专利名称：用于对半导体基底进行掺杂的方法和具有两级掺杂的太阳能电池的制作方法
技术领域：
本发明涉及根据权利要求1的前序部分的半导体基底的掺杂方法和根据权利要求12的前序部分的一种太阳能电池。
背景技术：
现有技术中包括了用激光束对半导体基底进行加热从而把掺杂物从一个掺杂物源扩散到半导体基底中。具体地，现有技术中建议把这样的方法用于制造选择性发射极。在这种激光扩散中，半导体基底的表面被熔化。同时，来自设置在附近的掺杂物源的掺杂物扩散到熔化的半导体基底中，且这些半导体基底随后被冷却和再结晶。结果，在半导体基底的熔化和再结晶区中发生了比周围的半导体基底区中更重的掺杂。这种局部更重的掺杂和由此产生的选择性发射极被认为在太阳能电池的效率上具有有利的效果。然而实际上，由于熔化和随后的再结晶，在半导体基底中形成了对效率不利的结构缺陷，这种不利会抵消掺杂物施加所带来的好处。还有一个危险，就是不希望的杂质会进入半导体基底，这降低了所制成的太阳能电池的效率。为了避免这些负面效果，W02006/012840提出了一种方法，其中所用的激光束以线聚焦的方式被聚焦到半导体基底上，其产生是消耗时间的，并具有大的纵横比，即具有比线聚焦的宽度大几个数量级的高度。这种方法及实现它的设备要求是消耗时间的和成本昂贵的。
发明内容
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因此，本发明的目的，是提供根据权利要求1的前序部分的一种方法，借助该方法能够以经济的方式减少半导体基底中出现的缺陷。借助由权利要求1的特征限定的方法，该问题得到了解决。本发明的一个进一步的目的，是提供一种具有两级掺杂的太阳能电池，它具有改善的效率并能够经济地制造。该问题由具有权利要求12的特征的太阳能电池所解决。其他的有利改进在下文中描述。在根据本发明的用于对半导体基底进行掺杂的方法中，半导体基底借助辐射被加热，且同时来自一个掺杂物源的掺杂物由此被扩散到半导体基底的被加热的区中。当半导体基底被激光辐射加热时，半导体基底占所有被辐射区的总面积小于10%的一个表面部分被熔化和再结晶。由此，半导体基底被激光辐射加热的区域中只有一小部分表面被熔化和再结晶。这大体上防止了对缺陷形成很关键的熔化和再结晶。令人惊奇的一个结果是，以此方式，在那些没有被熔化因而没有发生再结晶的区域中，也会发生掺杂物的施加，而这种掺杂物施加实现了对两级掺杂的形成且特别是选择性发射极的形成来说足够好的质量。另外，掺杂物被扩散到这些加热的区中，且其表面浓度被提高，这导致了减小的接触电阻。选择性发射极的更重掺杂区，起着在被用作半导体基底的太阳能电池基底与设置在其上的金属化部分之间产生良好导电性的作用，从而大体上阻止了所产生的电流的耗散损失。虽然在现有技术中至今为止都假定为了实现这点需要在更重掺杂的区中显著地减小面电阻，但已经意外地发现的情况却是，采用根据本发明的方法，即使在面电阻减小得比较小的情况下，接触电阻也能够被大大减小，从而能够实现太阳能电池基底与设置在其上的金属部分之间的所希望的良好导电性，进而减小相关的接触电阻。半导体基底可直接受到激光辐射。或者，设置在太阳能电池基底上的一个层可被照射，该层可以是例如磷或硼化硅层；该磷或硼化硅层在下文中被简称为P-或B-玻璃层。在第二种情况下，虽然设置在半导体基底上的该层可被直接照射，根据所用的激光辐射的波长和所用的层的厚度，激光辐射也可进入半导体基底的表面，在该表面下被吸收并提供对半导体基底的加热。另外，或者可选地，从设置在半导体基底上的该层至半导体基底的相邻区域中的热传输可导致与被照射的区相邻的区中的半导体基底的加热。例如，设置在半导体基底的如上所述的P-玻璃或B-玻璃层可作为掺杂物源。其被加到半导体基底上的方式并不重要。如果硅基底被用作半导体基底，它们能够例如通过现有技术中的磷或硼扩散而得到形成。一种替代的掺杂物源是可设置在半导体基底上的含掺杂物的溶液。还有一种可能，即在照射期间把半导体基底设置在含掺杂物的周围气体环境中。实际中，已经被证明有效的，是借助利用激光辐射的局部照射对半导体基底进行局部加热并把掺杂物局部扩散到被加热的区域中。以此方式，能够经济地形成两级掺杂结构，特别是太阳能电池的两级发射极，经常被称为选择性发射极。在根据本发明的方法的一个有利的变形实施例中，半导体基底在激光辐射的照射期间不被熔化。直到现在， 仍然假定以此方式不能产生两级掺杂。然而，已经显示，即使熔化被完全阻止从而对两级或多级掺杂的更重掺杂的区中的缺陷形成来说非常关键的再结晶也被完全阻止，仍然能够产生良好的接触电阻。图6显示了基于测试结果的这种情况。在具有这些结果的测试中，从在激光辐射的局部照射(在此简称为激光扩散)之前具有(100±10)Q/sq的面电阻Rs的硅盘开始。在激光扩散之前的接触电阻Rc超过lOOmQcm2。如从图6可见，在激光扩散之后，即使当熔化被阻止且在被加热区中的面电阻几乎未变的情况下，结果也是明显低于IOmQcm2的良好接触电阻。随着所在面电阻的减小幅度的加大，不希望的熔化和缺陷产生的危险也加大了，但接触电阻只略微改变。这显示出，借助根据本发明的方法，可在大体甚至完全避免半导体基底的熔化和再结晶的情况下产生质量良好的两级掺杂。不再需要消耗时间的方法，诸如实现线聚焦及其相关的成本。相反地，可以采用容易实现的激光束几何形状，诸如低纵横比的、高斯或平顶状的圆形、正方形或长方形的激光束。与现有技术中已知的线聚焦不同地，可以在不使用昂贵的光学部件的情况下提供上述激光束。在太阳能电池的制造中，激光扩散之后实现的接触电阻，使得能够在半导体基底与金属的屏网印刷糊之间形成具有良好导电性的电触头，从而能够经济地改善太阳能电池的效率。另外，如果被加热区中的面电阻未被减小或减小得很轻微，虽然接触电阻减小了，这些区的谱灵敏度仍然比较高，这也改善了效率，只要光能够照到这些被加热区的部分区域上。如果硅基底特别是硅片被用作半导体基底，绿色的激光束已经被证明是有效的，特别是波长为515nm或532nm的激光束。在根据本发明的方法的一个优选实施例中，采用了其至少某些部分进行了表面纹理化的一个半导体基底，且激光辐射的照射使表面纹理的结构顶部在小于Ium2的横截面区域上发生熔化，优选地是在小于0. 25 u m2的横截面区域上发生熔化。结构顶部的熔化部分然后再结晶。所述横截面区域大体与激光辐射的入射方向垂直地延伸。在原理上，这种表面纹理化能够以现有技术中已知的任何方式形成，特别是湿化学法。优选地，单或多晶硅片被用作半导体基底，且表面纹理化用一种碱性或酸性蚀刻溶液形成。作为该表面纹理化的结果，入射半导体基底的光能够得到增加，这对太阳能电池的效率是有利的。在根据本发明的方法的一个优选变形实施例中，两级掺杂的较重掺杂的区由掺杂物至被加热区的局部扩散形成。结果，在只有非常少的缺陷进入半导体基底的情况下，能够产生经济的两级掺杂，特别是被叫做选择性发射极的两级发射极掺杂。这又使得太阳能电池的生产更有效率。两级掺杂的较轻掺杂区能够例如借助施加该方法之前进行的平面扩散而形成，特别是借助从加到半导体基底上的包含掺杂物的溶液的掺杂物扩散，或者借助一种管道扩散，而形成。有利地，在随后的掺杂物至被加热区的局部扩散中，面电阻如上所述地没有减小，或者只是轻微地减小，从而使较重掺杂区中的谱灵敏度大体得到了保持。这使得能够制造比随后形成在较重掺杂区上的金属化部分更广阔的较重掺杂区(如果需要的话太阳能电池效率可略微减小)，从而使金属化部分相对该较重掺杂区的调节能够以更低的精度进行。结果，太阳能电池的生产过程能够以更经济的方式设置且废品率得到降低。在根据本发明的方法中，且在根据本发明的太阳能电池中，硅片优选地被用作半导体基底或太阳能电池基底。根据本发明的方法可简单地被整合到已有的半导体部件的生产过程中。特别地，它能够被经济地整合到已知的太阳能电池生产过程中并与进一步的处理步骤相结合，因为电池的正面能够与电池背面独立地进行处理。所以，可以例如采用根据本发明的方法来形成太阳能电池的正面一侧的选择性发射极，并借助介电层或一系列介电层对太阳能电池的背面进行钝化。根据本发明的太阳能电池具有至少部分地提供有表面纹理化和两级掺杂的太阳能电池基底。进一步地，在两级掺杂的较重掺杂区中，表面纹理化的结构顶部在小于Ium2的横截面区域中被熔化和再结晶。在此情况下，结构顶部指的是其横截面随着与太阳能电池基底的距离的加大而至少部分地渐细的部分。这样的太阳能电池能够利用根据本发明的方法经济地制造。所述表面纹理化和优选地以选择性发射极的形式实施的两级掺杂保证了高的效率。由于表面纹理化的结构顶部在小于I U Hl2的横截面区域上被熔化和再结晶，在较重掺杂区中可实现低的缺陷密度，这对太阳能电池的效率有积极的效果。在根据本发明的太阳能电池的一个优选实施例中，太阳能电池基底在两级掺杂的较重掺杂区中具有IOmQcm2或更小的接触电阻。进一步地，在两级掺杂的较重掺杂区中，它具有等于两级掺杂的轻掺杂区中的面电阻值的至少50%的面电阻，且优选地是具有等于两级掺杂的轻掺杂区中的面电阻值的至少70%的面电阻，且特别优选地是具有等于两级掺杂的轻掺杂区中的面电阻值的至少90%的面电阻。这使得在较重掺杂区中太阳能电池基底具有良好的谱灵敏度，从而获得效率的改善。在这种优选实施例的一个有利变形中，形成在较重掺杂区上的金属化部分比该较重掺杂区窄。结果，当太阳能电池工作时，光落到较重掺杂区的一些部分上。但由于在较重掺杂区中只有适中或轻微减小的面电阻，这些较重掺杂区具有良好的谱灵敏度，从而与更窄的较重掺杂区相比，最多只会发生轻微的效率损失。然而，由于较重掺杂区比该金属化部分宽，上述的生产优点导致了该金属化部分与相联的两级掺杂的较重掺杂区的调节和对准的更低的精度要求。以下结合附图对本发明进行详细描述。在附图中，相同的部分用同样的标号表示。
图1是根据本发明的方法的第一实施例的简化示意图。图2是根据本发明的方法的第二实施例的简化示意图，其中半导体基底未熔化。图3是根据本发明的方法的激光辐射的照射的第一种变形的示意图。图4是根据本发明的方法的激光辐射的照射的第二种变形的示意图。图5是结构顶部熔化和未熔化的表面纹理化的示意图。图6是在实施了根据本发明的方法之后的接触和面电阻。图7是在实施了根据本发明的方法之后的表面纹理化了的半导体基底的扫描电子显微图象。图8是根据本发明的太阳能电池的一个实施例。图9是图8的太阳能电池的顶视图的部分放大显示。图10是在实施根据本发明的方法之前的表面纹理化了的半导体基底的扫描电子显微图象。图11是在实施了根据本发明的方法之后的表面纹理化了的半导体基底的扫描电子显微图象。图12是在实施了根据本发明的方法之后的表面纹理化了的半导体基底的扫描电子显微图象。
具体实施例方式图1显示了根据本发明的方法的第一实施例的简化示意图。在此情况下，首先，在用作为半导体基底的太阳能电池基底上形成10表面纹理化。之后进行磷扩散12，其中在太阳能电池基底的表面上以平面的方式形成轻掺杂。该磷扩散12以现有技术中已知的方式进行，例如借助POCl3管道扩散。可替换地，例如，可把含磷溶液旋涂在太阳能电池基底的正面上，从而使来自该溶液的掺杂物扩散到太阳能电池基底中。然而，如以上已经说明的，根据本发明的方法不限于使用磷或其他的n型掺杂物。原理上，也可采用p型掺杂，例如可以用硼扩散来取代磷扩散12。在图1的实施例中，在磷扩散12期间，可形成一种磷硅玻璃层，以下简称其为P型玻璃层。随后，在太阳能电池基底的正面的金属化区，即随后将要在其中设置太阳能电池的正面金属化部分的那些区中，用激光辐射进行照射14。图4给出了这种照射处理的显示。其显示了一个太阳能电池基底50，在其正面上设置有位于顶部的一个P型玻璃层。该P型玻璃层54可以已经在例如上述的磷扩散12中被形成。在磷扩散12中，来自P型玻璃层54的掺杂物已经扩散到了太阳能电池基底50中，并以此方式已经形成了一个连续的较轻掺杂区56。在图4的示意显示中，P型玻璃层54在一个照射区62中被激光辐射60所照射。结果，P型玻璃层54和与基底50的表面接近的一个相邻区52被局部加热。因而，被加热区52中的太阳能电池基底50的加热，可通过对激光辐射60的吸收和/或从P型玻璃层54向太阳能电池基底50的热传递效应，而得到进行。P型玻璃层54和被加热区52中的太阳能电池基底50的上述局部加热的结果是，磷从P型玻璃层54被扩散到太阳能电池基底50的被加热区52中，从而在那里形成了一个较重掺杂区58。在图1的显示的意义上，这代表了掺杂物从P型玻璃层54向太阳能电池基底50中的扩散18。在图1所示的根据本发明的方法的实施例中，在P型玻璃层的照射14期间，小于被照射总面积的10%的表面部分中的太阳能电池基底被熔化16。如图4所示，这意味着被加热区52的一部分被熔化了。在根据图1的方法的进一步的过程中，太阳能电池基底的该熔化部分发生了再结晶20。在此之后P型玻璃层被除去。另外，太阳能电池基底的正面上设置了一个氮化硅覆层24。随后，其中已经形成有较重掺杂区的金属化区被金属化26。这种金属化在原理上能够以现有技术中已知的任何方式进行。优选地，金属糊被加到金属化区上，特别是借助现有技术中已知的印刷工艺如屏网印刷工艺，并被烧结。以此方式，采用根据图1的方法，能够有利地形成带有选择性发射极的太阳能电池。图2显示了根据本 发明的方法的一个进一步的实施例。这与根据图1所示的方法的不同在于，太阳能电池基底的熔化16被完全省略了。因此，如以上已经说明的，在太阳能电池基底的被加热区中面电阻的减小较小，但接触电阻可被充分地减小从而实现太阳能电池基底与金属化26期间施加的触头之间的良好电接触，从而实现相应的较低接触电阻。同时，当发生再结晶时，不再有太阳能电池基底的熔化区形成结构缺陷或者不希望的杂质进入太阳能电池基底这些会对太阳能电池的效率造成负面影响的危险。较轻掺杂区56和较重掺杂区58的显示在图4中可借助虚线进行理解。较重掺杂区58可只表现为相对较轻掺杂区56不同的接触电阻。另外，较重掺杂区58与较轻掺杂区56的区别也可在于，较重掺杂区58中的面电阻与较轻掺杂区56中的面电阻值相比有所减小。在较重掺杂区中的面电阻的减小量取决于被加热区52中太阳能电池基底的熔化和再结晶的程度。这在图6中得到显示并已经在上面得到了详细描述。在图3和4中，为了清楚，省略了对表面纹理化的显示。在原理上，在图3的照射变形实施例和在图4的照射变形实施例中，太阳能电池基底50都能够具有表面纹理化，但这不是关键的。根据图3的照射的变形实施例与根据图4的照射变形实施例的不同在于，在根据图3的变形实施例中，太阳能电池基底50由激光辐射60直接照射。在此情况下，含掺杂物的周围气体，而不是图4所示的P型玻璃层54，可被用作掺杂物源，而掺杂物从该掺杂物源扩散到被加热区52中。根据本发明的方法因而能够被灵活地用于带有覆层和不带有覆层的太阳能电池基底。根据图1和2的变形实施例的表面纹理化能够借助例如太阳能电池基底的湿化学纹理蚀刻而形成。为此碱性或酸性纹理蚀刻溶液都可采用。有时，采用酸性纹理蚀刻溶液产生的表面纹理化被称为隔离纹理(isotexture)。在图5的左半部分中的两个示意显示部分a)和b)中，显示了可用一种碱性纹理蚀刻溶液在单晶硅片上形成的一种表面纹理。显示部分a)显示了这样的表面纹理化73的顶视图，而显示部分b)是这种表面纹理化73的立体图。表面纹理化73通常产生的金字塔结构通常具有一个高度，被称为纹理高度h，它在3iim至15iim的范围内。本发明也可不经改变而被用于多晶材料，特别是多晶硅材料。在那种情况下，根据所用的蚀刻溶液，所产生的表面纹理化具有不同的几何形式，而不是图5所示的金字塔结构。酸性纹理蚀刻溶液已经被证明对在多晶硅材料上产生表面纹理化特别有效。图5的显示部分a)和b)显示了在实施根据本发明的方法之前的表面纹理化73。如果在实施根据本发明的方法时省略了激光辐射照射下的半导体基底熔化，则这些显示部分a)和b)也反映了实施根据本发明的方法之后的表面纹理化状态。在该情况下，表面纹理化73的结构顶部74没有被熔化。然而，在根据本发明的方法的另一变形实施例中，表面纹理化的结构顶部74在一个横截面区域78上被熔化。显示部分c)和d)显示了以此方式实施该方法的结果。在此不是显示部分a)和b)中的渐细的结构顶部74，而是现在被熔化和再结晶的结构顶部76。在根据本发明的方法的一个有利的变形实施例中，表面纹理化73的结构顶部在一个小于
I U m2且优选地小于0. 25 u m2的横截面区域78上被熔化。图7显示了可实现这点的事实，该图中显示了在实施了根据本发明的方法之后的表面纹理化的扫描电子显微图象。如在此可见，结构顶部没有被熔化或者最多只是被非常轻微地熔化。在图10至12的放大率更大的图象中可更好地看到这种情况。图10显示了实施根据本发明的方法之前的表面纹理化的扫描电子显微图象，而图11和12显示了实施根据本发明的方法之后的表面纹理化的扫描电子显微图象。如在图11和12中可见，当实施根据本发明的方法时，结构顶部只是非常轻微地被熔化，或者完全没有被熔化。图8以示意图显示了根据本发明的太阳能电池70的一个实施例。这是一个优选地由硅片形成的太阳能电池基底50。如图8所示意显示的，太阳能电池70具有由较重掺杂区58和较轻掺杂区56形成的两级掺杂。因而，较重掺杂区58与较轻掺杂区56的不同在于，在较重掺杂区58中有更小的接触电阻。另外，较重掺杂区中的面电阻相对于较轻掺杂区也能够得到减小。优选地，图8中的根据本发明的太阳能电池在较重掺杂区58中具有IOmQcm2或更小的接触电阻。较重掺杂区58中的面电阻是较轻掺杂区中的面电阻值的至少50%，优选地是该值的至少70%，且特别优选地是较轻掺杂区中的面电阻值的90%或更大。以此方式，实现了较重掺杂区中比较高的谱灵敏度。如图8所示，设置在较重掺杂区58上的金属化部分72比较重掺杂区58窄。如上所解释的，这降低了对金属化部分72相对于较重掺杂区58的调节和/或对准的要求，从而加大了制造工艺的稳定性并减小了废品的风险。图9显示了图8的太阳能电池70的部分区域A的顶视部分放大图。如该图所示，太阳能电池70具有表面纹理化73。在该图的左半部，其结构顶部76是完整的。该图的左半部显示了在较轻掺杂区56中的表面纹理化73。如虚线所示，它与较重掺杂区58相邻。同样如虚线所示，较重掺杂区58部分地与金属化部分72重叠。在较重掺杂区58中，表面纹理化73的结构顶部76在小于I ii m2且优选地小于0. 25 u m2的一个横截面区域78中被熔化和再结晶。较重掺杂区58中的面电阻与较轻掺杂区56中的面电阻相比减小得越小，较重掺杂区58未被金属化部分覆盖的那些部分区域中的太阳能电池基底的谱灵敏度就越高，这对太阳能电池70的效率有利。图8和9是简化的图示。因而显然的是，较重掺杂区58以及金属化部分72的数目、形式和几何尺寸应该对不同的应用进行适配。在根据本发明的方法的情况下，且在根据本发明的太阳能电池的情况下，可用单晶或多晶材料，特别是单晶或多晶硅材料，作为半导体或太阳能电池基底。附图标号10形成表面纹理化12磷扩散14用激光辐射照射16熔化太阳能电池基底18扩散掺杂物20再结晶22除去P型玻璃24氮化硅覆层26金属化 50太阳能电池基底52被加热区54P型玻璃层56较轻掺杂区58较重掺杂区60激光辐射62被照射区70太阳能电池72金属化部分73表面纹理化74结构顶部76熔化和再结晶的结构顶部78横截面区域h纹理高度SiN氮化硅
权利要求
1.用于掺杂半导体基底(50)的方法，其中所述半导体基底(50)被激光辐射(60)照射(14)且同时来自一个掺杂物源(54)的掺杂物被扩散到被加热区(52)内的半导体基底(50)中， 其特征在于 当半导体基底(50 )被激光辐射(60 )的照射(14)所加热时，半导体基底(50 )的一个小于全部被照射区(62)的总面积的10%的表面部分被熔化(18)和再结晶(20)。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于 半导体基底(50)被激光辐射(60)的局部照射(14)所局部加热且掺杂物被局部扩散(16)到该被加热区(52)中。
3.根据前述任何一项权利要求的方法，其特征在于 半导体基底(50)在一个小于所有被照射区(62)的总表面的5%的表面部分中被熔化(18)和再结晶(20)。
4.根据前述任何一项权利要求的方法，其特征在于 半导体基底(50)在激光辐射(60)的照射(14)期间不熔化。
5.根据前述任何一项权利要求的方法，其特征在于 在被加热区(52)中半导体基底(50)的接触电阻被减小至10mQcm2或更小，半导体基底(50)的面电阻相比所述掺杂物的扩散(16)之前的一个值减小了 50%或更少，优选地是30%或更少，且特别优选地是10%或更少。
6.根据前述任何一项权利要求的方法，其特征在于 采用至少部分地带有表面纹理化(73)的半导体基底(50)，且所述表面纹理化的结构顶部(74，76)在小于Iym2的一个横截面区域(78)且优选地是在小于O. 25 μ m2的一个横截面区域(78)上被熔化。
7.根据前述任何一项权利要求的方法，其特征在于 半导体基底(50)被脉冲能量密度小于2J/cm2的脉冲激光辐射(60)照射(14)。
8.根据前述任何一项权利要求的方法，其特征在于 半导体基底(50)被脉冲激光辐射(60)照射(14)，该脉冲激光辐射(60)具有20ns与500ns之间的脉冲长度，优选地是IOOns与300ns之间的脉冲长度。
9.根据前述任何一项权利要求的方法，其特征在于 采用了来自一个二极管泵浦固态激光器的激光辐射(60)。
10.根据权利要求2至9之一的方法，其特征在于 由于掺杂物到被加热区(52)中的局部扩散的结果，形成了一个两级掺杂(56，58)的较重掺杂区(58)。
11.根据权利要求10的方法，其特征在于 一个太阳能电池基底(50)被用作半导体基底(50)，且一个金属化层(72)被加到所述两级掺杂(56，58)的所述较重掺杂区(58)中。
12.太阳能电池(70)，其具有至少部分地带有表面纹理化(73)和两级掺杂(56，58)的一个太阳能电池基底(50)， 其特征在于 在所述两级掺杂(56，58)的较重掺杂区(58)中，表面纹理化(73)的结构顶部(76)在一个小于I μ m2的横截面区域上被熔化和再结晶。
13.根据权利要求12的太阳能电池(70)，其特征在于 所述表面纹理化(73)的结构顶部(76)在小于O. 25 μ m2的一个横截面区域(78)上被熔化和再结晶。
14.根据权利要求11或12的太阳能电池(70)，其特征在于 所述太阳能电池基底(50) -在所述两级掺杂(56，58)的所述较重掺杂区(58)中具有IOmQcm2或更小的接触电阻，且 -在所述两级掺杂(56，58)的所述较重掺杂区(58)中具有面电阻，该面电阻是所述两级掺杂(56，58)的较轻掺杂区(56)中的面电阻值的至少50%，优选地是至少70%且特别优选地是至少90%。
全文摘要
用于掺杂半导体基底(50)的方法，其中所述半导体基底(50)被激光辐射(60)照射(14)且同时来自一个掺杂物源(54)的掺杂物被扩散到被加热区(52)内的半导体基底(50)中，且其中当半导体基底(50)被激光辐射(60)的照射(14)所加热时，半导体基底(50)的一个小于全部被照射区(62)的总面积10％的表面部分被熔化(18)和再结晶(20)。本发明还涉及一种太阳能电池。
文档编号H01L31/0224GK103038898SQ201180022388
公开日2013年4月10日 申请日期2011年3月3日 优先权日2010年3月3日
发明者安德里亚斯·特佩, 马蒂亚斯·盖格, 莱因赫德·舒勒索尔, 阿道夫·闵塞尔, 简·薛昂, 乔格·伊森伯格, 蒂诺·库恩, 史蒂芬·科勒尔 申请人:森特瑟姆光伏股份有限公司