专利名称：适用于无铅工艺的封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种封装结构，特别是涉及一种适用于无铅工艺的封装结构,，背景技术目前环保意识抬头，许多电子产品的生产都已导向无铅的材料与工艺。在无铅制造工艺中，例如焊接表面安装元件(Surface Mounted Device, SMD) 固接于电路板，由于焊料的熔化温度升高，因此电子元件与电路板的耐热性 也必须相对提高。请参阅图IA与图IB, —种电子元件的封装结构1包括上 封装体11、下封装体12以及电子元件(图未显示)，上封装体11与下封装 体12具有相同的接合面积，将电子元件共同包覆于上封装体11与下封装体 12内，而电子元件的多个接脚13则延伸突出于封装体11、 12之外，以形成 表面安装元件(SMD)。然而，由于无铅工艺的耐热温度高达260。C,若是封装体ll、 12的耐热 性不佳，则会有封装结构裂开甚至电子元件损坏的情形产生，影响该电子产 品的可靠度与使用寿命。因此，如何提供一种适用于无铅工艺的封装结构，不需改变原有电子元 件在电路板的布局，使封装结构的耐热性提高，已成为重要课题之一。发明内容针对上述课题，本发明的目的为提供一种适用于无铅工艺的封装结构，高封装结构的可靠度与使用寿命，进而提高产品成品率及降低生产成本。 针对上述课题，本发明的另一目的为提供一种适用于无铅工艺的封装结构，以缩小电子产品的体积，节省电路板的空间。为达上述目的，依据本发明的一种适用于无铅工艺的封装结构包括至少一个电子元件、第一封装体以及第二封装体。该电子元件具有多个接脚；该\
第二封装体与该第一封装体接合以共同包覆该电子元件，且第一封装体与第 二封装体间形成有接合区域，其中第 一封装体具有延伸部突出于接合区域， 接脚自该接合区域向外延伸，并与第一封装体的延伸部接触。
承上所述，依据本发明的一种适用于无铅工艺的封装结构将其中的封装 体自接合区域突出延伸部，使电子元件的多个接脚可向外延伸出接合区域并 与该延伸部接触。与现有技术相比，
本发明在不改变电子元件于原有电路板 的布局，仅需通过该等封装体的尺寸差异，緩沖无铅工艺的热膨胀效应，即 能够避免封装体裂开，使封装结构在无铅工艺中具有更高的耐热性，提高可 靠度与使用寿命，进而提高产品成品率及降低生产成本。
图1A为一种现有的封装结构的立体图； 图1B为图1A的正视图2A为依据本发明优选实施例的一种封装结构的立体图； 图2B为图2A的正^L图；以及
图3为依据本发明优选实施例的封装结构的另一示意图。
简单符号说明
1、 2封装结构 11 上封装体12 下封装体 13、 23 接脚21 第一封装体 2ia 延伸部2122接合区域 22 第二封装体 24 连接件
具体实施例方式
以下将参照相关附图，说明依据本发明优选实施例的一种适用于无铅工 艺的封装结构，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
请参阅图2A与图2B,本发明优选实施例的一种适用于无铅工艺的封装 结构2包括至少一个电子元件(图未显示)、第一封装体21以及第二封装体 22，电子元件具有多个接脚23。在本实施例中，封装结构为表面安装元件 (SMD),其中第一封装体21及第二封装体22都可为多面体，其构成材料
相同，都可为树脂材料，例如但不限于是环氧树脂(epoxy)。第一封装体21 及第二封装体22可通过压模成型或注射成型等方式，分别成型或同时成型， 再接合后以共同包覆该电子元件，第一封装体21及第二封装体22的接合处 具有4妾合区i或2122， JU妾脚23自接合区i或2122向外延伸。第一封装体21具有延伸部21a突出于接合区域2122，亦即封装体21 、 22的尺寸具有差异，通过封装体21、 22的尺寸差异，緩冲无铅工艺的热膨 胀效应，即能够避免封装结构2裂开，使封装结构2在无铅工艺中具有更高 的耐热性。在本实施例中，第一封装体21的尺寸大于第二封装体22的尺寸， 电子元件的接脚23与延伸部21a接触而完成表面安装元件(SMD )。请参阅图3，封装结构2还包括连接件24,其以粘结或熔接方式邻接第 二封装体22，并包覆电子元件的接脚23与延伸部21a接触的部分，以增加 封装结构2的散热面积及提高耐热能力。连接件24的材料可与第二封装体 22的材料相同，且连接件24与第二封装体22 —体成型制成。综上所述，依据本发明的一种适用于无铅工艺的封装结构将其中的封装 体自接合区域突出延伸部，使电子元件的多个接脚可向外延伸出接合区域并 与延伸部接触。与现有技术相比，本发明在不改变电子元件于原有电路板的 布局，仅需通过该等封装体的尺寸差异，缓沖无铅工艺的热膨胀效应，即能 够避免封装体裂开，使封装结构在无铅工艺中具有更高的耐热性，提高可靠 度与使用寿命，进而提高产品成品率及降低生产成本。以上所述仅为举例性，而非限制性的。任何未脱离本发明的精神与范围， 而对其进行的等同修改或变更，均应包含于所附权利要求之中。
权利要求
1. 一种适用于无铅工艺的封装结构，包括至少一个电子元件，具有多个接脚；第一封装体；以及第二封装体，与该第一封装体接合以共同包覆该电子元件，且该第一封装体与该第二封装体之间形成有接合区域；其中该第一封装体具有延伸部突出于该接合区域，该多个接脚自该接合区域向外延伸，并与该第一封装体的该延伸部接触。
2、 如权利要求1所述的封装结构，其中该第一封装体的尺寸大于该第 二封装体的尺寸。
3、 如权利要求1所述的封装结构，还包括连接件，邻接于该第二封装体，并包覆该多个接脚与该延伸部接触的部分.
4、 如权利要求3所迷的封装结构，其中该连接件与该第二封装体一体 成型制成，且该连接件的材料与该第二封装体的材料相同。
5、 如权利要求3所述的封装结构，其中该连接件以粘结或熔接方式邻 接于该第二封装体。
6、 如权利要求1所述的封装结构，其中该第一封装体及该第二封装体 通过压模成型或注射成型制成。
7、 如权利要求1所述的封装结构，其中该第一封装体的材料与该第二 封装体的材料相同。
8、 如权利要求1所述的封装结构，其中该第一封装体及该第二封装体 的材料为树脂。
9、 如权利要求1所述的封装结构，其中该树脂为环氧树脂。
10、 如权利要求1所述的封装结构，形成表面安装元件。
全文摘要
一种适用于无铅工艺的封装结构，其包括至少一个电子元件、第一封装体以及第二封装体。电子元件具有多个接脚，第二封装体与第一封装体接合以共同包覆该电子元件。且第一封装体与第二封装体间形成有接合区域，其中第一封装体具有延伸部突出于接合区域，接脚自该接合区域向外延伸，并与第一封装体的延伸部接触。
文档编号H01L23/31GK101211868SQ200610171768
公开日2008年7月2日 申请日期2006年12月29日 优先权日2006年12月29日
发明者李新华, 军 王 申请人:台达电子工业股份有限公司