本实用新型涉及一种晶体生长工艺装置，特别涉及一种基于多晶碎片铺地的晶体生长工艺装置。
背景技术：
物质在一定温度、压力、浓度、介质、pH等条件下由气相、液相、固相转化，形成特定线度尺寸晶体的过程称为晶体生长，晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大，一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段，分别为介质达到过饱和、过冷却阶段，成核阶段，生长阶段，过饱和、过冷却状态的出现，并不意味着整个体系的同时结晶，体系内各处首先出现瞬时的微细结晶粒子，这时由于温度或浓度的局部变化，外部撞击，或一些杂质粒子的影响，都会导致体系中出现局部过饱和度、过冷却度较高的区域，使结晶粒子的大小达到临界值以上，形成晶体核，由于晶体生长过程中，会生成不同的晶面，不同的晶面对环境的有求也不一样，同时加热效果不好，还浪费严重，并且晶体还会因为不均匀受热导致晶体利用率不高等。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种基于多晶碎片铺地的晶体生长工艺装置。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
本实用新型一种基于多晶碎片铺地的晶体生长工艺装置，包括坩埚、辅助加热器、导光玻璃片、伺服电机a、温度计、进料口、过滤网、主加热器、支架、长晶器、转盘、滑轮、转轴、冷却水管道、隔热层、热门、热交换器、保温层、外护板和伺服电机b，所述坩埚的两侧均设置辅助加热器，所述辅助加热器的一侧设置有导光玻璃片，所述辅助加热器与伺服电机a电性连接，所述坩埚的顶部设置有温度计，所述温度计的一侧设置有进料口，所述进料口的内部设置有过滤网，所述坩埚的底部设置有主加热器，所述主加热器的两侧设置有支架，所述主加热器的底部设置有长晶器，所述长晶器的底部设置有转盘，所述转盘的外侧设置有滑轮，所述转盘的内部设置有转轴。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述温度计的一侧设置有冷却水管道，所述转盘的两侧均设置有隔热层。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述转盘的底部设置有热门，所述热门的底部设置有热交换器。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述坩埚的外侧设置有保温层，所述保温层的外侧设置有外护板。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述热交换器与伺服电机b电性连接。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
本实用新型通过设置导光玻璃片观察晶体生长的过程，来决定辅助加热器的大小，从而能够提高晶体的生长效率，根据温度计上的温度读数来了解温度的变化情况，以控制坩埚是否过冷却，提高晶体的成核速度，通过转轮带动转轴转动，进而对坩埚内的晶体进行充分加热，提高热能效率，在进料口设置过滤网，用来过滤杂质，用来提高晶体的纯度。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1是本实用新型的整体结构示意图；
图中：1、坩埚；2、辅助加热器；3、导光玻璃片；4、伺服电机a；5、温度计；6、进料口；7、过滤网；8、主加热器；9、支架；10、长晶器；11、转盘；12、滑轮；13、转轴；14、冷却水管道；15、隔热层；16、热门；17、热交换器；18、保温层；19、外护板；20、伺服电机b。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例1
如图1所示，本实用新型提供一种基于多晶碎片铺地的晶体生长工艺装置，包括坩埚1、辅助加热器2、导光玻璃片3、伺服电机a4、温度计5、进料口6、过滤网7、主加热器8、支架9、长晶器10、转盘11、滑轮12、转轴13、冷却水管道14、隔热层15、热门16、热交换器17、保温层18、外护板19和伺服电机b20，坩埚1的两侧均设置辅助加热器2，辅助加热器2的一侧设置有导光玻璃片3，辅助加热器2与伺服电机a4电性连接，坩埚1的顶部设置有温度计5，温度计5的一侧设置有进料口6，进料口6的内部设置有过滤网7，坩埚1的底部设置有主加热器8，主加热器8的两侧设置有支架9，主加热器8的底部设置有长晶器10，长晶器10的底部设置有转盘11，转盘11的外侧设置有滑轮12，转盘11的内部设置有转轴13。
进一步的，温度计5的一侧设置有冷却水管道14，转盘11的两侧均设置有隔热层15，方便对整体温度的控制。
进一步的，转盘11的底部设置有热门16，热门16的底部设置有热交换器17，可以提高热能效率。
进一步的，坩埚1的外侧设置有保温层18，保温层18的外侧设置有外护板19，可以保证整体的温度不受环境的影响。
进一步的，热交换器17与伺服电机b20电性连接，方便对热交换器的控制。
具体的，在使用时，通过进料口6进料，然后经过过滤网7进入坩埚1，通过导光玻璃片3来观察晶体生长的过程，由于晶体生长过程中有不同的梯度，所需要的温度情况不一样，所以再根据晶体生长过程的各种情况决定辅助加热器2的大小，从而能够提高晶体的生长效率，通过冷却水管道14对坩埚1进行冷却，然后根据温度计5上的温度读数来了解温度的变化情况，以控制坩埚1是否有过冷却现象，提高晶体的成核速度，通过滑轮12带动转轴13转动，使上面的主加热器8一起转动，进而对坩埚1内的晶体进行充分加热，防止加热不均匀出现部分晶体没有转换或转换过慢的情况。
本实用新型通过设置导光玻璃片3观察晶体生长的过程，来决定辅助加热器2的大小，从而能够提高晶体的生长效率，根据温度计5上的温度读数来了解温度的变化情况，以控制坩埚1是否有过冷却的现象，提高晶体的成核速度，通过滑轮12带动转轴13转动，进而对坩埚1内的晶体进行充分加热，提高热能效率，在进料口6设置过滤网7，用来过滤杂质，用来提高晶体的纯度。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。