一种沟槽超级结MOS半导体装置及其制造方法与流程

技术总结
本发明主要涉及到一种沟槽超级结MOS半导体装置，并将超结结构通过栅极和PN结引入到半导体装置中，本发明的沟槽MOS结构半导体装置是超级势垒整流器和功率MOSFET基础结构，本发明还涉及一种沟槽超级结MOS半导体装置的制造工艺。

技术研发人员：朱江
受保护的技术使用者：朱江
文档号码：201210106239
技术研发日：2012.04.02
技术公布日：2017.08.08