专利名称：发光二极管防水治具以及发光二极管的切割方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种发光二极管防水治具以及一种发光二极管的切割方法。
背景技术：
目前，发光二极管(Light Emitting Diode,LED)因具有功耗低、寿命长、体积小及亮度高等特性已经被广泛应用到很多领域。一般地，发光二极管由封装完毕的发光二极管模组切割而成，并一般采用机械切割法。然而，在机械切割过程，切割用的刀刃与板材之间产生摩擦而升温。因此，在切割过程中，一般需要用液体，如水，以帮助刀刃与板材等降温，以免发光二极管模组在切割过程中受高温破坏。然而，在切割过程中，降温用的液体容易渗入封装体中，从而影响发光二极管的性能参数。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可防水的发光二极管防水治具以及一种发光二极管的切割方法。一种发光二极管防水治具，其用于在切割发光二极管模组时，对发光二极管模组的基板上的多个发光二极管进行防水保护。该防水治具具有一表面，且该表面上具有多个向该防水治具内延伸的以分别防水收容所述多个发光二极管的第一凹槽。一种发光二极管的切割方法，其包括提供一个发光二极管模组，其包括一基板， 以及封装在该基板上的多个发光二极管，每个发光二极管包括有设置在该基板上的发光二极管芯片，围绕该发光二极管芯片的反射杯，以及设置在该发光二极管芯片出光面的封装体，每个反射杯具有一外侧壁；提供一个防水治具，该防水治具具有一第一表面，且该第一表面上具有多个向该防水治具内延伸的第一凹槽，该第一凹槽具有一内表面；将该防水治具套设在该发光二极管模组上，以使该防水治具的内表面与该反射杯的外侧壁紧密接触； 切割该基板以形成多个发光二极管封装结构。所述发光二极管防水治具以及一种发光二极管的切割方法均采用了防水治具，该防水治具包括的第一凹槽与该发光二极管模组包括反射杯的外侧壁紧密接触，因此，在切割过程中，可有效的防止水等液体透过该发光二极管模组的反射杯与封装体进入该发光二极管芯片。
图1是本发明实施例的发光二极管防水治具与发光二极管模组的剖面分解示意图。图2是图1的发光二极管防水治具与发光二极管模组相配合的剖面示意图。图3是本发明一种发光二极管的切割方法的流程图。
主要元件符号说明
防水治具100
本体10
上表面101
下表面102
内侧壁13
底面14
支撑部15
第二凹槽16
发光二极I 模组200
基板20
发光二极If21
第一表面215
第二表面216
反射杯22
外侧壁225
发光二极I 芯片23
封装体24
光出射面24具体实施例方式下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。请参阅图1与图2，本发明实施例提供一种发光二极管防水治具100，该防水治具 100用于在切割发光二极管模组200时，对发光二极管模组200进行防水保护。该发光二极管模组200包括基板20，以及间隔形成在该基板20上的多个发光二极管21。每个发光二极管21包括形成在该基板20上的多个反射杯22，设置在该基板20上且分别收容该反射杯22内的发光二极管芯片23，以及设置在该发光二极管芯片23出光面的封装体对。该基板20呈平板状，其具有一第一表面215以及与其相对的第二表面216。该基板20上具有多个通孔。每个发光二极管21包括有一电极对217。该电极对217的一端形成在该基板20的第一表面215上，其另一端分别穿过该多个通孔并延伸至该基板20的第二表面216。该发光二极管芯片23设置在该电极对217包括的一个电极上，并通过打线分别与该电极对217形成电连接。该反射杯22形成在该基板20的第一表面215上。该反射杯22包覆电极217位于该第一表面215的端部。在本实施例中，该反射杯22具有一环形的外侧壁225及一远离第一表面215的底面。在本实施例中，该反射杯22的外侧壁225垂直于基板20的第一表面215 ；在其它实施例中，该反射杯22的外侧壁225亦可以自第一表面215朝向封装体M 倾斜，以供防水治具100嵌入。该发光二极管芯片23的出光面上设置在封装体24。在本实施例中，该封装体M
4填充整个反射杯22。该封装体M为掺杂有荧光粉的封装树脂。在本实施例中，该封装体 24具有一个光出射面M5，且该光出射面245为平面。在本实施例中，该光出射面245与反射杯22的底面平齐。当然，该封装体M也可以为其他封装材料，且该光出射面245也可以根据需要设置成其他形状，如凸曲面，凹曲面等。在本实施例中，该防水治具100用于与该发光二极管模组200相配合。该防水治具100包括一本体10，该本体10具有一上表面101以及与其相对的下表面102。该上表面 101上形成有多个向该本体10内延伸的多个第一凹槽12。该第一凹槽12包括有一内侧壁 13以及与该内侧壁13相连接的底面14。在本实施例中，该第一凹槽12呈矩形设置，该内侧壁13与该底面14相互垂直。所述相邻的第一凹槽12之间形成有一凸起的支撑部15。每个支撑部15上形成有向该支撑部15延伸的第二凹槽16。在实施例中，该支撑部15的高度小于该反射杯22的底面到该基板20的第一表面215的距离，支撑部15的宽度小于或等于相邻的发光二极管21 之间的间距。该第二凹槽16呈梯形设置，其开口大小沿该本体10的上表面101到下表面 102的方向逐渐减小。当使用该防水治具100时，先将该防水治具100与该发光二极管模组200相配合。 在本实施例中，每一个第一凹槽12与一个发光二极管21相配合，且该第一凹槽12的内侧壁13与底面14分别与该发光二极管21的外侧壁225以及光出射面245紧密配合，以使该防水治具100的支撑部15位于相邻的发光二极管21之间。由于该支撑部15的高度小于该所述反射杯22的底面到该基板20的第一表面215的距离，当该支撑部15与该发光二极管模组200配合后，支撑部15的底端与基板20的第一表面215相间隔，以避免刀具切割时破坏该防水治具100。在切割该发光二极管模组200时，由于该发光二极管模组200与防水治具100相配合使用，因此，可以将该发光二极管模组200放置液体中，通过该液体可以降低切割温度，防止高温损坏该发光二极管21。由于该发光二极管21的外侧壁225以及光出射面M5 分别与该第一凹槽12的内侧壁13与底面14紧密配合，因此，该防水治具100可有效地防止液体透过该发光二极管模组200的反射杯22与封装体M进入该发光二极管芯片23，从而保护该发光二极管芯片23。进一步地，该防水治具100的支撑部15以及设置在其上的第二凹槽16，可用于在切割过程中，用于承载被切除的基板20，以及液体，防止液体透过反射杯22的外侧壁225进入该发光二极管芯片23。请参见图3所示，一种发光二极管的切割方法，其包括以下步骤步骤一提供一基板，基板具有一第一表面。请一并参见图1与图2，具体地，该基板20包括一第一表面215以及与其相对的第二表面216。步骤二 在基板的第一表面上形成多个反射杯，每个反射杯具有一个外侧壁，该基板具有暴露在每个反射杯的底部的暴露面。该反射杯22形成在该基板20的第一表面215 上。该反射杯22具有一环形的外侧壁225及一远离第一表面215的底面。在本实施例中， 该反射杯22的外侧壁225垂直于基板20的第一表面215 ；在其它实施例中，该反射杯22的外侧壁225亦可以自第一表面215朝向封装体M倾斜，以供防水治具100嵌入。优选地， 先在该基板20上形成多个电极对217。每个反射杯22包覆一个电极对217的一端部。该电极对217的另一端部穿过该基板20并延伸至该基板20的第二表面216。
步骤三将多个发光二极管芯片分别设置在该基板的暴露面，在每个发光二极管芯片的出光面形成一封装体以形成发光二极管。在本实施例中，该多个发光二极管芯片23 分别设置在该基板20的暴露面上，且位于电极对217的其中一个电极上，并通过金线与该电极对217电连接。该发光二极管芯片23的出光面上设置在封装体M。在本实施例中，该封装体M具有一个光出射面M5，该光出射面245为平面，且该光出射面245与反射杯22 的底面平齐。步骤四提供一个防水治具，该防水治具具有一第一表面，且该第一表面上具有多个向该防水治具内延伸的第一凹槽，该第一凹槽具有一内表面。该防水治具100包括一本体10，该本体10具有一上表面101以及与其相对的下表面102。该上表面101上形成有多个向该本体10内延伸的多个第一凹槽12。该第一凹槽12包括有一内侧壁13以及与该内侧壁13相连接的底面14。在本实施例中，该第一凹槽12为长方形，该内侧壁13与该底面 14为相互垂直的平面。相邻的第一凹槽12之间形成有一凸起的支撑部15。每个支撑部15上形成有向该支撑部15延伸的第二凹槽16。在实施例中，该支撑部15的高度小于所述反射杯22的底面到该基板20的第一表面215的距离，支撑部15的宽度小于或等于相邻的发光二极管21之间的间距。该第二凹槽16的开口大小沿该本体10的上表面101到下表面102的方向逐渐减小。步骤五将该防水治具套设在该发光二极管模组上，以使该防水治具的内表面与该反射杯的外侧壁紧密接触。具体地，每一个第一凹槽12与一个发光二极管21相配合，且该第一凹槽12的内侧壁13与底面14分别与该发光二极管21的外侧壁225以及光出射面 245紧密配合，以使该防水治具100的支撑部15位于相邻的发光二极管21之间。步骤六切割该基板以形成多个发光二极管封装结构。在切割该发光二极管模组200时，由于该发光二极管模组200与防水治具100相配合使用，因此，可以将该发光二极管模组200放置液体中，通过该液体可以降低切割温度，防止高温损坏该发光二极管21。并且，由于该发光二极管21的外侧壁225以及光出射面245分别与该第一凹槽12的内侧壁13与底面14紧密配合，因此，该防水治具100可有效地防止液体透过该发光二极管模组200的反射杯22与封装体M进入该发光二极管芯片 23，从而保护该发光二极管芯片23。可以理解的是，本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化，只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种发光二极管防水治具，其用于在切割发光二极管模组时，对发光二极管模组的基板上的多个发光二极管进行防水保护，其特征在于，该防水治具具有一表面，且该表面上具有多个向该防水治具内延伸的以分别防水收容所述多个发光二极管的第一凹槽。
2.如权利要求1所述的发光二极管防水治具，其特征在于，每一第一凹槽包括一以与发光二极管的外侧壁紧密接触的内侧壁以及与内侧壁相连接的底面。
3.如权利要求2所述的发光二极管防水治具，其特征在于，每一第一凹槽的底面为平
4.如权利要求1所述的发光二极管防水治具，其特征在于，该防水治具的相邻的第一凹槽之间形成有一凸起的支撑部，该支撑部的顶面设有第二凹槽。
5.一种发光二极管的切割方法，其包括提供一个发光二极管模组，其包括一基板，以及封装在该基板上的多个发光二极管， 每个发光二极管包括有设置在该基板上的发光二极管芯片，围绕该发光二极管芯片的反射杯，以及设置在该发光二极管芯片出光面的封装体，每个反射杯具有一外侧壁；提供一个防水治具，该防水治具具有一第一表面，且该第一表面上具有多个向该防水治具内延伸的第一凹槽，该第一凹槽具有一内表面；将该防水治具套设在该发光二极管模组上，以使该防水治具的内表面与该反射杯的外侧壁紧密接触；及切割该基板以形成多个发光二极管封装结构。
6.如权利要求5所述的发光二极管的切割方法，其特征在于，每一第一凹槽的内表面包括一内侧壁以及与内侧壁相连接的底面，该内侧壁与该反射杯的外侧壁紧密接触。
7.如权利要求6所述的发光二极管的切割方法，其特征在于，每一第一凹槽的底面与该封装体紧密接触。
8.如权利要求6所述的发光二极管的切割方法，其特征在于，该防水治具的相邻的第一凹槽之间形成有一凸起的支撑部，该基板的用于承载该发光二极管芯片的表面为第一表面，该反射杯具有一远离该基板的第一表面的底面，该支撑部的高度小于所述反射杯的底面到该基板的第一表面的距离。
9.如权利要求8所述的发光二极管的切割方法，其特征在于，该支撑部的顶面设有第二凹槽。
10.如权利要求6所述的发光二极管的切割方法，其特征在于，该发光二极管模组的形成方法包括提供一基板，基板具有一第一表面；在基板的第一表面上形成多个反射杯，每个反射杯具有一个外侧壁，该基板具有暴露在每个反射杯的底部的暴露面；将多个发光二极管芯片分别设置在该基板的暴露面，在每个发光二极管芯片的出光面形成一封装体以形成发光二极管，每个封装体具有一个光出射面。
全文摘要
本发明涉及一种发光二极管防水治具，其用于在切割发光二极管模组时，对发光二极管模组的基板上的多个发光二极管进行防水保护。该防水治具具有一表面，且该表面上具有多个向该防水治具内延伸的以分别防水收容所述多个发光二极管的第一凹槽。本发明还涉及一种发光二极管的切割方法。
文档编号H01L33/00GK102447017SQ201010505638
公开日2012年5月9日 申请日期2010年10月13日 优先权日2010年10月13日
发明者洪孟贤, 简克伟 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司