半导体器件的制作方法、清洗方法和清洗系统与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中包括铜金属层；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的材料为多孔材料；在所述层间介质层上形成光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层中形成至少暴露出部分所述铜金属层的通孔或沟槽；去除所述光刻胶图案；采用清洗液清洗所述通孔或沟槽后，对所述清洗液进行去除铜离子和聚合物的处理，其中，处理后的清洗液用于清洗后续的半导体器件；在所述通孔或沟槽中填充满金属材料，形成金属插塞或互连线。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述去除铜离子的处理采用离子交换法实现。3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述离子交换法采用交换树脂置换所述清洗液中的铜离子。4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述去除铜离子的处理采用吸附法实现。5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述吸附法采用聚乙烯亚胺、活性炭或细菌电池中的一种或多种吸附所述清洗液中的铜离子。6.一种半导体器件的清洗方法，所述半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底中包括铜金属层；位于所述半导体衬底上的层间介质层，所述层间介质层的材料为多孔材料，所述层间介质层中包括至少暴露出部分所述铜金属层的通孔或沟槽，所述通孔或沟槽中包括光刻胶聚合物，其特征在于，采用清洗液清洗去除所述光刻胶聚合物之后，对所述清洗液进行去除铜离子和聚合物的处理，处理后的清洗液用于清洗后续的半导体器件。7.如权利要求6所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述去除铜离子的处理采用离子交换法实现。8.如权利要求7所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述离子交换法采用交换树脂置换所述清洗液中的铜离子。9.如权利要求6所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述去除铜离子的处理采用吸附法实现。10.如权利要求9所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述吸附法采用聚乙烯亚胺、活性炭或细菌电池中的一种或多种吸附所述清洗液中的铜离子。11.一种半导体器件的清洗系统，包括：清洗液提供装置，用于提供清洗液；清洗腔，包括入口和出口，连接所述清洗液提供装置，清洗液经过所述入口进入清洗腔，对设置在清洗腔中包括铜金属层和光刻胶聚合物的半导体器件进行清洗，清洗后受污染的清洗液从所述出口流回所述清洗液提供装置；其特征在于，所述清洗系统还包括：清洗液处理装置，设置在所述清洗液提供装置和所述清洗腔的入口之间或者设置在所述清洗腔的出口和所述清洗液提供装置之间，用于对受污染的清洗液进行去除铜离子和聚合物的处理，且使处理后的清洗液进入清洗腔或清洗液提供装置。12.如权利要求11所述的半导体器件的清洗系统，其特征在于，所述清洗液处理装置包括：过滤器，用于去除所述清洗液中的聚合物；吸附装置，用于通过吸附工艺去除所述清洗液中的铜离子。13.如权利要求12所述的半导体器件的清洗系统，其特征在于，所述吸附装置采用聚乙烯亚胺、活性炭或细菌电池中的一种或多种吸附所述清洗液中的铜离子。14.如权利要求11所述的半导体器件的清洗系统，其特征在于，所述清洗液处理装置包括：过滤器，用于去除所述清洗液中的聚合物；离子交换装置，用于通过离子交换工艺去除所述清洗液中的铜离子。15.如权利要求14所述的半导体器件的清洗系统，其特征在于，所述离子交换装置采用交换树脂置换所述清洗液中的铜离子。16.如权利要求12或15所述的半导体器件的清洗系统，其特征在于，所述清洗液处理装置集成为一体。