技术总结
一种半导体器件的制作方法、清洗方法和清洗系统。所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中包括铜金属层；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的材料为多孔材料；在所述层间介质层上形成光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层中形成至少暴露出部分所述铜金属层的通孔或沟槽；去除所述光刻胶图案；采用清洗液清洗所述通孔或沟槽后，对所述清洗液进行去除铜离子和聚合物的处理；在所述通孔或沟槽中填充满金属材料，形成金属插塞或互连线。本发明可以改善TDDB特性，提高半导体器件的性能。
技术研发人员：袁竹根
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201210393608
技术研发日：2012.10.16
技术公布日：2016.12.28