专利名称：陶瓷基大功率红绿蓝led的封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种LED的封装结构，尤其涉及一种陶瓷基大功率LED的封装结 构，属于照明技术领域。
背景技术：
目前，白光LED(发光二极管)作为一种新型节能灯光源，以其能耗低、寿命长、亮 度高、响应时间短等优点开始得到广泛的应用。大功率白光LED普遍采用蓝色晶片涂敷荧 光粉的方法，当荧光粉受蓝光激发后发出黄色光，蓝光和黄光混合形成白光。此种方法所带 来的不足是无法实现高光效与高显色性。近来使用RGB(红、绿、蓝)三原色晶片发出的红、 绿、蓝三种光混合成白光，但传统结构封装的RGB大功率晶片，又带来混色不均的缺陷。因 此，提供一种新型封装结构的红绿蓝LED解决混色不均的缺陷尤为重要。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种红绿蓝LED的封装结构，此种封装结构能避免传 统封装结构存在的混色不均缺陷。 本实用新型的目的通过以下技术方案予以实现 —种陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，包括陶瓷基板1、红色晶片2、绿色晶片 3、蓝色晶片4、金线6、散热热沉8，电路及反射层10通过蚀刻镀银方式设置在陶瓷基板1之 上，散热热沉8位于陶瓷基板1下侧的固晶区域，所述三种晶片通过金线6分别连接到陶瓷 基板1的电路上；所述陶瓷基板1分二层压合形成凹杯形反射腔体7，高导热银胶5将红色 晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔体7之中，反射腔 体7内注入透明硅胶9覆盖金线6和所述三种晶片，6只引脚10分别设置在陶瓷基板1的 边缘。 本实用新型的目的还可以通过以下技术措施进一步予以实现 前述的陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，其中所述陶瓷基板l的厚度为 0. 5 lmm，长、宽为3 5mm ;所述陶瓷基板1的导热率为170w/m. K以上，银胶5导热率为 20w/m. K以上。 本实用新型的有益效果是由于本实用新型的陶瓷基板分二层压合形成凹杯形反 射腔体7，红、绿、蓝晶片侧部所发出的光通过反射腔体从正向射出，能充分混合红、绿、蓝三 基色，出光均匀，避免了传统封装结构混光不均匀现象。由于本实用新型陶瓷基板的导热率 高达170w/m.K以上，且陶瓷基板下设有高导热率的铜质或铝质的散热热沉，有利于大功率 晶片的散热。陶瓷基板热形变系数极低，可切割成厚度在0. 5 lmm，长宽在3 5mm的微 小的单个发光单元，易于实现微型化。
图1是本实用新型的俯视结构示意图；[0010] 图2是图1的A-A剖视图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。 如图1、图2所示，本实用新型包括陶瓷基板l、边长在30mil(lmil = 1/1000英寸 =0. 0254mm)以上的红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4、金线6、散热热沉8，电路及反射 层10通过蚀刻镀银方式设置在陶瓷基板1之上，散热热沉8位于陶瓷基板1下侧的固晶区 域，红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4分别用金线6焊接到陶瓷基板1的电路上，6只引脚 10分别设置在陶瓷基板1的边缘，分开单独控制红、绿、蓝三种颜色的发光晶片。陶瓷基板 1分二层压合形成凹杯形反射腔体7，红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4侧部所发出的光 通过反射腔体7从正向射出，能充分混合红、绿、蓝三基色，出光均匀，混光效果好。高导热 银胶5将红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔体 7之中，反射腔体7内注入透明硅胶9覆盖金线6和红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4，并 进行烘烤固化，红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4三种晶片发光经充分混合形成白光，也 可根据发光颜色需求，调节红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4三种晶片的驱动电流，混合 成不同的颜色。 本实用新型采用的陶瓷基板导热率高达170w/m.K以上，银胶导热率达到20w/ m. k，有利于大功率晶片的散热。并且陶瓷基板热形变系数极低，可将本实用新型其切割成 厚度在0. 5 lmm，长宽尺寸在3 5mm的微小的单个发光单元，易于实现红绿蓝LED产品 的微型化。 除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式，凡采用等同替换或等效变 换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围内。
权利要求一种陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，包括陶瓷基板(1)、红色晶片(2)、绿色晶片(3)、蓝色晶片(4)、金线(6)、散热热沉(8)，电路及反射层(10)通过蚀刻镀银方式设置在陶瓷基板(1)之上，散热热沉(8)位于陶瓷基板(1)下侧的固晶区域，红色晶片(2)、绿色晶片(3)和蓝色晶片(4)、通过金线(6)分别连接到陶瓷基板(1)的电路上；其特征在于，所述陶瓷基板(1)分二层压合形成凹杯形反射腔体(7)，高导热银胶(5)将红色晶片(2)、绿色晶片(3)和蓝色晶片(4)呈品字形固定在陶瓷基板(1)凹杯形反射腔体(7)之中，反射腔体(7)内注入透明硅胶(9)覆盖金线(6)和红色晶片(2)、绿色晶片(3)、蓝色晶片(4)，6只引脚(10)分别设置在陶瓷基板(1)的边缘。
2. 如权利要求1所述的陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基 板(1)的厚度为0. 5 lmm，长、宽为3 5mm。
3. 如权利要求1或2所述的陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，其特征在于，所述陶 瓷基板(1)的导热率为170w/m. K以上，银胶(5)导热率为20w/m. K以上。
专利摘要本实用新型公开了一种陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，包括陶瓷基板1、红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4、金线6、散热热沉8，电路及反射层10通过蚀刻镀银方式设置在陶瓷基板1之上，散热热沉8位于陶瓷基板1下侧的固晶区域，陶瓷基板1分二层压合形成凹杯形反射腔体7，银胶5将红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔体7之中，前述三种晶片通过金线6分别连接到陶瓷基板1的电路上；反射腔体7内注入透明硅胶9覆盖金线6和三种晶片，6只引脚10分别设置在陶瓷基板1的边缘。本实用新型能充分混合RGB三基色，混光均匀，陶瓷基板有利于大功率晶片的散热及实现微型化。
文档编号H01L23/13GK201549499SQ20092018820
公开日2010年8月11日 申请日期2009年10月13日 优先权日2009年10月13日
发明者胡建红 申请人:中外合资江苏稳润光电有限公司