专利名称：一种采用纯铜和银化合物的双复合触点的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子元器件用触点领域，特别是涉及一种采用纯铜和银化合物的双复合触点。
背景技术：
触点是各种电子元器件中常用的元件，它体积虽小，但对其性能的要求很高，复合触点应用范围广泛且常常用到贵金属材料，一般采用手工铆接和自动铆接。目前市场上是用纯银的复合触点，但纯银强度低、硬度低、抗熔焊性及耐电弧烧损性能低，且用量大、价格昂贵，生产成本高，只能应用在无线电、通讯用微型开关及小电流电器等领域。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种采用纯铜和银化合物的双复合触点， 采用了纯铜和银氧化镉复合成型，使触点具有高的抗熔焊性、耐电磨损性及较低的接触电阻。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层和纯铜基体，所述的纯铜基体由圆柱状头部和圆柱状脚部组成，所述的圆柱状头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层复合于纯铜基体的圆柱状头部一端。所述的头部复合层的厚度为0.2mm 0.6mm。所述的复合层化合物是由银氧化镉(AgCdO)制成。所述的复合层采用先进的烧结、挤压工艺使氧化镉质点弥散分布于银基体中组成银氧化镉，在电弧作用下，氧化镉剧烈分解、蒸发使触头表面冷却，起到降低电弧能量和熄弧的作用，从而使材料具有高的抗熔焊性、耐电磨损性及较低的接触电阻。有益效果本实用新型涉及提供一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，采用了纯铜和银氧化镉复合成型，利用银氧化镉的性能特点使触点具有高的抗熔焊性、耐电磨损性及较低的接触电阻，主要应用于中大容量继电器、接触器、交直流开关及中小容量断路器中，特别适合于中大容量交流接触器。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。如图1所示，本实用新型的实施方式涉及一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层1和纯铜基体2，所述的纯铜基体2由圆柱状头部和圆柱状脚部组成，所述的圆柱状头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层1复合于纯铜基体2 的圆柱状头部一端，所述的复合层化合物是由银氧化镉(AgCdO)制成，所述的头部复合层的厚度为0. 2mm 0. 6mm。本实用新型主要的加工工艺是复合冷镦，采用先进的烧结、挤压工艺使氧化镉质点弥散分布于银基体中组成银氧化镉，再将银氧化镉和纯铜两种材料的丝材在冷镦机冲击力下，两种金属形成径向塑性变形形成镦形状。
权利要求1.一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层(1)和纯铜基体0)， 其特征在于所述的纯铜基体O)由圆柱状头部和圆柱状脚部组成，所述的圆柱状头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层(1)复合于纯铜基体( 的圆柱状头部一端。
2.根据权利要求1所述的一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，其特征在于，所述的头部复合层的厚度为0. 2mm 0. 6mm。
3.根据权利要求1所述的一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，其特征在于，所述的复合层化合物是由银氧化镉制成。
专利摘要本实用新型及一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层和纯铜基体，所述的纯铜基体由圆柱状头部和圆柱状脚部组成，所述的圆柱状头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层复合于纯铜基体的圆柱状头部一端，所述的复合层化合物是由银氧化镉制成。本实用新型头部采用银氧化镉材料，使触点具有良好的抗熔焊性能及耐电磨损性能，主要应用于中大容量继电器、接触器、交直流开关及中小容量断路器中，特别适合于中大容量交流接触器。
文档编号H01H1/04GK202268257SQ20112037787
公开日2012年6月6日 申请日期2011年9月29日 优先权日2011年9月29日
发明者王海涛 申请人:宁波电工合金材料有限公司