半导体发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及半导体发光器件，其防止电子的外溢同时增加进入有源层内部的空穴的浓度，从而改善发光效率。本发明包括：n型半导体层；有源层，其形成在所述n型半导体层上并且在其中交替层叠有至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层；电子阻挡层，其形成在所述有源层上，并且具有至少一个多层结构，在所述多层结构中层叠有具有不同能带间隙的三层，其中在所述三层中与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构；以及p型半导体层，其形成在所述电子阻挡层上。
【专利说明】半导体发光器件
【技术领域】
[0001]本公开涉及半导体发光器件，具体地，涉及通过在防止电子溢出的同时使流入有源区的空穴增加来改善发光效率的半导体发光器件。 【背景技术】
[0002]最近，诸如GaN等的氮化物半导体由于其优良的物理和化学性质，作为用于诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)之类的发光器件的核心材料而日益突出。这种氮化物半导体通常由具有由InxAlyGanyN (表达的组成的半导体材料形成。使用氮化物半导体材料的发光二极管(LED)或激光二极管(LD)正用于发出具有蓝色或绿色波段的光的发光器件中，并且正用作诸如移动电话中的按键发光二极管、电标志牌和普通照明装置之类的各种产品的光源。
[0003]继氮化物LED的发展之后，取得了各种技术进步，这广泛地扩大了氮化物LED的应用范围，并且，现正积极地进行将氮化物LED用作用于照明装置和车辆的光源的研究。特别地，已将氮化物LED传统上用作低电流/低输出移动产品中的组件；然而，近年来，氮化物LED的使用已延伸至高电流/高输出产品的领域，因此其中要求高照明度和高可靠性。
[0004]在这些情况下，正在对用于改善氮化物发光器件中的发光效率的各种方法进行研究。其中一个方法是使用电子阻挡层。在一般的发光器件结构中，该电子阻挡层通常设置在有源层和P型半导体层之间。采用该电子阻挡层以通过阻止迁移率相对高于空穴的电子溢出至P型半导体层来改善有源层内的载流子复合效率。然而，该电子阻挡层既可以用作相对于空穴的阻挡层，又可以用作相对于电子的阻挡层。因此，电子阻挡层可能会影响空穴流入至有源层，并且有源层中的空穴的浓度可能减小。
【发明内容】
[0005]技术问题
[0006]本公开的一个方面提供了这样一种半导体发光器件，其能够在阻止电子溢出至P型半导体层的同时增加流入至有源层的空穴。
[0007]技术方案 [0008]根据本公开的一个方面，提供了一种半导体发光器件，其包括:n型半导体层；有源层，其形成在所述η型半导体层上并且包括在其中交替层叠的至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层；电子阻挡层，其形成在所述有源层上，并且具有至少一个多层结构，所述多层结构包括在其中层叠的具有不同能带间隙的三层，所述三层中与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构；以及P型半导体层，其形成在所述电子阻挡层上。 [0009]所述电子阻挡层可以由具有由InxAlyGa^N表达的组成的半导体材料形成，其中O ^ X ^ 1,0 ^ y ^ 1,0 ^ x+y ( I,并且通过调整Al和In之间的比例,所述电子阻挡层的多层结构中的各层可以具有不同的能带间隙。所述电子阻挡层的多层结构中的各层可以依次层叠，以容许其能带间隙在层叠方向上递减。[0010]所述电子阻挡层可以具有AlGaN/GaN/InGaN层的顺序层叠结构。所述电子阻挡层可以具有在其中重复层叠的AlGaN/GaN/InGaN层的层叠结构。所述电子阻挡层可以具有AlGaN/GaN/InGaN/GaN层的顺序层叠结构。所述电子阻挡层可以具有在其中重复层叠的AlGaN/GaN/InGaN/GaN层的层叠结构。所述电子阻挡层可以具有超晶格结构，并且所述电子阻挡层的各层可以具有0.5nm至20nm的厚度。
[0011]所述电子阻挡层的多层结构中包括的所述三层中与所述有源层相邻的层可以具有能带间隙，该能带间隙的倾斜沿着层叠方向递增。所述电子阻挡层的多层结构中包括的所述三层中与所述有源层相邻的层可以具有比所述有源层的能带间隙更大的能带间隙，同时容许该能带间隙的倾斜沿着层叠方向递减。
[0012]所述半导体发光器件还可以包括:绝缘衬底，其形成在所述η型半导体层的下表面上；η型电极，其形成在通过去除所述有源层和所述P型半导体层的部分而暴露的所述η型半导体层上；以及P型电极，其形成在所述P型半导体层上。
[0013]所述半导体发光器件还可以包括:导电衬底，其形成在所述P型半导体层上；以及η型电极，其形成在所述η型半导体层上。
[0014]技术效果
[0015]根据本发明构思的实施例，可以在防止电子溢出现象的同时，改善至有源层的空穴注入效率。特别地，可以改善高电流密度下的发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是根据本公开的第一实施例的半导体发光器件的侧剖视图；
[0017]图2是图1的半导体发光器件的能带间隙图；
[0018]图3是包括另一示例电子阻挡层的图1的半导体发光器件的能带间隙图；
[0019]图4是包括又一示例电子阻挡层的图1的半导体发光器件的能带间隙图；
[0020]图5是根据本公开的第二实施例的半导体发光器件的侧剖视图；
[0021]图6是示出了在根据本公开的实施例的半导体发光器件和包括具有一般超晶格结构的电子阻挡层的半导体发光器件的发光效率方面的仿真结果的示图；以及
[0022]图7至图9是根据本公开的第三实施例的半导体发光器件的能带间隙图。
【具体实施方式】
[0023]现在将参照附图详细地描述本公开的实施例。然而，本文所公开的发明构思可以以许多不同的形式具体实现，而不应解释为限制于本文所阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员全面地传达发明构思的范围。在附图中，为了清晰起见，元件的形状和尺寸可能被放大，并且相同的参考标记始终用于指定相同或相似的元件。
[0024]图1是根据本公开的第一实施例的半导体发光器件的侧剖视图，图2是图1的半导体发光器件的能带间隙图。
[0025]如图1所示，根据第一实施例的半导体发光器件100可以包括衬底110、缓冲层120、η型半导体层130、有源层140、电子阻挡层150和ρ型半导体层160。可以在η型半导体层130的暴露表面上形成η型电极170，并且可以在ρ型半导体层160的上表面上形成ρ型电极180。尽管未示出，但是还可以在P型半导体层160和P型电极180之间提供由透明电极材料等形成的欧姆接触层。
[0026]在本实施例中，半导体发光器件例示为具有水平电极结构，其中η型电极170和ρ型电极180布置在同一方向上；然而，本发明构思不限于此，并且半导体发光器件可以具有垂直电极结构，将参照图5对其进行描述。
[0027]衬底110可以是用于生长氮化物单晶的衬底，并且蓝宝石衬底通常可以用于该衬底。蓝宝石衬底由具有六菱形(Hexa-Rhombo) R3C对称性的晶体形成，并且沿着C轴具有
13.0OlA的晶格常数，以及沿着A轴具有4.758Α的晶格常数。蓝宝石衬底的取向平面包括C (0001)面、A (1120)面和R (1102)面等。这里，C面主要用作用于氮化物生长的衬底，这是因为它相对有助于氮化物膜的生长并且在高温下稳定。此外，可以使用由SiC、GaN、ZnO、MgAl204、MgO、LiAlO2 或 LiGaO2 等形成的衬底。
[0028]缓冲层120设置在衬底110和η型半导体层130之间，以缓解衬底110和η型半导体层130之间的晶格失配，从而改善生长于衬底110上的氮化物半导体单晶的晶体质量。缓冲层120可以是低温下生长的AlN成核层或GaN成核层。可替代地，缓冲层120可以生长为未掺杂GaN层。此外，可以根据需要省去缓冲层120。
[0029]η型半导体层130和ρ型半导体层160可以由氮化物半导体形成，即，具有由AlxInyGa(1_x_y)N (其中，1，O≤y≤1，O≤x+y≤I)表达的组成的掺杂有η型杂质和P型杂质的半导体材料。作为代表性的半导体材料，可以使用GaN、AlGaN、和InGaN。η型杂质可以包括S1、Ge、Se和Te等，ρ型杂质可以包括Mg、Zn和Be等。可以通过金属有机化学气相沉积(M0CVD)、分子束外延(ΜΒΕ)、氢化物气相外延(HVPE)等来生长η型半导体层130和ρ型半导体层160。
[0030]有源层140可以通过电子空穴复合来发出具有预定能量水平的光，并且可以置于η型半导体层130和ρ型半导体层160之间。有源层140可以形成在η型半导体层130上，并且可以具有这样的结构，其中一个或多个量子阱层以及一个或多个量子势垒层交替层叠。例如，有源层140可以具有多量子阱(MQW)结构，其中InGaN量子阱层和GaN量子势垒层交替层叠。可以通过调整量子势垒层的高度、量子阱层的厚度、组成、以及量子阱层的数量来在波长和量子效率方面控制有源层140。
[0031]电子阻挡层150可以用于防止相比于空穴具有相对较高迁移率的电子穿过有源层140而溢出至ρ型半导体层。为了实现该目的，电子阻挡层150可以由能带间隙高于有源层140的能带间隙的材料形成。电子阻挡层150可以阻止电子的溢出，从而增加电子空穴复合；然而，电子阻挡层150还可以阻挡空穴的流入，使得很难实现所期望的满意的发光效率。因此，根据本实施例，电子阻挡层150可以设置为具有能够在减少对空穴的阻挡的同时避免电子溢出的结构。
[0032]具体地，如图2所示，根据本实施例的电子阻挡层150可以形成于有源层140上并且可以具有多层超晶格结构，该多层超晶格结构包括具有不同能带间隙的三个层151、153和155。在该情况下，形成电子阻挡层150的各层可以具有容许载流子遂穿的厚度，优选地，在0.5nm至20nm的范围内。超晶格结构的总厚度可以在Inm至IOOnm的范围内。
[0033]此外，通过根据铝或铟的含量来适当地调整各层的能带间隙，电子阻挡层150可以形成为具有不同的能带间隙。151、153和155这三层中与有源层140相邻的层可以具有倾斜的能带结构。
[0034] 电子阻挡层150的多层结构可以形成为容许各层具有沿着层叠方向逐渐递减的能带间隙。即，电子阻挡层150可以具有这样的多层结构，其包括:第一层151，其具有比作为有源层140的最上层的量子势垒层的能带间隙更大的能带间隙；第三层155，其具有比第一层151的能带间隙更小的能带间隙；以及第二层153，其置于第一层151和第三层155之间并且具有介于第一层151和第三层155的能带间隙之间的能带间隙。
[0035]第一层151可以形成为与有源层140的量子势垒层相邻，并且可以具有在层叠方向上线性递增的能带间隙。由于第一层151这样的倾斜能带结构，因此根据本实施例的电子阻挡层150可以缓解在第一层151和第二层153之间的界面处发生的尖峰和凹口，从而可以增加空穴注入至有源层140的效率。因此，可以改善高电流密度下的发光效率。
[0036]电子阻挡层150的多层结构可以由具有由InxAlyGa1-x-y N (其中，O≤x≤1，0≤y≤1,0≤x+y≤1)表达的组成的材料形成。例如，电子阻挡层150可以具有形成于
有源层140上的AlGaN/GaN/InGaN层的顺序层叠结构。这里，第一层151可以由AlGaN形成，第二层153可以由GaN形成，第三层155可以由InGaN形成。可以通过线性地降低Al成分来形成第一层151的倾斜能带结构。此外，电子阻挡层150可以具有重复层叠至少一次或多次的AlGaN/GaN/InGaN层的层叠结构。
[0037]因此，电子阻挡层150可以容许第一层151具有比有源层140的量子势垒层的能带间隙更大的能带间隙，以防止从η型半导体层130引入的电子通过穿过有源层140而溢出至P型半导体层160。此外，电子阻挡层150可以具有多层结构，多层结构包括具有不同能带隙的层，使得可以获得由于多层结构中包括的各层的能带间隙之差导致的空穴的扩散，从而可以增加从P型半导体层160至有源层140的空穴注入。此外，电子阻挡层150可以形成为具有超晶格结构，使得可以进一步改善空穴注入效率。
[0038]图3是包括电子阻挡层的另一示例的图1的半导体发光器件的能带间隙图。这里，图3的半导体发光器件的构造与图1和图2的半导体发光器件的构造基本上相同，除了电子阻挡层150中包括的第一层151’的倾斜方向与图2所示的第一层151的倾斜方向相反。因此，将省略对相同特征的描述，并且将仅描述不同的特征。
[0039]如图3所示，根据本实施例的电子阻挡层150可以形成为与有源层140相邻。即，电子阻挡层150可以具有这样的多层结构，其包括:第一层151’，其具有比作为有源层140的最上层的量子势垒层的能带间隙更大的能带间隙；第三层155，其具有比第一层151’的能带间隙更小的能带间隙；以及第二层153，其置于第一层151’和第三层155之间，并且具有介于第一层151’和第三层155的能带间隙之间的能带间隙。这里，第一层151’的能带间隙的倾斜可以在层叠方向上线性递增。
[0040]也就是说，根据本实施例的电子阻挡层150可以具有这样的多层结构，其包括由AlGaN形成的第一层151’、由GaN形成的第二层153、以及由InGaN形成的第三层155。可以通过线性地增加Al成分来形成第一层151’的倾斜能带结构。
[0041]图4是包括电子阻挡层的又一示例的图1的半导体发光器件的能带间隙图。这里，图4的半导体发光器件的构造与图1和图2的半导体发光器件的构造基本上相同，除了电子阻挡层150具有重复层叠至少一次或多次的多层结构，其每个多层结构包括三层，各个多层结构中包括的第一层151”和151”’具有通过将Al成分的含量调整为不同而获得的能带间隙。因此，将省略对相同特征的描述，并且将仅描述不同的特征。
[0042]如图4所示，根据本实施例的电子阻挡层150可以形成为与有源层140相邻，并且可以具有这样的多层结构，每个多层结构包括:第一层151”或151”’，其具有比作为有源层140的最上层的量子势垒层的能带间隙更大的能带间隙；第三层155”，其具有比第一层151”的能带间隙更小的能带间隙；以及第二层153”，其置于第一层151”或151”’与第三层155”之间，并且具有介于第一层151”或151”’与第三层155”的能带间隙之间的能带间隙。
[0043]也就是说，根据本实施例的电子阻挡层150可以具有多层结构，每个多层结构包括由AlGaN形成的第一层151”或151”’、由GaN形成的第二层153”、以及由InGaN形成的第三层155”。在电子阻挡层150具有重复层叠至少一次或多次的多层结构的情况下，第一层151”或151”’可以通过增加其中Al成分的含量而具有在朝向ρ型半导体层160的方向上递增的能带间隙。此外，尽管未示出，但是第一层151”或151”’可以通过减少其中Al成分的含量而具有在朝向P型半导体层160的方向上递减的能带间隙。
[0044]图5是根据本公开的第二实施例的半导体发光器件的侧剖视图。这里，图5的半导体发光器件的构造与图1的半导体发光器件的构造基本上相同，除了导电衬底用作P型电极并且在去除生长衬底之后在η型半导体层上形成η型电极。因此，将省略对相同特征的描述，并且将仅描述不同特征。
[0045]如图5所示，根据第二实施例的半导体发光器件200可以包括导电衬底290、ρ型半导体层260、电子阻挡层250、有源层240、η型半导体层230和η型电极270。
[0046]这里，导电衬底290可以用作P型电极并且在激光剥离(LLO)处理等期间用作ρ型半导体层260、电子阻挡层250、有源层240和η型半导体层230的支撑。S卩，可以通过LLO处理等去除用于半导体单晶的生长衬底，可以在去除生长衬底后暴露的η型半导体层230的表面上形成η型电极270。在该情况下，导电衬底可以由S1、Cu、N1、Au、W、Ti或其合金形成，并且可以根据所选材料通过电镀、键合等来形成。
[0047]根据本实施例的电极阻挡层250可以形成为与有源层240相邻，并且可以具有这样的多层结构，其包括:第一层251，其具有比作为有源层240的最上层的量子势垒层的能带间隙更大的能带间隙；第三层255，其具有比第一层251的能带间隙更小的能带间隙；以及第二层253,其置于第一层251和第三层255之间，并且具有介于第一层251和第三层255的能带间隙之间的能带间隙。
[0048]电子阻挡层250可以具有这样的多层结构，其包括由AlGaN形成的第一层251、由GaN形成的第二层253、和由InGaN形成的第三层255，并且这些多层结构可以重复层叠。在该情况下，重复层叠的结构可以形成超晶格结构。
[0049]同时，尽管未示出，但是，还可以在ρ型半导体层260和导电衬底290之间形成能够执行欧姆接触功能和光反射功能的高反射性欧姆接触层(未示出)。
[0050]因此，根据本实施例的电子阻挡层250可以容许第一层251具有比有源层240的量子势垒层的能带间隙更大的能带间隙，以防止从η型半导体层230引入的电子通过穿过有源层240而溢出至ρ型半导体层260。此外，电子阻挡层250可以具有多层结构，多层结构包括具有不同能带隙的多层，使得可以获得由于多层结构中包括的各层的能带间隙的差异而导致的空穴的扩散，从而可以增加从P型半导体层260至有源层240的空穴注入。此夕卜，电子阻挡层250可以形成为具有超晶格结构，使得可以进一步改善空穴注入效率。[0051]图6是示出在根据本公开的实施例的半导体发光器件和包括具有一般超晶格结构的电子阻挡层的半导体发光器件的发光效率方面的仿真结果的示图。这里，一般超晶格结构可以具有在其中重复层叠的AlGaN/GaN层。
[0052]在根据本发明构思的实施例的半导体发光器件中，电子阻挡层可以具有AlGaN/GaN/InGaN层的顺序层叠结构，并且由AlGaN形成的第一层可以具有倾斜的能带隙结构。这里，‘B’表示Al成分逐渐递减的情况，‘C’表示Al成分逐渐递增的情况。此外，‘A’表示包括具有一般超晶格结构的电子阻挡层的半导体发光器件的情况。
[0053]如图6所示，可以理解的是，在除情况‘A’以外的情况‘B’和情况‘C’中，根据电流密度的增加的发光效率的减小量降低。即，可以理解的是，情况‘B’和情况‘C’呈现了在高电流密度下改善的发光效率，并且在Al成分逐渐递增的情况下，发光效率进一步得到改善。
[0054]图7至图9是根据本公开的第三实施例的半导体发光器件的能带间隙图。这里，图7至图9的半导体发光器件的构造与图1至图4的半导体发光器件的构造基本相同，除了电子阻挡层包括四层。因此，将省略对相同特征的描述，并且将仅描述不同特征。还可以在图5所示的具有垂直电极结构的半导体发光器件中采用图7至图9中采用的电子阻挡层。
[0055]参照图7，电子阻挡层350可以形成在有源层340上，并且可以具有包括四层351、353、355和357的多层超晶格结构。在该情况下，形成电子阻挡层350的各层可以具有容许载流子遂穿的厚度，优选地，在0.5nm至20nm的范围内。超晶格结构的总厚度可以在Inm至IOOnm的范围内。
[0056]电子阻挡层350的多层结构可以形成为容许各层具有沿着层叠方向逐渐递减的能带间隙。即，电子阻挡层350可以具有这样的多层结构，其包括:第一层351，其具有比作为有源层340的最上层的量子势垒层的能带间隙更大的能带间隙；第三层355，其具有比第一层351的能带间隙更小的能带间隙;第二层353，其置于第一层351和第三层355之间，并且具有介于第一层351和第三层355的能带间隙之间的能带间隙；以及第四层357，其具有与第二层353的能带间隙相等的能带间隙，并且形成于第三层355上。此外，电子阻挡层350可以具有重复层叠至少一次或多次的多层结构。当重复层叠多层结构时，第四层357可以缓解由第三层355和第一层351之间的晶格失配导致的应力。
[0057]第一层351可以形成为与有源层的量子势垒层相邻，并且可以具有这样的能带间隙，其倾斜沿着层叠方向线性递增。由于第一层351这样的倾斜能带结构，根据本实施例的电子阻挡层350可以缓解在第一层351和第二层353之间的界面处发生的尖峰和凹口，从而可以增加空穴注入至有源层340的效率。因此，可以改善高电流密度下的发光效率。
[0058]电子阻挡层350的多层结构可以由具有由InxAlyGai_x_yN (其中O≤x≤1，
l，0<x+y< I)表达的组成的材料形成。例如，电子阻挡层350可以具有形成在
有源层340上的AlGaN/GaN/InGaN/GaN层的顺序层叠结构。这里，第一层351可以由AlGaN形成，第二层353可以由GaN形成，第三层355可以由InGaN形成，第四层357可以由GaN形成。可以通过线性地减少Al成分来形成第一层351的倾斜能带结构。此外，电子阻挡层350可以具有重复层叠至少一次或多次的AlGaN/GaN/InGaN/GaN层的层叠结构。这里，由GaN形成的第四层357可以缓解由InGaN形成的第三层355和由AlGaN形成的第一层351之间的晶格失配导致的应力。[0059]因此，根据本实施例的电子阻挡层350可以容许第一层351具有比有源层340的量子势垒层的能带间隙更大的能带间隙，以防止从η型半导体层330引入的电子通过穿过有源层340而溢出至ρ型半导体层360。此外，电子阻挡层350可以具有多层结构，多层结构包括具有不同能带隙的层，使得可以获得由于多层结构中包括的各个层的能带间隙的差异而导致的空穴的扩散，从而可以增加从P型半导体层360至有源层340的空穴注入。此夕卜，电子阻挡层350可以形成为具有超晶格结构，使得可以进一步改善空穴注入效率。
[0060]参照图8，根据本实施例的电子阻挡层450与图7所示的电子阻挡层350的不同之处在于电子阻挡层450中包括的第一层451的倾斜方向与图7的电子阻挡层350中包括的第一层351的倾斜方向相反。
[0061]参照图9，根据本实施例的电子阻挡层550与图7所示的电子阻挡层350的不同之处在于电子阻挡层550具有重复层叠至少一次或多次的多层结构，每个多层结构包括四层，并且，各个多层结构中包括的第一层551和551’具有通过将Al成分的含量调整为不同而获得的能带间隙。即，图9示出了第一层551和551’可以通过增加其中Al成分的含量而具有在朝向P型半导体层560的方向上递增的能带间隙。此外，尽管未示出，但是第一层551和551’可以通过减少其中Al成分的含量而具有在朝向ρ型半导体层560的方向上递减的能带间隙。
[0062]同时，根据本文所述的实施例，电子阻挡层中包括的第一层的倾斜是通过将Al成分的含量调整为线性变化而线性递增或递减的。然而，本发明构思不限于此，第一层可以通过将Al成分的含量调整为函数变化而具有二维或多维增加或减小的倾斜结构。
[0063]尽管已结合实施例示出并描述了本发明构思，但是对本领域技术人员显而易见的是，在不脱离所附权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下可以做出多种修改和变形。
【权利要求】
1.一种半导体发光器件，包括: η型半导体层； 有源层，其形成在所述η型半导体层上，并且包括在其中交替层叠的至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层； 电子阻挡层，其形成在所述有源层上，并且具有至少一个多层结构，所述多层结构包括在其中层叠的具有不同能带间隙的三层，所述三层中与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构；以及 P型半导体层，其形成在所述电子阻挡层上。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电子阻挡层由具有由InxAlyGa1^N表达的组成的半导体材料形成,其中O < χ < 1,0≤ y ≤ 1,0≤x+y≤I,并且 通过调整Al和In之间的比例，所述电子阻挡层的多层结构中的各层具有不同的能带间隙。
3.根据权利要求2所述的半导体发光结构，其中所述电子阻挡层的多层结构中的各层依次层叠，以使得各层的能带间隙沿着层叠方向递减。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述电子阻挡层具有AlGaN/GaN/InGaN层的顺序层叠结构。
5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述电子阻挡层具有在其中重复层叠的AlGaN/GaN/InGaN层的层叠结构。
6.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述电子阻挡层具有AlGaN/GaN/InGaN/GaN层的顺序层叠结构。
7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述电子阻挡层具有在其中重复层叠的AlGaN/GaN/InGaN/GaN层的层叠结构。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电子阻挡层具有超晶格结构。
9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述电子阻挡层的各层具有0.5nm至20nm的厚度。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电子阻挡层的多层结构中包括的所述三层中与所述有源层相邻的层具有能带间隙，该能带间隙的倾斜沿着层叠方向增加。
11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电子阻挡层的多层结构中包括的所述三层中与所述有源层相邻的层具有比所述有源层的能带间隙更大的能带间隙，该能带间隙的倾斜沿着层叠方向减小。
12.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括: 绝缘衬底，其形成在所述η型半导体层的下表面上； η型电极，其形成在通过去除部分所述有源层和部分所述P型半导体层而暴露的所述η型半导体层上；以及 P型电极，其形成在所述P型半导体层上。
13.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括: 导电衬底，其形成在所述P型半导体层上；以及η型电极，其形成在 所述η型半导体层上。
【文档编号】H01L33/04GK103650173SQ201180072081
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2011年7月29日 优先权日:2011年7月29日
【发明者】韩尚宪, 沈炫旭, 金制远, 赵周映, 朴成柱, 金晟泰, 金珍泰, 金容天, 李尚准 申请人:三星电子株式会社