技术特征：
1.一种沟槽超级结MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于漂移层之上；多个沟槽，位于漂移层和体区中，沟槽整个内壁表面有绝缘层，同时，沟槽内整个上部填充有第一传导类型的半导体材料，为高浓度杂质掺杂多晶半导体材料作为栅电极，沟槽内下部填充有第二传导类型的半导体材料，沟槽内下部填充的第二传导类型半导体材料与漂移层和衬底层不相连，沟槽内上部多晶第一传导类型的半导体材料与沟槽内下部第二传导类型的半导体材料相连；多个源区，为第一传导类型的半导体材料，临靠沟槽和体区。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内填充第二传导类型的半导体材料为多晶半导体材料，并且为低浓度杂质掺杂。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内填充第二传导类型的半导体材料为单晶半导体材料，并且为低浓度杂质掺杂。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的漂移层的第一传导类型的半导体材料和沟槽内填充第二传导类型的半导体材料形成超结结构，当器件接反向偏压时，形成电荷补偿，从而实现电场相对均匀分布。5.一种沟槽超级结MOS半导体装置的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：1)在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料漂移层；2)在表面形成钝化层，在待形成沟槽区域表面去除钝化层；3)进行第二传导类型杂质扩散，然后进行第一传导类型杂质扩散；4)进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；5)在沟槽整个内壁形成绝缘层，然后在沟槽内形成第二传导类型的半导体材料，进行第二传导类型的半导体材料反刻蚀；6)在沟槽内形成多晶第一传导类型的半导体材料，然后进行多晶第一传导类型的半导体材料反刻蚀；7)在器件表面形成钝化层，然后去除器件表面部分钝化层。