专利名称：一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法
技术领域：
本发明属于微电子器件技术领域，具体涉及半导体器件和相关工艺制备方法，更 具体的说，涉及场效应晶体管的其制备方法。
背景技术：
M0S场效应晶体管(M0SFET)是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称，是利 用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称 为单极型晶体管。M0S场效应晶体管可以用半导体硅、锗为材料，也可用化合物半导体砷化 镓等材料制作，目前以使用硅材料的最多。通常M0S场效应晶体管由半导体衬底、源区和漏 区、栅氧化层以及栅电极等几个主要部分组成，其基本结构一般是一个四端器件，它的中间 部分是由金属_绝缘体_半导体组成的M0S电容结构，M0S电容的两侧分别是源区和漏区， 在正常的工作状态下，载流子从源区流入，从漏区流出，绝缘层上为栅极，在栅极上施加电 压，可以改变绝缘层中的电场强度，控制半导体表面电场，从而改变半导体表面沟道的导电 能力。混合结由肖特基结和PN结混合构成，具有工作电流高、开关速度快、漏电流较小、 击穿电压较高等优点。不对称型源漏场效应晶体管源区与漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个 由混合结构成，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。该种晶体管具有较低的泄漏电 流，同时其源漏串联电阻比传统重掺杂PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻要小。
发明内容
本发明的目的是提供一种制备不对称型源漏场效应晶体管的方法。本发明中，所述不对称型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、分别为混 合结和PN结的源区和漏区，所述源区与漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由混 合结构成，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。本发明提供的不对称型源漏场效应晶体管的制备方法包括如下步骤a，提供一个半导体衬底，用浅槽隔离工艺形成隔离结构；b，形成第一绝缘介质层，接着在所述第一绝缘介质层上形成一个电极层，然后通 过光刻、刻蚀工艺对所述电极层和所述第一绝缘层进行图形化刻蚀从而形成栅极结构和源 区及漏区两侧的伪栅结构，并形成对应于源极和漏极区域的第一窗口和第二窗口且第二窗 口的宽度小于第一窗口的宽度；c，淀积形成第二绝缘介质层且其厚度小于所述第二窗口宽度的一半；d，利用选择性各向异性刻蚀工艺对所述第二绝缘介质层进行刻蚀，从而沿着所述 第一窗口和第二窗口两侧形成侧墙结构；e，进行第一次离子注入，选择注入倾斜角度使所述第一窗口区域内所述半导体衬 底有离子到达而所述第二窗口区域内所述半导体衬底没有离子到达，进行退火使注入的离
4子激活，在所述第一窗口区域内所述半导体衬底中形成PN结；f，进行第二次离子注入，选择注入倾斜角度使所述第二窗口区域内所述半导体衬 底部分有离子到达，进行退火使注入的离子激活，在所述第二窗口区域内的所述半导体衬 底形成PN结，在所述第一窗口区域内所述半导体衬底中形成高浓度掺杂区域且该区域包 含在第一次离子注入形成的区域内；g，淀积一金属层，退火后所述金属层和所述第一及第二窗口区域内暴露出来的所 述半导体衬底反应形成金属半导体化合物导体层，除去未与上述半导体衬底反应的所述金属层。优选地，所述源区形成于所述第一窗口区域而所述漏区形成于所述第二窗口区 域，或者所述源区形成于所述第二窗口区域而所述漏区形成于所述第一窗口区域。优选地，所述半导体衬底是硅、锗、锗硅合金、S0I结构或G0I结构所述半导体衬底 的掺杂浓度在1*1014到l*1019cm_3之间。优选地，所述第一绝缘介质层为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或铪基高介电常数介质 材料。优选地，所述的电极层包含至少一个导电层，所述导电层为多晶硅、氮化钛、氮化 钽、钨金属、金属硅化物中的任意一种或者为它们之间的多层结构。优选地，通过所述第二次离子注入在所述半导体衬底中形成的杂质峰值浓度不低 于 l*1019cnT3。优选地，所述金属层为镍、钴、钛、钼中的任意一种或者为它们之间的混合物。优选地，所述金属半导体化合物导体层为硅化镍、锗化镍、硅化钴、锗化钴、硅化 钛、锗化钛、硅化钼、锗化钼中的任意一种或者它们之间的混合物。本发明提供的的不对称型源漏场效应晶体管制备方法还可以将所属步骤c-步骤 e替换为下列步骤进行第一次离子注入，选择注入倾斜角度使所述第一窗口区域内所述半导体衬底 有离子到达而所述第二窗口区域内所述半导体衬底没有离子到达，进行退火使注入的离子 激活，在所述第一窗口区域内的所述半导体衬底中形成PN结；淀积形成第二绝缘介质层且其厚度应小于所述第二窗口宽度的一半；利用选择性各向异性刻蚀工艺对所述第二绝缘介质层进行刻蚀，从而沿着所述第 一窗口和第二窗口两侧形成侧墙结构。本发明提供的的不对称型源漏场效应晶体管制备方法还可以将所属步骤f 替换 为下列步骤进行第二次离子注入并进行退火使注入的离子激活，在所述第二窗口区域内的所 述半导体衬底形成PN结，在所述第一窗口区域内所述半导体衬底中形成高浓度掺杂区域 且该区域包含在第一次离子注入形成的区域内；刻蚀除去所述侧墙结构，淀积形成第三绝缘层且其厚度小于第二绝缘层；利用选择性各向异性刻蚀工艺对所述第三绝缘介质层进行刻蚀，从而沿着所述第 一窗口和第二窗口两侧形成第二侧墙结构。本发明的内容和特点，将经过下面的的
进行详细的说明。
图1是本发明一个实例中使用的半导体衬底在形成浅槽隔离结构后的截面示意 图。图2是在半导体衬底上形成第一绝缘介质层后的截面示意图。图3是在半导体衬底上形成电极层后的截面示意图。图4是通过光刻和刻蚀方法形成窗口后的截面示意图。图5是淀积形成第二绝缘介质层后的截面示意图。图6是进行刻蚀步骤形成第一侧墙结构后的截面示意图。图7是进行第一次离子注入并退火后的截面示意图。图8是进行第二次离子注入并退火后的截面示意图。图9是淀积金属层后的截面示意图。图10是退火并除去金属层后形成的不对称型源漏场效应晶体管的截面示意图。图11是本发明另一个实例中第一次离子注入并退火后的截面示意图。图12是本发明另一个实例中淀积形成第二绝缘介质层后的截面示意图。图13是本发明又一个实例中第二次离子注入并退火后的截面示意图。图14是本发明又一个实例中刻蚀除去侧墙后的截面示意图。图15是本发明又一个实例中淀积形成第三绝缘介质层后的截面示意图。图16是本发明又一个实例中刻蚀形成第二侧墙结构后的截面示意图。图17是本发明又一个实例中淀积金属层后的截面示意图。图18是本发明又一个实例中退火并除去金属层后形成的不对称型源漏场效应晶 体管的截面示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明提出的不对称型源漏场效应晶体管制备工艺进行详细的 描述。后面的描述中，相同的附图标记表示相同的组件，对其重复描述将省略。在后面的参 考附图中，为了方便说明，放大或者缩小了不同层和区域的尺寸，所以所示大小并不一定代 表实际尺寸，也不反映尺寸的比例关系。应当注意的是在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差 别的实施例。应当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的 具体实例。下面描述根据本发明制备不对称型源漏场效应晶体管的一个实例图1是本发明一个实例中使用的半导体衬底形成浅槽隔离结构后的截面示意图。 首先准备硅衬底101并完成生长前的各项工艺如清洗和去除硅表面的天然二氧化硅薄层 等。在该实例中，所述的半导体衬底为单晶硅。然后使用浅槽隔离工艺在晶体管周围制造 隔离结构102。如图2所示，首先在衬底上形成第一绝缘介质层203。然后再在第一绝缘介质层 203上形成一层电极层304，此时截面形状如图3所示。如图4所示，通过光刻和刻蚀工艺对电极层和第一绝缘介质层进行图形化处理， 在将要形成源和漏的区域形成第一窗口和第二窗口，所述源区形成于所述第一窗口区域而所述漏区形成于所述第二窗口区域，或者所述源区形成于所述第二窗口区域而所述漏区形 成于所述第一窗口区域，且第一窗口宽度大于第二窗口。如图5所示，继续淀积形成第二绝缘介质层505。然后使用干法刻蚀工艺对该绝缘 介质层进行各向异性刻蚀，形成侧墙515，515的厚度小于第二窗口的一半，刻蚀后的截面 形状如图6所示。如图7所示，进行第一次离子注入，选择注入倾斜角a，使得所述第一窗口中暴露 的半导体衬底有离子到达而所述第二窗口中暴露的半导体衬底完全没有离子到达，进行退 火使注入的离子激活，在所述第一窗口区域内的半导 体衬底中形成掺杂类型与衬底相反的 区域706，706与衬底101形成PN结。如图8所示，进行第二次离子注入，选择注入倾斜角0，使得所述第二窗口区域内 暴露的半导体衬底不完全有离子到达，进行退火使注入的离子激活，在第二窗口区域内和 第一窗口区域内半导体衬底中形成掺杂类型与衬底相反的高浓度掺杂区域807，在第一窗 口区域内807区域包含在706区域内，在第二窗口区域内807区域与半导体衬底101形成
PN结。如图9所示，在衬底上淀积一金属层908，908为镍、钴、钛、钼中的任意一种或者为 它们之间的混合物。退火后金属层908和第一及第二窗口区域内暴露出来的所述半导体衬底反应形 成金属半导体化合物导体层918，如图十所示，除去剩余未反应的金属层908后导体层918 裸露出来，918为硅化镍、锗化镍、硅化钴、锗化钴、硅化钛、锗化钛、硅化钼、锗化钼中的任意 一种或者为它们之间的混合物。在不偏离本发明精神的基础上，也可以选用其他工艺方法 形成导体层918。下面描述根据本发明制备不对称型源漏场效应晶体管的另一个实例如图1所示，首先准备硅衬底101并完成生长前的各项工艺如清洗和去除硅表面 的天然二氧化硅薄层等。在该实例中，所述的半导体衬底为单晶硅。然后使用浅槽隔离工 艺在晶体管周围制造隔离结构102。如图2所示，在衬底上形成第一绝缘介质层203。然后再在第一绝缘介质层203上 形成一层电极层304，此时截面形状如图3所示。如图4所示，通过光刻和刻蚀工艺对电极层和第一绝缘介质层进行图形化处理， 在将要形成源和漏的区域形成第一窗口和第二窗口，所述源区形成于所述第一窗口区域而 所述漏区形成于所述第二窗口区域，或者所述源区形成于所述第二窗口区域而所述漏区形 成于所述第一窗口区域，且第一窗口宽度大于第二窗口。如图11所示，进行第一次离子注入，选择注入倾斜角a，使得所述第一窗口区域 内暴露的半导体衬底有离子到达而所述第二窗口区域内暴露的半导体衬底完全没有离子 到达，进行退火使注入的离子激活，在所述第一窗口区域内的半导体衬底中形成掺杂类型 与衬底相反的区域706，706与衬底101形成PN结。如图12所示，淀积形成第二绝缘介质层127且其厚度小于所述第二窗口宽度的一 半；如图7所示，使用干法刻蚀工艺对该绝缘介质层进行各向异性刻蚀，形成侧墙 515,515的厚度小于第二窗口的一半。
如图8所示，进行第二次离子注入，选择注入倾斜角0，使得所述第二窗口区域内 暴露的半导体衬底不完全有离子到达，进行退火使注入的离子激活，在第二窗口区域内和 第一窗口区域内半导体衬底中形成掺杂类型与衬底相反的高浓度掺杂区域807，在第一窗 口区域内807区域包含在706区域内，在第二窗口区域内807区域与半导体衬底101形成
PN结。如图9所示，在衬底上淀积一金属层908，908为镍、钴、钛、钼中的任意一种或者为 它们之间的混合物。退火后，金属层908和第一及第二窗口区域内暴露出来的所述半导体衬底反应形 成金属半导体化合物导体层918。如图十所示，除去剩余未反应的金属层908后导体层918 裸露出来，918为硅化镍、锗化镍、硅化钴、锗化钴、硅化钛、锗化钛、硅化钼、锗化钼中的任意 一种或者为它们之间的混合物。在不偏离本发明精神的基础上，也可以选用其他工艺方法 形成导体层918。下面描述根据本发明制备不对称型源漏场效应晶体管的又一个实例如图1所示，首先准备硅衬底101并完成生长前的各项工艺如清洗和去除硅表面 的天然二氧化硅薄层等。在该实例中，所述的半导体衬底为单晶硅。然后使用浅槽隔离工 艺在晶体管周围制造隔离结构102。如图2所示，首先在衬底上形成第一绝缘介质层203。然后再在第一绝缘介质层 203上形成一层电极层304，此时截面形状如图3所示。如图4所示，通过光刻和刻蚀工艺对电极层和第一绝缘介质层进行图形化处理， 在将要形成源和漏的区域形成第一窗口和第二窗口，所述源区形成于所述第一窗口区域而 所述漏区形成于所述第二窗口区域，或者所述源区形成于所述第二窗口区域而所述漏区形 成于所述第一窗口区域，且第一窗口宽度大于第二窗口。如图5所示，继续淀积形成第二绝缘介质层505。然后使用干法刻蚀工艺对该绝缘 介质层进行各向异性刻蚀，形成侧墙515，515的厚度小于第二窗口的一半，刻蚀后的截面 形状如图6所示。如图7所示，进行第一次离子注入，选择注入倾斜角a，使得所述第一窗口区域内 暴露的半导体衬底有离子到达而所述第二窗口区域内暴露的半导体衬底完全没有离子到 达，进行退火使注入的离子激活，在所述第一窗口区域内的半导体衬底中形成掺杂类型与 衬底相反的区域706，706与衬底101形成PN结。如图13所示，进行第二次离子注入并退火使注入的离子激活，在第二窗口区域内 和第一窗口区域内半导体衬底中形成的高浓度掺杂区域807，在第一窗口区域内807区域 包含在706区域内，在第二窗口区域内807区域与半导体衬底101形成PN结。刻蚀除去侧墙515，刻蚀后截面如图14所示。淀积形成第三绝缘层158，158的厚度小于第二绝缘层505，淀积后截面形状如图 15所示。如图16所示，用干法刻蚀工艺对第三绝缘层158进行各向异性刻蚀，形成侧墙 168，侧墙168的厚度小于刻蚀第二绝缘层形成的侧墙515，使得第二窗口区域内区域807周 围有衬底101裸露。如图17所示，淀积一层金属层908，908为镍、钴、钛、钼中的任意一种或者为它们之间的混合物。 退火后，金属层908和第一及第二窗口区域内暴露出来的所述半导体衬底反应形 成金属半导体化合物导体层918。如图18所示，除去剩余未反应的金属层908后导体层918 裸露出来，918为硅化镍、锗化镍、硅化钴、锗化钴、硅化钛、锗化钛、硅化钼、锗化钼中的任意 一种或者为它们之间的混合物。在不偏离本发明精神的基础上，也可以选用其他工艺方法 形成导体层918。
权利要求
一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法，所述不对称型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、分别为混合结和PN结的源区和漏区，所述源区与漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由混合结构成，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成，其特征在于所述方法包括如下步骤a、提供一个半导体衬底，用浅槽隔离工艺形成隔离结构；b、形成第一绝缘介质层，接着在所述第一绝缘介质层上形成一个电极层，然后通过光刻、刻蚀工艺对所述电极层和所述第一绝缘层进行图形化刻蚀从而形成栅极结构和源区及漏区两侧的伪栅结构，并形成对应于源极和漏极区域的第一窗口和第二窗口且第二窗口的宽度小于第一窗口的宽度；c、淀积形成第二绝缘介质层且其厚度小于所述第二窗口宽度的一半；d、利用选择性各向异性刻蚀工艺对所述第二绝缘介质层进行刻蚀，从而沿着所述第一窗口和第二窗口两侧形成侧墙结构；e、进行第一次离子注入，选择注入倾斜角度使所述第一窗口中所述半导体衬底有离子到达而所述第二窗口中所述半导体衬底没有离子到达，进行退火使注入的离子激活，在所述第一窗口处的所述半导体衬底中形成PN结；f、进行第二次离子注入，选择注入倾斜角度使所述第二窗口区域内所述半导体衬底部分有离子到达，进行退火使注入的离子激活，在所述第二窗口区域内的所述半导体衬底形成PN结，在所述第一窗口区域内所述半导体衬底中形成高浓度掺杂区域且该区域包含在第一次离子注入形成的区域内；g、淀积一金属层，退火后所述金属层和所述第一及第二窗口区域内暴露出来的所述半导体衬底反应形成金属半导体化合物导体层，除去未与上述半导体衬底反应的所述金属层。
2.根据权利要求1所述不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述源 区形成于所述第一窗口区域而所述漏区形成于所述第二窗口区域，或者所述源区形成于所 述第二窗口区域而所述漏区形成于所述第一窗口区域。
3.根据权利要求1所述不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于a步骤中 所述半导体衬底是硅、锗、锗硅合金、S0I结构或G0I结构。
4.根据权利要求1所述不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于b步骤中 所述第一绝缘介质层为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或铪基高介电常数介质材料。
5.根据权利要求1所述不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于b步骤中 所述的电极层包含至少一个导电层，所述导电层为多晶硅、氮化钛、氮化钽、钨金属、金属硅 化物中的任意一种，或者为它们之中几种的多层结构。
6.根据权利要求1所述不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于通过所 述第二次离子注入在所述半导体衬底中形成的杂质峰值浓度不低于l*1019cnT3。
7.根据权利要求1所述不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述金 属层为镍、钴、钛、钼中的任意一种，或者为它们之中几种的混合物。
8.根据权利要求1所述不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于所述金 属半导体化合物导体层为硅化镍、锗化镍、硅化钴、锗化钴、硅化钛、锗化钛、硅化钼、锗化钼 中的任意一种，或者它们之中几种的混合物。
9.根据权利要求1所述不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于还包括 将步骤c-e替换为如下步骤进行第一次离子注入，选择注入倾斜角度使所述第一窗口中所述半导体衬底有离子到 达而所述第二窗口区域内所述半导体衬底没有离子到达，进行退火使注入的离子激活，在 所述第一窗口区域内的所述半导体衬底中形成PN结；淀积形成第二绝缘介质层且其厚度应小于所述第二窗口宽度的一半； 利用选择性各向异性刻蚀工艺对所述第二绝缘介质层进行刻蚀，从而沿着所述第一窗 口和第二窗口两侧形成侧墙结构。
10.根据权利要求1所述不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于还包括 将步骤f 替换为如下步骤进行第二次离子注入并进行退火使注入的离子激活，在所述第二窗口区域内的所述半 导体衬底形成PN结，在所述第一窗口区域内所述半导体衬底中形成高浓度掺杂区域且该 区域包含在第一次离子注入形成的区域内；刻蚀除去所述侧墙结构，淀积形成第三绝缘层且其厚度小于第二绝缘层； 利用选择性各向异性刻蚀工艺对所述第三绝缘介质层进行刻蚀，从而沿着所述第一窗 口和第二窗口两侧形成第二侧墙结构。
全文摘要
本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法。通过改变两次离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。所述不对称型源漏场效应晶体管结构的源区和漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由肖特基结和PN结混合构成。
文档编号H01L21/265GK101834141SQ20101016241
公开日2010年9月15日 申请日期2010年4月28日 优先权日2010年4月28日
发明者吴东平, 张世理, 朴颖华 申请人:复旦大学