专利名称：一种应用于晶片扩散掺杂的固定装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种应用于晶片扩散掺杂的固定装置，属半导体晶片制备设备技术领域。
背景技术：
扩散外延技术是将晶片放置在具有一定掺杂源浓度的环境中，在高温、高压的环境下使得所需的掺杂材料从半导体晶片表面向材料内部扩散，使得半导体材料表面的局部或全部区域出现高浓度掺杂，从而在半导体表材料表面制作PN结的一种方法。比如在掺Si 的N型GaAs半导体晶片表面掺入高浓度的Si，可使得晶片在掺有高浓度Si的区域转化为 P型半导体，从而形成所需的PN结结构。扩散制作PN结的外延技术具有设备简单，掺杂区域可控，生长过程及废弃物无毒、安全等优点，在发光二极管、太阳能电池、微波器件等材料领域占有重要位置。目前，半导体晶片所用的扩散外延装置未见公开报道。发明内容本实用新型的目的是，公开一种简单、适用的半导体晶片扩散外延装置。本实用新型的技术方案是，本装置在于它是由石墨制作成内有多个晶片固定位置，同时在晶片的边缘设置有放置扩散材料的小孔，装置上下四周有可上下相互嵌套的固定沿，在使用时多层叠加时不同层的舟上下可以相互嵌套，并使的每一层舟内部形成一个具有一定空间的密闭区域。所述装置是由石墨制成，形状为薄长方体，装置的外形尺寸为长250 mm-500 mm, 宽80 mm -100 mm,高8 mm-12 mm ；所述装置包括石墨舟、晶片固定区、扩散材料放置区和相互嵌套的上、下固定沿；石墨舟为一长方形平面凹台，边沿为上固定沿，石墨舟上固定沿内框稍大于所述装置底部凸沿的长方形尺寸，石墨舟上固定沿的深度大于所述装置底部的凸沿的高度，可以在使用不同层的石墨舟上下相互嵌套，但又能留有一定空隙，使得每一层舟内部形成一个具有一定空间的密闭区域。晶片固定区是设在石墨舟平面凹台上的圆形凹台， 多个晶片固定区合理安排在石墨舟平面凹台上，晶片固定区的直径为60 mm -80 mm,深度为 1 mm -3 mm ；扩散材料放置区是设在石墨舟凹台上的小圆形凹槽，多个扩散材料放置区分布在石墨舟平面凹台上晶片固定区之间的空余位置，扩散材料放置区直径为5 mm -20 mm,深度为 2 mm -5 mm。本实用新型装置结构简单，安装方便，使用可靠，尤其是多个石墨舟同时工作时， 可使用不同层的石墨舟上下相互嵌套时，使得每一层舟内部形成一个具有一定空间的密闭区域。本实用新型可应用于大规模半导体表面扩散掺杂的生产。
图1为本实用新型晶片扩散掺杂的固定装置主视图；图2为本实用新型晶片扩散掺杂的固定装置剖视图；其中，1是石墨舟；2是晶片固定区；3是扩散材料放置区；4是相互嵌套的固定沿。
具体实施方式
本实用新型具体实施方式
如图1和图2所示。本实施例晶片扩散掺杂的固定装置由石墨制成，包括石墨舟1、晶片固定区2、扩散材料放置区3和相互嵌套的上固定沿4。本实施例晶片扩散掺杂的固定装置由石墨制成， 装置尺寸(长X宽X高)为280 mm X 80 mm X 25 mm，石墨舟平面凹台尺寸(长X宽X深) 为272 mm X 72 mm XlO mm，装置底部的凸沿的尺寸(长χ宽X高)为270 mm χ 70 mm χ 7 mm ；在石墨舟平面凹台上开设4个晶片固定区，晶片固定区直径为60 mm，深度为2 mm ；在石墨舟平面凹台上开设4个扩散材料放置区，扩散材料放置区直径为15 mm，深度为5mm。本实施例一次可放置4块晶片进行扩散掺杂处理，可以将多个装置相互嵌套进行处理。
权利要求1.一种应用于晶片扩散掺杂的固定装置，其特征在于，所述装置形状为薄长方体，所述装置包括石墨舟、晶片固定区、扩散材料放置区和相互嵌套的上、下固定沿；石墨舟为一长方形平面凹台，边沿为上固定沿，石墨舟上固定沿内框稍大于所述装置底部的长方形凸沿尺寸，石墨舟上固定沿的深度大于所述装置底部的凸沿的高度；晶片固定区是设在石墨舟平面凹台上的圆形凹台，多个晶片固定区合理安排在石墨舟平面凹台上；扩散材料放置区是设在石墨舟凹台上的小圆形凹槽，多个扩散材料放置区分布在石墨舟平面凹台上晶片固定区之间的空余位置。
2.根据权利要求1所述的一种应用于晶片扩散掺杂的固定装置，其特征在于，所述装置的外形尺寸为长250 mm -500 mm,宽80 mm -100 mm,高8 mm -12 mm ；所述晶片固定区的直径为 60 mm -80 mm,深度为1 mm -3 mm ；所述扩散材料放置区直径为5 mm -20 mm,深度为2 mm -5 mm。
专利摘要一种应用于晶片扩散掺杂的固定装置，该装置形状为薄长方体，所述装置包括石墨舟(1)、晶片固定区(2)、扩散材料放置区(3)和相互嵌套的上固定沿(4)和下固定沿；石墨舟(1)为一长方形平面凹台，边沿为上固定沿，石墨舟上固定沿(4)内框稍大于所述装置底部下凸沿的长方形尺寸，石墨舟上固定沿的深度大于所述装置底部的下凸沿的高度；晶片固定区(2)是设在石墨舟平面凹台上的圆形凹台，多个晶片固定区合理安排在石墨舟平面凹台上；扩散材料放置区(3)是设在石墨舟凹台上的小圆形凹槽，多个扩散材料放置区分布在石墨舟平面凹台上晶片固定区之间的空余位置。本实用新型可应用于大规模半导体表面扩散掺杂的生产。
文档编号H01L21/673GK202084521SQ20112022162
公开日2011年12月21日 申请日期2011年6月28日 优先权日2011年6月28日
发明者万金平, 任强, 何民华, 涂小昆 申请人:江西联创光电科技股份有限公司