一种SiC肖特基二极管及其制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括N++-SiC衬底和N--SiC外延层，N--SiC外延层形成于N++-SiC衬底之上，且N++-SiC衬底背面设有N型欧姆接触电极，N--SiC外延层表面设有肖特基接触电极，肖特基接触电极之下有选择性P+-SiC区域环，P+-SiC区域环之下有与P+-SiC区域环对应的N+-SiC区域环，作为雪崩击穿时的保护环；肖特基接触电极的外围设有多个P+-SiC保护环，作为该二极管器件的终端保护结构；在肖特基接触电极边缘设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层上方设有场板。本发明使得SiC肖特基二极管的导通电压与Si肖特基二极管的导通电压相近，不仅与原有采用Si器件的系统匹配良好，而且可应用于Si肖特基器件所不能达到的高压600V-1200V的开关电源和功率因数校正电路中。
【专利说明】一种SiC肖特基二极管及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件【技术领域】，特别涉及一种具有低导通电压的SiC肖特基二极管及其制作方法。
【背景技术】
[0002]宽禁带半导体一般指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等禁带宽度在3.0eV左右及其以上者。与Si材料相比，这些材料具有较宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率等优点，是制备电力电子器件的优选材料。其中，利用SiC材料制备的肖特基二极管属于多数载流子器件，该结构的特点是无额外载流子的注入和储存、开关速度快、开关损耗小，可以广泛应用于电动汽车/混合动力车等需进行功率转换的逆变器、转换器、PFC电路，以及太阳能、风能等新能源中的整流、逆变等领域。
[0003]开关电源是目前使用数量最多的一种电力电子装置，直流开关电源的前端一般是有二极管或晶闸管构成的非线性整流器，会产生大量的谐波和无功功率，使得开关电源的功率因数比较低，对电网产生不良干扰。虽然单台套开关电源一般功率不是很大，但是由于使用量大面广，其影响不容忽视。因此，将宽禁带半导体器件SiC肖特基二极管引入到直流开关电源的PFC电路，可以在不改变电路拓扑和工作方式的情况下，有效解决Si 二极管反向恢复电流带来的许多问题，极大的改善电路的工作品质。
[0004]同时，Si肖特基器件虽然具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于100V，最高仅约200V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V-1200V的高速二极管以及PFC升压用600V 二极管等，都大量需要200V以上，且具有开关频率高和正向压降低的器件。因此，600V-1200V的SiC肖特基器件将有广阔的市场。
[0005]但是，由于目前商业化的SiC肖特基器件都采用Ti或者Mo作为肖特基金属，其导通压降基本上都大于0.9V，而超高压Si肖特基器件的导通压降都在0.6V以下，要想与原有系统进行良好的匹配，本发明提供的具有0.6V左右导通压降的600V-1200V SiC肖特基器件将在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中得到更好、更广泛的应用。
[0006]针对以上应用需要，本发明提出了一种具有低导通电压、高反向阻断电压的SiC肖特基二极管及其制作方法，目前应用于现有开关电源和PFC电路中的此结构SiC肖特基二极管尚无实例。
【发明内容】
[0007](一 )要解决的技术问题
[0008]本发明所要解决的技术问题是提供一种降低器件制作工艺的复杂度和成本，具有低导通电压、高反向阻断电压的SiC肖特基二极管及其制作方法，使器件的导通电压保持与Si肖特基器件相近(约为0.6V左右)的同时，反向击穿电压能够达到600V-1200V。[0009]( 二)技术方案
[0010]为解决上述技术问题，本发明提供了一种SiC肖特基二极管，包括N++_SiC衬底和N--SiC外延层，所述N--SiC外延层形成于所述N++-SiC衬底之上，且所述N++-SiC衬底背面设有N型欧姆接触电极，所述N--SiC外延层表面设有肖特基接触电极，所述肖特基接触电极之下有选择性P+-SiC区域环，所述P+-SiC区域环之下有与P+-SiC区域环对应的N+-SiC区域环，作为雪崩击穿时的保护环；所述肖特基接触电极的外围设有多个P+-SiC保护环，作为该二极管器件的终端保护结构；在所述肖特基接触电极边缘设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层上方设有场板。 [0011]上述方案中，所述肖特基接触电极采用的导通电压与该Si肖特基二极管的导通电压相近。
[0012]上述方案中，该Si肖特基二极管的应用领域为Si肖特基二极管器件所不能达到的高压600V-1200V的开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中。
[0013]上述方案中，所述N+-SiC区域环作为雪崩击穿时的保护环，能够有效分散P+-SiC区域环边缘的电场分布，在反向击穿时起到保护作用。
[0014]上述方案中，所述N+-SiC区域环的掺杂浓度为3E17Cm_3-5E17Cm_3之间，环宽小于或者等于P+-SiC区域环，两边各缩进0-1 μ m之间，其纵向厚度为0.1 μ m-0.5 μ m之间。
[0015]上述方案中，所述肖特基接触电极采用金属Al形成，其导通电压为0.6V。
[0016]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种SiC肖特基二极管的制作方法，包括如下步骤:在N++-SiC衬底上生长N_-SiC外延层；在^+-31(:衬底背面形成欧姆接触电极；在K-SiC外延层上制备N+-SiC区域保护环；在N--SiC外延层上一次注入形成肖特基金属下选择性P+-SiC区域环和肖特基接触外围的多个P+-SiC保护环；通过PECVD的方法，在已制备多个P+-SiC保护环上淀积钝化层SiO2，并腐蚀SiO2窗口 ；制备Al肖特基金属和封装加厚金属Al，同时形成肖特基接触和场板金属。
[0017]上述方案中，所述在N++_SiC衬底上生长N__SiC外延层包括:在掺杂浓度为IO18~IO19CnT3水平的N++-SiC衬底正面利用CVD方法外延N_-SiC层；所述N__SiC外延层掺杂水平为 8 X IO15Cm 3 ~I X IO16Cm 3，厚度为 5 ~15 μ m。
[0018]上述方案中，所述在N++_SiC衬底背面形成欧姆接触电极包括:在矿-SiC衬底上背面生长Ni金属；在9001:~1000°C温度范围内，在真空环境或惰性气体氛围中进行快速热退火,形成N+-SiC的欧姆接触。
[0019]上述方案中，所述外延层上制备N+-SiC区域保护环包括:在仄-5丨(:外延层上制作绝缘介质SiO2作为N离子注入的阻挡层；在温度200°C~500°C时进行N离子进行注入；所述的N离子能量为40kev~375kev之间的任意组合；所述能量的注入总剂量为4X IO12CnT2~6X IO12CnT2之间；在惰性气体氛围中进行N离子注入后的高温激活退火，激活退火的温度范围为1300°C~1500°C，形成N+-SiC区域保护环。
[0020]上述方案中，在N__SiC外延层上一次注入形成的肖特基金属下选择性P+-SiC区域环和肖特基接触外围的多个P+-SiC保护环包括:采用绝缘介质材料，制作选择性离子注入掩蔽层，绝缘介质材料是SiO2、多晶硅、非晶硅中的一种或多种；在温度200°C~500°C时进行Al离子进行注入；所述的P+-SiC环注入离子为Al离子，所述的注入能量为50kev~450kev;所述注入的总注入剂量为lX1014cm_2~8X IO14CnT2之间；在惰性气体氛围中进行Al离子注入后的高温激活退火，激活退火的温度范围为1600°C~1850°C，形成N+-SiC区域保护环。
[0021]上述方案中，所述的肖特基金属和封装加厚金属都为Al金属，肖特基金属2000A，封装加厚4 ii m。
[0022](三)有益效果
[0023]从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果:
[0024]1、本发明采用Al作为肖特基金属，封装加厚金属也是Al，避免了肖特基金属与封装加厚金属之间因氧化而需要进行其他工艺，制备工艺相对简单，同时降低了导通电阻。
[0025]2、本发明肖特基金属下选择性P+-SiC区域环和肖特基接触外围的多个P+-SiC保护环采用一次注入工艺形成，且在形成N离子注入掩蔽层的同时形成Al离子注入的掩蔽层，器件制备工艺相对简单。
[0026]3、本发明采用Al作为肖特基金属，具有与Si肖特基器件相近的低导通电压，同时在P+-SiC区域环下面设置与之对应的N+-SiC区域环，作为雪崩击穿时的保护环，提高反向阻断电压。
[0027]4、本发明提供的具有低导通电压、高反向阻断电压的SiC肖特基二极管，可广泛的应用于原有的Si肖特基器件系统。在不改变原有电路拓扑和工作方式的情况下，提升反向击穿电压，与系统形成良好匹配，节省了新器件与原有系统的匹配成本，应用前景广阔。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]图1为本发明提供的具有低导通电压、高反向阻断电压的SiC肖特基二极管的剖面图；
[0029]图2为本发明提供的不同金属的正向肖特基特性图；
[0030]图3为本发明实施例器件的反向1-V特性图；
[0031]图4为本发明提供的具有低导通电压、高反向阻断电压的SiC肖特基二极管的制作方法流程图。
【具体实施方式】
[0032]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
[0033]如图1所示，图1为本发明提供的具有低导通电压、高反向阻断电压的SiC肖特基二极管的剖面图，该SiC肖特基二极管包括N++-SiC衬底和N_-SiC外延层，N_-SiC外延层形成于N++-SiC衬底之上，且N++-SiC衬底背面设有N型欧姆接触电极，N_-SiC外延层表面设有肖特基接触电极，肖特基接触电极之下有选择性P+-SiC区域环，P+-SiC区域环之下有与P+-SiC区域环对应的N+-SiC区域环，作为雪崩击穿时的保护环；肖特基接触电极的外围设有多个P+-SiC保护环，作为该二极管器件的终端保护结构；在肖特基接触电极边缘设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层上方设有场板。
[0034]图2给出了本发明提供的不同金属的肖特基特性。在N--SiC外延层上淀积不同肖特基金属Al、T1、Mo、Ni各200nm，其中T1、Mo为目前商业化SiC肖特基二极管器件常用的肖特基金属。从实验结果可知，采用Al、T1、Mo、Ni肖特基金属形成的肖特基二极管的理想因子分别为1.023，1.018，1.019，1.022，说明都符合热电子发射机制，从而推算出形成的肖特基势垒高度分别为0.58eV，0.88eV，l.15eV，1.66eV。因此，采用Al肖特基可以获得与Si肖特基二极管器件相近的导通电压。
[0035]图3为本发明提供的不同肖特基金属的反向1-V特性图。从图3中可以看到，采用Al作为肖特基金属，获得与Si肖特基器件相近的低导通电压的同时，反向漏电流也在可控范围内。
[0036]图4为本发明提供的具有低导通电压、高反向阻断电压的SiC肖特基二极管的制作方法，该方法可制作图1所示的SiC肖特基二极管，包括以下步骤:
[0037]步骤10:在N++_SiC衬底上生长N--SiC外延层。
[0038]在掺杂浓度为IO19CnT3水平的N++_SiC衬底正面利用CVD方法外延N__SiC层；所述N_-SiC外延层掺杂水平为8 X 1015cm_3，厚度为12 μ m。
[0039]步骤20:在N++_SiC衬底背面形成欧姆接触。
[0040]在N++-SiC衬底背面生长Ni金属200nm ;在950°C温度下，氮气氛围中进行快速热退火5min,形成N+-SiC的欧姆接触。
[0041]步骤30:在仄-SiC外延层上制备N+-SiC区域保护环。
[0042]在N__SiC外延层上PECVD生长2 μ m厚SiO2，采用光刻显影技术，光刻出注入窗口，采用ICP刻蚀的方法刻蚀去除需要注入区的SiO2,形成选择性N离子注入和Al离子注入的掩蔽层；在温度200°C时进行N离子进行注入；所采用的N离子能量为375kev，所述能量的注入总剂量为4X1012cnT2 ;在41*2气体氛围中，1300°C，30min，进行N离子注入后的高温激活退火，形成N+-SiC区域保护环。
[0043]步骤40:在N--SiC外延层上一次注入形成肖特基金属下选择性P+-SiC区域环和肖特基接触外围的多个P+-SiC保护环。
[0044]形成N离子注入掩蔽层的同时形成Al离子注入的掩蔽层；在温度500°C时进行Al离子进行注入；所采用的Al离子能量组合为50kev,90kev,200kev,350kev,所述能量的注入总剂量为3.62E14cnT2 ;在Ar2气体氛围中，1850°C，5min，进行Al离子注入后的高温激活退火，形成肖特基金属下P+-SiC区域环和肖特基接触外围的多个P+-SiC保护环。
[0045]步骤50 =PECVD淀积钝化层SiO2,并腐蚀SiO2窗口。
[0046]在器件表面采用PECVD方法淀积400nm厚SiO2钝化层；光刻显影，制作窗口图形，并湿法腐蚀SiO2窗口。
[0047]步骤60:生长肖特基金属、封装加厚金属环及场板金属。
[0048]采用电子束沉积生长Al肖特基金属200nm ;在器件表面再次旋涂光刻胶，通过光刻形成场板金属图形，从而同时分别形成肖特基接触和场板金属；再次采用电子束沉积生长Al封装加厚金属4 μ m。
[0049]以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种SiC肖特基二极管，包括N++-SiC衬底和N_-SiC外延层，所述N_-SiC外延层形成于所述N++-SiC衬底之上，且所述N++-SiC衬底背面设有N型欧姆接触电极，其特征在于: 所述N--SiC外延层表面设有肖特基接触电极，所述肖特基接触电极之下有选择性P+-SiC区域环，所述P+-SiC区域环之下有与P+-SiC区域环对应的N+-SiC区域环，作为雪崩击穿时的保护环；所述肖特基接触电极的外围设有多个P+-SiC保护环，作为该二极管器件的终端保护结构；在所述肖特基接触电极边缘设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层上方设有场板。
2.根据权利要求1所述的SiC肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基接触电极采用的导通电压与该Si肖特基二极管的导通电压相近。
3.根据权利要求1 所述的SiC肖特基二极管，其特征在于，该Si肖特基二极管的应用领域为Si肖特基二极管器件所不能达到的高压600V-1200V的开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中。
4.根据权利要求1所述的SiC肖特基二极管，其特征在于，所述N+-SiC区域环作为雪崩击穿时的保护环，能够有效分散P+-SiC区域环边缘的电场分布，在反向击穿时起到保护作用。
5.根据权利要求4所述的SiC肖特基二极管，其特征在于，所述N+-SiC区域环的掺杂浓度为3E17Cm_3-5E17Cm_3之间，环宽小于或者等于P+-SiC区域环，两边各缩进O-1iim之间，其纵向厚度为0.liim-0.5 iim之间。
6.根据权利要求1所述的SiC肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基接触电极采用金属Al形成,其导通电压为0.6V。
7.—种SiC肖特基二极管的制作方法，包括如下步骤: 在N++-SiC衬底上生长N--SiC外延层； 在N++-SiC衬底背面形成欧姆接触电极； 在N--SiC外延层上制备N+-SiC区域保护环； 在N--SiC外延层上一次注入形成肖特基金属下选择性P+-SiC区域环和肖特基接触外围的多个P+-SiC保护环； 通过PECVD的方法，在已制备多个P+-SiC保护环上淀积钝化层SiO2，并腐蚀SiO2窗口 ； 制备Al肖特基金属和封装加厚金属Al，同时形成肖特基接触和场板金属。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在N++-SiC衬底上生长N--SiC外延层包括: 在掺杂浓度为IO18~IO19CnT3水平的N++-SiC衬底正面利用CVD方法外延N__SiC层；所述N^-SiC外延层掺杂水平为8 X IO15CnT3~I X IO16Cm-3,厚度为5~15 y m。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在N++-SiC衬底背面形成欧姆接触电极包括: 在N++-SiC衬底上背面生长Ni金属； 在900°C~1000°C温度范围内，在真空环境或惰性气体氛围中进行快速热退火，形成N+-SiC的欧姆接触。
10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在N_-SiC外延层上制备N+-SiC区域保护环包括:在N--SiC外延层上制作绝缘介质SiO2作为N离子注入的阻挡层； 在温度200°C~500°C时进行N离子进行注入； 所述的N离子能量为40kev~375kev之间的任意组合；所述能量的注入总剂量为4X IO12CnT2 ~6X IO12CnT2 之间； 在惰性气体氛围中进行N离子注入后的高温激活退火，激活退火的温度范围为1300°C~1500°C，形成N+-SiC区域保护环。
11.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在N_-SiC外延层上一次注入形成的肖特基金属下选择性P+-SiC区域环和肖特基接触外围的多个P+-SiC保护环包括: 采用绝缘介质材料，制作选择性离子注入掩蔽层，绝缘介质材料是SiO2、多晶硅、非晶硅中的一种或多种； 在温度200°C~500°C时进行Al离子进行注入； 所述的P+-SiC环注入离子为Al离子,所述的注入能量为50kev~450kev ;所述注入的总注入剂量为I X IO14CnT2~8 X IO14CnT2之间； 在惰性气体氛围中进行Al离子注入后的高温激活退火，激活退火的温度范围为1600°C~1850°C，形成N+-SiC区域保护环。
12.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述的肖特基金属和封装加厚金属都为Al金属，肖特基金属2000A，封装加厚4 μ m。
【文档编号】H01L29/47GK103579375SQ201310580966
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年11月18日 优先权日:2013年11月18日
【发明者】刘新宇, 许恒宇, 汤益丹, 蒋浩杰, 赵玉印, 申华军, 白云, 杨谦 申请人:中国科学院微电子研究所