专利名称：共轭系化合物、以及使用它的有机薄膜及有机薄膜元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及共轭系化合物、以及使用它的有机薄膜及有机薄膜元件。
背景技术：
作为有机晶体管、有机太阳能电池、光传感器等有机薄膜元件的材料，开发出各种属于有机η型半导体的共轭系化合物。作为其具体例，提出过在低聚噻吩的末端导入氟代烷基的化合物(专利文献1)。专利文献1 国际公开第2003/010778号小册子但是，上述的化合物不能作为具有足够的电子输送性的有机η型半导体来利用。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可以作为电子输送性优异的有机η型半导体利用的新型共轭系化合物。本发明的目的还在于，提供包含该新型共轭系化合物的有机薄膜、以及具有该有机薄膜的有机薄膜元件。为了达成上述目的，本发明提供具有以式(I)表示的基团和/或以式(II)表示的
基团的共轭系化合物。
权利要求
1. 一种共轭系化合物，其特征在于，具有以式(I)表示的基团和/或以式(II)表示的基团，
2.根据权利要求1所述的共轭系化合物，其中， 以式⑴表示的基团具有以式(III)表示的基团，
3.根据权利要求2所述的共轭系化合物，其中， 具有2个以上的以式(III)表示的基团。
4.根据权利要求3所述的共轭系化合物，其以式(IV)表示。
5.根据权利要求4所述的共轭系化合物，其中，所述Ar1、Ar2及Ar3中的至少一个是可以具有取代基的亚噻吩基。
6.根据权利要求2 5中任意一项所述的共轭系化合物，其中， 所述Z1是以式(ii)表示的基团。
7.根据权利要求1 6中任意一项所述的共轭系化合物，其中， 所述A是氰基。
8.根据权利要求1 7中任意一项所述的共轭系化合物，其中， 以式(II)表示的基团具有以式(V)表示的基团，式中，R1及R2可相同或不同，表示氢原子、卤素原子或1价的基团；A’表示氢原子、卤素原子或1价的基团，存在的多个A’可分别相同或不同，并且其中的至少一个A’是吸电子性基团；Rki表示氢原子、碳数为1 20的烷基、碳数为1 20的氟代烷基、碳数为1 20 的烷氧基或碳数为1 20的氟代烷氧基；Z2表示以式(xi) (xix)表示的基团的任意一种，这些基团中的R13、R14、R15及R16可相同或不同，表示氢原子或1价的基团，R13与R14也可以相互结合而形成环，
9.根据权利要求8所述的共轭系化合物，其中， 具有2个以上的以式(V)表示的基团。
10.根据权利要求9所述的共轭系化合物，其以式(VI)表示，
11.根据权利要求10所述的共轭系化合物，其中，所述Ar4、Ar5及Ar6中的至少一个是可以具有取代基的亚噻吩基。
12.根据权利要求8 11中任意一项所述的共轭系化合物，其中， 所述Z2是以式(xi)或(xii)表示的基团。
13.根据权利要求8 12中任意一项所述的共轭系化合物，其中， 所述A’是氰基。
14.一种有机薄膜，其包含权利要求1 13中任意一项所述的共轭系化合物。
15.一种有机薄膜元件，其具有权利要求14所述的有机薄膜。
16.一种有机薄膜晶体管，其具有源电极、漏电极、作为这些电极之间的电流路径的有机半导体层以及控制通过这些电流路径的电流量的栅电极，其中，所述有机半导体层具有权利要求14所述的有机薄膜。
17.一种有机太阳能电池，其具有权利要求14所述的有机薄膜。
18.一种光传感器，其具有权利要求14所述的有机薄膜。
全文摘要
本发明提供种具有以式(I)和/或式(II)表示的基团的共轭系化合物。式中，Ar表示可以具有取代基的3价的芳香族烃基或可以具有取代基的3价的杂环基，A表示氢原子、卤素原子或1价的基团。存在的多个A可分别相同或不同，并且其中的至少一个A表示吸电子性基团。Ar’表示可以具有取代基的碳数为6以上的2价的芳香族烃基或可以具有取代基的碳数为4以上的2价的杂环基，R1及R2可相同或不同，表示氢原子、卤素原子或1价的基团，A’表示氢原子、卤素原子或1价的基团。存在的多个A’可分别相同或不同，至少一个A’表示吸电子性基团。
文档编号H01L51/30GK102348700SQ20108001104
公开日2012年2月8日 申请日期2010年3月10日 优先权日2009年3月11日
发明者上田将人, 冈部诚, 安苏芳雄, 家裕隆 申请人:住友化学株式会社, 国立大学法人大阪大学