专利名称：承漏盘以及晶圆刻蚀系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种承漏盘以及晶圆刻蚀系统。
背景技术：
在半导体工艺制造中，为了将晶圆的掩膜上的图形转移到下埋层上，需要对晶圆 进行刻蚀工艺。下埋层的某些部分经过与刻蚀剂发生化学反应被去除，而其余部分由于掩 膜层的保护没有接触刻蚀剂从而得以保留。目前，最主要的刻蚀方法有两种湿法化学刻 蚀和干法等离子刻蚀。在湿法刻蚀中，刻蚀剂是液态化学混合物，它与晶圆衬底发生化学反 应，产生可溶性物质，从而溶解于溶液中。进行半导体湿法刻蚀工艺的设备有酸槽。将待刻 蚀晶圆置于酸槽中，在酸槽的刻蚀液中浸没一段特定的时间，便可刻蚀掉晶圆上不需要的 部分衬底。完成了上述刻蚀工艺后的晶圆，需要对其进行清洗，以去除残留在晶圆表面的光 阻和酸液。利用去离子水的湿法清洗工艺是去除晶圆表面杂质颗粒和酸液的一种常用方 法，所述清洗方法通过将待清洗晶圆置于水槽中，在水槽的去离子水中浸没一段特定的时 间，同时可以辅以声波装置，利用超声波或者兆声波，清洗晶圆表面，去除晶圆表面的杂质 颗粒及酸液。可利用机械手来搬运晶圆，以将晶圆从酸槽移入水槽中。由于从酸槽中移出的晶 圆上带有比较多的杂质颗粒和酸液，而所述杂质颗粒或者酸液直接滴在酸槽和水槽间的机 台或者地面上，将造成所述机台或者地面的污染。为了防止对所述机台或者地面造成污染， 一般来说，在酸槽和水槽间设置有承漏盘，所述承漏盘与酸槽及水槽均是无缝衔接。通常， 所述承漏盘设置在酸槽及水槽之间，分别与酸槽及水槽有部分重合。如图1所示，其为现有的晶圆刻蚀系统示意图。请参考图1，承漏盘10位于酸槽 20及水槽30之间，所述承漏盘10分别与酸槽20及水槽30有部分重合。如图2所示，其 为现有的承漏盘的俯视图。请参考图2，承漏盘10包括底壁11以及由所述底壁11向外延 伸的多个侧壁，所述多个侧壁包括第一侧壁13、第二侧壁14、第三侧壁15、第四侧壁16，所 述第一侧壁13及第二侧壁14分别具有一水平的第一延伸面17及第二延伸面18，所述底壁 11与所述多个侧壁形成一个具有开口的容置空间，所述容置空间以及所述第一延伸面17、 第二延伸面18用以承接从晶圆上滴下的酸液或者杂质颗粒。请继续参考图2，所述承漏盘 10的底壁11上设置有排液孔12，用以将承漏盘10内承接的酸液或者杂质颗粒排出承漏盘 10。请同时参考图1与图2，所述承漏盘10还包括固定柱19，用以将承漏盘10固定于底面 或者工作台上。可利用机械手臂来搬运晶圆，将晶圆从酸槽20中移出，可经过承漏盘10的 第一延伸面17、承漏盘10的容置空间以及承漏盘10的第二延伸面18至水槽30，从而在水 槽30中进行清洗晶圆的过程。然而，由于第二延伸面18是水平设置的延伸面，晶圆经由承漏盘10运输至水槽30 的过程中，晶圆上的酸液或杂质颗粒往往聚集在第二延伸面18上，并从第二延伸面18滑落 至水槽30中，从而污染在水槽30中清洗的晶圆。尤其是当晶圆已在水槽30中清洗完毕，从水槽30中移出时，若第二延伸面18上的酸液或杂质颗粒溅落在已清洗干净的晶圆上，将 导致不得不再次清洗该晶圆，从而增加制造时间，提高生产成本。
实用新型内容本实用新型提供一种承漏盘以及晶圆刻蚀系统，用以解决现有承漏盘有可能会污 染已清洗好的晶圆的问题。为解决上述技术问题，本实用新型提供一种承漏盘，所述承漏盘包括底壁以及由 所述底壁边缘向外延伸的多个侧壁，所述底壁与所述多个侧壁形成一个具有开口的容置空 间，所述容置空间用以承接从晶圆上滴下的酸液或杂质颗粒。可选的，所述底壁是水平设置的，所述底壁与所述多个侧壁中每一个侧壁的夹角 均为钝角。可选的，所述底壁上设置有排液孔。可选的，所述排液孔的数量为两个。可选的，所述底壁的形状为向所述排液孔倾斜的凹面。可选的，所述底壁的形状为长方形。可选的，所述侧壁的数量为四个。本实用新型还提供一种晶圆刻蚀系统，所述晶圆刻蚀系统包括酸槽、水槽以及承 漏盘，所述承漏盘位于所述酸槽及水槽之间，所述承漏盘包括底壁以及由所述底壁边缘向 外延伸的多个侧壁，所述底壁与所述多个侧壁形成一个具有开口的容置空间，所述容置空 间用以承接从晶圆上滴下的酸液或杂质颗粒。本实用新型提供的承漏盘以及晶圆刻蚀系统，晶圆从酸槽中移出后，经过承漏盘 的一侧壁、承漏盘的底壁、承漏盘的另一侧壁，移至水槽中。由于重力作用，滴在承漏盘侧壁 上的酸液或者杂质颗粒将沿着承漏盘的侧壁迅速滑至承漏盘的底壁，不会在承漏盘的侧壁 产生积聚，因此，将不会发生酸液或者杂质颗粒从承漏盘侧壁溅至水槽，从而污染在水槽中 清洗的晶圆的问题，由此可提高生产效率，降低生产成本。
图1是现有的晶圆刻蚀系统示意图；图2是现有的承漏盘的俯视图；图3a是本实用新型实施例一的承漏盘的俯视图；图北是本实用新型实施例一的承漏盘的侧视图；图4是本实用新型实施例一的晶圆刻蚀系统示意图；图5是本实用新型实施例二的承漏盘的俯视图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的承漏盘以及晶圆刻蚀系统作进一步 详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图 均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施 例的目的。[0024]实施例一请参考图3a与图北，其中，图3a是本实用新型实施例一的承漏盘的俯视图，图北 是本实用新型实施例一的承漏盘的侧视图。如图3a与图北所示，承漏盘100包括底壁101以及由所述底壁101向外延伸的 多个侧壁，所述底壁101与所述多个侧壁形成一个具有开口的容置空间，所述容置空间用 以承接从晶圆上滴下的酸液或杂质颗粒。所述承漏盘100还包括固定柱107，用以将承漏盘 100固定于地面或者工作台上。在本实施例中，所述底壁101是水平设置的，所述底壁101与所述多个侧壁中每一 个侧壁的夹角均为钝角。当仅需要承漏盘容置空间比较深时，可以选择一个比较小的钝角， 如大于90度小于等于135度之间；当仅需要承漏盘容置空间比较大时，可以选择一个比较 大的钝角，如大于135度小于180度之间，由此在满足承漏盘要求的同时，节省承漏盘的制 造材料，降低承漏盘的成本。进一步的，所述底壁101的形状为长方形，所述侧壁的数量为四个，分别为第一侧 壁103、第二侧壁104、第三侧壁105以及第四侧壁106。所述规则的形状便于承漏盘的加工 成型，当然，本实用新型不对承漏盘的底壁的形状以及侧壁的数量做限制，所述底壁的形状 也可以是任何其它规则或不规则的形状，所述侧壁的数量也可以更多或者更少个。在本实施例中，所述承漏盘100的底壁101上设置有排液孔102，通过所述排液孔 102可以将承漏盘100内的酸液或者杂质颗粒排出承漏盘100。进一步的，所述排液孔102 的数量为两个，两个排液孔102能加速将承漏盘100内的酸液或杂质颗粒排出承漏盘100。 在承漏盘100的底壁101有足够面积，并且外部排废管道或者相关设施具备的情况下，也可 在承漏盘100的底壁101设置更多的排液孔102。请参考图4，其为本实用新型实施例一的晶圆刻蚀系统示意图。如图4所示，所述 晶圆刻蚀系统包括酸槽500、水槽600以及承漏盘100，所述承漏盘100位于所述酸槽500 及水槽600之间，所述承漏盘100包括长方形底壁101以及由所述底壁边缘向外延伸的四 个侧壁，所述四个侧壁分别为第一侧壁103、第二侧壁104、第三侧壁(图4中未示出)、第四 侧壁(图4中未示出)，所述长方形底壁101与所述四个侧壁形成一个具有开口的容置空 间，所述容置空间用以承接从晶圆上滴下的酸液或杂质颗粒。所述底壁101上设置有排液 孔102，用于将承漏盘100内的酸液或杂质颗粒排出承漏盘100。进一步的，所述承漏盘100分别与所述酸槽500及水槽600有部分重合，从而实现 承漏盘100与酸槽500及水槽600的无缝衔接，使得晶圆从酸槽500至水槽600的整个过 程中，滴下的酸液或者杂质颗粒都有承漏盘承接。请继续参考图4，通过本实用新型实施例一提供的承漏盘100以及晶圆刻蚀系统， 晶圆400从酸槽500中移出后，首先经过承漏盘100的第一侧壁103，然后经过承漏盘100 的底壁101，最后经过承漏盘100的第二侧壁104，移至水槽600中。由于重力作用，滴在承 漏盘100第一侧壁103和第二侧壁104上的酸液或者杂质颗粒将沿着承漏盘100的侧壁迅 速滑至承漏盘100的底壁101，不会在承漏盘100的侧壁产生积聚，因此，将不会发生酸液或 者杂质颗粒从承漏盘100的侧壁溅至水槽600，从而污染在水槽600中清洗或者完成清洗的 晶圆400的问题，由此可提高生产效率，降低生产成本。实施例二[0034]请参考图5，其为本实用新型实施例二的承漏盘的俯视图。本实施例二与实施例一 的差别在于，本实施例的承漏盘200的底壁201的形状为向排液孔202倾斜的凹面。可选 的，底壁201的形状为一个“W”型，排液孔202位于这个“W”型底壁201的两个凹处。该形 状能将承漏盘200内的酸液或杂质颗粒通过排液孔202迅速从底壁201排出承漏盘200。上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限 定，本领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保 护范围。
权利要求1.一种承漏盘，其特征在于，包括底壁以及由所述底壁边缘向外延伸的多个侧壁，所述 底壁与所述多个侧壁形成一个具有开口的容置空间，所述容置空间用以承接从晶圆上滴下 的酸液或杂质颗粒。
2.如权利要求1所述的承漏盘，其特征在于，所述底壁是水平设置的，所述底壁与所述 多个侧壁中每一个侧壁的夹角均为钝角。
3.如权利要求1所述的承漏盘，其特征在于，所述底壁上设置有排液孔。
4.如权利要求3所述的承漏盘，其特征在于，所述排液孔的数量为两个。
5.如权利要求3或4所述的承漏盘，其特征在于，所述底壁的形状为向所述排液孔倾斜 的凹面。
6.如权利要求1所述的承漏盘，其特征在于，所述底壁的形状为长方形。
7.如权利要求1至4中任一项所述的承漏盘，其特征在于，所述侧壁的数量为四个。
8.一种晶圆刻蚀系统，包括酸槽、水槽以及承漏盘，所述承漏盘位于所述酸槽及水槽 之间，其特征在于，所述承漏盘包括底壁以及由所述底壁边缘向外延伸的多个侧壁，所述底 壁与所述多个侧壁形成一个具有开口的容置空间，所述容置空间用以承接从晶圆上滴下的 酸液或杂质颗粒。
专利摘要本实用新型提供一种承漏盘以及晶圆刻蚀系统，所述承漏盘包括底壁以及由所述底壁边缘向外延伸的多个侧壁，所述底壁与所述多个侧壁形成一个具有开口的容置空间，所述容置空间用以承接从晶圆上滴下的酸液或杂质颗粒。通过本实用新型提供的承漏盘以及晶圆刻蚀系统，能提高晶圆刻蚀与清洗的生产效率，降低成本。
文档编号H01L21/00GK201859845SQ20102058445
公开日2011年6月8日 申请日期2010年10月29日 优先权日2010年10月29日
发明者朱建野 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司