专利名称：圆片研磨切割方法
技术领域：
本发明涉及一种IC封装工艺方法，尤其是一种用于有效地防止圆片表面划伤、压伤，提高圆片碎裂后的成品率的工艺方法。
背景技术：
目前，公知的IC封装普通圆片研磨切割工艺(图1所示)为1.研磨前wafer贴膜，2.作业后揭膜，3.切割前贴片，4.切割前圆片贴片后在支架上。期间wafer裸露在空间的机会出现在研磨作业后，增加了外物触及圆片造成划伤、碎裂和切割前贴片的压伤，对破碎圆片的贴片作业将无法实施，常用mapping装片的圆片无法进行芯片位置识别。
发明内容
本发明是要解决现有IC封装普通圆片研磨切割工艺存在研磨后圆片裸露，外物易触及圆片造成划伤、碎裂和切割前贴片的压伤的技术问题，而提供一种能解决上述技术问题的圆片研磨切割方法。
为实现上述目的，本发明的技术方案是一种圆片研磨切割方法，具体步骤是1.研磨前圆片贴膜，2.圆片切割前贴片；3.贴片作业后揭膜，4.揭膜后圆片在切割机上进行作业。
本发明与现有IC封装普通圆片研磨切割工艺方法相比，取消研磨作业后揭膜的动作，直接进行切割前贴片，之后进行揭膜，杜绝了研磨后圆片裸露的机会，有效避免划伤、碎裂的发生，因为膜的韧性保证了圆片在切割前贴片不会产生压伤，即使圆片碎裂也能保持圆片布局完好，可以进行手工贴片，mapping装片依然可以进行作业，提高了成品率。
本实用新型的有益效果是可以有效减少圆片划伤、压伤和碎裂的效果，提高成品率。
图1是现有的研磨切割工艺流程示意图；图2是本发明的研磨切割工艺流程示意图。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
具体实施例方式
本发明将有现有的正常普通圆片研磨切割工艺顺序进行调整1-2-3(①研磨前wafer贴膜②作业后揭膜③切割前贴片)改为1-3-2(①研磨前wafer贴膜③切割前贴片②作业后揭膜)，达到能够减少芯片划伤、压伤和碎裂的目的。
因此，本发明的具体方法步骤(如图2所示)1.研磨前圆片先贴膜然后进行研磨作业；2.研磨后圆片进行切割前的贴片，将圆片用胶带粘贴在支架上；3.贴片后的圆片再进行揭膜作业；4.揭膜后的圆片可以在切割机上进行作业。
权利要求
1.一种圆片研磨切割方法，其特征在于，具体步骤是(1)研磨前圆片贴膜；(2)圆片切割前贴片；(3)贴片作业后揭膜；(4)揭膜后圆片在切割机上进行作业。
全文摘要
本发明公开了一种圆片研磨切割方法，具体步骤是1.研磨前圆片贴膜，2.圆片切割前贴片；3.贴片作业后揭膜，4.揭膜后圆片在切割机上进行作业。本发明取消了研磨作业后揭膜的动作，直接进行切割前贴片，之后进行揭膜，杜绝了研磨后圆片裸露的机会，有效避免划伤、碎裂的发生，因为膜的韧性保证了圆片在切割前贴片不会产生压伤，即使圆片碎裂也能保持圆片布局完好，可以进行手工贴片，mapping装片依然可以进行作业，提高了成品率。
文档编号H01L21/304GK1931519SQ20061011667
公开日2007年3月21日 申请日期2006年9月28日 优先权日2006年9月28日
发明者许海渐 申请人:南通富士通微电子股份有限公司