一种耐高温芯片封装结构的制作方法

文档序号:7161282阅读:526来源:国知局
专利名称:一种耐高温芯片封装结构的制作方法
技术领域
本发明涉及到芯片封装领域,特别涉及到一种耐高温芯片封装结构。
背景技术
所谓的芯片就是IC,泛指所有的电子元器件,是在硅板上集合多种电子元器件实现某种特定功能的电路模块。它是电子设备中最重要的部分,承担着运算和存储的功能。集成电路的应用范围覆盖了军工、民用的几乎所有的电子设备。芯片封装技术就是将内存芯片包裹起来,以避免芯片与外界接触,防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体,乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路,进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大,封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展,电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展,因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多种多样,有DIP、P0FP、TS0P、BGA、QFP、CSP等等,种类不下三十种,经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革,性能日益先进,芯片面积与封装面积之比越来越接近1,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,以及引脚数增多,引脚间距减小,重量减小,可靠性提高,使用更加方便。申请号为201020119073的专利申请文件公开了一种抗高温整流芯片,它包括整流基材,整流基材的顶端面上附着上金属层,整流基材的底端面上附着下金属层,整流基材上附着有半绝缘多晶硅膜,玻璃钝化层附着在半绝缘多晶硅膜上,绝缘膜分别附着在玻璃钝化层及半绝缘多晶硅膜上。

发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种耐高温芯片封装结构,能够解决传统芯片耐高温性能不够的问题。为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是提供一种耐高温芯片封装结构,包括金属框架、基体、芯片和真空隔热罩;基体安装于金属框架的底部上,基体上焊接有芯片并连接芯片的正负极,所述金属框架为两侧凸起的开口结构,其顶部设置有真空隔热罩,所述透光真空隔热罩覆盖于金属框架的两个顶角并密封固定,真空隔热罩和金属框架所组成的密封空间中用惰性气体填充。在本发明的一个实施例中,所述金属框架和基体之间设置有硅胶层,所述硅胶层的厚度为2mm。在本发明的一个实施例中,所述真空隔热罩采用石英砂高温煅烧制成。本发明的有益效果是本发明结构简单合理,设计紧凑巧妙,真空隔热罩既能传导光线,又能保护内部芯片,极大的延长了本发明的使用寿命,值得大规模市场推广。


图1是本发明所述的一种耐高温芯片封装结构的结构示意图。
具体实施例方式如图1所示,本发明所述的本发明公开了一种耐高温芯片封装结构,包括金属框架110、基体、芯片210和真空隔热罩310 ;基体安装于金属框架110的底部上,基体上焊接有芯片210并连接芯片210的正负极,所述金属框架110为两侧凸起的开口结构,其顶部设置有真空隔热罩310,所述真空隔热罩310覆盖于金属框架的两个顶角并密封固定,真空隔热罩310和金属框架110所组成的密封空间中用惰性气体填充。所述金属框架110和基体之间设置有硅胶层,所述硅胶层的厚度为2mm。所述真空隔热罩310采用石英砂高温煅烧制成。本发明的有益效果在于结构简单合理,设计紧凑巧妙,真空隔热罩既能传导光线,又能保护内部芯片,极大的延长了本发明的使用寿命,值得大规模市场推广。以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种耐高温芯片封装结构,其特征在于,包括金属框架、基体、芯片和真空隔热罩; 基体安装于金属框架的底部上,基体上焊接有芯片并连接芯片的正负极,所述金属框架为两侧凸起的开口结构,其顶部设置有真空隔热罩,所述透光真空隔热罩覆盖于金属框架的两个顶角并密封固定,真空隔热罩和金属框架所组成的密封空间中用惰性气体填充。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温芯片封装结构,其特征在于,所述金属框架和基体之间设置有硅胶层,所述硅胶层的厚度为2mm。
3.根据权利要求1所述的一种耐高温芯片封装结构,其特征在于,所述真空隔热罩采用石英砂高温煅烧制成。
全文摘要
本发明公开了一种耐高温芯片封装结构,包括金属框架、基体、芯片和真空隔热罩;基体安装于金属框架的底部上,基体上焊接有芯片并连接芯片的正负极,所述金属框架为两侧凸起的开口结构,其顶部设置有真空隔热罩,所述透光真空隔热罩覆盖于金属框架的两个顶角并密封固定,真空隔热罩和金属框架所组成的密封空间中用惰性气体填充。本发明的有益效果在于结构简单合理,设计紧凑巧妙,透光真空隔热罩既能传导光线,又能保护内部芯片,极大的延长了本发明的使用寿命,值得大规模市场推广。
文档编号H01L23/02GK102368480SQ201110302539
公开日2012年3月7日 申请日期2011年10月9日 优先权日2011年10月9日
发明者徐轶群 申请人:常熟市华海电子有限公司
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