专利名称：高效晶体硅电池规模化制造方法
技术领域：
本发明涉及一种晶体硅电池的生产方法。
背景技术：
在生产太阳电池的工艺过程中，不可避免地会引起各种沾污，扩散炉的气路系统可引入各种尘埃的沾污，石英炉管会引起钠离子沾污，多次高温循环热处理，易使硅片内部产生热应力。制作太阳电池采用太阳能级硅，材料本身缺陷多，补偿变高，制作过程中，易引入人为的沾污和各种化学试剂的沾污。上述缺陷造成电池效能降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电池效能高的高效晶体硅电池规模化制造方法。本发明的技术解决方案是一种高效晶体硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，其特征是高温烧结是在氮氧气氛下进行，氮氧气氛中氮与氧的重量比为8 15 1。高温烧结处理的温度对于区熔单晶硅电池为950 1200°C，对于直拉硅单晶电池的为800 1000°C，高温烧结处理时间为0. 5 6小时。高温烧结处理时，在硅片进炉时，采取快速进炉，硅片出炉时采取慢速出炉。快速进炉是将同批需高温烧结处理的硅片在2秒 2分钟内完成进炉过程；慢速出炉是将同批需高温烧结处理的硅片在10分钟 20分钟内完成出炉过程。本发明采用的高温烧结处理环境气氛，可有效地使铝原子快速扩散到电池的背表面硅的原子中，在硅中形成大量失配位错，将电池体内的各种金属杂质和体内缺陷吸附到电池的背表面，选择的温度可以更好地达到这一效果；采取快速进炉和慢速出炉的方法，快速进炉是为了恨好地制造缺陷，慢出是为了在整个高温过程中，吸收到“缺陷”中各种金属杂质和体内缺陷，固定在人为制造的“缺陷”中。本发明制成的产品效能高，且不易产生起球、起皱、发黑、炸片等不良现象。下面结合实施例对本发明作进一步说明。实施例1:一种高效区熔单晶硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，高温烧结是在氮氧气氛下进行，氮氧气氛中氮与氧的重量比为8 15 1(可以是8 1或10 1、15 1)。高温烧结处理的温度为950 1200°C (例950°C、1100°C、 1200°C )，高温烧结处理时间为0. 5 6小时(例6小时、3小时、0. 5小时)。高温烧结处理时，在硅片进炉时，采取将同批需高温烧结处理的硅片在2秒 2分钟(例2秒、30秒、 1分钟、2分钟)内完成进炉过程的快速进炉方法，硅片出炉时采取将同批需高温烧结处理的硅片在10分钟 20分钟(例10分钟、15分钟、20分钟)内完成出炉过程的慢速出炉方法。其余步骤同常规晶体硅电池制造步骤，即的产品。实施例2:
一种高效直拉硅单晶电池规模化制造方法，高温烧结处理的温度为800 IOOO0C (例 800°C、900°C、1000°C )，其余同实施例 1。
权利要求
1.一种高效晶体硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理， 其特征是高温烧结是在氮氧气氛下进行，氮氧气氛中氮与氧的重量比为8 15 1。
2.根据权利要求1所述的高效晶体硅电池规模化制造方法，其特征是高温烧结处理的温度对于区熔单晶硅电池为950 1200°C，对于直拉硅单晶电池的为800 1000°C，高温烧结处理时间为0. 5 6小时。
3.根据权利要求1或2所述的高效晶体硅电池规模化制造方法，其特征是高温烧结处理时，在硅片进炉时，采取快速进炉，硅片出炉时采取慢速出炉。
4.根据权利要求4所述的高效晶体硅电池规模化制造方法，其特征是快速进炉是将同批需高温烧结处理的硅片在2秒 2分钟内完成进炉过程；慢速出炉是将同批需高温烧结处理的硅片在10分钟 20分钟内完成出炉过程。
全文摘要
本发明公开了一种高效晶体硅电池规模化制造方法，包括对涂布浆层的硅片进行高温烧结处理，本发明电池效能高，工艺简单，易操作。
文档编号H01L31/18GK102290482SQ20101020418
公开日2011年12月21日 申请日期2010年6月17日 优先权日2010年6月17日
发明者陆兴艳 申请人:陆兴艳