照明装置及照明装置的制造方法

专利名称：照明装置及照明装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及照明装置和照明装置的制造方法。
本申请要求基于2007年5月9日在日本提出申请的特愿2007-124618号的优先权，在此引用其内容。
背景技术：
以往，开发了以发光二极管为光源的照明装置作为各种电灯泡、放电管等的替代品。发光二极管，相对于消耗电力的发光量大，故障也少，因此，不仅是作为家庭用光源、而且还作为车用光源受到广泛研究。
例如，在下述专利文献l中公开了大致由多个发光二极管、安装了这些发光二极管的安装基板、和盖板构成的发光二极管灯(照明装置)。在图10中表示了该照明装置的剖视示意图。如图10所示，照明装置的安装基板110由铝板110a、形成在铝板110a的一面上的绝缘树脂膜110b、和形成在绝缘树脂膜110b上的由铜箔构成的布线图形113构成。另夕卜，盖板114由铝板114a、和形成在铝板114a的一面整面的绝缘树脂膜110e构成。另外，在盖板114设置有使布线图形113露出的贯通孔114b，通过盖板114重叠在安装基板110,该贯通孔114b成为使布线图形113露出的凹部114c。在该凹部114c的内部收容有发光二极管101。另外，在凹部114c填充有加入荧光体的透明树脂116。使用蓝色发光二极管作为发光二极管，并使用黄色荧光体作为填充在凹部114c的荧光体，由此，使得可发出白色光。
在图IO所示的照明装置中，在凹部114c的侧壁面，盖板侧的绝缘树脂膜110e的端面露出，该绝缘树脂膜110e的端面与发光二极管101相对。因此，使得从发光二极管101放射出的蓝色光的一部分照射在绝缘树脂膜110e。绝缘树脂膜110e由高分子化合物构成，具有易于吸收蓝色光的特性。因此，存在如下问题:发光二极管101的放射光的一部分由绝缘树脂膜110e吸收，不能得到按照设计的发光量。
另夕卜，填充在凹部114c的黄色荧光体的量相对于发光二极管101的发光量被调整为最适当的量，但是，若如上述那样不能得到按照设计的发光量，则发光量和黄色荧光体的量的平衡打破，发光色有可能从白色变为淡黄色。
专利文献1:日本特愿2005—364388号公才艮

发明内容
本发明是鉴于上述情况而做成的，其目的在于，针对在凹部收容有发光二极管的照明装置，提供能够得到按照设计的发光量，且发光量和荧光体的量的平衡适当的照明装置及其制造方法。
为了达成上述目的，本发明采用以下结构。
(1) 一种照明装置，具备基体和安装于上述基体的半导体发光元件，上述基体是由无机物绝缘体构成的基底基体和盖部件介由接合用的金属层接合而成的，在上述基体的上述盖部件侧的一面上设置有凹部，在上述凹部收容上述半导体发光元件，在上述凹部的侧壁面中的与上述半导体发光元件相对的区域配置上述金属层的端面，由上述端面构成反射上述半导体发光元件的放射光的光反射部。
(2) 根据(1)所述的照明装置，在上述金属层的端面形成有光反射性金属膜。
(3) 根据(1)所述的照明装置，在包含上述金属层的端面在内的上述凹部的侧壁面，形成有光反射性金属膜。
U)根据(l) ~ (3)中任一项所述的照明装置，在上述盖部件设置有构成上述凹部的贯通孔，在上述盖部件的上述基底基体侧的面的上述贯通孔的周围，形成有盖侧的接合用金属箔，在上述基底基体的上述盖部件 側的面，形成有与上述盖侧的接合用金属箔重合的基底側的接合用金属箔， 上述各接合用金属箔相互接合，由此形成上述金属层。
(5) 根据(4)所述的照明装置，上述基底基体和上述盖部件由氧化 铝构成，并且，上述各接合用金属箔由铜构成。
(6) 根据(1) ~ (5)中任一项所述的照明装置，在上述凹部填充有 含有荧光体的透明树脂。
(7) 根据(1) (6)中任意一项所述的照明装置，上述半导体发光
元件是倒装(7 y 、乂y于:y:/)型发光二极管。
(8) —种照明装置的制造方法，具有盖部件形成工序，在板状的无 机物绝缘体设置贯通孔，并且，在上述无机物绝缘体的一面、在上述贯通 孔的周围形成盖侧的接合用金属箔；基底基体形成工序，在由无机物绝缘 体构成的基底基体的一面上形成与上述盖側的接合用金属箔重合的基底側 的接合用金属箔；基体形成工序，在上述基底基体重叠上述盖部件并进行 热压接，由此通过上述基底基体使上述贯通孔的一端侧开口部封口而形成 凹部，并且，使上述的各接合用金属箔相互接合、形成金属层，将该金属 层的端面配置在上述凹部的侧壁面、设为光反射部；和安装工序，使半导 体发光元件与上述光反射部相对、并收容在上述凹部。
(9) 才艮据(8)所述的照明装置的制造方法，在上述基体形成工序中， 将上述基底基体和上述盖部件加热到1000。C以上进行热压接。
(10 )才艮据(8 )所述的照明装置的制造方法，在上述基体形成工序后， 至少在上述金属层的端面上形成光反射性金属膜。
釆用本发明的照明装置，在凹部的侧壁面中的与半导体发光元件相对 的区域配置金属层的端面而构成光反射部，因此，没有来自半导体发光元 件的放射光的一部分^R吸收的情况，由此，可增大照明装置的发光量。
另外，采用本发明的照明装置，基底基体和盖部件分别由无机物绝缘 体构成，由此，凹部的包含侧壁面在内的内面的大部分由无才几物绝缘体构 成，因此，没有来自半导体发光元件的放射先被吸收的情况，可增大照明装置的发光量。
另外，采用本发明的照明装置，在金属层的端面或包含该端面在内的 凹部的侧壁面形成有光反射性金属膜，因此，可高效率地射出来自半导体 发光元件的放射光。
而且，采用本发明的照明装置，通过各接合用金属箔相互接合，使基 底基体和盖部件相互接合，因此，没有必要用连接件、粘结剂等接合基底 基体和盖部件，可构成耐振动性和耐热性优异的照明装置。
另外，釆用本发明的照明装置，在凹部填充含有荧光体的透明树脂， 因此，例如，用蓝色发光二极管构成半导体发光元件，且用黄色焚光体构 成荧光体，由此，可发出白色光。
另外，采用本发明的照明装置的制造方法，使盖部件重合于基底基体， 使基底侧的接合用金属箔和盖侧的接合用金属箔相互接合，由此，形成光 反射部，因此，可以制造一种不用担心半导体发光元件的放射光的一部分 会被吸收的照明装置。


图l是表示本发明的笫1实施方式的照明装置的俯视示意图。
图2是与图1的A-A，线对应的剖视示意图。 图3是图2的放大剖视示意图。
图4A是表示本发明的实施方式的照明装置的制造方法中的盖部件形 成工序的剖视示意图。
图4B是表示本发明的实施方式的照明装置的制造方法中的基底基体 形成工序的剖视示意图。
图4C是表示本发明的实施方式的照明装置的制造方法中的基体形成 工序的剖一见示意图。
图4D是表示本发明的实施方式的照明装置的制造方法中的安装工序 的剖视示意图。
图5是表示本发明的第2实施方式的照明装置的要部的剖视示意图。图6是表示本发明的第3实施方式的照明装置的剖视示意图。 图7是图6的放大剖视示意图。
图8A是表示本发明的第4实施方式的照明装置的剖视示意图。
图8B是表示本发明的第4实施方式的照明装置的要部的剖视示意图。
图9A是表示本发明的第5实施方式的照明装置的剖视示意图。
图9B是表示本发明的第5实施方式的照明装置的要部的剖视示意图。
图IO是表示以往的照明装置的剖视示意图。
附图标记说明
1、 11、 41、 51、 61:照明装置、2:基底基板(基底基体)、3:盖部 件、4:凹部、4b:側壁面部(侧壁面)、4c:含有荧光体的透明树脂、5: 基体、5a:基体的盖部件侧的一面、6:发光元件(半导体发光元件)、8: 接合用金属层、8a:端面、9:光反射部、12、 42:光反射性金属膜、21b: 基底基体的盖部件侧的面、31b:盖部件的基底基体侧的面、33:贯通孔、 33a:贯通孔的一端側开口部、81:基底侧的接合用金属箔、82:盖侧的接 合用金属箔
M实施方式
(第1实施方式)
以下，参照附图对本发明的第1实施方式进行说明。图l是表示本实 施方式的照明装置的俯视示意图。图2是与图1的A-A，线对应的剖视示意 图。图3是图2的放大剖视示意图。另外，这些图是用于说明本实施方式 的照明装置的结构的图，图示的各部分的大小、厚度、尺寸等存在与实际 的照明装置的尺寸关系不同的情况。
如图1 图3所示，本实施方式的照明装置1大致由基底基板(基底基 体)2和盖部件3 —体化而成的基体5、和半导体发光元件6 (以下称之为 发光元件)构成。基底基板2和盖部件3介由金属层8—体化。另外，在 基体5设置凹部4，在该凹部4收容有发光元件6。另外，如图1 图3所 示，在凹部4的底面露出基底;i412，在该露出的基底^2上形成由铜箔等构成的一对布线图形7，在该布线图形7上安装有发光元件6。而且， 在凹部4配置将基底基板2和盖部件3相互接合的金属层8的端面8a，该 端面8a成为光反射部9。另外，图2中的金属层8形成在除凹部4之外的 部分的整个面，但是，本发明不限于此，也可将金属层8仅形成在凹部4 的周边，也可形成在凹部4的周边、而对其他部分以不降低基底基板2和 盖部件3的接合强度的程度进行图形形成。
如图2和图3所示，构成基体5的基底基板2由由氧化铝、氮化铝 等无机物绝缘体构成的板状的基板主体21、形成在基板主体21上的由金 属箔构成的布线图形7、形成在基板主体21上构成上述金属层8的由金属 箔构成的接合用金属箔81、和在基板主体21的与布线图形7侧相反侧的 面21a的整个面形成的由铜等构成的用于防止翘曲的金属箔22构成。用于 防止翘曲的金属箔22用于防止由基板主体21与布线图形7和接合用金属 箔81之间的热膨胀系数差所引起的翘曲，其厚度被设为35 250 ia m左右。 另外，分别构成布线图形7、接合用金属箔81和用于防止翘曲的金属箔22 的金属箔优选为相同金属种类且相同厚度。另外，作为基底基板2的具体 例子可以例示印刷电路基板等。
一对布线图形7与用于防止翘曲的金属箔22同样地由厚度为35-250 Mm左右的铜箔等构成。如图l所示，各布线图形7分別由端子部71、和 与各端子部71连4妄的配线部72构成。在各端子部71如后述那样分别连接 发光元件6的正极极板和负极极板。另外，更优选布线图形7的厚度比接 合用金属箔81的厚度薄。
另外，形成在基板主体21的盖部件侧的面21b上的基底侧的接合用金 属箔81，与布线图形7同样地由厚度35 250liim左右的铜箔等构成。图2 中的接合用金属箔81在基K主体21的盖部件側的面21b形成在与盖部件 3重叠的区域的几乎整个面。另外，接合用金属箔81没有必要形成在基底 基才反2中的除了凹部4之外的整个面，也可只形成在凹部4的周边，还可 以以不降低基底基板2和盖部件3的接合强度的程度进行图形形成。
关于布线图形7和接合用金属箔81的关系，只要不使布线图形7和接合用金属箔81相互连接、接合用金属箔81成为相对于布线图形7独立的 金属箔即可。另外，也可以为接合用金属箔81至少分割为2个图形，一 方的图形与一布线图形7连接，另一方的图形与另一布线图形7连接。总 之，只要是一对布线图形7不会通过接合用金属箔81相互电连接即可。若 各布线图形7彼此电连接则会引起短路，因此这是不希望的。
接着，如图1 图3所示，盖部件3由由氧化铝等的绝缘材料构成的 板状的基板主体31 (板状的绝缘体)、和形成在基板主体31的与基底基 板2相反侧的面31a的整个面的由铜等构成的用于防止翘曲的金属箔32 构成。用于防止翘曲的金属箔32与基底基板2的金属箔22同样地具有 35 250 (J m左右的厚度，防止由J4l主体31和后述的接合用金属箔82之 间的热膨胀系数差所引起的翘曲。
另外，在基板主体31设置有贯通孔33。而且，在基板主体31的基底 基底侧的面31b上、在包围贯通孔33的区域形成有盖侧的接合用金属箔 82。该盖侧的接合用金属箔82与基底侧的接合用金属箔81同样地由厚度 为35 250nm左右的铜箔等构成，形成为与基底侧的接合用金属箔81大 致相同的形状。即，接合用金属箔82可形成在除贯通孔33之外的整个面， 也可只形成在贯通孔33的周边，还可以以不降低基底基板2和盖部件3 的接合强度的程度进行图形形成。
而且，如图2和图3所示，上述基底基板2和盖部件3—体化，构成 了构成照明装置1的基体5。在该基体5的一面5a形成有由贯通孔33构 成的凹部4。凹部4是用基底基板2封闭贯通孔33的一端侧开口部33a而 成的，由底面部4a和侧壁面部4b划分形成，该底面部4a由基底基板2 的盖部件侧的面21b构成，该側壁面部4b由划分贯通孔33的面构成。在 该凹部4的底面部4a配置有布线图形7的端子部71。
另外，在基底基板2和盖部件3之间，基底侧的接合用金属箔81和盖 侧的接合用金属箔82相互热压接而接合，由此，在基底基板2和盖部件3 之间形成金属层8。由该金属层8使基底基板2和盖部件3不用粘结剂、 连接件地一体化。另外，在凹部4的侧壁面部4b、在与发光元件6相对的
10位置，配置金属层8的端面8a。由该端面8a构成光反射部9。
接着，发光元件6由例如倒装型的蓝色发光二极管构成。该发光元件 6大致由具有未图示的发光层的元件主体部61、和设置在元件主体部61 的正负极用的电极极板(電極八。、乂 K，电极片)62构成。而且，如图2和 图3所示，发光元件6在各电极极板62分别连接于布线图形7的端子部 71的状态下被收容在凹部4的内部。另外，在本发明中，也可使用所谓的 正装(:7工^77:y:/)型的发光二极管作为发光元件。
该发光元件6栽置于与基底侧的接合用金属箔81大致相同厚度的端子 部71上。因此，发光元件6配置在相对于凹部4的底面4a、与盖侧的接 合用金属箔82大致相同高度的位置。
另外，将发光元件6的各电极极板62的厚度设为数ja m左右的厚度， 元件主体部61的厚度^L为80jum左右的厚度。另一方面，将盖侧的接合 用金属箔82的厚度如上述那样设为35~250Mm左右。根据这样的尺寸关 系，成为如下关系在凹部4的侧壁面部4b、在包围发光元件6的元件主 体部61的区域配置金属层8的端面8a。
如以上所述，在凹部4的侧壁面4b中的与发光元件6相对的区域配 置金属层8的端面8a。该端面8a成为反射发光元件6的放射光的光反射 部9。由该光反射部9使得发光元件6的放射光能够不被吸收而高效率地 向凹部4外射出。另外，凹部4的側壁面部4b由设置在盖部件3的贯通孔 33形成，并且，凹部4的底面部4a由基底基taL2形成。因此，凹部4的 底面部4a和侧壁面部4b的大部分由光吸收率小的无才几物绝缘体构成。因 此，发光元件6的i文射光也不会被凹部4的底面部4a和侧壁面部4b吸收， 而被高效率地射出到凹部4外。
而且，在凹部4的内部填充加入黄色焚光体的透明树脂4c。通过该加 入黄色荧光体的透明树脂4c埋入蓝色发光二极管(发光元件6)，由此在 点亮蓝色发光二极管时、由于光的加色作用(加色作用)可射出白色光。
采用上述的照明装置1，在凹部4的侧壁面4b中的与发光元件6相对 的区域配置金属层8的端面8a构成光反射部9，因此，没有来自发光元件6的i文射光的一部分被吸收的情况，可以增大照明装置1的发光量。
另外，基底基板2和盖部件3分别由无机物绝缘体构成，由此，包括 凹部4的侧壁面部4b在内的内面的大部分由无机物绝缘体构成，因此，没 有吸收来自发光元件6的放射光的情况，可进一步增大照明装置1的发光 量。
而且，通过使各接合用金属箔81、 82相互接合，使基底基板2和盖部 件3相互接合，因此，没有必要用连接件、粘结剂等接合基底基板2和盖 部件3,可构成耐振动性和耐热性优异的照明装置1。
另夕卜，在凹部4填充含有荧光体的透明树脂4c，因此，例如用蓝色发 光二极管构成发光元件6，用黄色荧光体构成荧光体，由此，可使发出白 色光。
接着，参照附图对上述的照明装置1的制造方法进行说明。图4是用 于说明本实施方式的照明装置的制造方法的图，图4A是表示盖部件形成 工序的剖视示意图，图4B是表示基底基体形成工序的剖视示意图，图4C 是表示基体形成工序的剖视示意图，图4D是表示安装工序的剖视示意图。
另外，图4与图1~图3同样是用于说明本实施方式的照明装置的图， 图示各部分的大小、厚度、尺寸等存在与实际的照明装置的尺寸关系不同 的情况。
本实施方式的照明装置1的制造方法大致由盖部件形成工序、基底基 板形成工序(基底基体形成工序)、基体形成工序、和安装工序构成。以 下，对各工序依次进行说明。
首先，在盖部件形成工序中，准备在氧化铝等的基板主体31的两面整 面层叠铜箔而成的层叠板(例如印刷电路基板)，接着，通过用蚀刻等方 法对位于层叠板的一方的面31b的铜箔进行图形形成，形成盖侧的接合用 金属箔82。另外，对位于基板主体31的另一方的面31a的铜箔也同样进 行蚀刻，形成用于防止翘曲的金属箔32。另外，接合用金属箔82可剩余 在除了贯通孔33之外的整个面，也可仅剩余在贯通孔33的周边，还可以 以不降低基底基板2和盖部件3的接合强度的程度进行图形形成。接着，如图4A所示，用激光切割法在基板主体31形成贯通孔33。 接着，在基底基板形成工序中，与盖部件形成工序同样，准备在氧化 铝等的基板主体21的两面整面层叠铜荡而成的层叠板(例如印刷电路基 板)。接着，通过用蚀刻等方法对位于层叠板的一方的面的铜箔进行图形 形成，形成布线图形7和接合用金属箔81。让相反側的铜箔保持原样。该 铜箔成为基板主体21的用于防止翘曲的金属箔22。这样，形成如图4B所 示的基底基4反2。另外，接合用金属箔81可剩余在除了贯通孔33重叠的 区域之外的整个面，也可仅剩余在贯通孔33重叠的区域的周边，还可以以 不降低基底基板2和盖部件3的接合强度的程度进行图形形成。
接着，在基体形成工序中，如图4C所示，在基底基板2重叠并热压 接盖部件3。热压接是指在将基底基板2和盖部件3加热到1000。C以上 的状态下，以1.5kg/cm2~3kg/cm2左右的压力使基底基板2和盖部件3相互 压接。
通过该热压接，盖部件3的贯通孔33的一端側开口部33a由基底基板 2封口，形成凹部4。在该凹部4成为基底基板2的端子部71露出的状态。
另外、由该热压接，使盖侧的接合用金属箔82与基底侧的接合用金属 箔81接合。这些接合用金属箔81、 82都是由铜构成，在1000X:以上的温 度下在铜表面形成氧化铜，但该氧化铜与金属铜相比熔点低。因此，通过 将接合用金属箔81、 82加热到IOOO'C以上，在接合用金属箔81、 82的表 面形成由氧化铜构成的覆膜，成为由该氧化铜构成的覆膜彼此熔融了的状 态，接合用金属箔81、 82相互接合。
通过使各接合用金属箔81、 82接合而形成金属层8。由该金属层8使 基底基板2和盖部件3—体化，形成基体5。
另外，在凹部4的侧壁面部4b配置金属层8的端面8a。使该端面8a 的表面为金属光泽面，由此，端面8a成为光反射率比较高的光反射部9。
最后如图4D所示，在安装工序中，在凹部4收容发光元件6， ^f吏发光 元件6的正负极用的电极极板62分别连接于各端子部71。然后，在凹部4 填充加入荧光体的透明树脂4c。用如以上的方式制造如图1~图3所^^r明装置1。 采用上述的照明装置l的制造方法，使盖部件3与基底基板2重合， 使基底側的接合用金属箔81和盖側的接合用金属箔82相互接合，形成光 反射部9，因此，可制造没有发光元件6的放射光的一部分被吸收之虑的 照明装置1。
(第2实施方式)
以下，参照附图对本发明的第2实施方式进行说明。图5是表示本实 施方式的照明装置的要部的剖视示意图。另外，图5与图1~图3同样地是
用于说明本实施方式的照明装置的结构的图，图示的各部分的大小、厚度、 尺寸等存在与实际的照明装置的尺寸关系不同的情况。
另外，本实施方式的照明装置与第1实施方式的照明装置的不同点在 于在凹部的侧壁面部露出的金属层的端面(光反射部)形成有金属反射 膜。因此，在以下的说明中，以本实施方式与第1实施方式的不同点为中 心进行说明。另外，对在图5中所示的构成要素中的与图1 图3中所示的 构成要素相同的构成要素标注与图1 图3相同的附图标记。
本实施方式的照明装置ll如图5所示，大致由基底基板(基底基体) 2和盖部件3 —体化而成的基体5、和半导体发光元件6 (以下称之为发光 元件)构成。基底基板2和盖部件3介由金属层8—体化。另外，在基体 5设置凹部4，在该凹部4收容有发光元件6。另外，在凹部4的底面4a 露出基底基板2，在该露出的基底基板2上形成由铜箔等构成的一对布线 图形7，在该布线图形7上安装发光元件6。而且，将基底基板2和盖部件 3相互4妄合的金属层8的端面8a位于凹部4的侧壁面部4b。
如图5所示，该端面8a配置在凹部4的側壁面部4b且与发光元件6 相对的位置。另外，在该端面8a覆盖形成厚度为3lam 5iam左右的光反 射性金属膜12。由该光反射性金属膜12形成光反射部9。光反射性金属膜 12由Al、 Ag、 Ni等的呈银白色的金属构成，覆盖由呈赤金属(赤金属) 色的铜构成的金属层8。
由铜构成的金属层8的端面8a具有金属光泽，因此，具有光反射功能，但是，通过在该端面8a进而覆盖呈银白色的光反射性金属膜12，可更高 效率地反射来自发光元件6的放射光。
由此，可进一步增大照明装置11的发光量。
另外，要用光反射性金属膜12覆盖金属层8的端面8a，可以在第1 实施方式的基体形成工序(图4C)中，在热压接基底基板2和盖部件3 使其接合之后，在露出于凹部4的金属层8的端面8a，用电镀法或蒸镀法 等方法形成光反射性金属膜12，其后安装发光元件6。 (第3实施方式)
接着，参照附图对本发明的第3实施方式进行说明。图6是表示本实 施方式的照明装置的剖视示意图，图7是图6的放大图。另外，图6和图 7与图1 图3同样地是用于说明本实施方式的照明装置的结构的图，图示 的各部分的大小、厚度、尺寸等存在与实际的照明装置的尺寸关系不同的 情况。
另外，本实施方式的照明装置与第1实施方式的照明装置的不同点在 于在包括金属层8的端面8a的凹部4的側壁面部4b形成光反射性金属 膜。因此，在以下的说明中，以本实施方式与第1实施方式的不同点为中 心进行说明。另外，对在图6和图7中所示的构成要素中的与图1 图3中 所示的构成要素相同的构成要素标注与图1~图3相同的附图标记。
本实施方式的照明装置41如图6和图7所示大致由基底基板(基底基 体)2和盖部件3 —体化而成的基体5、和发光元件6构成。基底基板2 和盖部件3介由金属层48—体化。另外，在基体5设置凹部4，在该凹部 4收容有发光元件6。另外，在凹部4的底面4a露出基底基板2，在该露 出的基底基板2上形成由铜箔等构成的一对布线图形7，在该布线图形7 上安装发光元件6。
另外，在构成基底基板2的基板主体21的盖部件侧的面21b形成有 接合用金属箔481。
而且，在构成盖部件3的基板主体31的基底基底侧的面31b、在包围 贯通孔33的区域，形成有盖側的接合用金属箔482。而且，通过各接合用金属箔接合，形成金属层48。
接着，将基底基板2和盖部件3相互接合的金属层48的端面48a位于 凹部4的侧壁面部4b。另外，关于金属层48的端面48a， 4妾合用金属箔 481的端面比4妾合用金属箔482的端面突出。由此，金属层48的端面48a 被分割为2个面。
如图6和图7所示，该端面48a配置在凹部4的侧壁面部4b且与发 光元件6相对的位置。另外，在该凹部的侧壁面部4b覆盖形成厚度为3ji m 5 M m左右的光反射性金属膜42。该光反射性金属膜42与第2实施方 式同样地由Al、 Ag、 Ni等的呈银白色的金属构成，覆盖由无机物绝缘体 构成的侧壁面部4b和由铜构成的金属层48。另外，如图7所示，在布线 图形7的端子部71和发光元件6的电极极板62之间形成有由与光反射性 金属膜42相同的材质构成的金属膜42a。
由铜构成的金属层48的端面48a具有金属光泽，因此，作为光反射部 起作用，但是，通过用呈银白色的光反射性金属膜42进而覆盖该端面48a， 可更高效率地反射来自发光元件6的放射光。另外，由无机物绝缘体构成 的凹部4的侧壁面部4b不具有金属光泽，因此光反射功能比较低，而通过 用光反射性金属膜42覆盖整个侧壁面部4b，可更高效率地反射来自发光 元件6的放射光。
由此，可进一步增大照明装置41的发光量。
另外，要用光反射性金属膜42覆盖凹部的侧壁面部4b和金属层48 的端面48a，可以在第1实施方式的基体形成工序(图4C)中，在热压接 基底基板2和盖部件3使其接合之后，在凹部4的侧壁面部4b和金属层 48的端面48a用电镀法或蒸镀法等方法形成光反射性金属膜42，其后安装 发光元件6。
另外，在形成光反射性金属膜42时，在布线图形7的端子部71上形 成与光反射性金属膜42相同材质的金属膜42a，但是，优选是在各端子 部71之间，预先形成剥离抗蚀剂(y 7卜才7k、y7卜，剥离光阻)等， 由此防止金属膜42a的形成。这是为了防止由于在端子部71彼此之间形成金属膜42a而导致端子部71彼此短路。 (第4实施方式)
接着，参照附图对本发明的第4实施方式进行说明。图8A表示本实 施方式的照明装置的剖示示意图，图8B表示照明装置的要部的剖示示意 图。
本实施方式的照明装置51如图8所示大致由以氧化铝为主体的基底 基板(基底基体)52和以氧化铝为主体的盖部件53 —体化而成的基体55、 和发光元件56构成。基底基板52和盖部件53介由金属层58—体化。另 外，在基体55设置凹部54，在该凹部54收容有多个发光元件56。在凹部 54, 12个发光元件56成一列地配置排列。另外，基底基板52位于凹部54 的底面，在该基底基板52上形成由铜箔等构成的布线图形57,在该布线 图形57上安装有发光元件56。而且，如图8B所示，将基底基板52和盖 部件53相互接合的金属层58的端面58a位于凹部54的侧壁面部。另夕卜， 在凹部54的侧壁面部形成光反射性金属膜59a，由该光反射性金属膜59a 构成光反射部59。
构成基体55的基底基板52由由氧化铝构成的板状的基板主体52a， 和形成在基板主体52a的与布线图形57侧相反侧的面的、由铜等构成的用 于防止翘曲的金属箔52b构成。在基板主体52a的盖部件53侧的面形成有 连接发光元件56的布线图形57、和接合用金属箔581。布线图形57和接 合用金属箔581分别由厚度为35-250 um左右的铜箔等构成。
接着，盖部件53由由氧化铝构成的板状的基板主体53，和形成在 基板主体53a的与基底基板52相反侧的面的、由铜等构成的用于防止翘曲 的金属箔53b构成。另外，在基板主体53a设置有贯通孔53c。
另外，在基板主体53a的基底基底侧的面上、在包围贯通孔53c的区 域，形成有盖侧的接合用金属箔582。该盖側的接合用金属荡582与基底 侧的接合用金属箔581同样地由厚度为35~250|im左右的铜箔等构成，形 成为与接合用金属箔581大致相同的形状。
而且，如图8所示，使上述基底基板52和盖部件53—体化，构成了构成照明装置51的基体55。在该基体55的一面形成由贯通孔53c形成的 凹部54。
另外，在基底基板52和盖部件53之间，基底侧的接合用金属箔581 和盖侧的接合用金属箔582相互热压接而接合，由此，在基底基板52和盖 部件53之间形成金属层58。由该金属层58使基底基外反52和盖部件53不 用粘结剂、连接件地一体化。另外，在凹部54的侧壁面部上在与发光元件 56相对的位置配置金属层58的端面58a。在包含该端面58a的凹部54的 侧壁面部形成光反射性金属膜59a，由该光反射性金属膜59a构成光反射 部59。
发光元件56由例如倒装型的蓝色发光二极管构成。该发光元件56以 连接于布线图形57的状态被收容在凹部54的内部。
如以上所述，在凹部54的侧壁面部形成光反射性金属膜59a，由该光 反射性金属膜59a构成光反射部59。通过该光反射部59，发光元件56的 放射光不会被吸收、而高效率地射出到凹部54外。
而且，在凹部54的内部填充有加入黄色荧光体的透明树脂60。通过 该加入黄色荧光体的透明树脂60，蓝色发光二极管(发光元件56)被埋入， 由此在点亮了蓝色发光二极管时，由光的加色作用可射出白色光。
采用上述的照明装置51，可得到与第3实施方式的照明装置41大致 相同的效果。
(第5实施方式)
图9A表示笫5实施方式的照明装置的剖示示意图，图9B表示照明装 置的要部的剖示示意图。
本实施方式的照明装置61与第4实施方式的照明装置51的不同点在 于在凹部的内部，6个发光元件每3个为一列配置排列成2列，至于其 他的结构与第4实施方式大致相同。
因此，采用上述的照明装置61,可得到与第3实施方式的照明装置41 大致相同的效果。
权利要求
1.一种照明装置，具备基体和安装于上述基体的半导体发光元件，上述基体是由无机物绝缘体构成的基底基体和盖部件介由接合用的金属层接合而成的；在上述基体的上述盖部件侧的一面上设置有凹部，在上述凹部收容上述半导体发光元件，在上述凹部的侧壁面中的与上述半导体发光元件相对的区域配置上述金属层的端面，由上述端面构成反射上述半导体发光元件的放射光的光反射部。
2. 根据权利要求l所述的照明装置，在上述金属层的端面形成有光反 射性金属膜。
3. 根据权利要求l所述的照明装置，在包含上述金属层的端面在内的 上述凹部的侧壁面，形成有光反射性金属膜。
4. 根据权利要求l所述的照明装置，在上述盖部件设置有构成上述凹 部的贯通孔，在上述盖部件的上述基底基体侧的面的上述贯通孔的周围，形成有盖 侧的接合用金属箔，在上述基底基体的上述盖部件侧的面，形成有与上述盖侧的接合用金 属箔重叠的基底侧的接合用金属箔，上述各接合用金属箔相互接合，由此形成上述金属层。
5. 根据权利要求4所述的照明装置，上述基底基体和上述盖部件由氧 化铝构成，并且，上述各接合用金属箔由铜构成。
6. 根据权利要求l所述的照明装置，在上述凹部填充有含有荧光体的 透明树脂。
7. 根据权利要求l-6中任意一项所述的照明装置，上述半导体发光元 件是倒装型发光二极管。
8. —种照明装置的制造方法，具有盖部件形成工序，在板状的无机物绝缘体设置贯通孔，并且，在上述无机物绝缘体的一面、在上述贯通孔的周围形成盖侧的接合用金属箔； 基底基体形成工序，在由无机物绝缘体构成的基底基体的 一 面上形成与上述盖侧的接合用金属箔重叠的基底侧的接合用金属箔；基体形成工序，在上述基底基体重叠上述盖部件并进行热压接，由此通过上述基底基体使上述贯通孔的一端侧开口部封口而形成凹部，并且，使上述的各接合用金属箔相互接合、形成金属层，将该金属层的端面配置在上述凹部的侧壁面、设为光反射部；和安装工序，4吏半导体发光元件与上述光反射部相对、并收容在上述凹部。
9. 根据权利要求8所述的照明装置的制造方法，在上述基体形成工序 中，将上述基底基体和上述盖部件加热到1000。C以上进行热压接。
10. 根据权利要求8所述的照明装置的制造方法，在上述基体形成工 序后，至少在上述金属层的端面上形成光反射性金属膜。
全文摘要
本发明的照明装置，具备基体和安装于上述基体的半导体发光元件，上述基体是由无机物绝缘体构成的基底基体和盖部件介由接合用的金属层接合而成的；在上述基体的上述盖部件侧的一面上设置有凹部，在上述凹部收容上述半导体发光元件，在上述凹部的侧壁面中的与上述半导体发光元件相对的区域配置上述金属层的端面，由上述端面构成反射上述半导体发光元件的放射光的光反射部。
文档编号H01L33/50GK101641802SQ20088000982
公开日2010年2月3日 申请日期2008年5月9日 优先权日2007年5月9日
发明者安田刚规 申请人:昭和电工株式会社