专利名称：刻蚀装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种刻蚀装置。
背景技术：
晶圆电镀后需要进行刻蚀处理。现有技术在的刻蚀装置，要么采用喷淋方式加入腐蚀液；要么垂直将晶圆浸入腐蚀液内刻蚀。腐蚀液经喷淋装置喷淋在晶圆上，腐蚀完成后取出晶圆。这种装置的缺点是腐蚀不均勻，腐蚀液难以循环使用。而且由于采用喷淋的方式加入腐蚀液，导致其结构复杂，能耗高。垂直浸入腐蚀液中的刻蚀装置，结构复杂，操作不方便，且腐蚀液难以循环使用。而且，由于腐蚀液内各位置浓度的差异，导致腐蚀不均勻，影响晶圆质量。
实用新型内容本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种结构简单的刻蚀装置。为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案实现刻蚀装置，其特征在于，包括液槽，所述液槽上设置有接收从液槽中溢流出的液体的溢液槽；所述液槽设置有槽盖；槽盖上设置有晶圆夹持装置；还包括储液槽，所述储液槽通过进液管与液槽联通；所述储液槽通过出液管与溢液槽联通。优选地是，所述的进液管在液槽底部与液槽联通。优选地是，所述的进液管上设置有水泵。优选地是，所述的液槽内设置有过滤膜。优选地是，所述储液槽位置低于溢液槽。优选地是，所述的晶圆夹持装置可转动地安装于槽盖上。优选地是，所述的晶圆夹持装置包括夹具骨架和压盖，所述压盖套装在夹具骨架上以将晶圆夹持在压盖和夹具骨架之间。优选地是，所述的夹具骨架与电机传动连接。本实用新型中的刻蚀装置，腐蚀液自下方注入液槽，且腐蚀液自下而上流动，在流动过程中与晶圆接触腐蚀晶圆，可实现晶圆水平放置刻蚀，确保晶圆各位置刻蚀均勻一致。 本实用新型中的刻蚀装置结构简单。使用时。腐蚀液可循环使用，无需采用喷淋装置，能耗低，使用方便。
图1为本实用新型结构示意图。图2为本实用新型中的液槽剖视结构示意图。
具体实施方式
[0016]
以下结合附图对本实用新型进行详细的描述实施例1如图1所示，刻蚀装置，包括液槽1。液槽1上设置有溢液槽2。溢液槽2环绕设置在液槽1外周。液槽1内的液体自液槽1内溢出后，进入溢液槽2内。液槽1内设置有过滤膜11。液槽1上设置有槽盖3。槽盖3上设置有晶圆夹持装置4(图2所示)。储液槽5通过进液管6与液槽1的底部联通。进液管6上设置有水泵7。溢液槽 2通过出液管8与储液槽5联通。储液槽5位置低于溢液槽2，可使腐蚀液自然流动进入储液槽5内。如图2所示，晶圆夹持装置4包括夹具骨架41和压盖42。压盖42套装在夹具骨架41上，以将晶圆9夹持在压盖42和夹具骨架41之间。压盖42和夹具骨架41夹持住晶圆9的边缘，以使晶圆9需要腐蚀的表面暴露于液槽1内的腐蚀液中。夹具骨架41与压盖 42的连接可采用螺纹连接；也可采用在夹具骨架41外周设置凸块、在压盖42内壁设置凹槽，凸块与凹槽相配合连接的方式。晶圆夹持装置还可使用现有技术中的其他晶圆夹持装置。槽盖3上设置有电机31。电机3通过传动带与转轴32连接，转轴33可转动地安装在槽盖3上，夹具骨架41与转轴32连接。使用时，晶圆夹持装置4夹持晶圆9，将晶圆9放置于液槽1内靠近槽口位置，以使腐蚀液能够接触晶圆9。晶圆夹持装置4可带动晶圆9旋转。水泵7将储液槽5内的腐蚀液输送至液槽1内。腐蚀液自液槽1底部向上流动，流动过程中经过滤膜11过滤。过滤膜 11还有助于腐蚀液分散。腐蚀液向上流动过程中与晶圆9接触，对晶圆9进行腐蚀。腐蚀液经槽口溢出液槽1，进入溢液槽2内，再经出液管8进入储液槽5内，循环使用。本实用新型中的实施例仅用于对本实用新型进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本实用新型保护范围内。
权利要求1.刻蚀装置，其特征在于，包括液槽，所述液槽上设置有接收从液槽中溢流出的液体的溢液槽；所述液槽设置有槽盖；槽盖上设置有晶圆夹持装置；还包括储液槽，所述储液槽通过进液管与液槽联通；所述储液槽通过出液管与溢液槽联通。
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述的进液管在液槽底部与液槽联
3.根据权利要求1或2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述的进液管上设置有水泵。
4.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述的液槽内设置有过滤膜。
5.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述储液槽位置低于溢液槽。
6.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述的晶圆夹持装置可转动地安装于槽盖上。
7.根据权利要求1或6所述的刻蚀装置，其特征在于，所述的晶圆夹持装置包括夹具骨架和压盖，所述压盖套装在夹具骨架上以将晶圆夹持在压盖和夹具骨架之间。
8.根据权利要求7所述的刻蚀装置，其特征在于，所述的夹具骨架与电机传动连接。
专利摘要本实用新型公开了一种刻蚀装置，其特征在于，包括液槽，所述液槽上设置有接收从液槽中溢流出的液体的溢液槽；所述液槽设置有槽盖；槽盖上设置有晶圆夹持装置；还包括储液槽，所述储液槽通过进液管与液槽联通；所述储液槽通过出液管与溢液槽联通。本实用新型中的刻蚀装置，腐蚀液自下方注入液槽，且腐蚀液自下而上流动，在流动过程中与晶圆接触腐蚀晶圆，可实现晶圆水平放置刻蚀，确保晶圆各位置刻蚀均匀一致。本实用新型中的刻蚀装置结构简单。使用时。腐蚀液可循环使用，无需采用喷淋装置，能耗低，使用方便。
文档编号H01L21/00GK202103026SQ20112015800
公开日2012年1月4日 申请日期2011年5月17日 优先权日2011年5月17日
发明者刘红兵, 王振荣 申请人:上海新阳半导体材料股份有限公司