专利名称：一种超薄单晶硅片线切割装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉 及太阳能电池领域，特别涉及一种超薄单晶硅片线切割装置。
背景技术：
单晶硅在室温下属于脆硬性材料，只有当温度不低于0. 5Tm (Tm指硅的熔点温度) 时才具有弹塑性，即使在外力作用下，硅片常温下也很难产生位错或发生位错滑移。但是， 由于硅单晶的抗剪应力远小于抗拉应力，因此在切片、研磨以及机械抛光等加工过程中，硅片在承受较大剪切应力条件下会产生破碎，从而影响硅片成品率。经历器件制作的复杂热处理过程后，硅片体内容易产生热应力，可能导致发生翘曲而降低光刻图形套刻精度，也可能诱生出位错及其他结构缺陷从而破裂或崩边。随着硅单晶片的不断大直径化，日益增加的热应力和重力使得上述情况更趋严重。目前，在大规模器件生产过程中，人们往往通过增加硅片的厚度来提高其机械强度以保证硅片和器件的成品率。但是，这种方法将提高制造成本、降低产能。单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为24.7%，规模生产时的效率为15%，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。由于单晶硅成本价格高，并且在当今太阳能电池市场中，太阳能电池用单晶硅企业开工率不足 50%,明显不能满足负荷生产。为了节省硅材料，在太阳能电池单晶硅片的制造领域，现一般要求片厚为200士20 μ m，虽然硅片厚度已经很薄，但仍有改善的空间。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是为了节约制造成本、提高产能，本实用新型提供一种超薄单晶硅片线切割装置。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种制作超薄单晶硅片的线切割装置，硅片厚度为180士20 μ m，所述的线切割装置具有切割线、主动辊和从动辊，主动辊和从动辊上均具有各自独立均布的线槽，所述的线槽与切割线相配合，线槽的槽口宽度为 0. 3lmm-0. 32mm，用于切割硅片的切割线的直径为0. IOmm-O. 11mm。本实用新型的有益效果是，本实用新型一种超薄单晶硅片线切割装置，改进槽口的宽度，实现在布线过程的设置，减小硅片厚度，在单位硅锭上可以产出更多的单晶硅片， 提高了产能，同时也减少了损耗。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型中主动辊最优实施例的结构示意图。图中1、主动辊，1-1、线槽。
具体实施方式
[0010]现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图， 仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。 一种制作超薄单晶硅片的线切割装置，硅片厚度为180士20 μ m，所述的线切割装置具有切割线、主动辊1和从动辊，主动辊1和从动辊上均具有各自独立均布的线槽1-1，线槽1-1与切割线相配合，线槽1-1的槽口宽度为0. 3lmm-o. 32mm，用于切割硅片的切割线的直径为 0. IOmm-O. 11mm。以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1. 一种制作超薄单晶硅片的线切割装置，其特征在于硅片厚度为180士20μπι，所述的线切割装置具有切割线、主动辊(1)和从动辊，主动辊(1)和从动辊上均具有各自独立均布的线槽(1-1)，所述的线槽(1-1)与切割线相配合，线槽(1-1)的槽口宽度为 0. 3lmm-o. 32mm，用于切割硅片的切割线的直径为0. IOmm-O. 11mm。
专利摘要本实用新型涉及一种制作超薄单晶硅片的线切割装置，硅片厚度为180±20μm，所述的线切割装置具有切割线、主动辊和从动辊，主动辊和从动辊上均具有各自独立均布的线槽，线槽与切割线相配合，线槽的槽口宽度为0.31mm-0.32mm，切割线的直径为0.10mm-0.11mm。本实用新型改进槽口的宽度，实现在布线过程的设置，减小硅片厚度，在单位硅锭上可以产出更多的单晶硅片，提高了产能，同时也减少了损耗。
文档编号H01L31/18GK202120926SQ20112026514
公开日2012年1月18日 申请日期2011年7月25日 优先权日2011年7月25日
发明者戴建俊, 李义, 葛相麟 申请人:营口晶晶光电科技有限公司