专利名称：一种多芯组陶瓷电容器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种陶瓷电容器。
背景技术：
片式陶瓷电容器除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小、比容大、寿命长、可靠性高、适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10% 15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚(含中国)。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备，如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。电容器的性能规格中有两个指标，一是它的电容量，一是它的耐压能力。使用电容器时，两极板所加的电压一定要小于或等于它的耐压值，否则电容器会被击穿。片式陶瓷电容器也存在这样的问题。
实用新型内容本实用新型的主要目的在于克服现有技术的缺点，提供一种耐击穿电压较高的多芯组陶瓷电容器。本实用新型采用如下技术方案一种多芯组陶瓷电容器，它是由至少三只陶瓷电容芯片先并联后串联组成的。所述至少三只陶瓷电容芯片藉由至少三个金属弓丨出框连接在一起。所述至少三只陶瓷电容芯片焊接在所述至少三个金属引出框上。所述至少三个金属引出框分别为第一引出框、第二引出框和至少一个连接引出框，该第一引出框和第二引出框上均具有安装端。所述陶瓷电容芯片在并联时采用水平平铺方式。由上述对本实用新型的描述可知，与现有技术相比，本实用新型的一种多芯组陶瓷电容器结构设计实现了在不改变容量与等效电阻的情况下，大大提高等效电容的耐击穿电压。
图1为本实用新型具体实施方式
的立体结构示意图；图2为本实用新型具体实施方式
的俯视结构示意图。
具体实施方式
以下通过具体实施方式
对本实用新型作进一步的描述。参照图1和图2，本实用新型的一种多芯组陶瓷电容器，由四只陶瓷电容芯片11、 12、13、14藉由第一引出框21、第二引出框22、连接引出框23先并联后串联组成的，其中陶瓷电容芯片11、12藉由第一引出框21和连接引出框23并联连接，陶瓷电容芯片13、14藉由第二引出框22和连接引出框23并联连接，然后再将陶瓷电容芯片11、12并联组成的芯片组与陶瓷电容芯片13、14并联组成的芯片组进行串联，最后由第一引出框21的安装端211 和第二引出框22的安装端221引出。 上述仅为本实用新型的一个具体实施方式
，但本实用新型的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。
权利要求1.一种多芯组陶瓷电容器，其特征在于它是由至少三只陶瓷电容芯片先并联后串联组成的。
2.如权利要求1所述的一种多芯组陶瓷电容器，其特征在于所述至少三只陶瓷电容芯片藉由至少三个金属引出框连接在一起。
3.如权利要求2所述的一种多芯组陶瓷电容器，其特征在于所述至少三只陶瓷电容芯片焊接在所述至少三个金属引出框上。
4.如权利要求2所述的一种多芯组陶瓷电容器，其特征在于所述至少三个金属引出框分别为第一引出框、第二引出框和至少一个连接引出框，该第一引出框和第二引出框上均具有安装端。
5.如权利要求4所述的一种多芯组陶瓷电容器，其特征在于所述陶瓷电容芯片在并联时采用水平平铺方式。
专利摘要本实用新型涉及一种陶瓷电容器，特别是指一种多芯组陶瓷电容器，它是由至少三只陶瓷电容芯片先并联后串联组成的。与现有技术相比，本实用新型的一种多芯组陶瓷电容器结构设计实现了在不改变容量与等效电阻的情况下，大大提高等效电容的耐击穿电压。
文档编号H01G4/38GK201984961SQ20112000477
公开日2011年9月21日 申请日期2011年1月10日 优先权日2011年1月10日
发明者贺卫东, 郑志原, 雷财万 申请人:福建火炬电子科技股份有限公司