一种能提高多晶铸锭炉半融工艺籽晶面积的多晶铸锭炉的制作方法

本实用新型涉及一种能提高多晶铸锭炉半融工艺籽晶面积的多晶铸锭炉。

背景技术：

多晶铸锭领域目前被广泛应用的是底部铺小碎料的半熔工艺，此工艺是硅料在多晶铸锭炉内熔化时，使硅料从上往下逐步熔化，熔化到达底部铺底的碎料层时停止熔化进入晶体生长阶段，有了细碎硅料充当籽晶的引晶作用，定向生长的晶体晶粒大小均匀，很好的保证多晶硅片的光电装换效率。然而此种工艺技术十分依赖底部籽晶面积的保有大小，一般情况下，降低主熔温度或者提升铸锭炉热屏加大散热可以减少底部籽晶边缘的受热，可以保证籽晶合格的籽晶面积，但部分G6多晶铸锭炉侧部加热器发热功率较大，导致及时打开热屏或降低主熔温度后，底部籽晶边缘仍然被熔，籽晶面积保有不足，边缘硅块没有籽晶引晶，晶粒杂乱，位错高，所处硅片的转换效率低。

技术实现要素：

本实用新型其目的就在于提供一种能提高多晶铸锭炉半融工艺籽晶面积的多晶铸锭炉，解决了多晶铸锭炉侧部加热器发热量过大时对底部边缘籽晶辐射热量过多、以及热量不能及时散出导致籽晶面积不足的问题，具有提高晶锭底部高温区的籽晶面积、引晶效果良好的特点。

实现上述目的而采取的技术方案，包括隔热笼框架，所述隔热笼框架下端设有加高保温条，加高保温条下端设有底部石墨板，所述底部石墨板上端设有石墨立柱，石墨立柱上端设有正方形凸台结构的定向凝注块，所述定向凝注块的凸台四周的三个面上均设有定向凝注块保温板，定向凝注块上端设有石墨底板，石墨底板上端设有坩埚，坩埚外侧设有隔热笼保温板，所述坩埚上端设有C-C盖板，C-C盖板上端设有隔热笼C-C板。

有益效果

与现有技术相比本实用新型具有以下优点。

1.提高晶锭底部高温区的籽晶面积。

2.引晶效果良好。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步详述。

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型中加高保温条结构示意图；

图3为本实用新型中加高保温条结构三视图。

具体实施方式

本装置包括隔热笼框架1，如图1所示，所述隔热笼框架1下端设有加高保温条12，加高保温条12下端设有底部石墨板10，所述底部石墨板10上端设有石墨立柱9，石墨立柱9上端设有正方形凸台结构的定向凝注块11，所述定向凝注块11的凸台四周的三个面上均设有定向凝注块保温板8，定向凝注块11上端设有石墨底板7，石墨底板7上端设有坩埚5，坩埚5外侧设有隔热笼保温板4，所述坩埚5上端设有C-C盖板3，C-C盖板3上端设有隔热笼C-C板2。

所述加高保温条12为4条，且其横截面为“L”型，加高保温条12垂直面位于隔热笼框架1内侧，加高保温条12垂直面一端高于另一端。

本实用新型中加高保温条12设计为三部分，如图2、图3所示，第一部分：将加高保温条12的A1面高度从原来的40mm更改为40-120mm高，靠近A1面(长边)的高度为40--120mm，靠近A3面(短边)的高度为40--80mm,A4面加高保温条高度更改为40--120cm；将组成定向凝注块保温板8的A1、A2、A3、A4面中的A1面定向凝注块保温板8撤销，俯视变为”凹”型。第二部分：增加A1面加高保温条12的高度能够有效的阻挡A1侧部加热器对边缘热量辐射过大的问题，A2、A4面加高保温条的倾斜设计能够引导热量向A3面集中，平衡A1、A3面的热量；由于熔化阶段隔热笼是处于开屏状态，将定向凝注块保温板8由“回”型变为“凹”型，使得底部散热位置向高温区(A1面)偏移，A1面高温区积存更少的热量，平衡高低温区的热量辐射配合增加高温区的热量散失，从而有效的改善底部籽晶面积。第三部分：将隔热笼加高保温条12拆除， A2、A4面更换为均是高度长的一边对A1面，A3面部安装加高保温条12，用钼丝将3根保温条固定在隔热笼上，且不向隔热笼内部凸出，将向凝注块保温板8的A1面底部保温板拆除。