专利名称：元件装配用基板及其制造方法、半导体模块和便携式设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及元件装配用基板及其制造方法、半导体模块和便携式设备。
背景技术：
近年来，随着电子设备的小型化和高功能化而电子设备所使用的半导体元件被要 求进一步小型化。随着半导体元件的小型化而用于向印刷配线基板安装的电极之间的窄间 距是必须的。作为半导体元件的表面安装方法知道有在半导体元件的电极形成焊料凸出， 把焊料凸出与印刷配线基板的电极焊盘进行焊接的倒装片安装方法。在倒装片安装方法中 焊料凸出自身的大小和焊接时桥接的产生等就成为制约，而限制了电极的窄间距化。作为 为了克服这种界限的结构知道有把在形成有基体材料(配线层)的突起结构作为电极或 过孔，把半导体元件经由环氧树脂等绝缘树脂向基体材料安装，使半导体元件的电极与突 起结构连接的结构。在使基体材料的突起结构与半导体元件的电极连接的上述结构中，有可能由基体 材料与半导体元件热膨胀系数的差所引起产生的热应力向突起结构与基体材料的连接部 分集中。特别是当突起电极与配线层的连接部分有Z方向(使突起电极向从硅基板(半导 体元件)剥离的方向)的应力集中时，就有可能使突起电极与半导体元件的连接可靠性降 低。
发明内容
本发明是鉴于该课题而开发的，其目的在于提供一种具有把设置在元件装配用基 板的配线层的突起电极与设置在半导体元件的元件电极连接的结构的技术，在该结构中， 提高突起电极与元件电极连接可靠性。本发明的形态是元件装配用基板。该元件装配用基板具备绝缘树脂层、设置在绝 缘树脂层的一个主表面的配线层和在配线层的端部与配线层电连接且从配线层向绝缘树 脂层侧突出的突起电极，配线层端部侧的局部的高度比向端部侧相反侧延伸的配线层区域 的高度低。根据该形态，在把突起电极与设置在半导体元件的外部电极连接来装配半导体元 件时，能够抑制由配线层与半导体元件所使用的半导体基板的热膨胀系数差所引起产生的 热应力为起因，而使热应力向元件电极与突起电极的连接部分集中。其结果是能够提高设 置在配线层的突起电极与元件电极连接的可靠性。关于上述形态，也可以在配线层端部侧的侧方使突起电极顶部面相反侧的突起电 极的面露出。也可以在配线层端部侧的侧方使突起电极顶部面相反侧的突起电极区域有缺 口。也可以把配线层和突起电极形成一体。本发明的其他形态是半导体模块，该半导体模块具备上述任一形态的元件装配 用基板和设置有与突起电极相对的元件电极的半导体元件，突起电极把绝缘树脂层贯通， 突起电极与元件电极电连接。
本发明的又其他形态是便携式设备，该便携式设备具备上述形态的半导体模块。本发明的又其他形态是把绝缘树脂层和配线层层合的元件装配用基板的制造方 法，其中，具备把金属板的一个面有选择地除去而形成突起电极的突起电极形成工序、把 金属板的另一个面有选择地除去而形成配线层的配线层形成工序，在配线层形成工序中， 使突起电极从配线层端部的配线层的一个面突出，并且把金属板的另一个面有选择地除 去，而使配线层端部侧的局部的高度比向端部侧相反侧延伸的配线层区域的高度低。在配 线层形成工序中，也可以在配线层端部的侧方使突起电极顶部面相反侧的突起电极的面露 出ο
图1是表示实施例1元件装配用基板和半导体模块结构的剖视图；图2是表示实施例1元件装配用基板和半导体模块的制造方法的工序剖视图；图3(A)-图3(D)是表示实施例1元件装配用基板和半导体模块的制造方法的工 序剖视图；图4(A)-图4(C)是表示实施例1元件装配用基板和半导体模块的制造方法的工 序剖视图；图5(A)-图5(B)是表示实施例1元件装配用基板和半导体模块的制造方法的工 序剖视图；图6(A)-图6(C)是表示实施例1元件装配用基板和半导体模块的制造方法的工 序剖视图；图7是表示实施例1元件装配用基板和半导体模块的制造方法的工序剖视图；图8是表示实施例2元件装配用基板和半导体模块结构的剖视图；图9(A)-图9(D)是表示实施例2元件装配用基板和半导体模块的制造方法的工 序剖视图；图10是表示用于热应力模拟的实施例模型所使用的配线层和突起电极的结构和 尺寸的图；图11是表示用于热应力模拟的比较例模型所使用的配线层和突起电极的结构和 尺寸的图；图12是表示由温度循环试验得到的残留应力变化的曲线；图13是表示实施例3半导体模块10结构的剖视图；图14是表示具备实施例半导体模块的便携式电话结构的图；图15是图14所示便携式电话的局部剖视图。
具体实施例方式本发明通过下述的优选实施例进行了说明。这些不是对本发明范围的限定，只是 对本发明的例证。以下，参照
本发明的实施例。在所有的附图中对同样的结构元件则付与 同样的符号而适当省略说明。(实施例1)
图1是表示实施例半导体模块结构的剖视图。半导体模块10具备半导体元件20和元件装配用基板30。半导体元件20包含半导体基板22、元件电极110和保护层120。半导体基板22例如是P型硅晶片。在半导体基板22的主表面Sl侧(图1的上 面侧)利用周知的技术而形成有集成电路(IC)或大规模集成电路(LSI)(未图示)，在成为 安装面的表面Sl (特别是外周边缘部)形成半导体元件的电极即元件电极110。作为元件电极110的材料而使用铝(Al)和铜(Cu)等金属。在元件电极110的表 面设置金属层112(Ni/Au层)。使设置在元件电极110表面的金属层112的规定区域(中央部分)露出地在半导 体基板22的主表面Sl上形成保护层120。作为保护层120以氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜 (SiN)和聚酰亚胺(PI)膜等为合适。元件装配用基板30具备绝缘树脂层40、绝缘树脂层40的半导体元件20相反侧 的主表面设置的配线层50 (再配线)、与配线层50形成一体并从配线层50向绝缘树脂层 40侧突出的突起电极60。绝缘树脂层40由绝缘性树脂构成，例如由在加压时引起塑性流动的材料形成。作 为在加压时引起塑性流动的材料能够举出环氧系热硬化型树脂。绝缘树脂层40所使用的 环氧系热硬化型树脂例如只要是在温度160°C、压力SMpa的条件下而具有粘度IkPa · s特 性的材料便可。该环氧系热硬化型树脂例如在温度160°C的条件下，以5Mpa 约15Mpa进 行加压时，与不加压的情况比较树脂粘度约降低到1/8。对此，热硬化前的B级别环氧树脂 在玻璃化转变温度Tg以下的条件下，与不加压树脂的情况同程度地没有粘性，即使加压也 不产生粘性。该环氧系热硬化型树脂是具有约3 4介电常数的电介体。配线层50被设置在绝缘树脂层40的半导体元件20相反侧的主表面，由导电材 料，优选由压延金属，更优选由压延铜形成。压延铜与由通过镀层处理等形成的铜构成的金 属膜比较，在机械强度的点上强，作为用于再配线的材料优良。配线层50也可以由电解铜 等形成。配线层50具有突起连接区域52和与它连续延伸的配线区域54。突起连接区域 52是把配线层50和突起电极60连接成一体的区域。突起连接区域52中在配线层50上在 与元件电极110位置对应而突出设置有贯通绝缘树脂层40的突起电极60。本实施例中把 配线层50和突起电极60形成为一体，由此，配线层50与突起电极60的连接可靠。作为本 实施例的特别事项是突起连接区域52端部侧的配线层50的局部(倾斜部)的高度比向端 部侧相反侧延伸的配线区域54的配线层50的高度(焊球80侧的配线层50的平坦部分的 高度)低。换言之，位于突起连接区域52的配线层50端部的局部有缺口。且本实施例中 在突起连接区域52的配线层50端部侧方突出有突起电极60，突起电极60顶部面的相反侧 的面被露出。突起电极60其整体形状是随着靠近前端而径变细。换言之，突起电极60的侧面 是锥状。突起电极60前端(顶部面)的直径和基面的直径分别例如是约Φ45μπι和约 Φ60μπιο突起电极60的高度例如是20 μ m。本实施例在突起电极60的顶部面设置金属 层62。作为金属层62Ni/Au镀层是合适的。通过设置在突起电极60顶部面的金属层62与 设置在半导体元件20的元件电极110的金属层112的金-金接合而把突起电极60与元件 电极110电连接。突起电极60和元件电极110也可以之间不经由金属层62 、112而直接连接。在配线层50的与绝缘树脂层40相反侧的主表面设置有用于防止配线层50氧化 等的保护层70。作为保护层70能够举出焊料抗蚀剂层等。在保护层70的规定区域形成 有开口部72，利用开口部72来露出配线层50的局部。在开口部72内形成作为外部连接 电极的焊球80，焊球80与配线层50电连接。形成焊球80的位置，即，开口部72的形成区 域，例如是再配线(配线层50)迂回的先头的端部。(实施例1的元件装配用基板和半导体模块的制造方法)参照图2到图7说明实施例1的元件装配用基板和半导体模块的制造方法。首先如图2所示，准备预先在主表面Sl形成有由刻划线102(以后用于把半导体 基板22由刻划而分断的线)划分的具有元件电极110和保护层120的半导体模块形成区域 130的半导体基板22 (6英寸半导体晶片)。图2表示了两个半导体元件。具体说就是，对 于P型硅基板等半导体基板22内的各个半导体模块形成区域130，使用组合公知的光刻法 技术、蚀刻技术、离子注入技术、成膜技术和热处理技术等的半导体制造处理，在主表面Sl 形成规定的集成电路和在其外周边缘部形成元件电极110。元件电极110的材料采用铝和 铜等金属。在除了这些元件电极110的半导体基板22的主表面Sl上，准备形成了用于保 护半导体基板22的绝缘性保护层120的半导体基板22。作为保护层120而采用氧化硅膜 (SiO2)、氮化硅膜(SiN)和聚酰亚胺(PI)膜等。在元件电极110上预先形成由Ni/Au层构 成的金属层112。另一方面如图3(A)所示，准备作为金属板的铜板200，其至少具有比图1所示飞突 起电极60的高度与配线层50的厚度的和大的厚度。铜板200的厚度例如是125 μ m。作为 铜板200而采用由被压延的铜构成的压延金属。接着如图3(B)所示，利用光刻法在按照与突起电极的预定形成区域对应的图形 而有选择地形成抗蚀剂210。在此，突起电极形成区域的排列与由多条刻划线102划分成 多个半导体模块形成区域130的半导体基板22的各元件电极110 (参照图2)的位置对应。 具体说就是，使用层合装置向铜板200粘贴规定膜厚度的抗蚀剂膜，使用具有突起电极60 图形的光掩膜进行曝光后，通过显影而在铜板200上有选择地形成抗蚀剂210。为了提高 与抗蚀剂的密接性，在把抗蚀剂膜层叠之前，优选的是，对铜板200的表面按照需要实施剖 光、洗净等前处理。且优选在设置抗蚀剂210的面相反侧(上面侧)的整个面形成抗蚀剂 保护膜(未图示)，以保护铜板200。接着如图3 (C)所示，把抗蚀剂210作为掩膜而进行使用氯化铁溶液等药液的湿蚀 刻处理，形成从铜板200表面S2突出的规定圆锥台图形的突起电极60。这时，突起电极60 被形成具有随着靠近其前端部而直径(尺寸)变细的锥状侧面部。本实施例突起电极60 的基底部的径、顶部的径、高度例如分别是Φ 100 140 μ m、Φ50μπι、20 25μπι。接着如图3(D)所示，使用剥离剂把抗蚀剂210和抗蚀剂保护膜剥离。按照以上说 明的工序，把突起电极60与铜板200形成一体。代替抗蚀剂210也可以采用银(Ag)等的 金属掩膜。这时由于能够充分确保铜板200的蚀刻选择比，所以能够谋求突起电极60布图 的更加微细化。且把具有使突起电极60顶部面露出那样的开口的耐金抗蚀剂(未图示) 作为掩膜，在突起电极60的顶部面形成由Ni/Au层构成的金属层62。接着如图4(A)所示，通过使用氯化铁溶液等药液的湿蚀刻处理等而把设置有突起电极60侧相反侧的铜板200表面进行蚀刻以把铜板200薄膜化。这时，在设置有突起电 极60侧形成的抗蚀剂保护膜(未图示)来保护突起电极60、金属层62和铜板200，在蚀刻 处理后把抗蚀剂保护膜除去。由此，被加工成规定的厚度(配线层50的厚度)，形成有将 规定的突起电极60被设置成一体的铜板200。本实施例铜板200的厚度是约20 μ m。铜板 200是本发明“金属板”的一例。接着如图4(B)所示，使用真空层叠法在设置有突起电极60侧的铜板200的表面 层合绝缘树脂层40。如上所述，作为绝缘树脂层40而使用通过加压或加热而引起可塑性或 变形的绝缘材料。接着如图4(C)所示，使用O2等离子蚀刻，把绝缘树脂层40薄膜化，以使突起电极 60顶部面设置的金属层62露出。本实施例中，露出作为金属层62的表面Au。接着如图5 (A)所示，在构成冲压机的一对平板(平板> —卜)500、500之间设 置有把半导体基板22和突起电极60形成了一体的铜板200。这时，把对应的金属层62与 金属层112进行对准位置。平板工作台500、500例如由SiC形成。接着如图5(B)所示，通过使用冲压机进行加压成形而在对应的金属层62和金属 层112抵接的状态下来压接半导体基板22和铜板200。冲压加工时的压力和温度分别是 约17kN和200°C。在该工序中通过设置在突起电极60顶部面的金属层62与设置在半导体 元件20的元件电极110的金属层112的金-金接合而把突起电极60与元件电极110电连 接。接着如图6 (A)所示，使用光刻法技术和蚀刻技术把铜板200加工成规定的配线图 形，以形成配线层50 (再配线)。通过布图所形成的配线层50具备具有与突起电极60相 接的界面的突起连接区域52和与其连续延伸的配线区域54。且在突起连接区域52的配线 层50端部侧方，使突起电极60顶部面的相反侧的面露出。换言之，在突起连接区域52的 配线层50端部侧方形成配线层50缺口区域即细窄区域58。在此，如上所述，虽然配线层 50与突起电极60被形成一体，但突起电极60是从与绝缘树脂层40相接侧的配线层50的 表面到顶部面为止。接着如图6(B)所示，在配线层50和绝缘树脂层40上层合保护层(光焊料抗蚀剂 层)70，然后利用光刻法在保护层70的规定区域(焊球的装配区域)设置开口部72。保护 层70具有作为配线层50的保护膜功能。保护层70被采用环氧树脂等，其膜厚度例如是约 40 μ m。在此，如上所述，通过保护层70进入到细窄区域58而使保护层70与配线层50和 突起电极60的接触面积增大。由此，能够提高保护层70与配线层50和突起电极60的密 接性。接着如图6(C)所示，利用使丝网印刷法向保护层70的开口部72装配焊球80。具 体说就是把树脂和焊料调成膏状的焊膏通过网板掩膜向希望的部位印刷，通过加热到焊料 熔化温度而形成焊球80。接着如图7所示，沿多条划分半导体模块形成区域130的刻划线102而从半导体 基板22的反面(下面侧)来切割半导体基板22，形成一个一个的多个半导体模块10。之 后，对一个一个的半导体模块10进行药液的洗净处理，把切割时产生的残渣等除去。按照 以上的工序就能够制造实施例1的元件装配用基板30和半导体模块10。根据以上说明的实施例1的半导体模块，能够抑制由配线层50与半导体基板22的热膨胀系数差所引起产生的热应力为起因，Z方向(基板层合的方向)的应力向突起连 接区域52的元件电极110与突起电极60的连接部分集中。其结果是能够提高设置在配线 层50的突起电极60与元件电极110连接的可靠性。(实施例2)图8是表示实施例2半导体模块10结构的剖视图。实施例2的半导体模块10的 基本结构除了在突起连接区域52中的配线层50的结构之外，与实施例1相同。因此，关于 实施例2的半导体模块10，对与实施例1相同的结构省略说明，以与实施例1不同的结构为 中心进行说明。实施例2的半导体模块10中，突起电极60顶部面的相反侧的整个面(突起电极 60的配线层50侧的底部)成为突起连接区域52，突起电极60顶部面的相反侧的面不露出。 换言之，突起连接区域52中在配线层50的前端侧形成台阶，配线层50的前端侧的一方比 配线层50的焊球80侧平坦部分的厚度薄。(实施例2的元件装配用基板和半导体模块的制造方法)实施例2的元件装配用基板和半导体模块的基本制造方法除了配线层的布图工 序之外，与实施例1相同。本实施例在图5(B)所示的加压成型后，如9(A)所示，在与突起 连接区域对应的部分中应该成为配线层前端侧的区域形成有抗蚀剂300。接着如图9(B)所示，通过把抗蚀剂300作为掩膜而使用的湿蚀刻处理等把铜板 200薄膜化。利用抗蚀剂300下的铜板200不被蚀刻而残留，则在与突起连接区域对应的部 分中在应该成为配线层前端侧的区域形成凸部310。即凸部310的厚度与铜板200的蚀刻 深度相当。然后，把抗蚀剂300除去。接着如图9(C)所示，按照应该形成的配线图形而在铜板200上形成与除了凸部 310以外的区域对应的抗蚀剂320。接着如图9 (D)所示，通过把抗蚀剂320作为掩膜而使用的湿蚀刻处理等来形成配 线层50。在该蚀刻处理中为了把图9(C)所示的凸部310露出，凸部310也成为蚀刻区域。 其结果是利用蚀刻处理所形成的配线层50在突起连接区域52的前端侧形成薄膜化区域。 该薄膜化区域与图9(C)所示的凸部310形成区域对应，薄膜化区域的厚度与图9(C)所示 的凸部310以外的配线层50表面(S2的相反侧)的高度相同。然后，除去抗蚀剂320。通过适用以上说明的配线层形成工序而能够制造实施例2的元件装配用基板和 半导体模块。根据实施例2的结构，也与实施例1同样地能够抑制由配线层50与半导体基板22 的热膨胀系数差所引起产生的热应力为起因，Z方向(基板层合的方向)的应力向突起连 接区域52的元件电极110与突起电极60的连接部分集中。其结果是能够提高设置在配线 层50的突起电极60与元件电极110连接的可靠性。(模拟考察)为了确认以上的效果而使用有限元法(Ansys Ver. 11.0)进行了模拟。图10和图 11是表示模拟所使用的配线层和突起电极的模型(图10是实施例的模型，图11是比较例 的模型)的立体图。为了简略化而把配线层50和突起电极60设定成矩形。实施例和比较 例的模型中配线层50被设定成悬臂梁状，在把突起电极60形成在配线层50前端部的点上 是共通的。把配线层50和突起电极60的尺寸(单位μ m)表示在图10和图11。实施例的模型在配线层50的前端部侧把配线层50薄膜化。另一方面，比较例的模型中使配线层 50的厚度在包括与突起电极60连接部分的整个区域是一定的。图12是表示通过温度循环试验所得到的残留应力变化的曲线。表1表示实施例 的模型和比较例的模型在各自1 3个循环后的残留应力的值。在此所说的残留应力是在 温度循环试验时产生的Z向应力的最大值。Z向应力的最大值被确认是以配线层50和突起 电极60的连接部分为中心而产生。把模拟适用的热循环条件表示如下。温度范围从_39°C到130°C保持时间-39°C 5分钟；130°C 20分钟升温时间10分钟(从_39°C到130°C )降温时间25分钟(从130°C到-39°C )从开始加热到下次开始加热的时间间隔60分钟表 1 如从图12和表1 了解的那样，知道了实施例的模型比比较例的模型在各循环之 后，残留应力减少约百分之十几。(实施例3)图13是表示实施例3半导体模块10结构的剖视图。实施例3的半导体模块10 的基本结构与实施例1相同。因此，关于实施例2的半导体模块10，对与实施例1相同的结 构省略说明，以与实施例1不同的结构为中心进行说明。本实施例的特别事项是突起连接区域52端部侧的配线层50的局部的高度比向端 部侧相反侧延伸的配线区域54的配线层50的高度低。且本实施例在突起连接区域52的 配线层50端部侧方有突起电极60突出，突起电极60顶部面的相反侧的面露出。以上的点 与实施例1共通。而且本实施例在突起电极60顶部面的相反侧中，突起电极60的局部有 缺口，突起电极60的露出面位于比配线层50的下面还靠下。根据实施例3的结构，也与实施例1同样地能够抑制由配线层50与半导体基板22 的热膨胀系数差所引起产生的热应力为起因，Z方向(基板层合的方向)的应力向突起连 接区域52的元件电极110与突起电极60的连接部分集中。其结果是能够提高设置在配线 层50的突起电极60与元件电极110连接的可靠性。(实施例3的元件装配用基板和半导体模块的制造方法)实施例3的元件装配用基板和半导体模块的基本制造方法与实施例1相同。本实 施例在把图5(B)所示的铜板200进行布图而形成配线层时，可以进行过蚀刻，以在有选择地把铜板200除去的同时，在配线层的端部侧方把突起电极60的局部除去。(适用于便携式设备)下面说明具备本发明半导体模块的便携式设备。作为便携式设备表示了向便携式 电话装配的例，但例如也可以是个人用携带信息终端(PDA)、数字摄像机(DVC)、音乐播放 器和数码静止图像相机(DSC)这样的电子设备。图14是表示具备实施例半导体模块10的便携式电话结构的图。便携式电话1111 是利用可动部1120把第一框体1112和第二框体1114连结的结构。第一框体1112和第二 框体1114以可动部1120为轴能够转动。第一框体1112设置显示文字和图像等信息的显示 部1118和扬声器1124。第二框体1114设置操作用按钮等的操作部1122和送话器1126。 且本发明各实施例半导体模块的任一个能够装配在这种便携式电话1111的内部。作为向 便携式电话装配的本发明的半导体模块能够采用用于驱动各电路的电源电路、产生RF的 RF产生电路、DAC、编码电路，作为便携式电话显示部被采用的液晶屏光源的背灯驱动电路寸。图15是图14所示便携式电话的局部剖视图(第一框体1112的剖视图)。本发明 实施例的半导体模块10经由焊球80而向印刷基板1128装配，并经由该印刷基板1128与 显示部1118等电连接。在半导体模块10的反面侧(与焊球80相反侧的面)设置金属基 板等的散热基板1116，例如能够使半导体模块10产生的热不向第一框体1112内部收拢而 有效地向第一框体1112的外部散热。根据具备本发明实施例半导体模块的便携式设备能够得到以下效果。在半导体模块10中提高了与配线层50形成一体突起电极60与设置在半导体元 件20的元件电极110的连接可靠性，结果是半导体模块10的动作可靠性被提高，因此，提 高了装配该半导体模块10的便携式设备的动作靠性。由于能够经由散热基板1116而把来自半导体模块10的热有效地向外部散热，所 以半导体模块10的温度上升被抑制，导电性部件与配线层之间热应力被降低。因此，与不 设置散热基板1116的情况相比，能够防止半导体模块内的导电性部件从配线层剥离，提高 半导体模块10的可靠性(耐热可靠性)。其结果是能够提高便携式设备的可靠性(耐热可 靠性)。由于能够把上述实施例所示的半导体模块10小型化，所以能够谋求装配有该半 导体模块10的便携式设备的薄型化和小型化。本发明要求于2008年11月28日提交的日本国专利申请第2008-305495号的优 先权，其整个内容引用在此处作为参考。
1权利要求
一种元件装配用基板，其特征在于，具备绝缘树脂层、所述绝缘树脂层的一个主表面设置的配线层、在所述配线层的端部与所述配线层电连接且从所述配线层向所述绝缘树脂层侧突出的突起电极，所述配线层端部侧的局部的高度比向所述端部侧相反侧延伸的所述配线层区域的高度低。
2.如权利要求1所述的元件装配用基板，其中，在所述配线层端部侧的侧方使所述突 起电极顶部面相反侧的所述突起电极的面露出。
3.如权利要求2所述的元件装配用基板，其中，在所述配线层端部侧的侧方使所述突 起电极顶部面相反侧的所述突起电极的区域有缺口。
4.如权利要求1所述的元件装配用基板，其中，把所述配线层和所述突起电极形成一体。
5.如权利要求2所述的元件装配用基板，其中，把所述配线层和所述突起电极形成一体。
6.如权利要求3所述的元件装配用基板，其中，把所述配线层和所述突起电极形成一体。
7.一种半导体模块，其特征在于，具备权利要求1所述的元件装配用基板和设置有与所述突起电极相对的元件电极的半导 体元件，所述突起电极把所述绝缘树脂层贯通，所述突起电极与所述元件电极电连接。
8.一种半导体模块，其特征在于，具备权利要求2所述的元件装配用基板和设置有与所述突起电极相对的元件电极的半导 体元件，所述突起电极把所述绝缘树脂层贯通，所述突起电极与所述元件电极电连接。
9.一种半导体模块，其特征在于，具备权利要求3所述的元件装配用基板和设置有与所述突起电极相对的元件电极的半导 体元件，所述突起电极把所述绝缘树脂层贯通，所述突起电极与所述元件电极电连接。
10.一种半导体模块，其特征在于，具备权利要求4所述的元件装配用基板和设置有与所述突起电极相对的元件电极的半导 体元件，所述突起电极把所述绝缘树脂层贯通，所述突起电极与所述元件电极电连接。
11.一种便携式设备，其特征在于，具备权利要求7所述的半导体模块。
12.一种便携式设备，其特征在于，具备权利要求8所述的半导体模块。
13.一种便携式设备，其特征在于，具备权利要求9所述的半导体模块。
14.一种便携式设备，其特征在于，具备权利要求10所述的半导体模块。
15.一种元件装配用基板的制造方法，其层合绝缘树脂层和配线层，其特征在于，具把金属板的一个面有选择地除去而形成突起电极的突起电极形成工序、 把所述金属板的另一个面有选择地除去而形成配线层的配线层形成工序， 在所述配线层形成工序中，使所述突起电极从所述配线层端部的所述配线层的一个面 突出，并且把所述金属板的另一个面有选择地除去，而使所述配线层端部侧的局部的高度 比向所述端部侧相反侧延伸的所述配线层区域的高度低。
16.如权利要求15所述的元件装配用基板的制造方法，其中，在所述配线层形成工序 中，在所述配线层端部的侧方，使所述突起电极顶部面相反侧的所述突起电极的面露出。
全文摘要
一种半导体模块，其是具有把设置在配线层的突起电极与设置在半导体元件的元件电极连接的结构，其中，提高突起电极与元件电极连接的可靠性。在半导体元件与配线层之间设置绝缘树脂层。与配线层形成一体且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极与设置在半导体元件的元件电极电连接。突起连接区域端部侧的配线层的局部的高度比向端部侧相反侧延伸的配线层区域的配线层高度低。
文档编号H01L23/12GK101916750SQ20091024634
公开日2010年12月15日 申请日期2009年11月27日 优先权日2008年11月28日
发明者山本哲也, 斋藤浩一 申请人:三洋电机株式会社