专利名称：GaN基LED芯片的ESD防护结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及照明领域，特别涉及LED产品的ESD防护结构(
背景技术：
传统的GaN (氮化镓)基LED (Light Emitting Diode，发光二 极管)装置，是将LED芯片置于一金属支架上，并使用金线或铝线使 其电连接至金属支架的正极及负极上，形成电性通路，然而，此类 LED芯片的P型电极和N型电极位于同一侧，电流密度分布不均匀， 决定了 GaN基LED芯片属于静电敏感器件，其抗ESD(Electro Static Discharge,静电放电)能力较差。
为了提高GaN基LED芯片的抗ESD能力，需要增加齐纳二极管进 行ESD保护，这样，就需要在支架上增加载片区，以装设齐纳二极管， 如图1与图2所示，是目前市场上常见的两种设计形态。
图1是将齐纳芯片11设置在支架13远离负极16的一端，并使 齐纳芯片11的底部与支架13的正极15电连接，再使用键合金丝14 将齐纳芯片11电连接至支架13的负极16，这样，齐纳芯片11可为 GaN基LED芯片12提供一个静电防护回路，将环境中的静电通过齐 纳芯片11导至GaN基LED装置外，保护LED芯片12不被静电所损坏。 然而，此种装设结构具有以下缺陷
(1) 齐纳芯片11设置在远离支架13负极16的位置，连接二者 的金丝14跨接支架13两端，使得金丝14的长度较长，且必须跨过 LED芯片12上方，从而阻挡LED芯片12发出的光线，影响LED芯片 12的发光效果；
(2) 由于齐纳芯片11与支架13的负极16距离较远，使得键合 金丝14必须具有足够的长度，则容易与连接LED芯片12和支架13 的金线或铝线碰触，引起短路，损坏元器件。
为了克服以上的缺陷，图2采用另外一种设计结构，此处的支架 23在中段安装GaN基LED芯片22的位置向一侧形成延伸区，齐纳芯 片21装设在此延伸区位置，并与支架23的正极25电连接，通过金 丝24将齐纳芯片21与支架23的负极26连接起来。改变齐纳芯片 21的安装位置后，键合金丝24不必跨过LED芯片22的上方，从而 避免影响LED芯片22的发光效果，然而，此种结构也具有以下不足: (1)此时的金丝24仍旧需绕过支架23的四分之一外周，与连接LED芯片22和支架23的金线或铝线碰触的可能性较大，稳定性低，
影响使用寿命； '
(2)支架23需另外设计制造，不能与现有的支架通用，适用范 围小，生产成本高。
鉴于以上缺陷，本发明人潜心研究，本案由此产生。
实用新型内容
本实用新型的主要目的，在于提供一种GaN基LED芯片的ESD防 护结构，其不会影响LED芯片的发光效果，且使用范围广，使用稳定 性高。
为了达成上述目的，本实用新型的解决方案是 一种GaN基LED芯片的ESD防护结构，GaN基LED芯片装设在支 架上，并使用金线或铝线将LED芯片电连接在支架的两极，所述ESD 防护结构包括齐纳芯片与金丝，齐纳芯片设置在支架靠近负极的一 端，并与支架正极电连接，齐纳芯片还与负极通过金丝连接。 上述齐纳芯片借助导电胶将其底部电连接于支架。 采用上述方案后，本实用新型通过改变齐纳芯片的装设位置，可 具有以下改进
(1) 齐纳芯片与支架负极之间距离縮短，金丝不必跨过LED芯 片，不会影响LED芯片的发光效果；
(2) 连接齐纳芯片与支架负极的金丝很短，最大限度地减少了 金丝与连接LED芯片和支架的金线或铝线碰触的可能性，提高使用稳 定性；
(3) 采用这种结构后，齐纳芯片可直接安装在通用的金属支架 上，而不需配备专门的金属支架，使用方便，使用成本低，适用范围 广。
图1是一种现有结构的示意图； 图2是另一种现有结构的示意图； 图3是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作详细说明。
如图3所示，本实用新型一种GaN (氮化镓)基LED (LightEmitting Diode ，发光二极管)芯片的ESD (Electro Static Discharge,静电放电)防护结构，适用于现有的通用LED装置，是 将GaN基LED芯片2装设在一金属支架3上，此支架3可导电，并与 正极5连通，还借助金线或铝线将LED芯片2与支架3的两极电性连 接。
本实用新型的改进点在于还包括齐纳芯片LH金丝4，齐纳芯 片1设置在支架3靠近负极6的一端，并使齐纳芯片1与支架3的正 极5电连接，此处可使用导电胶将齐纳芯片1胶着在支架1上，从而 将齐纳芯片1的底部电连接于支架1的正极5，也可以采用其它的方 式，不以本实施例为限；齐纳芯片1还通过金丝4连接到支架3的负 极6。
采用本实用新型后，齐纳芯片1通过与支架3的两极连接，从而 为GaN基LED芯片2提供一个静电防护回路，将环境中的静电通过齐 纳芯片1导至LED装置外，保护GaN基LED芯片2不被静电所损坏。
综上所述，本实用新型GaN基LED芯片的ESD防护结构，重点在 于将齐纳芯片1装设在支架3靠近负极6的一端，从而减小齐纳芯片 l与负极6之间的金丝4的长度，避免阻挡LED芯片2的发光，不会 影响发光效果；也不会与连接LED芯片2和负极6的金线或铝线发生 短路，使用稳定性提高；且本实用新型可设置在普通的支架3上，适 用性强。以上实施例仅为说明本实用新型的技术思想，不能以此限定 本实用新型的保护范围，凡是按照本实用新型提出的技术思想，在技 术方案基础上所做的任何改动，均落入本实用新型保护范围之内。
权利要求1、一种GaN基LED芯片的ESD防护结构，GaN基LED芯片装设在支架上，并使用金线或铝线将LED芯片电连接在支架的两极，其特征在于还包括齐纳芯片与金丝，齐纳芯片设置在支架靠近负极的一端，并与支架正极电连接，齐纳芯片还与负极通过金丝连接。
2、 如权利要求l所述的GaN基LED芯片的ESD防护结构，其特 征在于所述齐纳芯片借助导电胶将其底部电连接于支架。
专利摘要本实用新型公开一种GaN基LED芯片的ESD防护结构，GaN基LED芯片装设在支架上，并使用金线或铝线将LED芯片电连接在支架的两极，所述ESD防护结构包括齐纳芯片与金丝，齐纳芯片设置在支架靠近负极的一端，并与支架正极电连接，齐纳芯片还与负极通过金丝连接。此结构不会影响LED芯片的发光效果，且使用范围广，使用稳定性高。
文档编号H01L33/00GK201369340SQ200920136650
公开日2009年12月23日 申请日期2009年2月6日 优先权日2009年2月6日
发明者郑智斌, 陶海青 申请人:厦门华联电子有限公司