品名)来测量。
当光可固化的粘合剂满足所有这件条件时，具有3,000或以上的分子量的双官能团的尿烷(甲基)丙烯酸酯低聚物的总量是40wt％或以上和双官能团的(甲基)丙烯单体的总量是25wt％或以上的粘合剂是公知的以及这些材料被适当地使用。但是，粘合剂不被特别限制，只要它显示出必需的性能(粘结，功能特性)。
粘结层的厚度不被特别限制，只要在支撑件的切割和去除之后，可以保证半导体晶片的研磨需要的厚度均匀性和通过将粘结层与芯片剥落分开需要的撕裂强度，和晶片表面上的粗糙度可以被足够地吸收。粘合剂的厚度典型地从10至150μm，优选从25至100μm。
在另一实施例中，粘结层可以包括不同粘合剂性能的区域。该区域可以包括调整粘合剂配方(例如，具有更大的或较少的固化剂浓度的区域，在粘合剂内和/或不同粘合剂的图形涂层)或固化级别的调整(例如，在所选图形中使用半透明的或不透明掩模阻挡某些或所有光固化能量)。
一个有用的例子包括边缘区域与晶片具有比中心区中的粘附力更大粘附力的。在该实施例中，在半导体晶片的周边部分，可以在所述粘合剂和所述半导体晶片之间制备第二粘结层。该周边部分是在研磨工序中发生典型缺陷如边缘碎屑或剥落的部分。当在该周边部分通过更大的粘附力支撑半导体晶片时，这些缺陷可以被减小、最小化、甚至被消除。所述第二粘结层与所述第一粘结层(主粘结层)相比较具有较大的粘附力，以及通过照射用所述第一粘结层固化然后两个粘合剂可以在一起被脱落。
应用所述第二粘结层可以仅仅使周边部分中的粘附力增加，保持半导体晶片的中心部分(器件部分)中的粘结层容易剥落。所述第二粘结层的厚度不被特别限制。在某些实施例中，该第二粘合剂区的厚度优选使用小于整个粘合剂层的厚度，以便第一和第二粘结层的结合不大于其他区域中的粘合剂厚度。在所述第二粘结层的储能模量小于所述第一粘结层的储能模量的实施例中，通过使所述第二粘结层的厚度非常薄，不显著地不利影响整个粘结层的机械性能。在另一实施例中，第二粘合剂的同心环可以连同中心区中的第一粘合剂一起用于周边。
第二粘合剂材料区的应用可以通过任意公知的装置。例如，使用喷嘴和旋涂，第二粘合剂可以被散布到希望的区域(例如，晶片边缘区)，这可以在涂敷第一粘合剂之前或之后或同时执行。通过该方法，保持整个粘合剂平坦。
在第二粘合剂与晶片表面具有更大粘附力的一个实施例中，第二粘合剂可以包括具有极性基团的单体或多个单体。在一个实施例中，该第二粘合剂的机械性能(E′)比第一粘合剂低一点点。
其他有用的添加剂在本发明的半导体芯片的制造方法中，晶片电路可能被辐射能如激光损坏。为了避免这种电路损坏，在任意一层如粘结层或光致发热转换层中可以包含在辐射能量的波长下吸收光的染料或反射光的颜料或可以包含于光致发热转换层和晶片之间新设置的层中。吸收激光的染料的例子包括在使用的激光波长附近具有吸收峰值的染料(例如，酞菁-基染料和花青-基染料)。反射激光的颜料的例子包括无机白色颜料如氧化钛。
本发明的用途通过本发明的方法制造的半导体芯片是有效的，例如，在下列使用中。
1.针对高密度封装的层叠CSP(芯片尺寸封装)这些是称作封装中的系统的一种器件形式，其中在一个封装中容纳多个大规模集成电路(LSI)和无源部件，以实现多种功能或高性能，以及被称作层叠的多芯片封装。根据本发明，可以以高产量稳定地制造25μm或以下的晶片，因此本发明对于该用途是有效的。
2.需要高功能和高速处理的直通型CSP在该器件中，通过穿通电极连接芯片，由此导线长度被缩短以及电性能被提高。从技术问题如用于形成穿通电极的穿通孔的形成和穿通孔中的铜(Cu)的嵌入，要求芯片更薄。在通过使用本发明的层叠体连续地形成具有这种结构的芯片的情况下，在芯片的后表面上必须形成绝缘膜和电极，以及要求层叠体具有抗热性和抗化学性。即使在此情况下，当上述支撑件、光致发热转换层和粘结层被选择时，本发明可以被有效地应用。
3.热辐射效率、电性能和稳定性提高的超薄化合物半导体(例如，GaAs)化合物半导体如砷化镓用于高性能分立芯片、激光二极管等，因为它们的电性能比硅更优异(高电子迁移率、直接跃迁型能带结构)。根据本发明的方法，通过减薄芯片提高它们的性能且由此增加热辐射效率。目前，通过使用油脂或抗蚀剂材料，将半导体晶片结合到作为支撑件的玻璃衬底，执行用于减薄的研磨和电极的形成。因此，结合材料必须被溶剂等溶解，用于在处理完成之后将芯片与玻璃衬底分开。这些伴有分开需要超过几天的长时间和废液必须被处理的问题。当使用本发明的方法时可以解决这些问题。
例子下面通过参考例子更详细的描述本发明。
例1使用204mm(直径)×1.0mm(厚度)的玻璃衬底作为透光支撑件，以及使用200mm(直径)×750μm(厚度)的硅晶片作为半导体晶片。通过旋涂在玻璃衬底上涂敷具有下面的表1中所示的组合物的光致发热转换层前体的10％溶液(在丙二醇甲基醚乙酸酯溶剂中)。然后通过加热固化干燥这些材料以及通过将1500mJ/cm2的紫外光(UV)照射，固化这些材料，以在支撑件上形成光致发热转换层。另一方面，类似地，通过旋涂在晶片上涂敷具有下面的表2中所示的组合物的粘结层前体。在图2所示的真空粘结设备中使玻璃衬底和晶片互相层叠，以及在其上照射1500mJ/cm2的UV，以固化该粘结层前体，由此获得层叠体。该层叠体具有玻璃衬底/光致发热的转换层/粘结层/硅晶片的结构，光致发热转换层的厚度是0.9μm，粘结层的厚度是50μm，以及粘结面积是314cm2。
由上述粘合剂前体分别地产生具有22.7mm×10mm×50μm的样品尺寸的粘合剂。在1Hz的频率、0.04％的应变和5℃/min的温度缓变率下的温度缓变模式和拉伸模式中，通过使用Rheometrics公司制造的SOLIDS ANALYZER RSAII(商品名)调整该样品的储能模量。25℃下的储能模量是8.8×108Pa。
表1粘结层1

UV-7000B(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.，Ltd.)UV-6100B(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.，Ltd.)1，6-HX-A(Kyoeisha Chemical Co.，Ltd.)Irgacure369(Ciba Specialty Chemicals K.K.)
表2光致发热转换层1

Sevacarb(Columbian Carbon Japan Ltd.)Aerosil A200(Nippon Aerosil Co.)Joncryl 690(Johnson Polymer Co.)Disperbyk 161(BYK Chemie Japan Co.，Ltd.)在图3所示的研磨设备中设置获得的层叠体以及通过与旋转的砂轮接触被研磨，同时向层叠体提供水流。通过研磨设备继续研磨，直到晶片厚度变为25μm。接着，通过干法抛光设备除去损坏层(约2μm)。使用的研磨设备是由DISCO制造的DFG 850(商品名称)，以及用具有#360的颗粒尺寸的砂轮，在4,800rpm的转数下，单向地执行研磨，然后在5,500rpm的转数下用具有#2000晶粒尺寸的砂轮执行研磨。
在研磨之后，通过切割设备切割半导体晶片。使用的切割设备是由DISCO制造的DED 641(商品名称)以及用具有#3500的颗粒尺寸的砂轮在30,000rpm的转数下和40mm/sec的进料速度执行切割。以1cm的间隔执行切割。此后，切割之后在具有多个半导体芯片的层叠体上，在具有芯片的侧面中布置在环状金属框架中固定的压敏胶粘片，然后从玻璃衬底侧面照射激光。
通过YAG激光器(波长1.064run)，在7.0W的激光输出、130μm的光束尺寸和扫描间距以及1.5m/sec的激光扫描速度下执行激光照射。在层叠体的整个表面上照射激光，同时从边缘部分朝着层叠体的切线方向线性地往复该激光。在该激光照射之后，吸盘被粘附到层叠体的玻璃衬底，然后拔起，由此玻璃板容易地与芯片隔开，以及获得具有粘结层的芯片。
对于将粘结层与芯片的分开，压敏胶粘带(由3M制造的ScotchPressure-Sensitive Adhesive Tape#3305)被粘附到粘结层表面，以及剥落到180°的方向，结果，可以获得芯片而不引起任何损坏。通过光学显微镜观察获得的芯片的碎屑尺寸(边缘碎屑)。在表5中示出了该结果。
例2除了如下面的表3所示改变粘合剂的组分，以及在固化粘结层之后层叠体被放置在120℃的烘箱3分钟之外，用和例1中的相同的方法来执行测试。固化之后粘结层的25℃下的储能模量是1.5×108Pa。可以获得芯片而不引起任何损坏。通过光学显微镜观察获得的芯片的碎屑尺寸(边缘碎屑)。在表5中示出了该结果。
表3粘结层2

UV-7000B(The Nippon Synthetic Chemical IndustryCo.，Ltd.)PA513A(Hitachi Chemical Co.，Ltd.)1，6-HX-A(Kyoeisha Chemical Co.，Ltd.)Irgacure369(Ciba Specialty Chemicals K.K.)例3除了如下面的表4所示改变粘合剂的组分之外，用和例1中相同的方法来执行测试。固化之后粘结层的25℃下的储能模量是5.0×108Pa。可以获得芯片，而不引起任何损坏。通过光学显微镜观察获得的芯片的碎屑尺寸(边缘碎屑)。在表5中示出了该结果。
表4粘结层3

UV-6100B(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.，Ltd.)1，6-HX-A(Kyoeisha Chemical Co.，Ltd.)Irgacure 369(Ciba Specialty Chemicals K.K.)比较例1除了在研磨之后不执行切割的条件下，环状金属框架中固定的压敏胶粘片被粘附到层叠体之外，用和例子1相同的方法执行测试。通过激光照射除去玻璃衬底，然后通过剥落除去粘合剂。可以获得减薄的晶片，不引起任何损坏。此后，在与例子1相同的条件之下通过切割设备切割固定到环状金属框架中的压敏胶粘带的硅晶片。通过光学显微镜观察获得的芯片的碎屑尺寸(边缘碎屑)。在表5中示出了该结果。
表5切割中的最大边缘碎屑的尺寸[μm]

在例1，2和3中，边缘碎屑的尺寸是4μm或以下。另一方面。在比较例1中，边缘碎屑的尺寸是12.5μm，比较例1是常规方法，这在某些当前产品中是不可接受的。通常，晶片上的芯片被分40-50μm宽的区道(划片线)。即使使用最薄的划片机，切割宽度将变为30μm和在每排上将保持仅仅5-10μm的余量。因此，在某些情况下边缘碎屑的尺寸应该被控制小于10μm以下，在其它情况下甚至小于3μm。
例4除了如表6所示改变光致发热层的组分之外，用和例1相同的方法形成层叠体。通过向上铺设玻璃衬底侧面，在光学显微镜上固定该层叠体，以及通过CCD观察反射光。结果，可以清楚地辨别晶片上的划片线。由此证实可以容易地执行用于切割层叠体的定位。
表6光致发热转换层2

Sevacarb(Columbian Carbon Japan Ltd.)Aerosil 200(Nippon Aerosil Co.).
Epolite 1117(Sun Chemical Company Ltd.)Disperbyk161(BYK Chemie Japan Co.，Ltd.)Joncry1690(Johnson Polymer Co.)
权利要求
1.一种用于半导体芯片的制造方法，包括在透光支撑件上涂敷包括光吸收剂和热可分解树脂的光致发热转换层，假如在辐射能的照射时，所述光致发热转换层将辐射能转变为热量并由于该热量而分解，制备具有电路表面和非电路表面的半导体晶片，该电路表面具有电路图形，非电路表面在所述电路表面相反的侧面上，通过将所述电路表面和所述光致发热转换层放置为互相面对，通过光可固化的粘合剂层叠所述半导体晶片和所述透光支撑件，以及从所述透光支撑件侧照射光，以固化光可固化的粘结层，由此形成在外表面上具有非电路表面的层叠体，研磨所述半导体晶片的非电路表面，直到所述半导体晶片达到希望的厚度，从非电路表面侧切割该研磨的半导体晶片，以将它切割为多个半导体芯片，从所述透光支撑件侧照射辐射能，以分解所述光致发热转换层，由此分为具有所述粘结层和透光支撑件的半导体芯片，以及可选地从所述半导体芯片除去所述粘结层。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中在切割该研磨的半导体晶片之前，芯片键合带被固定到半导体晶片。
3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片的制造方法，其中所述光致发热转换层包含炭黑。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片的制造方法，其中所述光致发热转换层还包含透明的填料。
5.根据权利要求1至4的任意一项所述的半导体芯片的制造方法，其中在真空中执行通过光可固化粘合剂层叠所述半导体晶片和所述透光支撑件。
6.根据权利要求1至5的任意一项所述的半导体芯片的制造方法，其中所述半导体晶片被研磨至50μm或以下的厚度。
7.根据权利要求1至6的任意一项所述的半导体芯片的制造方法，其中所述光可固化的粘结层在固化之后具有5×108Pa或更大的储能模量。
8.根据权利要求1至7的任意一项所述的方法，其中执行切割，同时识别划片线，以及利用通过a)能从所述透光支撑件侧穿过透光支撑件和光致发热转换层或b)从非电路侧穿过半导体晶片的光定位。
全文摘要
提供一种用于制造半导体芯片的方法，包括，在透光支撑件上涂敷光致发热转换层，假如在照射辐射能时，光致发热转换层将辐射能转变为热量以及由于该热量分解；通过将电路表面和光致发热转换层放置为互相面对，通过光可固化的粘合剂层叠半导体晶片和透光支撑件，由此形成在外面具有非电路表面的层叠体；研磨半导体晶片的非电路表面，直到半导体晶片达到希望的厚度；从非电路表面侧切割该研磨的半导体晶片，以将它切割为多个半导体芯片；从该透光支撑件侧照射辐射能，以分解该光致发热转换层，由此分为具有粘结层和透光支撑件的半导体芯片，以及从半导体芯片选择性地除去粘结层。
文档编号H01L21/68GK1886831SQ200480035319
公开日2006年12月27日 申请日期2004年10月20日 优先权日2003年11月27日
发明者野田一树, 岩泽优 申请人:3M创新有限公司