专利名称：一种降低多晶制绒反射率的方法
技术领域：
本发明涉及一种降低多晶制绒反射率的方法。
背景技术：
太阳能电池发展的重心已经从单晶向多晶方向发展，提高太阳能转换效率是太阳 能电池制造领域所要考虑的重要问题，一般采用降低太阳能电池片表面的反射率来提高光 电转换效率，对于单晶硅，可应用各向异性化学腐蚀的方法在表面形成金字塔状的绒面结 构，降低表面的反射率，但是对于多晶硅，由于其晶向偏离，一般无法用常规的方法形成金 字塔状的绒面，常规的多晶硅太阳能电池主要采用酸制绒的方式形成酸制绒绒面，但这种 酸制绒绒面的反射率较高，一般在20% 25%，大大地影响了太阳能电池的转换效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种降低多晶制绒反射 率的方法，用其方法制作的多晶片表面的反射率较低，用其多晶片制作的太阳能电池的转 换效率较高。 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种降低多晶制绒反射率的方法， 用于降低多晶片表面制绒后的反射率，具有以下步骤 A、酸制绒采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面 腐蚀深度为3 5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面； B、碱制绒将已进行酸制绒处理的多晶片放入O. 1% 10X的K0H溶液或Na0H溶 液中处理10 30分钟，溶液温度为70 100度，多晶片〈100〉面形成金字塔形的金字塔 绒面。 本发明的有益效果是采用本发明的方法可以使多晶片表面同时得到金字塔绒面 和酸制绒绒面，金字塔绒面的反射率远低于酸制绒绒面的反射率，所以采用本发明的方法 制成的多晶片表面的反射率较低，用其多晶片制作的太阳能电池的转换效率较高。
具体实施例方式
—种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，具有以 下步骤 A、酸制绒采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面 腐蚀深度为3 5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面，酸制绒绒面的反射率在20% 25%;
B、碱制绒将已进行酸制绒处理的多晶片放入O. 1% 10X的K0H溶液或Na0H溶 液中处理10 30分钟，溶液温度为70 100度，多晶片〈100〉面形成金字塔形的金字塔 绒面。 金字塔绒面的反射率远低于酸制绒绒面的反射率，这样就可以降低多晶片的整体 反射率。
权利要求
一种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，其特征在于具有以下步骤A、酸制绒采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面腐蚀深度为3～5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面；B、碱制绒将已进行酸制绒处理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中处理10～30分钟，溶液温度为70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔绒面。
全文摘要
本发明涉及一种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，具有以下步骤A、酸制绒采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面腐蚀深度为3～5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面；B、碱制绒将已进行酸制绒处理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中处理10～30分钟，溶液温度为70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔绒面。采用本发明的方法制成的多晶片表面的反射率较低，用其多晶片制作的太阳能电池的转换效率较高。
文档编号H01L31/18GK101794843SQ201010129489
公开日2010年8月4日 申请日期2010年3月15日 优先权日2010年3月15日
发明者张军 申请人:常州天合光能有限公司