专利名称：无基岛多圈多芯片倒装封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，属于半导体封装技术领域。
背景技术：
传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程如下所示步骤一、参见图3，取一玻璃纤维材料制成的基板，步骤二、参见图4，在玻璃纤维基板上所需的位置上开孔，步骤三、参见图5，在玻璃纤维基板的背面披覆一层铜箔，步骤四、参见图6，在玻璃纤维基板打孔的位置填入导电物质，步骤五、参见图7，在玻璃纤维基板的正面披覆一层铜箔，步骤六、参见图8，在玻璃纤维基板表面披覆光阻膜，步骤七、参见图9，将光阻膜在需要的位置进行曝光显影开窗，步骤八、参见图10，将完成开窗的部分进行蚀刻，步骤九、参见图11，将基板表面的光阻膜剥除，步骤十、参见图12，在铜箔线路层的表面进行防焊漆(俗称绿漆)的披覆，步骤十一、参见图13，在防焊漆需要进行后工序的装片以及打线键合的区域进行开窗，步骤十二、参见图14，在步骤十一进行开窗的区域进行电镀，相对形成基岛和引脚，步骤十三、完成后续的装片、打线、包封、切割等相关工序。上述传统高密度基板封装结构存在以下不足和缺陷I、多了一层的玻璃纤维材料，同样的也多了一层玻璃纤维的成本；2、因为必须要用到玻璃纤维，所以就多了一层玻璃纤维厚度约10(Tl50Mm的厚度空间；3、玻璃纤维本身就是一种发泡物质，所以容易因为放置的时间与环境吸入水分以及湿气，直接影响到可靠性的安全能力或是可靠性的等级；4、玻璃纤维表面被覆了一层约5(Tl00Mffl的铜箔金属层厚度，而金属层线路与线路的蚀刻距离也因为蚀刻因子的特性只能做到5(Tl00Mffl的蚀刻间隙(参见图15，最好的制作能力是蚀刻间隙约等同于被蚀刻物体的厚度)，所以无法真正的做到高密度线路的设计与制造；5、因为必须要使用到铜箔金属层，而铜箔金属层是采用高压粘贴的方式，所以铜箔的厚度很难低于50Mm的厚度，否则就很难操作如不平整或是铜箔破损或是铜箔延展移位等等；6、也因为整个基板材料是采用玻璃纤维材料，所以明显的增加了玻璃纤维层的厚度10(Tl50Mm，无法真正的做到超薄的封装；[0023]7、传统玻璃纤维加贴铜箔的工艺技术因为材质特性差异很大(膨胀系数)，在恶劣环境的工序中容易造成应力变形，直接的影响到元件装载的精度以及元件与基板粘着性与
可靠性。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，其工艺简单，不需使用玻璃纤维层，减少了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了玻璃纤维材料带来的环境污染，而且金属基板线路层采用的是电镀方法，能够真正做到高密度线路的设计和制造。本实用新型的目的是这样实现的一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，它包括引脚和芯片，所述芯片有多个，所述多个芯片倒装于引脚正面，所述芯片底部与引脚正面之间设置有底部填充胶，所述引脚外围的区域、引脚与引脚之间的区域、引脚上部和引脚下部 的区域以及芯片外均包封有塑封料，所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔，所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球，所述金属球与引脚背面相接触，所述引脚有多圈。所述金属球与引脚背面之间设置有金属保护层。所述引脚包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层、钛层或铜层。与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果I、本实用新型不需要使用玻璃纤维层，所以可以减少玻璃纤维层所带来的成本；2、本实用新型没有使用玻璃纤维层的发泡物质，所以可靠性的等级可以再提高，相对对封装体的安全性就会提高；3、本实用新型不需要使用玻璃纤维层物质，所以就可以减少玻璃纤维材料所带来的环境污染；4、本实用新型的二维金属基板线路层所采用的是电镀方法，而电镀层的总厚度约在l(Tl5Mffl，而线路与线路之间的间隙可以轻松的达到25Mm以下的间隙，所以可以真正地做到高密度内引脚线路平铺的技术能力；5、本实用新型的二维金属基板因采用的是金属层电镀法，所以比玻璃纤维高压铜箔金属层的工艺来得简单，且不会有金属层因为高压产生金属层不平整、金属层破损以及金属层延展移位的不良或困惑；6、本实用新型的二维金属基板线路层是在金属基材的表面进行金属电镀，所以材质特性基本相同，所以镀层线路与金属基材的内应力基本相同，可以轻松的进行恶劣环境的后工程(如高温共晶装片、高温锡材焊料装片以及高温被动元件的表面贴装工作)而不容易产生应力变形。
图I为本实用新型一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构的示意图。图2为图I的俯视图。图:T图14为传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程的各工序示意图。[0038]图15为玻璃纤维表面铜箔金属层的蚀刻状况示意图。其中引脚I芯片2塑封料3小孔4金属保护层5金属球6底部填充胶7。
具体实施方式
参见图I、图2，本实用新型一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，它包括引脚I和芯片2，所述芯片2有多个，所述多个芯片2倒装于引脚I正面，所述芯片2底部与引脚I正面之间设置有底部填充胶7，所述引脚I外围的区域、引脚I与引脚I之间的区域、引脚I上部和引脚I下部的区域以及芯片2外均包封有塑封料3，所述引脚I下部的塑封料3表面上开设有小孔4，所述小孔4与引脚I背面相连通，所述小孔4内设置有金属球6，所述金属球6与引脚I背面相接触。所述金属球6与引脚I背面之间设置有金属保护层5，所述金属保护层5为抗氧化剂，所述引脚I有多圈。所述金属球6材料采用锡或是锡合金。所述底部填充胶7采用环氧树脂。所述引脚I包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层、钛层或铜层。
权利要求1.一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，其特征在于它包括引脚(I)和芯片(2)，所述芯片(2)有多个，所述多个芯片(2)倒装于引脚(I)正面，所述芯片(2)底部与引脚(I)正面之间设置有底部填充胶(7)，所述引脚(I)外围的区域、引脚(I)与引脚(I)之间的区域、引脚(I)上部和引脚(I)下部的区域以及芯片(2)外均包封有塑封料(3)，所述引脚(I)下部的塑封料(3)表面上开设有小孔(4)，所述小孔(4)与引脚(I)背面相连通，所述小孔(4)内设置有金属球(6)，所述金属球(6)与引脚(I)背面相接触，所述引脚(I)有多圈。
2.根据权利要求I所述的一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，其特征在于所述金属球(6 )与引脚(I)背面之间设置有金属保护层(5 )。
3.根据权利要求I所述的一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，其特征在于所述引脚(I)包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层、钛层或铜层。
专利摘要本实用新型涉及一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，它包括引脚(1)和芯片(2)，所述芯片(2)有多个，所述多个芯片(2)倒装于引脚(1)正面，所述芯片(2)底部与引脚(1)正面之间设置有底部填充胶(7)，所述引脚(1)外围的区域、引脚(1)与引脚(1)之间的区域、引脚(1)上部和引脚(1)下部的区域以及芯片(2)外均包封有塑封料(3)，所述引脚(1)下部的塑封料(3)表面上开设有小孔(4)，所述小孔(4)内设置有金属球(6)，所述金属球(6)与引脚(1)背面相接触，所述引脚(1)有多圈。本实用新型的有益效果是降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。
文档编号H01L23/31GK202564343SQ201220204460
公开日2012年11月28日 申请日期2012年5月9日 优先权日2012年5月9日
发明者王新潮, 李维平, 梁志忠 申请人:江苏长电科技股份有限公司