专利名称：具有合并的场板和保护环的肖特基二极管的制作方法
技术领域：
本发明总体上涉及半导体处理领域，尤其涉及肖特基二极管。
背景技术：
肖特基二极管可以包括具有低正向压降和快速切换操作的半导体二极管。肖特基二极管可以用于功率应用，包括例如在DC-DC同步降压转换器、DC-DC升压转换器以及 AC-DC功率转换器中的体二极管。
发明内容
本发明的实施例提供了在高施加电压下具有减小泄露的一个或多个半导体二极管。这种半导体二极管的一个示例包括肖特基二极管，具有限定了肖特基接触区域的合并的保护环和场板。肖特基金属可以至少部分地形成在肖特基接触区域之上以及至少部分地形成在合并的保护环和场板之上。附图简述图IA是具有正极掺杂的氮化镓(P-GaN)的合并的保护环和场板的垂直肖特基二极管的一个实施例的截面图。图IB是具有两个合并的保护环和场板的垂直肖特基二极管的一个实施例的截面图。图2A是具有单级自对准场板的垂直肖特基二极管的一个实施例的截面图。图2B是具有双场板的垂直肖特基二极管的一个实施例的截面图。图3A和图:3B是具有两个合并的保护环和场板的垂直肖特基二极管的实施例的截面图。图4A和图4B是具有P外延环的垂直肖特基二极管的实施例的截面图。图5A到图涨是对应于制造垂直肖特基二极管的方法的一个实施例的垂直肖特基二极管的一个实施例的截面图。图6A到图61是对应于制造垂直肖特基二极管的方法的一个实施例的垂直肖特基二极管的替代实施例的截面图。图7是具有双场板的横向PN结二极管的一个实施例的截面图。图8A和图8B是具有P-GaN重叠的横向肖特基二极管的实施例的截面图。图9A到图9F是对应于制造横向二极管的方法的一个实施例的横向二极管的一个实施例的截面图。
图10是包括具有场板和保护环的至少一个二极管的装置的框图。在各个附图中相同的标号和指代指示相同的元件。标号列表100肖特基二极管110 场板116 阴极120肖特基金属122电压保持层124电介质130接触区域132 基板134缓冲层136阴极层140 二极管142肖特基金属144双场板146双场板150掺杂层200肖特基二极管210 场板210-1 保护环210-2 场板222电压保持层224电介质240肖特基二极管242-1 保护环242-2 场板244肖特基金属250双场板300肖特基二极管310 场板310-1 保护环310-2 场板324电介质325 阶层332肖特基金属342肖特基金属350肖特基二极管
360场板
410保护环
420肖特基金属
424电介质
430场板
500肖特基二极管
502基板
504缓冲层
506阴极层
508电压保持层
510电介质
510--1氮氧化物层
510-2氮化物层
510--3氮氧化物层
512光致抗蚀剂掩模
513保护环图案
514保护环
516掩模
517肖特基开口
518金属
520阴极电极
522阳极电极
600肖特基二极管
602基板
604缓冲层
606掩埋层
608电压保持层
609氧化物层
610电介质
611氮化物层
613光致抗蚀剂掩模
614P-GaN层
614--2其他层
616抗蚀剂
617肖特基开口区域
620肖特基金属
622肖特基金属
630 GaN层
632阴极电极
636阳极电极
640保护环图案
700二极管
702PN结
710双场板
734阴极
810场板
850肖特基二极管
860肖特基金属
900肖特基二极管
902基板
904缓冲层
906沟道层
910施主层
911电介质
912顶部电介质
913底部电介质
914环形掩模
916抗蚀剂
920保护环
922掩模
930接触区域
1000装置
1010功率转换器
1012场板
1020处理电路
1022电源
发明详述
本文描述的一些实对提供了将保护环与自对准场板结构相结合的二极管。二极管的实施例包括垂直肖特基二极管、横向肖特基二极管和横向P-N结二极管。在一些实施例中，保护环与场板同时形成。本文描述的其他实施例包括两个或三个场板。图IA是具有合并的保护环和场板110的垂直肖特基二极管100的一个实施例的截面图。合并的保护环和场板110是击穿电压增强结构，提供了场板与保护环两者的功能。 如图IA所示，合并的保护环和场板110包括正极掺杂(P型)氮化镓(P-GaN)。在其他实施例中，合并的保护环和场板110包括正极掺杂氮化铝镓(P-AKiaN)、正极掺杂氮化铟铝 (P-InAlN)或者正极掺杂氮化铟镓(InGaN)。用于feiN，AlGaN, InAlN和InGaN实施例的P 型掺杂剂的一个实施例是镁(Mg)。肖特基二极管100包括基板132，在基板之上形成了缓冲层134。阴极层136形成在缓冲层Π4之上并且包括GaN N+。形成环形的阴极116形成在GaN N+阴极层136的部分之上。电压保持层122也形成在GaN N+阴极层136的部分之上。在图IA的实施例中， 电压保持层122包括由GaN形成的N-外延层。电压保持层122限定了用于垂直肖特基二极管100的作为GaN N+阴极层136的掺杂浓度和厚度的函数的垂直击穿电压。例如，垂直厚度大约为6-9微米(μ m)以及掺杂浓度大约为1E15到1E17(每cm3的原子)的电压保持层122产生大约500-800伏(V)的击穿电压。肖特基二极管100使用金属-半导体结作为肖特基接触区域130 (也被称为阻挡区域或者肖特基接触开口)。肖特基接触区域130是位于由合并的保护环和场板110包围的电压保持层122上方的区域。合并的保护环和场板110的场板部分是耦合到电压保持层 122的栅极，电压位于电压保持层122与肖特基金属120之间。肖特基金属120起到阳极的作用。在图IA所示的实施例中，肖特基金属120形成在电压保持层122的至少部分之上。电流从肖特基金属120经过电压保持层122，通过GaN N+阴极层136流到阴极116。实现较低电压水平的实施例可以具有较薄的电压保持层122 或者具有比实现较高电压水平的实施例更高的掺杂浓度。类似地，具有较高电压水平的实施例将具有较厚电压保持层122或者具有较低掺杂浓度。合并的保护环和场板110是自对准的并且部分地形成在电介质IM之上。自对准表明场板和保护环与单个掩模同时形成从而得到具有相同结构和形状的合并的保护环和场板110。这消除了将需要对准的额外的掩模的需要。在一个实施例中，合并的保护环和场板110包括沿电介质124的边沿形成的近似环形层，在合并的保护环和场板110的环形内和下方的区域中限定了肖特基接触区域130。在一个实施例中，肖特基金属120形成在肖特基接触区域130的至少部分以及合并的保护环和场板110的至少部分之上。典型的肖特基二极管在高电压具有明显的泄露电流，这是因为在肖特基接触区域 130的周围的低阻挡高度或不理想末端。这种泄露一般来说是反向施加电压的函数，这是因为在肖特基接触区域130的周围的高并且集中的电场。在图IA中，合并的保护环和场板 110提供场板从而减小肖特基接触区域130处的峰值电场。合并的保护环和场板110形成作为导电场板，也作为η型电压保持层122内的ρ型保护环。合并的保护环和场板110也提供肖特基接触区域130以及暴露的肖特基金属120的周围的屏蔽，尤其在高电压处。在垂直肖特基二极管100中，电流在位于限定或环绕在合并的保护环和场板110内的中心区域下方的电压保持层122的中心区域(S卩，肖特基接触区域130)中流动，控制电场并且通过阳极肖特基金属120。肖特基金属120的实施例包括用于特定半导体和应用的NiAu或任何其他适合材料，包括但不限于镍(Ni)，钛(Ti)，钴(Co)，铝(Al)，钼(Pt)，钽(Ta)等。垂直二极管的一些实施例包括对金属化层(例如，肖特基金属120)的欧姆接触而不是对金属化层的类肖特基接触。在这种实施例中，Ti/Al/Au，Ti/Al/Ni/Au，或层的其他结合在大约800°C或更高温度下被退火从而形成对P型合并的保护环和场板110的欧姆(即，非整流)接触。电压保持层122是氮化镓(GaN)N-外延层。在其他实施例中，电压保持层122包括其他材料，包括但不限于硅(Si)，锗(Ge)，SiGe，氮化铝镓(AKkiN)，氮化铟镓(InGaN)， 磷化铟(InP)，砷化镓(GaAs)等。电压保持层122的实施例包括掺杂或未掺杂材料。基板 132可以包括任何适合的基板材料，包括但不限于Si，蓝宝石，金刚石，碳化硅，GaN，InP等。 电介质层IM的一些实施例包括氮化硅，氮氧化硅，氧化物，氮化铝，三氧化二铝(Al2O3)，或它们的组合，包括具有多层的实施例。电介质层1 的其他实施例是钝化膜，例如厚度范围大约为1-20 μ m的聚酰亚胺，苯丙环丁烯(BCB)，或者厚度范围大约为1_15 μ m的SU-8光致抗蚀剂。在图IA所示的实施例中，合并的保护环和场板110包括使用选择性外延生长 (SEG)或横向外延过生长(ELO)所形成的p-GaN。SEG是用于在半导体基板上外延生长半导体材料的工艺。在图IA中，合并的保护环和场板110是使用SEG生长在电压保持层122 上。p-n结形成在ρ-型GaN场板110与η-型电压保持层122之间。在使用SEG时不需要注入。以低于用于退火的典型温度的温度进行外延层的生长。例如，外延生长的一些实现方式处于950-1100°C范围，而注入物退火的一些实现方式大约在1200°C附近。因为肖特基二极管100在退火步骤期间没有暴露于高温，所以SEG与不同的层结构更兼容。例如，SEG 与较薄的GaN层兼容，这是因为降低了从GaN N+层扩散的风险以及其他应力的减小。使用 SEG来生长层提供了单个步骤用于形成P-GaN的合并的保护环和场板110，这是因为它可以从电压保持层122的界面横向生长(例如由于EL0)。P-GaN的合并的保护环和场板110在暴露于生长GaN的反应物时在电介质124中的曲面之上生长。电介质的曲形减小了峰值电场，这是由于缺少锐角和逐步的电介质厚度变化。在电介质层IM例如是二氧化硅或包含电介质的其他氧化硅的肖特基二极管100的实施例中，在选择性地生长合并的保护环和场板110时减小了区域中除了图案化的保护环开口之外的P型GaN或AlGaN的晶核。图IB是具有合并的保护环和双场板144的垂直肖特基二极管140的一个实施例的截面图。在该实施例中，肖特基金属142重叠合并的保护环和场板110从而形成合并的保护环和双场板144。肖特基金属142的这种重叠起到第二场板(被称为双场板146)的作用，形成了合并的保护环和双场板144。合并的保护环和双场板144耦合到电压保持层122。 这种耦合的强度取决于合并的保护环和双场板144以及双场板146到电压保持层122的接近程度。通过二极管140的电场的形状基于合并的保护环和场板110以及双场板146的形状变化。合并的保护环和场板110以及双场板146的一些实施例设计成更多地保护电压保持层122的初始接触并且在到电压保持层122的距离增大时向外和向上扩散。在其他实施例中，合并的保护环和场板110以及双场板146具有分层结构并且形成曲面从而减小尖锐边沿以改善屏蔽。在图IB所示的实施例中，掺杂层150生长在合并的保护环和场板110的顶部。掺杂层150是合并的保护环和场板110的上方部分，被掺杂成比合并的保护环和场板110的下方部分更高的浓度。掺杂层150在任意阳极金属电极与掺杂半导体层之间提供了低电阻接触。在合并的保护环和场板110为P-型时，掺杂层150为P+掺杂层。掺杂层150例如包括GaN或者AWaN。掺杂层150与合并的保护环和场板110相比相对要薄。在一个实施例中，掺杂层150通过仅掺杂合并的保护环和场板110的上方部分而形成。图2A是具有单级自对准的合并的保护环和场板210的垂直肖特基二极管200的一个实施例的截面图。在该实施例中，合并的保护环和场板210包括没有选择性生长的 GaN。典型地，当在电介质或形成的材料之上没有非选择性生长半导体时，所得到的半导体的结构在非晶体半导体区域之上是非晶体，多晶体，微晶体或者纳米晶体，并且晶体材料一般来说生长在晶体半导体开口窗之上。如图2A所示，合并的保护环和场板210包括两部分 保护环210-1和场板210-2。保护环210-1为单晶体，而场板210-2具有较低品质(S卩，具有更多晶粒边界)。由于结位于保护环210-1的单晶体区域中并且电流不流过场板210-2， 所以这没有引起电性能问题。在一些实施例中，电介质2M之上形成的场板210-2的品质不同于电压保持层222之上的保护环210-1的品质。在图2A所示的实施例中，保护环210-1包括从电压保持层222生长的P-GaN并且为单晶体或者具有较高品质而场板210-2包括P-GaN并且为多晶体、微晶体或纳米晶体。 GaN非选择性地生长在电介质224(例如包括氧化物)之上并且生长到电压保持层222之上的窗口中，在单个步骤中得到两个不同种类的生长。因此，无需考虑场板210-2的生长缺陷，合并的保护环和场板210借助GaN生长过程获得，该GaN生长过程是比SEG生长更快和较低温度过程(取决于反应物的制法)。基于氮化物的电介质2M可以用于在例如使用全 P型GaN或AWaN生长合并的保护环和场板210时有利于合并的保护环和场板210的P型材料的晶核和生长。图2B是具有合并的保护环和双场板250的垂直肖特基二极管MO的一个实施例的截面图。合并的保护环和双场板250包括起到第一场板作用的P-GaN场板242-2和通过重叠场板M2-2起到第二场板作用的肖特基金属M4以及保护环M2-1。P-GaN保护环 242-1和场板242-2没有选择性地生长。图3A和;3B是具有合并的保护环和双场板的垂直肖特基二极管的实施例的截面图。在图3A中，肖特基二极管300包括具有P-GaN的合并的保护环和双自对准场板310(在本文被称为“双场板310” )。双场板310包括在电介质层324中的阶层325之上形成的保护环310-1和场板310-2。在该实施例中，双场板310包括P-GaN并且使用在分阶的电介质 3M和ρ-保护环结构中的阶层325来实现。在一个实施例中，使用横向外延(“印i”)过生长(ELO)工艺形成P-GaN。肖特基金属332形成在双场板310的部分之上并且尽管没有完全覆盖场板310-2但是提供了双场板。图;3B示出了图3A的肖特基二极管300的替代肖特基二极管350，肖特基金属342 在双场板310之上延伸。在该实施例中，使用肖特基金属342和P-GaN保护环材料实现两个合并的保护环和场板360。图4A和4B是具有P-外延保护环的垂直肖特基二极管的实施例的截面图。在图 4A中，通过选择性地生长P-GaN (没有EL0)，或者通过生长全ρ型外延层并且蚀刻掉不是保护环410的部件的任何部分来形成P-GaN外延保护环410。电介质4Μ部分地形成在P-GaN 外延保护环410之上并且接触肖特基金属420，其中肖特基金属420没有重叠电介质424。 在图4Β中，肖特基金属420在电介质似4之上延伸并且形成场板430。图5Α到5L是对应于制造垂直肖特基二极管500的方法的一个实施例的垂直肖特基二极管500的一个实施例的截面图。在一个实施例中，该方法形成具有选择性地生长 P-GaN保护环514的垂直GaN肖特基二极管500，保护环形成自对准场板518。图5Α描绘了形成在基板502之上的至少一个缓冲层504。基板502的实施例包括Si，蓝宝石，硅-金刚石(SOD)，碳化硅等。N+GaN阴极层506(也被称为掩埋层)生长在至少一个缓冲层504 之上。在一些实施例中，缓冲层504包括多层。电压保持层508包括生长在GaN N+掩埋层 506之上的N型漂移区域。在一个实施例中，电压保持层508为GaN N-外延层。在其他实施例中，GaN N-外延电压保持层508的掺杂浓度大约为IO15到1017，厚度范围大约为1_10 微米(μ m)，取决于所需要的击穿电压(例如100到1000V)。蚀刻电压保持层508的部分已暴露图5B中的阴极层506。在一个实施例中，执行台面蚀刻来暴露阴极层506。可以使用干法蚀刻(例如，感应耦合等离子体(ICP))进行蚀刻，也可以使用其他工艺。在图5C中，电介质层510沉积在暴露的阴极层508之上并且保留电压保持层508。图5C所示的电介质层510的实施例包括三层第一氧化物或氮氧化物层510-1，氮化物层510-2，以及第二氧化物或氮氧化物层510-3 (也被称为“氧化物-氮化物-氧化物层”)。电介质层510的其他实施例包括氧化物，氮氧化物，或包括氮化硅，A1N， AlSiN, AlSi, N等的任何其他电介质材料。在图5D中，图案化光致抗蚀剂掩模512以暴露保护环图案513。各向同性地蚀刻电介质510从而限定横向场板的范围。图5E到5H示出了形成保护环514的阶段。在图5E中，在合适位置使用原始光致抗蚀剂掩模512干法蚀刻电介质510的氮化物510-2和较低氧化物层510-1从而暴露电压保持层508的环。在图5F中执行抗蚀剂剥离。在图5G中，在暴露的电压保持层508之上的窗口 513中生长P-GaN或者AlGaN保护环514。使用SEG或ELO生长P-GaN或AlGaN保护环514的实施例。在一个实施例中，如果对于SEG/ELO P-GaN或AlGaN生长优选氧化物层，则选择性地去除任何暴露的氮化物510-2。一个实施例包括生长在P层顶部的P+GaN或 AlGaN盖层从而减小与P层的接触电阻。图5H描述了从肖特基开口掩模516的图案化以及暴露的GaN保护环514的蚀刻得到的肖特基开口 517。在一个实施例中，由于从右到左来蚀刻和暴露电介质510的容限的原因，掩模516是简单的掩模。在一个实施例中，对暴露的电介质510执行过蚀刻。肖特基开口 517的边沿处在P-GaN保护环514内，在那与电压保持层508接触。在图51中，蚀刻电介质510的氮化物510-2和氧化物层510-1的暴露部分从而暴露电压保持层508。在图5J中，执行完剥离抗蚀剂和清洁。在一个实施例中，沉积和蚀刻肖特基金属 518。在另一实施例中，沉积光致抗蚀剂，随后沉积肖特基金属518并且执行光致抗蚀剂的卸除。肖特基金属的实施例包括Ni，NiAu，Pt, Ti, Co, Ta, Ag，Cu，Al连同其他以及它们的组合。在图5J中示出了不带肖特基金属场板的肖特基二极管500(类似于图IA的实施例)。 在另一实施例中，肖特基金属518延伸通过P-GaN保护环514从而提供额外的场板(类似于图IB的实施例)。图涨示出了暴露阴极区域、形成阴极电极520，钝化该装置，以及执行互连金属518图案化以及形成阳极电极522的结果。互连金属518的实施例包括TiW/Au， Ti/Au，Ti/Al/Au，Ti/TiN/Al，Ti/TiN/AlCu，Ti/Al/Ni/Au，和其他以及它们的组合。互连金属518通过在较低场板之外延伸可以起到场板的作用。在上述方法的一些实施例中，以比典型方法少的步骤图案化该装置的保护环514和内部区域。图6A到61是对应于制造垂直肖特基二极管600的方法的一个实施例的阶段的垂直肖特基二极管600的一个实施例的截面图。图6A图示了形成在掩埋层606，缓冲层604 和基板602之上的GaN N-外延电压保持层608之上的电介质层610的沉积的结果。在图 6A的实施例中，电介质层610包括形成在氧化物层609之上的氮化物层611。在其他实施例中，电介质层610包括氮化硅，AlSiN，氧化物，氮氧化物，ALN，或它们的组合。在另一实施例中，在执行图6A的电介质沉积之前实现类似于图5A和5B的制造阶段。在图6B中，图案化光致抗蚀剂掩模613，暴露保护环图案，以及各向同性地蚀刻电介质层610从而限定横向场板范围。在另一实施例中，添加掩模从而限定横向场板范围。使用图6C中的抗蚀剂掩模613执行电介质层610的干法蚀刻从而形成保护环图案640。图 6C具体地示出了蚀刻氧化物层609。图6D图示了在剥离光致抗蚀剂掩模613之后的垂直肖特基二极管600。由于如图6D所示执行的各向同性选择性蚀刻的结果形成了肖特基开口区域617。图6E描述了使用非选择性“全外延”工艺或导致在电介质掩模区域之上生长非单晶体材料614的SEG-ELO工艺而生长的P-GaN(或AlGaN)层614 (例如，在使用快速生长率时)。在GaN N-外延层614-1之上生长的P-GaN(或AlGaN)是单晶体，而在其他层614-2 之上生长的P-GaN(或AlGaN)具有纳米晶体、微晶体或多晶体结构。在一个实施例中，在氧化物层用于P-GaN外延生长时选择性地去除任何暴露的氮化物层611。使用氮化物或氮氧化物来取代氧化物的实施例得到改善，其中氮化物在外延生长期间被暴露，这是因为基于氮化物的薄膜效果是更有效的晶核层(即，在高温下具有较高稳定性)并且在外延生长期间更稳定，并且如果在高温金属有机化学汽相沉积(MOCVD)外延生长印i过程期间氧化物分解(即，氢将Si02分解成Si和氧，并且Si为GaN或AlGaN中的N型掺杂物)，则氧化物的存在可以产生P-型GaN(或AlGaN)的一些相反掺杂。在图6F中，已图案化肖特基开口掩模616并且蚀刻暴露的GaN或AlGaN从而暴露电介质610。在一个实施例中，肖特基开口区域617的边沿处于P-GaN或AlGaN保护环614 内，在那与电压保持层608接触。图6G示出了保持在被蚀刻从而暴露电压保持层608的肖特基开口区域617内的电介质610。在图6H中，已蚀刻抗蚀剂616并且清洁晶片。已图案化肖特基金属622，其在一个实施例中在P-保护环结构614外部延伸从而提供额外的场板。 图61描述了图案化的阴极电极634和阳极电极636。在图61所示的实施例的一种实现方式近似包括以下厚度200到2000 μ m用于基板层602，0. 1到5 μ m用于缓冲层604，0. 1到5 μ m用于掩埋层606，0. 5到9 μ m用于电压保持层608，0. 01到2μπι用于电介质层610，以及500到5000 A用于肖特基金属622。P-型保护环614的厚度近似为100到10,000 A并且宽度可以处于0. 1到2 μ m范围，取决于图案化小尺寸的能力。然而，这应该理解作为示例性非限定实施例，并且其他实施例可以包括不同的尺寸。图7是具有双场板710的横向PN结702 二极管700的一个实施例的截面图。重叠P-AKkiN保护环610的阳极/欧姆或肖特基金属620形成双场板710。P-AKkiN(或GaN) 保护环610接触载流子施主层632，包括形成在GaN层630之上的AlGaN。在一个实施方式中，在P-AWaN(或GaN)保护环610上生长P+GaN或AlGaN层从而减小接触电阻。在该横向PN结二极管700中，电流从阳极(例如，横向PN结702)流到阴极734。击穿电压由阳极边沿702到阴极734的接触边沿的横向间隔来设置。在正向偏置状况下，电流流过形成在紧挨着AlGaN或InAlN载流子施主层632下方的GaN层630 (也被称为缓冲或沟道层) 中的2DEG ( 二维电子气体)。在实现AlGaN或GaN的实施例中，10 μ m的横向间隔产生大约在500和1000V之间的击穿电压。实现保护环的横向二极管的其他实施例包括GaN之上的 InAIN，或各层的另外组合从而基于2DEGQ维电子气体)形成横向装置。不同的实现方式包括各种环或“轨道”类型布局，例如，阳极电极围绕阴极电极，或反之亦然。横向肖特基二极管的替代实施例包括不同的半导体层。例如，横向肖特基二极管的一个实施例包括以下层组合基板，应力消除层，缓冲或沟道层(例如GaN的缓冲或沟槽层)，薄二元阻挡层(例如包括厚度大约为5-25A的A1N)，载流子施主层(例如包括具有大约25 %的Al的AWaN，或者具有大约10-25 %的h的InAlN)，以及盖层或钝化层(例如包括厚度大约为5 to 30 A的GaN，AlN钝化，或者SiN钝化)。薄二元阻挡层改善了 2DEG中的载流子密度。盖层或钝化层可以不掺杂用于低电压应用或者掺杂N+从而减小接触电阻。图8A和8B是具有P-GaN重叠的横向肖特基二极管的实施例。图8A描述了包括形成围绕肖特基接触区域的环的自对准的合并的保护环和场板810的横向肖特基二极管 800。合并的保护环和场板810包括P-AWaN或GaN。图8B描述了具有双场板的横向肖特基二极管850。肖特基金属860重叠场板和保护环810从而形成双场板。图9A到9F是对应于制造横向肖特基二极管900的方法的一个实施例的阶段的横向肖特基二极管900的一个实施例的截面图。载流子施主层910形成在缓冲或沟道层906 之上，缓冲或沟道层906形成在基板902上的应力消除或缓冲层904之上。基板的实现方式包括Si (例如，具有<111>朝向)，蓝宝石(例如，C-平面)，碳化硅，SOD,硅上硅金刚石，或任何其他基板材料。通过注入或者台面蚀刻载流子施主层910执行横向隔离从而消除2DEG 并且由此将装置区域与周围区域相隔离。电介质911沉积在载流子施主层910之上。在该实施例中，载流子施主层910包括具有大约10-30%范围的Al的AKkiN。在另一实施例中， 载流子施主层910包括具有大约5-25%范围的h的InAIN。在一个实施例中，电介质911 是电介质层叠，包括底部电介质913之上的顶部电介质912。电介质911的一些实施例包括氮化物，氮化物氧化物，或下方和上方具有氧化物的氮氧化物。在电介质911之上图案化肖特基环形掩模914，并且干法蚀刻电介质911以暴露半导体层910。如本领域技术人员已知的那样，在横向肖特基实施例中，本文描述的层的外延结构和目的可以不同于相对于垂直肖特基实施例的上述的结构和目的。在图9B中，执行剥离抗蚀剂从而消除肖特基环形掩模914。图案化第二抗蚀剂916 从而形成场板区域。图9C示出了顶部电介质912的各向同性蚀刻、形成凹坑或下切用于场板的结果。在图9D中，去除第二抗蚀剂916。肖特基接触区域930中的垂直壁足够高从而限制保护环920的生长。借助ELO选择性地生长保护环920。在一些实施例中，保护环920 包括P-型GaN，AlGaN,或InAIN。非选择性地生长保护环920的其他实施例。在这种实施例中，执行蚀刻从而从不想要的区域去除任何生长的GaN或AWaN。在图9E中，图案化肖特基掩模922。蚀刻肖特基接触区域930之上的电介质911 从而暴露肖特基接触区域930。图9F示出了剥离掩模922以及在肖特基接触区域930之上沉积并图案化肖特基金属940的结果。在其他实施例中，图案化阴极，进一步蚀刻电介质， 形成金属互连并且钝化装置900。图10是装置1000，包括具有合并的保护环和场板1012的至少一个肖特基二极管。 装置1000包括耦合到电源1022和处理电路1020的功率转换器1010。功率转换器1010并入具有合并的保护环和场板1012的至少一个肖特基二极管。在一个实施例中，装置1000 包括具有合并的保护环和双场板的肖特基二极管。在另一实施例中，电源1022位于装置 1000外部。装置1000为任意电子装置，例如蜂窝电话，计算机，导航装置，微处理器，高频装置等。在一个实施例中，功率转换器1010为高电流和高电压功率转换器。本文描述的场板二极管的实施例可以实现在其他功率装置，高功率密度和高效率DC功率转换器以及高电压AC/DC功率转换器或者使用肖特基二极管或横向P-N结二极管的任何其他应用中。本文描述的一些实施例提供了具有减小泄露的肖特基二极管。制造方法的一些实施例提供了形成肖特基二极管的更少步骤，减小了制造成本。在一个实施例中，单个步骤形成P-N保护环和场板两者。生长ρ-保护环比注入产生较小破坏和泄露并且是较低温度过程。本文描述的一个实施例包括具有击穿电压增强结构的二极管，由合并的保护环和场板结构组成，其具有与阴极掺杂相对的导电类型。保护环与邻近肖特基接触开口的阴极区域接触。保护环和场板由相同的材料制成并且场板与保护环电接触并且重叠围绕肖特基接触开口的电介质。在本文的讨论和权利要求中，相对于一个位于另一个上的两个材料使用的术语 “在…上”表示材料之间的至少一定的接触，而“在…之上”表示材料接近，但是可能存在一个或多个另外的介入材料使得接触成文可能但不是必需的。“在…上”或“在…之上”都不暗指本文所使用的任何方向。术语“共形”描述了一种涂覆材料，其中共形材料保持了底面材料的夹角。术语“大约”指示所列数值可能存在稍微变化，只要这种变化不会造成过程或结构对所示实施例的不一致即可。在本申请中使用的相对位置的术语是基于平行于晶片或基板的惯用平面或工作表面的平面定义的，而与晶片或基板的朝向无关。在本申请中使用的术语“水平”或“横向” 被定义为平行于晶片或基板的惯用平面或工作表面的平面，而与晶片或结构的朝向无关。 术语“垂直”指的是垂直于水平的方向。诸如“在…上”，“侧”(如在“侧壁”中那样)，“较高”，“较低”，“在…之上”，“顶部”和“下方”的术语是相对于晶片或基板的顶表面的惯用平面或工作表面定义的，而与晶片或基板的朝向无关。描述了由所附权利要求限定的本发明的许多实施例。然而，应当理解，可以在不脱离所要保护的发明的精神和范围的情况下对所述实施例进行各种变型。本文描述的特定实施例的特征和方面可以与其他实施例的特征和方面结合或者替代其他实施例的特征和方面。因此，其他实施例落入所附权利要求的范围内。
权利要求
1.一种肖特基二极管，包括合并的保护环和场板，限定了肖特基接触区域；以及肖特基金属，至少部分地形成在肖特基接触区域之上以及至少部分地形成在合并的保护环和场板之上。
2.如权利要求1所述的肖特基二极管，进一步包括电压保持层，其中合并的保护环和场板的至少一部分接触所述电压保持层； 其中肖特基接触形成在所述肖特基金属与所述电压保持层之间。
3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其中，所述电压保持层包括氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AWaN)、硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、氮化铟镓(InGaN)、磷化铟(InP)、氮化铟铝 (InAlN)、或砷化镓(GaAs)中之一。
4.如权利要求2所述的肖特基二极管，其中所述合并的保护环和场板是ρ型材料并且借助所述电压保持层形成P-N结。
5.如权利要求1所述的肖特基二极管，进一步包括载流子施主层，其中所述合并的保护环和场板至少部分地形成在所述载流子施主层之上。
6.如权利要求5所述的肖特基二极管，其中所述合并的保护环和场板包括氮化镓(GaN)；并且所述载流子施主层包括氮化铝镓(AWaN)或氮化铟铝(InAlN)中之一并且在所述合并的保护环和场板下方形成二维电子气体ODEG)。
7.如权利要求5所述的肖特基二极管，进一步包括 基板；形成在所述基板之上的应力消除层； 包括GaN的沟道层；形成在所述沟道层之上的二元阻挡层；以及形成在所述载流子施主层之上的钝化层。
8.如权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述合并的保护环和场板包括氮化镓 (GaN)、正极掺杂的氮化铝镓(P-AWaN)或正极掺杂的氮化铟铝(P-InAlN)。
9.如权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述肖特基金属形成在合并的整个保护环和场板之上。
10.如权利要求1所述的肖特基二极管，进一步包括 形成在掩埋区域之上的阴极；以及形成在基板之上的缓冲层，其中所述掩埋区域形成在缓冲区域之上； 其中所述阴极为第一导电类型；并且其中所述合并的保护环和场板为与第一导电类型相对的第二导电类型。
11.如权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述合并的保护环和场板的上方部分被掺杂成比所述合并的保护环和场板的下方部分更高的浓度。
12.—种肖特基二极管，包括基板，其中电压保持层位于所述基板之上； 合并的保护环和场板，与所述电压保持层的至少一部分接触；在所述合并的保护环和场板限定并且在所述合并的保护环和场板之上至少部分地延伸的区域中、形成在所述电压保持层之上的肖特基金属。
13.如权利要求12所述的肖特基二极管，其中所述合并的保护环和场板在电介质层之上至少部分地延伸。
14.如权利要求12所述的肖特基二极管，其中所述肖特基金属形成在合并的整个保护环和场板之上。
15.如权利要求12所述的肖特基二极管，其中所述合并的保护环和场板包括第一晶体类型的第一部分以及第二晶体类型的第二部分。
16.如权利要求15所述的肖特基二极管，其中所述第一部分接触所述电压保持层而所述第二部分形成在所述电介质层之上。
17.如权利要求15所述的肖特基二极管，其中所述第一晶体类型具有比所述第二晶体类型更好的品质。
18.如权利要求15所述的肖特基二极管，其中 所述第一晶体类型为单晶体；并且所述第二晶体类型为非晶体、纳米晶体、微晶体或多晶体中之一。
19.如权利要求12所述的肖特基二极管，进一步包括 形成在掩埋区域之上的阴极；以及形成在所述基板之上的缓冲层。
20.如权利要求19所述的肖特基二极管，其中 所述阴极为第一导电类型；并且所述合并的保护环和场板为与所述第一导电类型相对的第二导电类型。
21.如权利要求12所述的肖特基二极管，其中所述电介质层包括含有氧化物层、氮化物层、氮氧化物层的一层或多层。
22.如权利要求12所述的肖特基二极管，其中所述电介质层是分阶的。
23.如权利要求12所述的肖特基二极管，其中所述电压保持层包括氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AWaN)、铝(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、 氮化铟镓(InGaN)、氮化铟铝(InAlN)、磷化铟(MP)或砷化镓(GaAs)中之一；并且所述合并的保护环和场板包括正极掺杂的氮化镓(P-GaN)或正极掺杂的InAlN中之 所述基板包括Si、蓝宝石、硅-金刚石、碳化硅、GaN或hP中之一；并且所述肖特基金属包括镍、钛、钴、铝、钼或钽中之一、或者它们的结合。
24.如权利要求12所述的肖特基二极管，其中所述合并的保护环和场板是自对准的。
25.如权利要求12所述的肖特基二极管，其中所述合并的保护环和场板的上方部分被掺杂成比所述合并的保护环和场板的剩余部分更高的浓度。
26.一种形成二极管的方法，包括沿肖特基接触区域的边沿形成保护环，其中所述保护环部分地与所述肖特基接触区域共面并且部分地在所述肖特基接触区域上方延伸；以及在所述肖特基接触区域的至少一部分和所述保护环的至少一部分之上沉积肖特基金属ο
27.如权利要求沈所述的方法，进一步包括 形成电介质层；在所述至少电介质层之上图案化第一抗蚀剂从而形成保护环图案； 蚀刻所述电介质层从而形成保护环区域，其中所述保护环区域接触所述肖特基接触区域的边沿；剥离所述第一抗蚀剂；在所述保护环的至少一部分之上图案化第二抗蚀剂从而形成肖特基开口； 蚀刻未由所述第二抗蚀剂覆盖的暴露的保护环以及所述肖特基开口内的电介质层的部分；以及剥离所述第二抗蚀剂。
28.如权利要求27所述的方法，进一步包括各向同性地蚀刻所述电介质层从而限定场板的横向范围。
29.如权利要求27所述的方法，其中蚀刻所述电介质层的一部分进一步包括执行干法蚀刻从而去除所述电介质层的部分。
30.如权利要求沈所述的方法，进一步包括形成电压保持层，其中所述保护环部分地形成在所述电压保持层上。
31.如权利要求30所述的方法，进一步包括蚀刻所述电压保持层的一部分从而暴露所述阴极层；以及在暴露的阴极层之上沉积所述电介质层。
32.如权利要求30所述的方法，其中形成电介质层进一步包括 在所述电压保持层之上沉积第一氧化物或氮氧化物层；在所述第一氧化物或氮氧化物层之上沉积氮化物层；以及在所述氮化物层之上沉积第二氧化物或氮氧化物层。
33.如权利要求30所述的方法，进一步包括 在掩埋层之上形成阴极电极；钝化所述二极管；以及图案化互连金属，其中所述互连金属在场板之上延伸从而提供双场板。
34.如权利要求沈所述的方法，其中形成保护环包括使用选择性外延生长(SEG)工艺在所述保护环区域中生长所述保护环。
35.如权利要求沈所述的方法，其中形成保护环包括使用横向外延过生长(ELO)工艺在所述保护环区域中生长所述保护环。
36.如权利要求沈所述的方法，进一步包括形成载流子施主层，其中所述保护环部分地形成在所述载流子施主层上。
37.如权利要求沈所述的方法，其中形成保护环进一步包括选择性地生长所述保护环从而形成自对准的合并的保护环和场板。
38.如权利要求37所述的方法，其中所述保护环包括第一晶体结构而所述场板包括第二晶体结构。
39.如权利要求沈所述的方法，其中沉积肖特基金属包括在整个保护环之上沉积所述肖特基金属。
40.如权利要求沈所述的方法，其中所述保护环至少部分生长在电介质之上；以及所述肖特基金属形成在所述保护环的部分之上而非电介质之上，并且其中所述肖特基金属没有形成在所述电介质之上。
41.如权利要求沈所述的方法，进一步包括在缓冲层和电压保持层之上形成电介质层，其中所述电介质层包括形成在氧化物层之上的氮化物层；在至少电介质层之上图案化第一抗蚀剂从而形成保护环图案； 横向蚀刻所述氮化物层从而形成保护环区域和场板的横向范围，其中所述保护环区域接触所述肖特基接触区域的边沿；蚀刻由所述第一抗蚀剂暴露的所述氧化物层； 剥离所述第一抗蚀剂；其中形成保护环包括在剥离所述第一抗蚀剂之后生长正极掺杂的氮化镓(P-GaN)、 正极掺杂的氮化铝镓(P-AWaN)、正极掺杂的氮化铟镓(P-InGaN)或正极掺杂的氮化铟铝 (P-InAlN)中之一，其中在所述电压保持层正上方生长的保护环的一部分具有第一晶体结构而在其他地方生长的保护环的至少一部分具有第二晶体结构； 图案化第二抗蚀剂；蚀刻由所述第二抗蚀剂暴露的所述保护环的至少一部分；以及剥离所述第二抗蚀剂。
42.如权利要求41所述的方法，其中形成保护环进一步包括使用非选择性全外延工艺、选择性外延生长(SEG)工艺或者横向外延过生长(ELO)工艺中之一来生长所述保护环。
43.如权利要求沈所述的方法，进一步包括 在掩埋层之上形成电压保持层；通过蚀刻所述电压保持层的部分形成横向隔离； 在所述电压保持层之上沉积电介质层； 在所述电介质层之上图案化环形掩模；蚀刻由所述环形掩模暴露的所述电介质层从而暴露所述电压保持层；剥离所述环形掩模；图案化第一抗蚀剂从而限定场板区域；执行对所述电介质层的至少一部分的各向同性蚀刻；剥离所述第一抗蚀剂；使用横向外延过生长(ELO)工艺选择性地生长所述保护环； 图案化第二抗蚀剂从而限定结区域； 蚀刻由所述第二抗蚀剂暴露的表面；以及剥离所述第二抗蚀剂。
44.一种二极管，包括 具有第一导电类型的阴极；在电介质区域内的肖特基接触开口 ；以及邻近所述肖特基接触开口的击穿电压增强结构，具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型，包括合并的保护环和场板；其中所述保护环和场板包括第一材料；其中所述保护环接触所述阴极；并且其中所述场板与所述保护环电接触并且重叠所述电介质区域。
45.如权利要求44所述的二极管，进一步包括形成在所述肖特基接触开口以及合并的保护环和场板的至少一部分之上的阳极金属。
46.如权利要求44所述的二极管，其中所述阳极金属形成在合并的整个保护环和场板之上并且提供双场板。
47.一种二极管，包括 具有第一导电类型的阴极； 电介质区域内的接触开口 ；以及所述接触开口内的击穿电压增强结构，具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型，包括合并的保护环和场板；其中所述合并的保护环和场板包括第一材料； 其中所述保护环与电压保持层电接触；并且所述场板与所述保护环电接触并且重叠所述电介质区域。
48.如权利要求47所述的二极管，其中在所述保护环与所述电压保持层之间的所述接触形成P-N结。
49.一种电子装置，包括包括至少一个二极管的功率转换器，其中所述二极管包括 基板，其中击穿电压增强结构位于所述基板之上； 沿肖特基接触区域的边沿形成的合并的保护环和场板；在由所述合并的保护环和场板限定并且在所述合并的保护环和场板之上至少部分地延伸的区域中、在所述击穿电压增强结构之上形成的金属；以及耦合到所述功率转换器的处理电路。
50.如权利要求49所述的装置，其中所述至少一个二极管为垂直肖特基二极管、横向肖特基二极管或P-N结二极管中之一。
51.如权利要求49所述的装置，其中所述合并的保护环和场板至少部分地在电介质层之上延伸。
52.如权利要求49所述的装置，其中所述金属形成在合并的整个保护环和场板之上。
全文摘要
提供了一种肖特基二极管，包括限定了肖特基接触区域的合并的保护环和场板。肖特基金属至少部分地形成在肖特基接触区域之上以及至少部分地形成在合并的保护环和场板之上。
文档编号H01L29/06GK102315280SQ20111013822
公开日2012年1月11日 申请日期2011年5月17日 优先权日2010年7月8日
发明者F·希伯特 申请人:英特赛尔美国股份有限公司