专利名称：埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及导电高分子聚合物复合材料为主要原料的电子元器件技术领域， 更具体地，涉及热敏电阻技术领域，特别是指一种埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，安装于电路中用于过流过温保护。
背景技术：
目前，电脑、通讯、消费性电子、汽车、通路、数字内容等6C产业领域控制器的安全保护电路设计中，通常，利用正温度系数(PTC，Positive Temperature Coefficient)特性热敏电阻对过流、过温等电路故障时的保护，其工作原理是当电路正常工作时，PTC热敏电阻阻值Rtl非常小不阻碍电流通过；而当电路出现过流、过载或过热等故障时，热敏电阻表面温度迅速上升，超过开关温度时瞬间升至高阻态，从而及时限制电路电流到很低水平保护电路；当故障排除后，PTC热敏电阻迅速冷却并恢复到原低阻状态，电路恢复正常后此热敏电阻可再次重复使用。这种具备过流过温保护的PTC热敏电阻由高分子复合材料制成，由聚合物、金属粉、金属氧化物和润滑剂全部或其中几种组成，其特征在于，所述聚合物为高密度聚乙烯、 低密度聚乙烯、聚偏氟乙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯乙酸乙酯共聚物或热塑性聚酯的一种或多种；所述金属粉可以为镍粉、铁粉、铝粉、铜粉或银粉的一种或多种；所述金属氧化物为氢氧化镁、氧化铝、氢氧化铝、氧化锌、氧化钛或三氧化二锑的一种或多种；所述润滑剂为有机硅树脂、聚乙烯蜡、氧化聚乙烯蜡、聚硬脂酸乙烯酯、脂肪酸酯、醇类或金属皂类润滑剂的一种或多种。即一种或多种聚合物、导电填充剂以及助剂等原料按一定比例混合后使用双螺杆挤出压延机制成。高分子PTC热敏电阻在电路保护中已普度应用，同时表面贴装型电子元件是目前的发展趋势，这也对常规的封装提出了更高要求，目前现有的表面贴装型PTC热敏电阻元件其芯片侧面大多暴露在空气中，随着使用时间的延长，空气中的氧气和水份会逐渐与PTC 热敏电阻芯片中的导电聚合物发生化学反应，导致PTC热敏电阻器耐候性降低并致使保护失效，从而造成下游设备的损坏。与此同时，以往公开的各种表面贴装型PTC热敏电阻在制造时都不可避免的经过表面金属箔的蚀刻工艺，而蚀刻普遍采用化学蚀刻法，其化学蚀刻方法具有先天缺点，如1， 工艺使用的蚀刻液对环境污染严重，对人体及设备均造成很大影响；2，蚀刻开口精度差，在后续工序易使蚀刻图形产生漂移、错位等不良，引起产品短路等情况，使得工艺不稳定。为了解决存在的上述问题与缺陷，非常有必要对常用热敏电阻进行再改进，使其使用寿命延长，并使得其制造尽可能减少化学品使用，从而提供一种益于环保、成品率高的表面贴装型PTC热敏电阻元件。
实用新型内容本实用新型的主要目的就是针对以上存在的问题与不足，提供一种埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，该埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构设计巧妙，构造简洁，使用寿命延长，且其制造尽可能减少化学品使用，益于环保，成品率高，适于大规模推广应用。为了实现上述目的，本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，包括PTC芯片、第一电极和第二电极，所述PTC芯片包括高分子复合材料层、上金属箔和下金属箔，所述上金属箔和所述下金属箔分别贴覆在所述高分子复合材料层的上表面和下表面，其特点是，所述埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构还包括绝缘封闭盒体，所述 PTC芯片位于所述绝缘封闭盒体中，所述第一电极和所述第二电极位于所述绝缘封闭盒体外并穿设所述绝缘封闭盒体分别与所述上金属箔和所述下金属箔电连接。较佳地，所述绝缘封闭盒体包括环形绝缘框架、上绝缘盖板和下绝缘盖板，所述环形绝缘框架位于所述上绝缘盖板和所述下绝缘盖板之间并分别贴合所述上绝缘盖板和所述下绝缘盖板从而形成一内腔，所述PTC芯片位于所述内腔中。例如，所述环形绝缘框架为有机高分子树脂，可由聚乙烯、环氧树脂、酚醛树脂、硅树脂等树脂中的一种物质，或几种物质的或玻璃纤维增强型混合物；所述上绝缘盖板和所述下绝缘盖板分别是双酚环氧树脂、 环氧化酚醛、硅树脂等树脂中的一种物质，或几种物质的混合物或玻璃纤维增强型混合物。较佳地，所述第一电极为第一导电层，所述第一导电层至少包覆所述绝缘封闭盒体的局部右侧面并分别延伸至所述绝缘封闭盒体的上表面和下表面的第一局部表面；所述第二电极为第二导电层，所述第二导电层至少包覆所述绝缘封闭盒体的局部左侧面并分别延伸至所述绝缘封闭盒体的上表面和下表面的第二局部表面。更佳地，所述绝缘封闭盒体的右侧面竖向设置有第一凹部，所述第一导电层包覆所述第一凹部的表面；所述绝缘封闭盒体的左侧面竖向设置有第二凹部，所述第二导电层包覆所述第二凹部的表面。更佳地，所述埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构还包括上阻镀层和下阻镀层，所述上阻镀层贴覆在所述绝缘封闭盒体的上表面上并位于所述第一电极和第二电极之间，所述下阻镀层贴覆在所述绝缘封闭盒体的下表面上并位于所述第一电极和第二电极之间。例如，所述上阻镀层和所述下阻镀层可由丙烯树脂、环氧树脂、硅树脂的一种或多种组成，也可以为其它合适的高分子聚合物。较佳地，所述绝缘封闭盒体的上表面设置有第一导通孔，所述第一电极通过所述第一导通孔穿设所述绝缘封闭盒体从而与所述上金属箔电连接，所述绝缘封闭盒体的下表面设置有第二导通孔，所述第二电极通过所述第二导通孔穿设所述绝缘封闭盒体从而与所述下金属箔电连接。较佳地，所述PTC芯片与所述绝缘封闭盒体的内壁贴合。例如，所述上金属箔和所述下金属箔与高分子复合芯片的贴覆以及所述上金属箔和所述下金属箔与所述绝缘封闭盒体的内壁贴合可以使用粘贴剂，也可以使用加热压合直接热熔粘接；所述上金属箔和所述下金属箔分别是由铜、铁、镍、锡、银、金中的一种或几种金属组成。较佳地，所述第一电极穿设所述上金属箔并延伸进所述高分子复合材料层；所述第二电极穿设所述下金属箔并延伸进所述高分子复合材料层。较佳地，所述第一电极和所述第二电极均分别贯穿所述绝缘封闭盒体和所述PTC心片。[0017]本实用新型的有益效果具体如下1.本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构的所述PTC芯片位于所述绝缘封闭盒体中，所述第一电极和所述第二电极位于所述绝缘封闭盒体外并穿设所述绝缘封闭盒体分别与所述上金属箔和所述下金属箔电连接，保证PTC芯片的高分子复合材料层与空气隔离，从而有效地防止了其中的导电聚合物复合材料的氧化，提高了高分子PTC 热敏电阻耐候性能，设计巧妙，构造简洁，使用寿命延长，适于大规模推广应用。2.本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构使得其制造尽可能避开了化学蚀刻，减少了化学品使用，益于环保，成品率高，适于大规模推广应用。3.本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构使得其制造避开了高分子复合材料芯片在制造过程中的破坏，其高分子复合材料完全不与化学品接触，大大降低在蚀刻、电镀过程中的不确定因素，成品率高，适于大规模推广应用。4.本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构的第一电极和第二电极进一步包覆绝缘封闭盒体上下表面，从而使元件没有正反方向，方便元件的安装，适于大规模推广应用。
[0022]图IA为本实用新型的第-一具体实施例的立体示意图。[0023]图IB是图IA所示的第一-具体实施例的剖视示意图。[0024]图IC是图IA所示的第一-具体实施例的爆炸示意图。[0025]图2A为本实用新型的第:二具体实施例的立体示意图。[0026]图2B是图2A所示的第二具体实施例的剖视示意图。[0027]图2C是图2A所示的第二具体实施例的爆炸示意图。[0028]图2D是图2C中上导电板的分解示意图。[0029]图2E是图2C中下导电板的分解示意图。[0030]图3A为本实用新型的第-一具体实施例的立体示意图。[0031]图3B是图3A所示的第一-具体实施例的剖视示意图。[0032]图3C是图3A所示的第一-具体实施例的爆炸示意图。
具体实施方式
为更好的理解本实用新型的内容，下面结合具体实施例作进一步说明。其中相同的部件采用相同的附图标记。实施例1请参见图1A-1C所示，本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构， 包括PTC芯片20、第一电极21、第二电极22和绝缘封闭盒体23，所述PTC芯片20包括高分子复合材料层8、上金属箔8-1和下金属箔8-2，所述上金属箔8-1和所述下金属箔8-2分别贴覆在所述高分子复合材料层8的上表面和下表面，所述绝缘封闭盒体23由环形绝缘框架9、上绝缘盖板7和下绝缘盖板11组成，所述环形绝缘框架9位于所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11之间并分别贴合所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11从而形成一内腔，所述PTC芯片20位于所述内腔中。[0036]在本实用新型的具体实施例中，环形绝缘框架9是环氧树脂环形绝缘框架，包覆在PTC芯片20的四周，所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11是半固化树脂材料板，贴覆在PTC芯片20的上下表面上，所述上绝缘盖板7、所述下绝缘盖板11、所述环形绝缘框架9 的右侧面竖向设置有第一凹部2，所述第一电极21为第一导电层，所述第一导电层包覆所述第一凹部2的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上，然后通过位于上绝缘盖板7中的所述第一导通孔3电连接所述上金属箔8-1，且穿设所述上金属箔8-1 并延伸进所述高分子复合材料层8 ；所述上绝缘盖板7、所述下绝缘盖板11、所述环形绝缘框架9的左侧面竖向设置有第二凹部2，，所述第二电极22为第二导电层，所述第二导电层包覆所述第二凹部2’的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上，然后通过位于下绝缘盖板11中的第二导通孔3’电连接所述下金属箔8-2，且穿设所述下金属箔8-2并延伸进所述高分子复合材料层8。所述上阻镀层6-1贴覆在所述上绝缘盖板7上并位于所述第一电极21和第二电极22之间，所述下阻镀层6’ -1贴覆在所述下绝缘盖板 11上并位于所述第一电极21和第二电极22之间。请参见图IC所示，上述的本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构制造过程具体如下(1)将一种或多种聚合物、导电填充剂以及助剂等原料按一定比例混合通过双螺杆挤出机压机制成总厚为0. 45士0. 02mm的导电芯材，上下表面各紧密地附着一层金属箔， 且金属箔粗化面向内，同时将金属箔向外的一面进行粗化；(2)将(1)制得的芯材用Y射线或电子束辐照交联，剂量为20Mrad，然后使用切割或模具制成如图IC中附图标记20所示的3.0X4. Omm的PTC芯片，取与PTC芯片20同等厚度的环氧树脂，通过切割或模具在环氧树脂中形成多个3. 05X4. 05mm的通孔10，通孔10 与通孔10之间的距离为2mm，将PTC芯片20嵌入通孔10内，然后上下表面分别贴覆0. Imm 厚半固化树脂材料板，经过165°C压合在一起制成复合芯片；(3)在(2)步骤制得的复合芯片两端钻Φ0. 3mm的小通孔形成所述第一凹部2和第二凹部2’，中间部分再钻Φ0. 3mm盲孔即第一导通孔3和第二导通孔3’，第一导通孔3 和第二导通孔3’深度为02士0. 05mm，足够进入高分子复合材料层8而又不穿透；在复合芯片的上下表面中间区域各印涂一层环氧树脂类阻镀层即上阻镀层6-1和下阻镀层6’-1，经过150°C高温固化；(4)整体电镀铜，使小通孔、第一导通孔3和第二导通孔3’内壁上铜，除上阻镀层 6-1和下阻镀层6’ -1外均上铜，电镀铜的厚度在0. 01 0. 05mm，这样使得所述第一电极 21 (包括上部右电极5和下部右电极5’)包覆所述第一凹部2的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上，所述第二电极22 (包括上部左电极4和下部左电极 4’)包覆所述第二凹部2’的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上， 高分子复合材料层8的上金属箔8-1通过第一导通孔3与第一电极21连接，下金属箔8-2 通过第二导通孔3’与第二电极22连接。(5)在上阻镀层6-1和下阻镀层6’ -1印刷文字并烘烤，在第一电极21和第二电极22可采用喷锡或镀金工艺上一层保护膜，最后在小通孔的中心位置划割，制成单个表面贴装PTC热敏电阻器，如图IA所示。由于所述第一电极21包覆所述第一凹部2的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上，所述第二电极22包覆所述第二凹部2’的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上，这样形成了不分正反方向的PTC热敏电阻，由于所述PCT芯片20完全包裹在封闭空间内，PTC芯片20不与空间接触，大大提升其耐候性；上阻镀层6-1和下阻镀层6’ -1可使在形成左导电金属层即第二电极22和右导电金属层即第一电极21时避免使用蚀刻工艺，益于环保且成品率更高。实施例2请参见图2A-2E所示，本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构， 包括PTC芯片20、第一电极21、第二电极22和绝缘封闭盒体23，所述PTC芯片20包括高分子复合材料层8、上金属箔8-1和下金属箔8-2，所述上金属箔8-1和所述下金属箔8-2分别贴覆在所述高分子复合材料层8的上表面和下表面，所述绝缘封闭盒体23由环形绝缘框架9、上绝缘盖板7和下绝缘盖板11组成，所述环形绝缘框架9位于所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11之间并分别贴合所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11从而形成一内腔，所述PTC芯片20位于所述内腔中。在本实用新型的具体实施例中，环形绝缘框架9是环氧树脂环形绝缘框架，包覆在PTC芯片20的四周，所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11是半固化树脂材料板，贴覆在PTC芯片20的上下表面上，所述上绝缘盖板7、所述下绝缘盖板11、所述环形绝缘框架9 的右侧面竖向设置有第一凹部2，所述第一电极21为第一导电层，所述第一导电层包覆所述第一凹部2的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上，然后通过所述第一导通孔3贯穿所述绝缘封闭盒体23和所述PTC芯片20并电连接所述上金属箔8-1 ； 所述上绝缘盖板7、所述下绝缘盖板11、所述环形绝缘框架9的左侧面竖向设置有第二凹部 2，，所述第二电极22为第二导电层，所述第二导电层包覆所述第二凹部2，的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上，然后通过第二导通孔3’贯穿所述绝缘封闭盒体23和所述PTC芯片20并电连接所述下金属箔8-2。所述上阻镀层6_1贴覆在所述上绝缘盖板7上并位于所述第一电极21和第二电极22之间，所述下阻镀层6’-1贴覆在所述下绝缘盖板11上并位于所述第一电极21和第二电极22之间。请参见图2C-2E所示，上述的本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构制造过程具体如下(1)将一种或多种聚合物、导电填充剂以及助剂等原料按一定比例混合通过双螺杆挤出机压机制成总厚为0. 45士0. 02mm的芯材，也可以通过开炼机拉出，然后使用切割或模具制成如图2C中附图标记8所示3. 0X4. Omm的高分子复合材料层；( 取0. Imm厚半固化树脂材料板7’和11’，通过165°C高温在上下表面各覆一层金属箔7，-1,7' _3、11，_1、11，-3，金属箔的粗面向内，分别在金属箔7，_1、11，-1上通过化学蚀刻错开蚀刻出7’-2和11’-2图形，制成上导电板6和下导电板6’，同时将金属箔向外的一面进行粗化；(3)取与高分子复合材料层8同等厚度的环氧树脂，通过切割或模具在环氧树脂中形成多个3. 05X4. 05mm的通孔10，通孔10和通孔10之间的距离为2mm，将高分子复合材料层8嵌入通孔10内，然后上下表面贴覆上导电板6和下导电板6’，经过180°C压合在一起制成复合芯片，将高分子复合材料层8电路导出；(4)将(3)制得的复合芯片两端钻Φ0. 3mm的小通孔形成所述第一凹部2和第二凹部2’，中间部分再钻Φ0. 3mm通孔即第一导通孔3和第二导通孔3’，第一导通孔3和第二导通孔3’经过上导电板6和下导电板6’形成的7’ -2和11’ -2图形的中心部分；(5)整体电镀铜，使小通孔、第一导通孔3和第二导通孔3’内壁上铜，表面整体上铜，电镀铜的厚度在0. 01 0. 05mm，通过蚀刻将上导电板6的金属箔V -3和下导电板6’ 的金属箔11’ -3断开，这样形成高分子复合材料层8上的金属箔7’ -1与第一电极21 (包括上部右电极5和下部右电极5’ )，高分子复合材料层8下的金属箔11’ -1与第二电极 22 (包括上部右电极4和下部右电极4’)连接，从而将PTC热敏电阻电路导通；(6)在蚀刻区域印涂一层环氧树脂类阻焊油形成上阻镀层6-1和下阻镀层6’ -1， 经过150°C高温固化；在上阻镀层6-1和下阻镀层6’-1印刷文字并烘烤，在第一电极21和第二电极22可采用喷锡或镀金工艺上一层保护膜；(7)将(6)制得的物件用Y射线或电子束辐照交联，剂量为20Mrad，最后在小通孔的中心位置划割，制成单个表面贴装PTC热敏电阻器，如图2A所示，其中金属箔V -1切割后成为上金属箔8-1，金属箔11’ -1切割后成为下金属箔8-2，半固化树脂材料板7’和 11’切割后分别成为上绝缘盖板7和下绝缘盖板11。实施例3请参见图3A 3C所示，本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构， 包括PTC芯片20、第一电极21、第二电极22和绝缘封闭盒体23，所述PTC芯片20包括高分子复合材料层8、上金属箔8-1和下金属箔8-2，所述上金属箔8-1和所述下金属箔8-2分别贴覆在所述高分子复合材料层8的上表面和下表面，所述绝缘封闭盒体23由环形绝缘框架9、上绝缘盖板7和下绝缘盖板11组成，所述环形绝缘框架9位于所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11之间并分别贴合所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11从而形成一内腔，所述PTC芯片20位于所述内腔中。在本实用新型的具体实施例中，环形绝缘框架9是环氧树脂环形绝缘框架，包覆在PTC芯片20的四周，所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11是半固化树脂材料板，贴覆在PTC芯片20的上下表面上，所述上绝缘盖板7、所述下绝缘盖板11、所述环形绝缘框架9 的右侧面竖向设置有第一凹部2，所述第一电极21为第一导电层，所述第一导电层包覆所述第一凹部2的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上，然后通过位于上绝缘盖板7中的所述第一导通孔3电连接所述上金属箔8-1 ；所述上绝缘盖板7、所述下绝缘盖板11、所述环形绝缘框架9的左侧面竖向设置有第二凹部2’，所述第二电极22为第二导电层，所述第二导电层包覆所述第二凹部2’的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7 和所述下绝缘盖板11上，然后通过位于下绝缘盖板11中的第二导通孔3’电连接所述下金属箔8-2。所述上阻镀层6-1贴覆在所述上绝缘盖板7上并位于所述第一电极21和第二电极22之间，所述下阻镀层6’ -1贴覆在所述下绝缘盖板11上并位于所述第一电极21和第二电极23之间。请参见图3C所示，上述的本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构制造过程具体如下(1)将一种或多种聚合物、导电填充剂以及助剂等原料按一定比例混合通过双螺杆挤出机压机制成总厚为0. 45士0. 02mm的导电芯材，上下表面各紧密地附着一层金属箔， 且金属箔粗化面向内，同时将金属箔向外的一面进行粗化；[0061](2)将⑴制得的芯材用Y射线或电子束辐照交联，剂量为20Mrad，然后使用切割或模具制成如图3C中附图标记20所示的3. 0X4. Omm的PTC芯片，取与PTC芯片20同等厚度的环氧树脂，通过切割或模具在环氧树脂中形成多个3. 05X4. 05mm的通孔10，通孔 10与通孔10之间的距离为2mm，将PTC芯片20嵌入通孔10内；(3)取两块0. Imm厚半固化树脂材料板，分别在其上钻Φ0. 3mm通孔即第一导通孔3和第二导通孔3’，然后将两半固化树脂材料板错开贴覆于(2)制得的环氧树脂上下表面，然后在两半固化树脂材料版上下表面分别贴覆金属箔，经过165°C压合在一起制成复合
芯片；(4)在( 步骤制得的复合芯片通过蚀刻最外侧的两金属箔从而分别露出第一导通孔3和第二导通孔3’，两端钻Φ0. 3mm的小通孔形成所述第一凹部2和第二凹部2’，整体电镀铜，使小通孔、第一导通孔3和第二导通孔3’内壁上铜，表面均上铜，电镀铜的厚度在0. 01 0. 05mm，通过蚀刻将最外侧的两金属箔断开，这样形成高分子复合材料层8上的金属箔8-1与第一电极21 (包括上部右电极5和下部右电极5’)，高分子复合材料层8下的金属箔8-2与第二电极22 (包括上部右电极4和下部右电极4’)连接，从而将PTC热敏电阻电路导通；(5)在蚀刻区域印涂一层环氧树脂类阻焊油形成上阻镀层6-1和下阻镀层6’ -1， 并将第一导通孔3和第二导通孔3’填满，经过150°C高温固化；在上阻镀层6-1和下阻镀层6’ -1印刷文字并烘烤，在第一电极21和第二电极22可采用喷锡或镀金工艺上一层保护膜；最后在小通孔的中心位置划割，制成单个表面贴装PTC热敏电阻器，如图3A所示。由于所述第一电极21包覆所述第一凹部2的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板 7和所述下绝缘盖板11上，所述第二电极22包覆所述第二凹部2’的表面并分别延伸至所述上绝缘盖板7和所述下绝缘盖板11上，这样形成了不分正反方向的PTC热敏电阻，由于所述PTC芯片20在制造过程中未经任何破坏，其高分子复合材料层8完全不与化学品接触，大大降低在蚀刻、电镀过程中的不确定因素成品率更高。综上所述，本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构设计巧妙，构造简洁，使用寿命延长，且其制造尽可能减少化学品使用，益于环保，成品率高，适于大规模推广应用。在此说明书中，本实用新型已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。
权利要求1.一种埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，包括PTC芯片、第一电极和第二电极，所述PTC芯片包括高分子复合材料层、上金属箔和下金属箔，所述上金属箔和所述下金属箔分别贴覆在所述高分子复合材料层的上表面和下表面，其特征在于，所述埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构还包括绝缘封闭盒体，所述PTC芯片位于所述绝缘封闭盒体中，所述第一电极和所述第二电极位于所述绝缘封闭盒体外并穿设所述绝缘封闭盒体分别与所述上金属箔和所述下金属箔电连接。
2.根据权利要求1所述的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，其特征在于，所述绝缘封闭盒体包括环形绝缘框架、上绝缘盖板和下绝缘盖板，所述环形绝缘框架位于所述上绝缘盖板和所述下绝缘盖板之间并分别贴合所述上绝缘盖板和所述下绝缘盖板从而形成一内腔，所述PTC芯片位于所述内腔中。
3.根据权利要求1所述的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，其特征在于，所述第一电极为第一导电层，所述第一导电层至少包覆所述绝缘封闭盒体的局部右侧面并分别延伸至所述绝缘封闭盒体的上表面和下表面的第一局部表面；所述第二电极为第二导电层，所述第二导电层至少包覆所述绝缘封闭盒体的局部左侧面并分别延伸至所述绝缘封闭盒体的上表面和下表面的第二局部表面。
4.根据权利要求3所述的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，其特征在于，所述绝缘封闭盒体的右侧面竖向设置有第一凹部，所述第一导电层包覆所述第一凹部的表面；所述绝缘封闭盒体的左侧面竖向设置有第二凹部，所述第二导电层包覆所述第二凹部的表面。
5.根据权利要求3所述的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，其特征在于，所述埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构还包括上阻镀层和下阻镀层，所述上阻镀层贴覆在所述绝缘封闭盒体的上表面上并位于所述第一电极和第二电极之间，所述下阻镀层贴覆在所述绝缘封闭盒体的下表面上并位于所述第一电极和第二电极之间。
6.根据权利要求1所述的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，其特征在于，所述绝缘封闭盒体的上表面设置有第一导通孔，所述第一电极通过所述第一导通孔穿设所述绝缘封闭盒体从而与所述上金属箔电连接，所述绝缘封闭盒体的下表面设置有第二导通孔，所述第二电极通过所述第二导通孔穿设所述绝缘封闭盒体从而与所述下金属箔电连接。
7.根据权利要求1所述的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，其特征在于，所述PTC芯片与所述绝缘封闭盒体的内壁贴合。
8.根据权利要求1所述的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，其特征在于，所述第一电极穿设所述上金属箔并延伸进所述高分子复合材料层；所述第二电极穿设所述下金属箔并延伸进所述高分子复合材料层。
9.根据权利要求1所述的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均分别贯穿所述绝缘封闭盒体和所述PTC芯片。
专利摘要本实用新型涉及一种埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构，包括PTC芯片、第一电极、第二电极、绝缘封闭盒体，PTC芯片包括高分子复合材料层、上金属箔和下金属箔，上金属箔和下金属箔分别贴覆在高分子复合材料层的上表面和下表面，PTC芯片位于绝缘封闭盒体中，第一电极和第二电极位于绝缘封闭盒体外并穿设绝缘封闭盒体分别与上金属箔和下金属箔电连接，较佳地，绝缘封闭盒体包括环形绝缘框架、上绝缘盖板和下绝缘盖板，PTC芯片与绝缘封闭盒体的内壁贴合，本实用新型的埋入式表面贴装型过流过温保护元件结构设计巧妙，构造简洁，使用寿命延长，且其制造尽可能减少化学品使用，益于环保，成品率高，适于大规模推广应用。
文档编号H01C7/13GK201936710SQ20102067413
公开日2011年8月17日 申请日期2010年12月21日 优先权日2010年12月21日
发明者唐佳林, 敖伦坡, 王鹏兴, 黄金华 申请人:上海科特高分子材料有限公司, 上海霖天功能材料有限公司