专利名称：ZnO肖特基二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件。具体说涉及ZnO肖特基二极管。
背景技术：
肖特基二极管，特别是调频肖特基二极管可广泛应用于微波混频、检波及高速开关电路等领域。传统的肖特基二极管，其欧姆接触电极直接设在衬底的背面，在衬底的正面自下而上依次沉积外延层和金属电极层，外延层的厚度均在2μm以上。这种肖特基二极管的衬底串联电阻较大，截止频率较低，故其应用场合受到极大限制。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种利于提高二极管性能的ZnO肖特基二极管。
ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。
通常，使ZnO晶体膜外延层的厚度在0.3～1μm。
本实用新型的ZnO肖特基二极管，其第一金属电极层和ZnO外延层形成了欧姆接触，第二金属电极层和ZnO外延层形成了肖特基接触。由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联电阻过大而导致器件的理想因子偏高，利于提高截止频率。采用ZnO薄膜，原料丰富，价格低廉，且适合高温、高频工作，抗辐射能力强；此外，有多种衬底适合ZnO薄膜的沉积，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺也简单。
图1是ZnO肖特基二极管的结构示意图；图2是ZnO肖特基二极管的整流特性。
具体实施方式
参照图1，本实用新型的ZnO肖特基二极管是在衬底1的正面自下而上依次沉积第一金属电极层2、ZnO晶体膜外延层3和第二金属电极层4而构成。其中衬底可以是硅、金属或玻璃。ZnO晶体膜外延层的厚度在0.3～1μm。第一、第二金属层可以是任意金属，一般，第一金属层采用铝，第二金属层采用铂为好。
制备时，先按常规方法对衬底进行清洗，然后在衬底上用真空蒸发沉积第一金属层，如铝膜，再用磁控溅射沉积法在铝膜上沉积ZnO晶体膜层，用光刻工艺在ZnO薄膜上制作第二金属电极层，如铂电极。
本实用新型的ZnO肖特基二极管用J-V测试显示，见图2所示，它具有明显的整流特性，可适应通讯，微波技术的发展。
权利要求1.ZnO肖特基二极管，包括衬底(1)，其特征在于它是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层(2)、ZnO晶体膜外延层(3)和第二金属电极层(4)而构成。
2.根据权利要求1所述的ZnO肖特基二极管，其特征是ZnO晶体膜外延层(3)的厚度为0.3～1μm。
3.根据权利要求1所述的ZnO肖特基二极管，其特征是所说的第一金属电极层(2)是铝，第二金属电极层(4)是铂。
专利摘要本实用新型的ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。本实用新型的ZnO肖特基二极管，由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联电阻过大而导致器件的理想因子偏高，利于提高截止频率。采用ZnO薄膜，原料丰富，价格低廉，且适合高温、高频工作，抗辐射能力强；此外，有多种衬底适合ZnO薄膜的沉积，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺也简单。
文档编号H01L29/872GK2570985SQ0226051
公开日2003年9月3日 申请日期2002年9月28日 优先权日2002年9月28日
发明者叶志镇, 李蓓, 黄靖云, 张海燕 申请人:浙江大学