专利名称：发光二极管封装结构及其传导结构、制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管封装结构，特别涉及一种发光二极管封装结构及其传 导结构、制作方法。
背景技术：
传统炮弹型发光二极管的制作是以环氧树脂作为封装胶材，但运用在高功率炮弹 型发光二极管(蓝白光)时，由于紫外光与热会使得环氧树脂碳化而造成了元件衰减，于部 分例子中采用全硅胶封装的方式以降低衰减的情况。然而，除了全硅胶封装所需的成本相当的高，硅胶的硬度明显地小于环氧树脂，因 而相当容易受到外力作用而受破坏，于是更结合塑胶射出成型方式而设置在支架端，借此 以达到稳固整体结构的目的。虽然利用了塑胶射出成型结合了全硅胶封装的方式可解决发 光二极管的前述问题，但由于塑胶是属于导热性差的物质，因而无法有效提高散热效能。也 有现有技术，揭示了在高功率发光二极管(lamp LED)的支架上使用了散热塑胶材射出成型 技术与抗紫外光(UV)胶材封装，但无法解决散热及提升整体发光二极管可靠度的问题。有鉴于此，于未来发光二极管将朝向更高功率的方向进行发展，如何有效提高散 热效能更为重要的主要课题之一。
发明内容
为了解决现有技术存在的上述问题，本发明提供了具有不同型态的一发光二极管 封装结构。本发明的一实施例的发光二极管封装结构包括一脚架、一发光二极管芯片、一上 封装部件与一下封装部件。发光二极管芯片电性耦接于脚架。上封装部件包覆发光二极管 芯片，由发光二极管芯片发出的光线可经由上封装部件而射出。下封装部件环设且固定脚 架且邻接于上封装部件，上封装部件用以将发光二极管芯片包覆于脚架，其中下封装部件 由上封装部件延伸而出且上封装部件覆盖部分下封装部件。根据本发明的一特性可知，脚架可包括一第一引脚与一第二引脚，发光二极管芯 片设置于脚架的第一引脚且电性耦接于脚架的第二引脚，上封装部件对于设置在脚架的第 一引脚的发光二极管芯片与第二引脚进行包覆，下封装部件固置于脚架的第一引脚与第二 引脚。根据本发明的一特性可知，发光二极管封装结构更可包含一承载部，发光二极管 芯片设置于承载部上，且承载部上设置在第一引脚的一端部。第一引脚的端部以一银胶层 固设于承载部且第二引脚，其一端部以一导线与发光二极管芯片电气相接。第二引脚的端 部以共晶的方式与发光二极管芯片电气相接。根据本发明的一特性可知，第一引脚与第二引脚向下延伸且相对平行设置。根据本发明的一特性可知，上封装部件与下封装部件局部地相互重叠。根据本发明的一特性可知，上封装部件包括一抗衰减材料，下封装部件包括一散 热材料。
根据本发明的一特性可知，抗衰减材料选自下列群组环氧树脂、甲基橡胶、甲基 树脂、苯环橡胶、苯环树脂、有机变性硅胶及其组合。根据本发明的一特性可知，散热材料选自下列群组聚对苯二酰对苯二胺、耐高温 尼龙、液晶树脂、聚醚醚酮、含硅树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、陶磁及其组合。根据本发明的一特性可知，下封装部件包括至少一延伸部，下封装部件的至少一 延伸部以远离于上封装部件的方向而延伸。根据本发明的一特性可知，本发明的发光二极管封装结构更可包括一散热件，并 且下封装部件包括至少一延伸部，下封装部件的至少一延伸部连接于散热件，发光二极管 芯片所产生的热量经由上封装部件与下封装部件的至少一延伸部的导引而传递至散热件。根据本发明的一特性可知，下封装部件一体成型于脚架。下封装部件于实质上具 有一 C型结构。本发明的另一实施例提供了一种传导结构，此传导结构用以对于一发光二极管芯 片进行散热。本发明的传导结构包括一上封装部件与一下封装部件。上封装部件用以将发 光二极管芯片进行包覆。下封装部件邻接于上封装部件，发光二极管芯片，电性耦接于一脚 架，发光二极管芯片所产生热量经由脚架传递至下封装部件。根据本发明的一特性可知，本发明的传导结构更可包括一散热件，并且下封装部 件包括至少一延伸部，下封装部件的至少一延伸部连接于散热件，发光二极管芯片所产生 的热量经由上封装部件、下封装部件的至少一延伸部的导引而传递至散热件。本发明的又一实施例提供了一种发光二极管封装结构的制作方法，本发明的制作 方法包括以下步骤提供一脚架，脚架包括一第一引脚与一第二引脚；提供一发光二极管 芯片设置于脚架的第一引脚且电性耦接于脚架的第二引脚；利用一第一散热单元包覆于脚 架的第一引脚与第二引脚，借此以固定脚架的第一引脚与第二引脚；以及利用一抗衰减单 元将发光二极管芯片包覆于脚架且局部包覆于第一散热单元，发光二极管芯片所发出的光 线可经由抗衰减单元而射出，发光二极管芯片所产生热量经由抗衰减单元而传递至第一散 热单元。根据本发明的一特性可知，本发明的发光二极管封装结构的制作方法更可包括提 供一导线，导线电性耦接于设置在脚架的第一引脚的发光二极管芯片与脚架的第二引脚之 间。根据本发明的一特性可知，本发明的发光二极管封装结构的制作方法，更可包括 提供一第二散热单元，并且第一散热单元更可包括至少一延伸部，第一散热单元的至少一 延伸部连接于第二散热单元，发光二极管芯片所产生热量经由抗衰减单元与第一散热单元 的导引而传递至第二散热单元。本发明的又一实施例提供了一种发光二极管封装结构，此发光二极管封装结构包 括一脚架、一发光二极管芯片、一下封装部件与一上封装部件。发光二极管芯片电性耦接于 脚架。下封装部件设置于脚架，并且下封装部件包括一本体与至少一延伸部，此至少一延伸 部连接于本体。上封装部件覆盖于发光二极管芯片且对于下封装部件的本体进行完全包 覆、对于下封装部件的至少一延伸部进行局部包覆。根据本发明的一特性可知，上封装部件包括一圆柱状部分、一锥柱状部分与一半 圆球状部分，锥柱状部分位于圆柱状部分与半圆球状部分之间。上封装部件包括一圆柱状部分与一半圆球状部分，半圆球状部分的直径小于圆柱状部分的直径。上封装部件包括一 第一圆柱状部分、一第二圆柱状部分与一半圆球状部分，第二圆柱状部分位于第一圆柱状 部分与半圆球状部分之间。基于上述说明可知，本发明在利用了下封装部件以邻接于上封装部件的方式而设 置于脚架的作用下，除了可有效提高脚架的结构稳定性之外，也可降低公知技术中的硅胶 封装的使用量，如此可大幅降低发光二极管封装结构所需的制作成本。为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实 施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1为表示根据本发明的一第一实施例的一发光二极管封装结构的立体图；图2A 图2D为分别表示根据图1的本发明的第一实施例的发光二极管封装结构 于制作过程中的各阶段的示意平面图，其中，图2A为一脚架的示意图，图2B为一下封装部 件环设且固定脚架时的示意图，图2C为上封装部件对于发光二极管芯片进行包覆且上封 装部件覆盖部分下封装部件的示意图；图2D为表示根据图1的发光二极管封装结构的剖面 图；图3A为表示根据本发明的一第二实施例的一发光二极管封装结构的立体图；图;3B为表示根据图3A的发光二极管封装结构的剖面图；图4A为表示根据本发明的一第三实施例的一发光二极管封装结构的立体图；图4B为表示根据图4A的发光二极管封装结构的剖面图；图5为表示根据本发明的一第四实施例的一发光二极管封装结构的立体图；图6A 图6C为分别表示根据本发明的第四实施例的发光二极管封装结构于制作 过程中的各阶段的示意平面图；图7为表示根据本发明的第四实施例的发光二极管封装结构的立体图；图8为表示另一下封装部件的示意图；图9为表示又一下封装部件的示意图；图IOA为表示根据本发明的一第五实施例的一发光二极管封装结构的立体图；图IOB为表示根据图IOA的发光二极管封装结构的侧视图；图IOC为表示根据图IOA的发光二极管封装结构的剖面图；图IlA为表示根据本发明的一第六实施例的一发光二极管封装结构的立体图；图IlB为表示根据图IlA的发光二极管封装结构的侧视图；图IlC为表示根据图IlA的发光二极管封装结构的剖面图；图12A为表示根据本发明的一第七实施例的一发光二极管封装结构的立体图；图12B为表示根据图12A的发光二极管封装结构的侧视图；以及图12C为表示根据图12A的发光二极管封装结构的剖面图。上述附图中的附图标记说明如下1 脚架11 第一引脚110 承载部
12 第二引脚2 发光二极管芯片3 上封装部件30 侧边40a 侧边40b 侧边41 延伸部4a 下封装部件4b 下封装部件4c 1 下封装部件4c2 下封装部件5 散热件61al、61a2 圆柱状部分61b 圆柱状部分61cl、61c2 第一圆柱状部分62al、62a2 锥柱状部分62cl、62c2 第二圆柱状部分63al、63a2 半圆球状部分63b 半圆球状部分63cl、63c2 半圆球状部分6al、6a2、6b、6cl、6c2 上封装部件7al、7a2 下封装部件70al、70a2 圆柱状本体700a2 侧边70r 凹槽71 延伸部Dl、D2、D3al、D3a2、D4、D5cl、D5c2 传导结构E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7 发光二极管封装结构gl 导线m 既定方向sl、s2 沟槽
具体实施例方式图1为表示根据本发明的一第一实施例的一发光二极管封装结构El及其传导结 构Dl的立体图。发光二极管封装结构El包括一脚架1、一发光二极管芯片2、一上封装部件3、一 下封装部件如与一承载部110，其中，上封装部件3与下封装部件如共同构成了传导结构 D1。在本实施例中，脚架1由金属材料所制成。请同时参阅图2A 图2D与图1。图2A 图2C分别表示图1的发光二极管封装结构El于制作过程中的各阶段的示意平面图，其中，图2A为脚架1的示意图，图2B为下封 装部件如环设且固定脚架1时的示意图，图2C为上封装部件3对于发光二极管芯片2进 行包覆且上封装部件3覆盖部分下封装部件如的示意图，图2D表示根据图1的发光二极 管封装结构El的剖面图。如图2A所示，脚架1包括了相互间隔的一第一引脚11与一第二引脚12，其中，第 一引脚11与第二引脚12向下延伸且相对平行设置，第一引脚11的一端部以一银胶层固设 于承载部110，发光二极管芯片2设置于脚架1的第一引脚11的承载部110上，并且经由一 导线gl (例如一金属线)而电性耦接于脚架1的第二引脚12的一端部。然而，发光二极 管芯片2与脚架1的第二引脚12之间不限于利用导线gl而达到相互间的电气相接，利用 共晶(eutectic reaction)也可达到发光二极管芯片2与脚架1的第二引脚12的端部之 间的电气相接。于程序上，在利用上封装部件3对于发光二极管芯片2进行包覆之前，下封装部件 4a环设且固定脚架1，并且上封装部件3局部设置于下封装部件如之上，也即，上封装部件 3与下封装部件如局部地相互重叠，或是下封装部件如由上封装部件3延伸而出且上封装 部件3覆盖部分下封装部件如。如图2B、图2D所示，下封装部件如环设且固定脚架1的第一引脚11与第二引脚 12之上，并且下封装部件如包括一侧边40a。在下封装部件如的包覆作用下可确保脚架1 的第一引脚11与第二引脚12之间的相对位置关系及其结构上的稳定性。在本实施例中， 下封装部件如由一散热材料所制成，并且下封装部件如以射出成型方式而一体成型于脚 架1的第一引脚11与第二引脚12之上。在本实施例中，散热材料可选自下列群组聚对苯 二酰对苯二胺、耐高温尼龙、液晶树脂、聚醚醚酮、含硅树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、陶磁及 其组合如图2C、图2D所示，上封装部件3同时对于设置在脚架1的第一引脚11的发光 二极管芯片2、脚架1的第二引脚12、电性耦接于脚架1的第二引脚12与发光二极管芯片 2之间的导线gl同时进行包覆，或是上封装部件3将发光二极管芯片2包覆于脚架1，并且 上封装部件3邻接于且局部包覆于下封装部件如之上。经射出成型后的上封装部件3具 有一圆顶型结构，并且上封装部件3包括一侧边30。发光二极管芯片2所发出的光线可经 由上封装部件3而射出。在本实施例中，上封装部件3由一抗衰减材料或抗紫外光(UV)胶 材(例如硅胶)所制成，其中，抗衰减材料可选自下列群组环氧树脂、甲基橡胶、甲基树 脂、苯环橡胶、苯环树脂、有机变性硅胶及其组合值得注意的是，在成型后的上封装部件3与下封装部件如之间是不存在有任何空 隙，也即，设置在脚架1的第一引脚11的发光二极管芯片2是受到上封装部件3的完全包 覆。如此一来，发光二极管芯片2所产生的光线可经由上封装部件3而射出，并且发光二极 管芯片2所产生热量自上封装部件3而传递至下封装部件4a，也即，发光二极管芯片2所产 生热量沿着一既定方向Nl，借此以达到散热的目的。图3A表示根据本发明的一第二实施例 的一发光二极管封装结构E2的立体图，图:3B表示沿着图3A的发光二极管封装结构E2的 一纵长方向(也即，沿着脚架1的方向)进行切割的剖面图。如图3A、图;3B所示，发光二极管封装结构E2包括一脚架1、一发光二极管芯片2、 一上封装部件6al与一下封装部件7al，其中，上封装部件6al与下封装部件7al共同构成了一传导结构D3al。脚架1、发光二极管芯片2与导线gl的结构及其相对位置完全相同于 第一实施例，于此便不再赘述。于程序上，下封装部件7al先设置于脚架1，并且随后将上封装部件6al覆盖于发 光二极管芯片2及导线gl之上且对于下封装部件7al进行完全包覆。下封装部件7al可经射出成型方式而环绕设置于脚架1的第一引脚11与第二引 脚12之上，并且发光二极管芯片2外露于下封装部件7al的一表面。下封装部件7al包 括一圆柱状本体70al与一成对的两凹槽70r，其中，成对的两凹槽70r设置于圆柱状本体 70al且位于发光二极管芯片2的两侧。在下封装部件7al的包覆作用下可确保脚架1的第 一引脚11与第二引脚12之间的相对位置关系及其结构上的稳定性。上封装部件6al可经射出成型方式而覆盖于发光二极管芯片2及导线gl之上且 对于下封装部件7al的圆柱状本体70al进行完全包覆。上封装部件6al的外型由一圆柱 状部分61al、一锥柱状部分62al与一半圆球状部分63al所组成，其中，锥柱状部分62al位 于圆柱状部分61al与半圆球状部分63al之间。值得注意的是，在成型后的上封装部件6al与下封装部件7al之间是不存在有任 何空隙，也即，设置在脚架1的第一引脚11的发光二极管芯片2是受到上封装部件6al与 下封装部件7al的完全包覆。因此，发光二极管芯片2所产生的光线可经由上封装部件6al 而射出，并且发光二极管芯片2所产生热量可经由脚架1传递至下封装部件7al。图4A为表示根据本发明的一第三实施例的一发光二极管封装结构E3的立体图， 图4B为表示沿着图4A的发光二极管封装结构E3的一纵长方向(也即，沿着脚架1的方 向)进行切割的剖面图。如图4A、图4B所示，发光二极管封装结构E3包括一脚架1、一发光二极管芯片2、 一上封装部件6cl与一下封装部件7al，其中，上封装部件6cl与下封装部件7al共同构成 了传导结构D5cl。脚架1、发光二极管芯片2、导线gl、下封装部件7al的结构及其相对位 置完全相同于第二实施例，于此便不再赘述。与第二实施例的发光二极管封装结构E2的主要差别在于第三实施例的上发光 二极管封装结构E3的封装部件6cl的外型由一第一圆柱状部分61cl、一第二圆柱状部 分62cl与一半圆球状部分63cl所组成，其中，第二圆柱状部分62cl位于第一圆柱状部分 61cl与半圆球状部分63cl之间，并且第一圆柱状部分61cl的直径大于第二圆柱状部分 62c 1的直径。请同时参阅图5、图6A 图6C、图7。图5为表示根据本发明的一第四实施例的一 发光二极管封装结构E4的立体图，图6A 图6C分别表示根据发光二极管封装结构E4于 制作过程中的各阶段的示意平面图，图7为表示发光二极管封装结构E4的另一立体图。发光二极管封装结构E4包括一脚架1、一发光二极管芯片2、一上封装部件3、一下 封装部件4b与一散热件5 (如图7所示)，其中，上封装部件3、下封装部件4b与散热件5 共同构成了传导结构D2。脚架1、发光二极管芯片2与上封装部件3的结构及其相对位置 完全相同于第一实施例，于此便不再赘述。与第一实施例的主要差别在于第四实施例的发光二极管封装结构E4的下封装 部件4b更包括两延伸部41(例如销结构(pin)或片状结构(fin))，下封装部件4b的两 延伸部41延伸自侧边40b且沿着既定方向m进行延伸(或是背向于或远离于上封装部件3的方式而延伸)，此下封装部件4b的延伸部41延伸自侧边40b且连接于(例如锁固方 式)散热件5，发光二极管芯片2所产生热量经由上封装部件3与下封装部件4b的延伸部 41的导引而传递至散热件5，进而快速地传递至一外部模具(未图示)。以下配合图6A 图6C、图7提出发光二极管封装结构E4的制作方法。于以下说 明中将以“抗衰减单元”取代“上封装部件3”、以“第一散热单元”取代“下封装部件4b”。发光二极管封装结构E4的制作方法包括以下步骤提供包括第一引脚11与第二 引脚12的脚架1 (图6A)；提供一发光二极管芯片2设置于脚架1的第一引脚11且电性耦 接于脚架1的第二引脚12，并且提供一导线gl电性耦接于发光二极管芯片2与脚架1的 第二引脚12之间，随后利用具有两延伸部41的第一散热单元4b包覆于脚架1的第一引脚 11与第二引脚12，借此以固定脚架1的第一引脚11与第二引脚12 (图6B)；利用抗衰减单 元3将发光二极管芯片2、导线gl包覆于脚架1且局部包覆于第一散热单元4b，发光二极 管芯片2所发出的光线可经由抗衰减单元3而射出(图6C)；将第一散热单元4b的两延伸 部41连接于第二散热单元5，发光二极管芯片2所产生热量经由抗衰减单元3与第一散热 单元4b的导引而传递至第二散热单元5，也即，发光二极管芯片2所产生热量经由抗衰减单 元3而沿着的既定方向m而传递至第一散热单元4b (图7)。图8为表示另一下封装部件(散热单元)4cl的示意图。与图2B中的下封装部件 如不同之处在于下封装部件4cl于实质上为具有一沟槽si的一 C型结构。同样地，利用 具有C型结构的下封装部件如可分离方式套接于脚架1的第一引脚11与第二引脚12，通 过下封装部件如对于脚架1的第一引脚11与第二引脚12进行定位。图9为表示又一下封装部件(散热单元)4c2的示意图。与图6B中的下封装部件 4b不同之处在于下封装部件4cl于实质上为具有一沟槽s2的一 C型结构。同样地，利用 具有C型结构的下封装部件4b可分离方式套接于脚架1的第一引脚11与第二引脚12，通 过下封装部件4b对于脚架1的第一引脚11与第二引脚12进行定位。图IOA为表示根据本发明的一第五实施例的一发光二极管封装结构E5的立体图， 图IOB为表示根据图IOA的发光二极管封装结构E5的侧视图，图IOC为表示沿着图IOA的 发光二极管封装结构E5的一纵长方向(也即，沿着脚架1的方向)进行切割的剖面图。如图10A、图10B、图IOC所示，发光二极管封装结构E5包括一脚架1、一发光二极 管芯片2、一上封装部件6a2与一下封装部件7a2，其中，上封装部件6a2、下封装部件7a2与 散热件5共同构成了一传导结构D3a2。脚架1、发光二极管芯片2与导线gl的结构及其相 对位置完全相同于第一实施例，于此便不再赘述。于程序上，下封装部件7a2先设置于脚架1，并且随后将上封装部件6a2覆盖于发 光二极管芯片2及导线gl之上且对于下封装部件7a2进行完全包覆。下封装部件7a2可经射出成型方式而环绕设置于脚架1的第一引脚11与第二引 脚12之上，并且发光二极管芯片2外露于下封装部件7a2的一表面。下封装部件7a2包括 一圆柱状本体70a2、一成对的两凹槽70r与两延伸部71，其中，圆柱状本体70a2具有一侧 边700a2，成对的两凹槽70r设置于圆柱状本体70a2且位于发光二极管芯片2的两侧，两延 伸部71延伸自圆柱状本体的侧边700a2且沿着一既定方向m进行延伸(或是背向于或远 离于上封装部件6a2的方式而延伸)，并且下封装部件7a2的两延伸部71可连接于散热件 5。在下封装部件7a2的包覆作用下可确保脚架1的第一引脚11与第二引脚12之间的相对位置关系及其结构上的稳定性。上封装部件6a2可经射出成型方式而覆盖于发光二极管芯片2及导线gl之上且 对于下封装部件7a2的圆柱状本体70a2进行完全包覆、但对于下封装部件7a2的两延伸部 71进行局部包覆。上封装部件6a2的外型由一圆柱状部分61a2、一锥柱状部分62a2与一 半圆球状部分63a2所组成，其中，锥柱状部分62a2位于圆柱状部分61a2与半圆球状部分 63a2之间。值得注意的是，在成型后的上封装部件6a2与下封装部件7a2之间是不存在有任 何空隙，也即，设置在脚架1的第一引脚11的发光二极管芯片2是受到上封装部件6a2与 下封装部件7a2的完全包覆。因此，发光二极管芯片2所产生的光线可经由上封装部件6a2 而射出，并且发光二极管芯片2所产生热量可经由脚架1传递至下封装部件7a2且再经由 下封装部件7a2的两延伸部71的导引而传递至散热件5。图IlA为表示根据本发明的一第六实施例的一发光二极管封装结构E6的立体图， 图IlB为表示根据图IlA的发光二极管封装结构E6的侧视图，图IlC为表示沿着图IlA的 发光二极管封装结构E6的一纵长方向(也即，沿着脚架1的方向)进行切割的剖面图。如图11A、图11B、图IlC所示，发光二极管封装结构E6包括一脚架1、一发光二极 管芯片2、一上封装部件6b与一下封装部件7a2，其中，上封装部件6b、下封装部件7a2与散 热件5共同构成了一传导结构D4。脚架1、发光二极管芯片2、导线gl、下封装部件7a2的 结构及其相对位置完全相同于第五实施例，于此便不再赘述。与第五实施例的发光二极管封装结构E5的主要差别在于第六实施例的发光二 极管封装结构E6的上封装部件6b的外型由一圆柱状部分61b与一半圆球状部分6 所组 成。半圆球状部分63b的直径小于圆柱状部分61b的直径，并且半圆球状部分6 对应于 发光二极管芯片2。图12A为表示根据本发明的一第七实施例的一发光二极管封装结构E7的立体图， 图12B为表示根据图12A的发光二极管封装结构E7的侧视图，图12C为表示沿着图12A的 发光二极管封装结构E7的一纵长方向(也即，沿着脚架1的方向)进行切割的剖面图。如图12A、图12B、图12C所示，发光二极管封装结构E7包括一脚架1、一发光二极 管芯片2、一上封装部件6c2与一下封装部件7a2，其中，上封装部件6c2、下封装部件7a2与 散热件5共同构成了传导结构D5c2。脚架1、发光二极管芯片2、导线gl、下封装部件7a2 的结构及其相对位置完全相同于第五实施例，于此便不再赘述。与第五实施例的发光二极管封装结构E5的主要差别在于第七实施例的发光二 极管封装结构E7的上封装部件6c2的外型由一第一圆柱状部分61c2、一第二圆柱状部 分62c2与一半圆球状部分63c2所组成，其中，第二圆柱状部分62c2位于第一圆柱状部分 61c2与半圆球状部分63c2之间，并且第一圆柱状部分61c2的直径大于第二圆柱状部分 62c2的直径。基于上述说明可知，在利用了下封装部件以邻接于上封装部件的方式而设置于脚 架1的作用下，除了可有效提高脚架1的结构稳定性之外，也可降低公知技术中的硅胶封装 的使用量，如此可大幅降低发光二极管封装结构所需的制作成本。虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然而其并非用以限制本发明，任何本领域 的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构，包括 一脚架；一发光二极管芯片，电性耦接于该脚架；一上封装部件，包覆该发光二极管芯片，该发光二极管芯片发出的光线可经由该上封 装部件而射出；以及一下封装部件，环设且固定该脚架且邻接于该上封装部件，该上封装部件用以将该发 光二极管芯片包覆于该脚架，其中该下封装部件由该上封装部件延伸而出且该上封装部件 覆盖部分该下封装部件。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该脚架包括一第一引脚与一第二引 脚，该发光二极管芯片设置于该脚架的该第一引脚且电性耦接于该脚架的该第二引脚，该 上封装部件对于设置在该脚架的该第一引脚的该发光二极管芯片与该第二引脚进行包覆， 该下封装部件固置于该脚架的该第一引脚与该第二引脚。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，还包含一承载部，该发光二极管芯片设 置于该承载部上，且该承载部上设置在该第一引脚的一端部。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其中，该第一引脚的该端部以一银胶层 固设于该承载部且该第二引脚，其一端部以一导线与该发光二极管芯片电气相接。
5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其中该第二引脚的端部以共晶的方式与 该发光二极管芯片电气相接。
6.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其中，该第一引脚与该第二引脚向下延 伸且相对平行设置。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该上封装部件与该下封装部件局部地相互重叠。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该上封装部件包括一抗衰减材料， 该下封装部件包括一散热材料。
9.如权利要求8所述的发光装置，其中该抗衰减材料选自下列群组环氧树脂、甲基橡 胶、甲基树脂、苯环橡胶、苯环树脂、有机变性硅胶及其组合。
10.如权利要求8所述的发光装置，其中该散热材料选自下列群组聚对苯二酰对苯二 胺、耐高温尼龙、液晶树脂、聚醚醚酮、含硅树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、陶磁及其组合。
11.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该下封装部件包括至少一延伸 部，该下封装部件的该至少一延伸部以远离于该上封装部件的方向而延伸。
12.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，还包括一散热件，并且该下封装部件包 括至少一延伸部，该下封装部件的该至少一延伸部连接于该散热件，该发光二极管芯片所 产生的热量经由该上封装部件与该下封装部件的该至少一延伸部的导引而传递至该散热 件。
13.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该下封装部件一体成型于该脚^K O
14.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该下封装部件于实质上具有一C 型结构。
15.一种传导结构，用以对于一发光二极管芯片进行散热，该传导结构包括一上封装部件，用以将该发光二极管芯片进行包覆；以及一下封装部件，邻接于该上封装部件，该发光二极管芯片，电性耦接于一脚架，该发光 二极管芯片所产生热量经由该脚架传递至该下封装部件。
16.如权利要求15所述的传导结构，其中，该上封装部件包括一抗衰减材料，该下封装 部件包括一散热材料。
17.如权利要求15所述的传导结构，其中，该下封装部件包括至少一延伸部，该下封装 部件的该至少一延伸部以远离于该上封装部件的方向而延伸。
18.如权利要求15所述的传导结构，还包括一散热件，并且该下封装部件包括至少一 延伸部，该下封装部件的该至少一延伸部连接于该散热件，该发光二极管芯片所产生的热 量经由该上封装部件、该下封装部件的该至少一延伸部的导引而传递至该散热件。
19.一种发光二极管封装结构的制作方法，该制作方法包括以下步骤提供一脚架，该脚架包括一第一引脚与一第二引脚；提供一发光二极管芯片设置于该脚架的该第一引脚且电性耦接于该脚架的该第二引脚；利用一第一散热单元包覆于该脚架的该第一引脚与该第二引脚，借此以固定该脚架的 该第一引脚与该第二引脚；以及利用一抗衰减单元将该发光二极管芯片包覆于该脚架且局部包覆于该第一散热单元， 该发光二极管芯片所发出的光线可经由该抗衰减单元而射出，该发光二极管芯片所产生热 量经由该抗衰减单元而传递至该第一散热单元。
20.如权利要求19所述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括提供一导线，该导 线电性耦接于设置在该脚架的该第一引脚的该发光二极管芯片与该脚架的该第二引脚之 间。
21.如权利要求19所述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括提供一第二散热单 元，并且该第一散热单元还包括至少一延伸部，该第一散热单元的该至少一延伸部连接于 该第二散热单元，该发光二极管芯片所产生该热量经由该抗衰减单元与该第一散热单元的 导引而传递至该第二散热单元。
22.一种发光二极管封装结构，包括一脚架；一发光二极管芯片，电性耦接于该脚架；一下封装部件，设置于该脚架，该下封装部件包括一本体与至少一延伸部，该至少一延 伸部连接于该本体；以及一上封装部件，覆盖于发光二极管芯片且对于该下封装部件的该本体进行完全包覆、 对于该下封装部件的该至少一延伸部进行局部包覆。
23.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该上封装部件包括一圆柱状部 分、一锥柱状部分与一半圆球状部分，该锥柱状部分位于该圆柱状部分与该半圆球状部分 之间。
24.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该上封装部件包括一圆柱状部 分与一半圆球状部分，该半圆球状部分的直径小于该圆柱状部分的直径。
25.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该上封装部件包括一第一圆柱状部分、一第二圆柱状部分与一半圆球状部分，该第二圆柱状部分位于该第一圆柱状部分 与该半圆球状部分之间。
26.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该脚架包括一第一引脚与一第 二引脚，该发光二极管芯片设置于该脚架的该第一引脚且电性耦接于该脚架的该第二引 脚，该下封装部件设置于该脚架的该第一引脚与该第二引脚。
27.如权利要求沈所述的发光二极管封装结构，还包括一导线，该导线电性耦接于设 置在该脚架的该第一引脚的该发光二极管芯片与该脚架的该第二引脚之间。
28.如权利要求27所述的发光二极管封装结构，其中，该导线包括一金属线。
29.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该上封装部件包括一抗衰减材 料，该下封装部件包括一散热材料。
30.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，还包括一散热件，该下封装部件的该 至少一延伸部连接于该散热件。
全文摘要
一种发光二极管封装结构及其传导结构、制作方法，该封装结构包括一脚架、一发光二极管芯片、一上封装部件与一下封装部件。发光二极管芯片电性耦接于脚架。上封装部件包覆发光二极管芯片，由发光二极管芯片所发出的光线可经由上封装部件而射出。下封装部件环设且固定脚架且邻接于上封装部件，并且上封装部件用以将发光二极管芯片包覆于脚架，下封装部件由上封装部件延伸而出且上封装部件覆盖部分下封装部件。本发明可有效提高脚架的结构稳定性，还可大幅降低制作成本。
文档编号H01L33/48GK102082221SQ20091024636
公开日2011年6月1日 申请日期2009年11月27日 优先权日2009年11月27日
发明者潘科豪 申请人:亿光电子工业股份有限公司