粘接片、使用其的电路构件的连接结构及半导体器件的制作方法

专利名称：粘接片、使用其的电路构件的连接结构及半导体器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及粘接片、使用其的电路构件的连接结构及半导体器件。
背景技术：
以往，作为加热、加压相互对向的电路从而将加压方向的电极电连接的材料，使用各向异性导电性膜(以下称为ACF)、绝缘性粘接膜(以下称为NCF)等电路连接材料。在连接印刷电路板、LCD用玻璃基板、柔性印刷电路板等的基板、1C、LSI等半导体元件或封装等时，ACF被配置于相互对向的电极之间，通过加热、加压将电极相互连接。即，ACF和NCF表 现出兼顾相互对向的电极相互的导电性和邻接的电极相互的绝缘性，而且可进行两基板间的电连接和机械连接。在有代表性的ACF和NCF中，适合使用环氧树脂系粘接剂或丙烯酸系粘接剂等粘接剂成分。例如，ACF是使将根据需要配合的导电性粒子分散于上述粘接剂成分中而成。这些电路连接材料通常为薄膜状，以层叠于PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜等支承基材上的状态制成产品。上述电路连接材料被固定在基板上后，除去支承基材，进行热压接，使粘接剂成分固化而实现部件间的机械连接，同时，直接或通过导电性粒子使相互对向的电极间接触而电连接。另外，为了与除去支承基材后的热压接区别开，上述固定也称为暂时固定、暂时压接或暂时连接。将ACF固定于基板上的温度为室温 80°C左右的宽范围。但是，如果在室温附近的温度下将ACF固定于基板上，除去支持基板时，有时会连带ACF—起从基板上剥离。另一方面，在高温下将ACF固定于基板上时，粘接剂成分渗出，转移到与支承基材的层叠了 ACF的一侧相反一侧的表面，在除去支承基材时，有时会产生粘接剂的边缘部分的粘合差的情况。另外，粘接剂成分渗出时，也有压接头被污染的问题。另外，在ACF处于被支承基材和保护膜夹持的状态时，首先，剥离保护膜，使ACF的粘接面露出，然后将ACF固定于基板上。但是，要将保护膜由ACF上剥离时，支承基材先由ACF上剥离，有时ACF难以固定于基板上。因此，作为解决这些问题的措施，例如，在专利文献I中提出了改进粘附带有支承基材的粘接剂的装置的方案。专利文献I :日本特开2001 - 171897号公报

发明内容
发明要解决的技术问题但是，为了在宽范围的温度条件下将设置于以ACF为首的支承基材上的粘接层固定在基板上，仅仅改进粘附带有支承基材的粘接剂的装置是不够的，期望进一步改善。因此，本发明是鉴于上述情况完成的，其目的是，提供一种粘接片、使用该粘接片的电路构件的连接结构以及半导体器件，所述的粘接片具有支承基材和设置于支承基材上的由粘接剂组合物构成的粘接层，其特征在于，可以在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层充分地暂时固定于基板上。解决问题的技术方案本发明提供了一种粘接片，该粘接片具有支承基材和设置于该支承基材上且由粘接剂组合物构成的粘接层，其特征在于，支承基材的厚度Ts (以下简称为“Ts”)和粘接层的厚度Ta (以下简称为“Ta”)满足下述式(I)所示的条件，并且，上述Ts为42 μ m以下。O. 40 彡 Ta/Ts ( O. 65(I)该粘接片可在比以往宽范围的温度条件下将粘接层充分地暂时固定于基板上。达到这样的效果的主要原因现在尚未详细弄清，但本发明人认为是由于以下所述的原因。但是，主要原因并不限定于此。通常，粘接剂组合物是以液体状态涂布于支承基材上，然后形成薄膜状的粘接层。此时，由于支承基材和粘接层的机械的或热的特性不同，在支承基材和粘接层之间产生应力。即，在Ta/Ts ( O. 40时，粘接层的厚度Ta相对变薄，形成粘接层时支承基材的物性成为支配性的，根据支承基材的种类，对于粘接层产生较大的伸长或收缩应力。另一方面，当Ta/Ts ^ O. 65时，在粘接层形成时，粘接层的物性成为支配性的，根据粘接剂的种类，对于粘接层产生较大的伸长或收缩应力。因此，在这样的状态下，难以将粘接片充分地暂时固定于基板上，即使可以暂时固定，在剥离支承基材时，容易连同粘接层一起从基体材料上剥离。因此，通过使Ts和Ta满足上述式(I)所示的条件，在支承基材上形成粘接层时，可以减轻支承基材和粘接层之间产生的应力，将粘接片充分地暂时固定于基板上。进而，当Ts为42 μ m以下时，将粘接片固定于基板后，从粘接层上剥离支承基材时，可使支承基材和粘接层的剥离点的角度增大，容易除去支承基材。因此，可防止粘接层的边缘部等的一部分或全部由基板上剥离。因此，本发明的粘接片可在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层充分暂时固定于基板上另外，当Ta/Ts超过O. 65时，粘接层的厚度Ta相对变厚，因此，在暂时固定粘接片时，粘接剂组合物渗出，容易转移至支承基材的侧面部分或与设置粘接层的一侧相反一侧的表面。因此，在除去支承基材时，粘接层的边缘部往往粘合差或者压接头受到污染。本发明的粘接片，在粘接层上进一步设置保护膜，而且，该保护膜的厚度Tp (以下简称为“Tp”)优选为Ts以下。这样，在由粘接层上除去保护膜时，可以更有效地防止粘接层由支承基材上剥离。在本发明的粘接片中，支承基材与粘接层间的剥离强度优选为保护膜与粘接层间的剥离强度以上。这样，从粘接片上剥离保护膜时，可以防止粘接层由支承基材上剥离，因此，可在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层更有效地暂时固定于基板上。本发明的粘接片优选的是，粘接剂组合物含有热塑性树脂、自由基聚合性化合物以及自由基聚合引发剂。由这样的粘接剂组合物构成的粘接层，与各种基板的粘接性优异，因此本发明的粘接片可在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层更有效而且确实地暂时固定于基板上。另外，本发明的粘接片优选的是，粘接剂组合物含有热塑性树脂、热固性树脂以及潜在性固化剂。由这样的粘接剂组合物构成的粘接层与各种基板的粘接性优异，因此，本发明的粘接片可在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层更有效而且确实地暂时固定于基板上。本发明的粘接片优选的是，粘接剂组合物进一步含有导电性粒子。这样，粘接剂组合物可以容易具有其自身导电性。因此，具有由上述粘接剂组合物构成的粘接层的粘接片，可以更好地显示出电连接的各向异性。在本发明的粘接片中，优选的是，支承基材具有选自聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、取向聚丙烯膜、聚乙烯膜及聚酰亚胺膜的一种以上的膜。这样，本发明的粘接片可以进一步有效地发挥在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层暂时固定于基板上的本发明效果。本发明提供了电路构件的连接结构，该电路构件的连接结构具有在第一电路基板的主面上形成了第一电路电极的第一电路构件；在第二电路基板的主面上形成了第二电路电极的第二电路构件；以及，设置在第一电路基板的主面和第二电路基板的主面之间、在将第一电路电极和第二电路电极对向配置的状态下进行电连接的电路连接构件；所述电路连接构件是上述粘接片中的粘接层的固化物。这样的电路构件的连接结构，电路连接构件·由本发明的粘接片中的粘接层的固化物构成，因此，可以在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层暂时固定于基板上。另外，该连接结构可以充分确保对向电极相互的导电性和邻接电极相互的绝缘性。另外，本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件具有半导体元件；搭载半导体元件的基板；以及，设置于半导体元件和基板之间、将半导体元件和基板电连接的半导体元件连接构件；所述半导体元件连接构件是上述粘接片中的粘接层的固化物的。这样的半导体器件，半导体连接构件由本发明的粘接片中的粘接层的固化物构成，因此，可以在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层暂时固定于基板上。另外，该半导体器件可充分确保半导体元件和基板之间的导电性。发明的效果通过本发明，可以提供一种粘接片，该粘接片具有支承基材和设置于支承基材上的由粘接剂组合物构成的粘接层，其特征在于，可以在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层暂时固定于基板上。


图I是表示本发明的电路构件的连接结构的一个实施方式的局部断面图。图2是表示本发明的电路构件的连接结构的一个实施方式的局部断面图。图3连接电路构件的一系列的工序图。图4是表示本发明的半导体器件的一个实施方式的局部断面图。符号说明I…电路构件的连接结构、2…电路构件的连接结构、3···半导体器件、5…粘接剂组合物、7···导电性粒子、10···电路连接构件、11···绝缘性物质、15···电路连接构件、20···第一电路构件、21···第一电路基板、22···第一电路电极、30···第二电路构件、31···第二电路基板、32···第二电路电极、40···薄膜状电路连接构件、45···支承基材、50···半导体兀件、60···基板、61···电路图案、70···密封材料、80···半导体元件连接构件
具体实施例方式以下，根据需要参照附图来详细说明本发明的优选的实施方式。另外，附图中，同一要素赋予相同符号，省略重复的说明。另外，上下左右等位置关系，只要没有特别说明，可基于附图表示的位置关系。进而，附图的尺寸比例并不限于图示的比例。另外，本说明书中所述的“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”和与其对应的“甲基丙烯酸”，所述的“(甲基)丙烯酸酯”表示“丙烯酸酯”和与其对应的“甲基丙烯酸酯”。<粘接片>本发明的优选实施方式的粘接片，具有支承基材和设置于支承基材上的由粘接剂组合物构成的粘接层。在本发明的粘接片中，设置于支承基材上的粘接层，优选由包含热塑性树脂、自由 基聚合性化合物和自由基聚合引发剂的粘接剂组合物构成。本发明中使用的热塑性树脂没有特别的限制，可以使用公知的物质。具体地说，可使用苯氧基树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、二甲苯树脂、聚氨酯树脂等。这些树脂可单独使用一种或两种以上混合使用。进而，这些树脂的分子内可以含有硅氧烷键或氟取代基。这些树脂，只要是混合的树脂彼此完全相溶或产生微相分离为白浊状态都可以适合使用。热塑性树脂可使粘接剂组合物的膜形成性良好。所谓膜形成性，是指使液态的粘接剂组合物固形化成为薄膜状时，显示出不容易撕开、破裂、发粘的机械特性。如果在通常的状态(例如常温)下容易操作形成膜，就可以说膜形成性是良好的。在这些热塑性树脂中，从粘接性、相溶性、耐热性及机械强度优异方面考虑，优先选择使用苯氧基树脂。通过使2官能酚类与表卤醇反应至高分子量，或者通过使2官能环氧树脂与和2官能酚类进行加成聚合反应，可以得到苯氧基树脂。另外，苯氧基树脂也可以通过自由基聚合性官能团或其他的反应性化合物进行改性。苯氧基树脂可以单独使用一种或两种以上组合使用。另外，上述热塑性树脂的分子量没有特别的限制，不过，热塑性树脂的分子量越大，越容易形成后述的膜，可以将影响作为粘接剂的流动性的熔融粘度设定于宽的范围。如果能将熔融粘度设定于较宽范围，用于半导体元件或液晶元件等的连接时，即使元件间和配线间间距狭小化，也可防止粘接剂粘附于周边部件，提高生产率。作为通常的重均分子量，优选为5000 150000，特别优选为10000 80000。重均分子量小于5000时，作为后述的膜使用时有膜形成性不充分的倾向，重均分子量超过150000时，有与其他成分的相溶性差的倾向。另外，本说明书的重均分子量，是采用凝胶渗透色谱(GPC)分析、在下述条件下进行测定，使用标准聚苯乙烯的校正曲线换算求得。〈GPC 条件〉使用仪器日立L 一 6000型((株)日立制作所制造、商品名)检测器L — 3300RI ((株)日立制作所制造、商品名)柱GelPak GL — R420 + Gel Pak GL — R430 + Gel Pak GL — R440(共计三根)(日立化成工业公司制造、商品名)洗提液四氢呋喃
测定温度40°C流量I.75mL/min作为本发明的自由基聚合性化合物，优选使用具有通过自由基进行聚合的官能团的化合物，例如(甲基)丙烯酸化合物、马来酰亚胺化合物、苯乙烯衍生物。该自由基聚合性化合物，可以是聚合性单体和聚合性低聚物中的任一种，也可以并用聚合性单体和聚合性低聚物。聚合性低聚物通常为高粘度，因此使用聚合性低聚物时，优选并用低粘度的聚合性多官能(甲基)丙烯酸酯等聚合性单体进行粘度调整。作为自由基化合物，还可以使用以(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯或丙烯腈中的至少一种作为单体成分的聚合物或共聚物。并用包含含有缩水甘油醚基的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物系丙烯酸橡胶时，有利于减少应力，因而是优选的。从提高粘接剂组合物的凝集力的角度考虑发，上述丙烯酸橡胶的重均分子量优选为20万以上。
作为自由基聚合性化合物，例如可举出环氧(甲基)丙烯酸酯低聚物、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、聚醚(甲基)丙烯酸酯低聚物、聚酯(甲基)丙烯酸酯低聚物等低聚物；三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚亚烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯、二环戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二环戊烯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、异氰脲酸改性2官能(甲基)丙烯酸酯、异氰脲酸改性3官能(甲基)丙烯酸酯、2，2’ 一二(甲基)丙烯酰氧基二乙基磷酸酯、2 -(甲基)丙烯酰氧基乙基迭氮基磷酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯化合物。这些化合物，可根据需要单独使用一种或两种以上混合使用。相对于100质量份的热塑性树脂，自由基聚合性化合物的配合比例优选为50 250质量份,更优选为60 150质量份。自由基聚合性化合物的配合比例小于50质量份时，有粘接剂组合物的固化物的耐热性降低的倾向，超过250质量份时，有粘接剂组合物的膜形成性不充分的倾向。作为本发明的自由基聚合引发剂，使用以往公知的过氧化化合物(有机过氧化物)、偶氮化合物或光引发剂之类的、通过加热和光照射中的至少一种处理而分解产生游离自由基的化合物。有机过氧化物和偶氮化合物主要通过加热产生游离自由基。使用这些化合物作为自由基聚合引发剂时，可根据作为目的的连接温度、连接时间、贮存期等从有机过氧化物和/或偶氮化合物中适当选择一种或两种以上。作为有机过氧化物，从兼顾高反应性和长贮存期的角度考虑，优选10小时半衰期温度为40°C以上、一分钟半衰期温度为180°C以下的有机过氧化物，更优选10小时半衰期温度为60°C以上、一分钟半衰期温度为170°C以下的有机过氧化物。另外，为了防止电路构件的电路电极(连接端子)的腐蚀，有机过氧化物优选氯离子或有机酸的含量为5000ppm以下。作为有机过氧化物，具体地说，优选使用选自二酰基过氧化物、过氧化二碳酸酯、过氧化酯、过氧化缩酮、二烷基过氧化物、氢过氧化物及甲硅烷基过氧化物的一种以上过氧化物。在这些化合物中，从兼顾保存时的高保存稳定性和使用时的高反应性的角度考虑，更优选选自过氧化酯、过氧化缩酮、二烷基过氧化物、氢过氧化物及甲硅烷基过氧化物的一种以上的有机过氧化物。进而，从获得更高的反应性的角度考虑，有机过氧化物更优选为过氧化酯和/或过氧化缩酮。这些化合物可单独使用一种或两种以上组合使用。
作为二酰基过氧化物，例如可举出异丁基过氧化物、2，4 一二氯苯甲酰基过氧化物、3，5，5 —三甲基己酰基过氧化物、辛酰基过氧化物、月桂酰基过氧化物、硬脂酰基过氧化物、琥拍酰化过氧(Succinic peroxide)、苯甲酰基过氧甲苯及苯甲酰基过氧化物。这些化合物可单独使用一种或两种以上组合使用。作为二烷基过氧化物，例如可以举出α，α ’ 一双(叔丁基过氧化)二异丙基苯、过氧化二异丙苯、2, 5 —二甲基一 2,5 —二 (叔丁基过氧化)己烧及叔丁基异丙苯基过氧化物。这些化合物可单独使用一种或两种以上组合使用。作为过氧化二碳酸酯，例如可以举出二正丙基过氧化二碳酸酯、二异丙基过氧化二碳酸酯、双(4 一叔丁基环己基)过氧化二碳酸酯、二一 2 —乙氧基甲氧基过氧化二碳酸酯、双(2—乙基己基过氧化)二碳酸酯、二甲氧基丁基过氧化二碳酸酯及双(3 —甲基一 3 —甲氧基丁基过氧化)二碳酸酯。这些化合物可单独使用一种或两种以上组合使用。作为过氧化酯，例如可以举出异丙苯基过氧化新癸酸酯、1，1，3，3 —四甲基丁基过氧化新癸酸酯、I 一环己基一 I 一甲基乙基过氧化新癸酸酯、叔己基过氧化新癸酸酯、叔·丁基过氧化新戊酸酯、1，1，3，3 —四甲基丁基过氧化一 2 —乙基己酸酯、2，5 —二甲基一 2，5 一双(2 —乙基己酰基过氧化)己烷、I-环己基-I-甲基乙基过氧化-2-乙基己酸酯、叔己基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化一 2 —乙基己酸酯、叔丁基过氧化异丁酸酯、1，I-双(叔丁基过氧化)环己烷、叔己基过氧化异丙基一碳酸酯、叔丁基过氧化一 3，5，5 —三甲基己酸酯、叔丁基过氧化月桂酸酯、2，5 —二甲基一 2，5 —双(间甲苯酰基过氧化)己烷、叔丁基过氧化异丙基一碳酸酯、叔丁基过氧化一 2 —乙基己基一碳酸酯、叔己基过氧化苯甲酸酯、叔丁基过氧化乙酸酯及双(叔丁基过氧化)六氢对苯二甲酸酯。这些化合物可单独使用一种或两种以上组合使用。作为过氧化缩酮，例如可以举出1，I —双(叔己基过氧化)一 3，3，5 —三甲基环己烷、1，I 一双(叔己基过氧化)环己烷、1，I 一双(叔丁基过氧化)一 3，3，5 —三甲基环己烷、1，I -(叔丁基过氧化)环十二烷及2，2 —双(叔丁基过氧化)癸烷。这些化合物可单独使用一种或两种以上组合使用。作为氢过氧化物，例如可以举出过氧化氢二异丙苯和过氧化氢异丙苯。这些化合物可单独使用一种或两种以上组合使用。作为硅烷基过氧化物，例如可以举出叔丁基三甲基甲硅烷基过氧化物、双(叔丁基)_■甲基甲娃烧基过氧化物、叔丁基二乙稀基甲娃烧基过氧化物、双(叔丁基)_■乙稀基甲娃烧基过氧化物、二(叔丁基)乙稀基甲娃烧基过氧化物、叔丁基二稀丙基甲娃烧基过氧化物、双(叔丁基)_■稀丙基甲娃烧基过氧化物及二 (叔丁基)稀丙基甲娃烧基过氧化物。这些化合物可单独使用一种或两种以上组合使用。另外，自由基聚合引发剂的配合比例，可根据作为目的的连接温度、连接时间、贮存期等适当设定。例如，连接时间为10秒钟以下时，为了获得充分的转化率，相对于自由基聚合性化合物和热塑性树脂的合计100质量份，自由基聚合引发剂的配合比例优选为O. I 30质量份,更优选为I 20质量份。自由基聚合引发剂的配合比例小于O. I质量份时，由于转化率低下，有粘接剂组合物的固化物难以固化的倾向。自由基聚合引发剂的配合比例超过30质量份时，有粘接剂组合物的流动性低下、连接电阻上升、粘接剂组合物的贮存期缩短的倾向。
在本发明的粘接片中，设置于支承基材上的粘接层也可以由包含热塑性树脂、热固性树脂及潜在性固化剂的粘接剂组合物构成。此时，热塑性树脂可使用与上述热塑性树脂同样的物质。作为热塑性树脂，优选为环氧树脂。环氧树脂可单独使用每一分子内具有两个以上缩水甘油基的各种环氧化合物等，或混合其两种以上使用。具体地说，可举出由表氯醇和双酚A或F、AD等衍生的双酚型环氧树脂、由表氯醇和酚醛清漆型或甲酚酚醛清漆衍生的环氧酚醛清漆树脂或具有含萘环骨架的萘系环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、缩水甘油醚型环氧树脂、双酚型环氧树脂、脂环式型环氧树脂等。这些化合物可单独使用一种或两种以上组合使用。为了防止电子迁移，环氧树脂最好是将杂质离子(钠离子、氯离子等)和水解性氯等降低至300ppm以下的高纯度品。上述热固性树脂的固化剂，从得到更长的贮存期的角度考虑，优选为潜在性固化齐U。热固性树脂为环氧树脂时，作为潜在性固化剂，可以举出咪唑系、酰肼系、三氟化硼-胺配位化合物、锍盐、胺酰亚胺、聚胺的盐、双氰胺等。另外，从延长使用寿命的角度考虑，优选使用用聚氨酯系、聚酯系高分子物质等被覆这些固化剂而微胶囊化的物质。这些物质可单独使用一种或两种以上组合使用，也可并用分解促进剂、抑制剂等。为了获得充分的转化率，相对于热塑性树脂和热固性树脂的合计100质量份，潜在性固化剂的配合比例优选为O. I 60质量份，更优选为I 20质量份。潜在性固化剂的配合比例小于O. I质量份时，往往转化率低下且粘接强度低下，或者连接电阻增大。潜在性固化剂的配合比例超过60质量份时，往往粘接剂组合物的流动性低下，连接电阻上升，或者粘接剂组合物的贮存期缩短。这些固化剂可以单独使用或混合使用，也可混合分解促进剂、抑制剂等使用。另夕卜，用聚氨酯系、聚酯系高分子物质等被覆这些固化剂而微胶囊化的物质，可以延长使用寿命，因而优先选用。本发明的粘接剂组合物，即使不含有导电性粒子，在连接时通过对向的电路电极的直接接触而得到连接。另一方面，含有导电性粒子时，可以得到更稳定的连接，因而是优 选的。在本发明中根据需要含有的导电性粒子，只要是具有可以获得电连接的导电性的物质即可，没有特别的限制。作为导电性粒子，例如可以举出金、银、镍、铜及软钎料等的金属粒子或碳等。另外，导电性粒子也可以是用一层或二层以上的层被覆形成核心的粒子，其最外层具有导电性。此时，从得到更优异的贮存期的角度考虑，与镍、铜等过渡金属相比，最外层优选以金、银和/或钼族金属等贵金属作为主成分，更优选由这些贵金属中的至少一种以上构成。在这些贵金属中，最优先选择金。导电性粒子，也可以在以作为核的以过渡金属为主要成分的粒子上或者在被覆的以过渡金属为主要成分的层的表面上，进一步被覆以贵金属为主要成分的层来形成。另外，导电性粒子，也可以以非导电性的玻璃、陶瓷、塑料等作为主要成分的绝缘性粒子作为核，在该核的表面上被覆以上述金属或碳作为主成分的层。导电性粒子是用导电层被覆作为绝缘性粒子的核而形成时，优选的是，绝缘性粒子以塑料作为主成分，最外层以贵金属为主成分。这样，使用粘接剂组合物作为电路连接材料等的电连接材料时，导电性粒子在加热及加压时可进行良好地变形。而且，在电路等连接时，与导电性粒子的电极或连接端子的接触面积增大。因此，可以进一步提高电连接材料的连接可靠性。从同样的角度考虑，导电性粒子优选的是，包含以通过上述加热熔融的金属作为主成分的粒子。导电性粒子是用导电层被覆作为绝缘性粒子的核而形成时，为了得到更好的导电性，导电层的厚度优选为100人(IOnm)以上。另外，导电性粒子是在作为核的以过渡金属作为主成分的粒子上或者在被覆核的以过渡金属作为主成分的层的表面上，进一步用以贵金属作为主成分的层被覆来形成时，形成最外层的上述以贵金属作为主成分的层的厚度优选为300A(30nm)以上。该厚度小于300 A时，最外层容易破裂。结果，露出的过渡金属与粘接剂成分接触，由于过渡金属产生的氧化还原作用，容易产生游离自由基，因此存在贮存期容易降低的倾向。另一方面，上述导电层的厚度变厚时，这些效果饱和，因此优选其厚度为Iym以下。使用导电性粒子时的配合比例没有特别的限制，优选的是，相对于100体积份粘
接剂组合物为O. I 30体积份，更优选为O. I 10体积份。该值小于O. I体积份时，往往难以获得良好的导电性，超过30体积份时，往往容易引起电路等的短路。另外，导电性粒子的配合比例(体积份)，根据在23°C下使粘接剂组合物固化前的各成分的体积来决定。各成分的体积可以采用下述方法求出利用比重、由重量换算成体积的方法；或者，将该成分投入到已加入适当的溶剂(水、乙醇等)的量筒等容器中，所述溶剂可溶解该成分，或者不使其膨润、充分润湿该成分，由增加的体积来计算的方法。粘接剂组合物，除了上述以外，可根据使用目的添加其他材料。例如，在该粘接剂组合物中可适当添加偶联剂及粘合性提高剂、流平剂等粘接助剂。这样，可赋予更好的粘合性或操作性。另外，本发明的粘接剂组合物还可以含有橡胶。这样，可以减缓应力和提高粘接性。进而，为了控制固化速度或赋予贮存稳定性，可以在该粘接剂组合物中添加稳定化剂。也可进一步在粘接剂组合物中添加填充材料、软化剂、促进剂、抗老化剂、着色剂、阻燃剂、触变剂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、异氰酸酯类等。粘接剂组合物含有填充材料(填料)时，可以提高连接可靠性等，因而是优选的。作为填充材料，只要是具有绝缘性的物质、其最大粒径小于导电性粒子的平均粒径即可使用。相对于100体积份粘接剂组合物，填充材料的配合比例在5 60体积份为宜。填充材料的配合比例超过60体积份时，可靠性提高的效果往往达到饱和，小于5体积份时，填充材料的添加效果往往变小。作为偶联剂，从提高粘接剂的角度考虑，可优选使用含有酮亚胺、乙烯基、丙烯基、氨基、环氧基及异氰酸酯基的物质。具体地说，作为具有丙烯基的硅烷偶联剂，可以举出(3 —甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、(3 —丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、(3 —甲基丙烯酰氧基丙基)二甲氧基甲基硅烷、(3 一丙烯酰氧基丙基)二甲氧基甲基硅烷；作为具有氨基的硅烷偶联剂，可以举出N — β (氨基乙基)Y —氨基丙基三甲氧基硅烷、N — β (氨基乙基)Y —氛基丙基甲基二甲氧基娃烧、Y 一氛基丙基二乙氧基娃烧、N—苯基一 Y —氨基丙基三甲氧基硅烷等。作为具有酮亚胺的硅烷偶联剂，可以举出使上述具有氨基的硅烷偶联剂与丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮化合物反应得到的化合物。另外，作为具有环氧基的硅烷偶联剂，可以举出一缩水甘油基氧基丙基三甲氧基硅烷、Y —缩水甘油基氧基丙基二乙氧基娃烧、Y 一缩水甘油基氧基丙基甲基~■甲氧基娃烧、Y 一缩水甘油基氧基丙基甲基~■乙氧基娃烧等。相对于粘接剂组合物中其他的配合物的合计100质量份，硅烷偶联剂的配合比例在O. I 20质量份为宜。偶联剂的配合比例小于O. I质量份时，往往不能得到实质性的添加效果。反之，偶联剂的配合比例超过20质量份时，在支承基材上形成由粘接剂组合物构成的粘接层时，粘接层的膜形成性低下，且膜厚强度低下。在本发明的粘接片中，所使用的支承基材优选为片状或薄膜状。另外，支承基材也可以是二层以上层叠的形状。优选的是，支承基材具有选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、取向聚丙烯(OPP)膜、聚乙烯(PE)膜及聚酰亚胺膜中的一种以上的膜。其中，从提高尺寸精度和降低成本的角度考虑，优选PET膜。另外，为了更容易地从粘接层上剥离支承基材，可以根据需要用脱膜处理剂来处理支承基材的设置粘接层的一侧的表面。作为脱膜处理剂，例如可以举出聚硅氧烷、有机硅醇酸树脂(silicone alkyd)、氨基醇酸、烷基醇酸及三聚氰胺。另外。支承基材也可以用聚合物等涂布其表面。进而，可在支承基材上设置防静电层。这些处理可以单独使用一种或两种以上组合。在这里，进行表面处理时的支承基 材厚度Ts表示进行上述表面处理后的值。本发明中使用的支承基材的厚度Ts为42 μ m以下。Ts超过42 μ m时，粘接层的边缘部等的一部分或全部往往会从基板上剥离。这是因为，将粘接片暂时固定于基板上后，从粘接层上剥离支承基材时，支承基材与粘接层的剥离点的角度变小，剥离需要的负荷增大所致。另外，支承基材越厚，使用的原料越多，得到的粘接片的成本往往会增大。另一方面，Ts的下限值，只要在设置粘接层于支承基材时不会由于受热过程或机械应力等断裂或者厚度容易变化即可，没有特别的限制，优选为18 μ m以上。Ts小于18 μ m时，往往因受热过程或机械应力等而断裂或者厚度容易变化。上述支承基材可以购买市售品，也可以常规方法制备。 进而，本发明的粘接片，其支承基材的厚度Ts和粘接层的厚度Ta满足下述式(I)所示的条件。O. 40 ( Ta/Ts 彡 O. 65(I)由于Ta/Ts在该范围内，本发明的粘接片可以在比以往更宽范围的温度条件下将粘接层充分地暂时固定于基板上。Ta/Ts优选为O. 42以上、O. 63以下，更优选为O. 45以上、O. 60以下，特别优选为O. 47以上、O. 58以下。Ta/Ts小于O. 40时，粘接层的厚度Ta相对较薄，在形成粘接层时，支承基材的物性成为支配性的，根据支承基材的种类，对于粘接层往往产生很大的伸长或收缩应力。另一方面，Ta/Ts超过O. 65时，在形成粘接层时，粘接层的物性成为支配性的，根据粘接剂的种类，对于粘接层往往产生很大的伸长或收缩应力。因此，在这样的状态下，难以将粘接片充分地暂时固定于基板上，即使可以暂时固定，在剥离支承基材时，粘接层往往连同支承基材一起剥离，或者，往往发生粘接剂的边缘部分的粘合性不良。因此，通过使Ts和Ta满足上述式(I)表示的条件，在支承基材上形成粘接层时，可减缓在支承基材和粘接层之间产生的应力，将粘接片充分地暂时固定于基板上。另外，Ta/Ts超过O. 65时，粘接层的厚度Ta相对变厚，因此在暂时固定粘接片时，粘接剂组合物渗出，容易转移至支承基材的侧面部分或与设置粘接层的一侧相反一侧的表面。因此，在除去支承基材时，粘接层的边缘部往往粘合不良或者污染压接头。
在本发明的粘接片中，作为在支承基材上设置粘接层的方法，可以举出将粘接剂组合物溶解于溶剂中并涂布到支承基材上，然后除去溶剂的方法；将粘接剂组合物加温，确保流动性，直接涂布于支承基材上后进行冷却的方法；将支承基材贴合在预先形成的粘接层上的方法等。本发明的粘接片，可使用上述的任一方法制备。为了更加有效和确实可靠地发挥本发明的上述效果，作为在支承基材上设置粘接层的方法，优选将粘接剂组合物溶解于溶剂中并涂布到支承基材上，然后除去溶剂的方法，或者，将粘接剂组合物加温来确保流动性，直接涂布于支承基材上后冷却的方法。另外，设置于支承基材上的粘接层可以是单层，也可以是组成不同的两层以上层叠构成。上述粘接片，也可以在粘接层上进一步设置保护膜。保护膜没有特别的限制，优选具有选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、取向聚丙烯(OPP)膜、聚乙烯(PE)膜及聚酰亚胺膜中的一种以上的膜。其中，从降低成本的角度考虑，优选PET膜。配置保护膜的方法有，用层压机等将保护膜层合于粘接片的粘接层表面上的方 法，或者，将粘接片和配置了其他粘接层的保护膜通过粘接层相互粘合的方法等。配置保护膜的方法没有特别的限制。根据需要，可用脱膜剂对保护膜进行表面处理。作为脱膜处理剂可以举出聚硅氧烷、有机硅改性醇酸树脂、氨基醇酸、烷基醇酸及三聚氰胺等。另外。还可以用聚合物等涂布保护膜的表面。进而，可在保护膜上设置防静电层。这些处理可以单独进行一种或两种以上组合进行。进行表面处理时的保护膜厚度Tp，通常为进行表面处理后的厚度。在除去保护膜时，为了防止粘接层从支承基材上剥离，上述保护膜的厚度Tp最好是支承基材的厚度Ts以下。本发明的粘接片中，支承基材与粘接层之间的剥离强度在保护膜与粘接层之间的剥离强度以上为宜。支承基材与粘接层之间的剥离强度小于保护膜与粘接层之间的剥离强度时，从粘接层上剥离保护膜时，往往在支承基材和粘接层之间先剥离。另外，上述剥离强度的关系，例如，分别对于将支承基材和粘接层层叠而成的层叠体以及将粘接层和保护膜层叠而成的层叠体，使用市售的流变仪，根据以50_/分钟的拉伸速度进行剥离时的拉伸强度值来进行比较。本实施方式的粘接片，可以在30 80°C的宽的温度范围内固定到粘附体上。此时的加热时间没有特别限制，优选为O. I 10秒钟，更优选为O. 3 8秒钟，进一步优选为0.5 5秒钟。小于O. I秒钟时，实际上成为几乎不施加压力的状态，粘合性往往较差。另一方面，超过10秒钟时，往往生产率低下。另外，固定粘接片时的加压压力没有特别限制。优选的是，粘接层的粘附体的每单位面积O. I lOMPa。其后，除去支承基材，同时加热和加压来粘接粘附体。加热温度没有特别限制，优选为100 250°C的温度。压力只要是不造成粘附体损伤的范围内即可，没有特别限制，通常优选为O. I lOMPa。这样的加热和加压，优选在O. 5 120秒钟的范围内进行。例如，在温度140 200°C、压力3MPa的条件下，进行10秒钟加热和加压，可使粘接层和粘附体进行粘接。本实施方式的粘接片，可以用作将彼此不同种类的粘附体、例如半导体芯片、电阻芯片、电容芯片等芯片部件、或印刷电路板等电路构件彼此连接的电路连接材料。具体地说，除了以各向异性导电膜为代表的上述及后述的电路连接材料外，可以用来作为以CSP用弹性体、CSP用底部膜(underfilm)材料、LOC磁带等为代表的半导体元件粘接材料。
<电路构件的连接结构>下面，说明本发明的电路构件的连接结构的优选实施方式。图I是表示本发明的电路构件的连接结构的一个实施方式的示意截面图。如图I所示，本实施方式的电路构件的连接结构I，具有彼此相对的第一电路构件20及第二电路构件30，在第一电路构件20与第二电路构件30之间设有将它们电连接的电路连接构件10。第一电路构件20，具有第一电路基板21和在电路基板21的主面21a上形成的第一电路电极22。另外，根据场合，在电路基板21的主面21a上还可以形成绝缘层(未图示)。另一方面，第二电路构件30，具有第二电路基板31和在第二电路基板31的主面31a上形成的第二电路电极32。另外，根据场合，在电路基板31的主面31a上还可以形成绝缘层(未图示)。作为第一电路构件20及第二电路构件30，只要形成了需要电连接的电极即可，没 有特别的限制。具体地可以举出，在液晶显示器所使用的由ITO等形成电极的玻璃或塑料基板、印刷电路板、陶瓷电路板、挠性电路板、半导体硅芯片等，这些可根据需要组合使用。这样，在本实施方式中，可以使用印刷电路板，或者，以由聚酰亚胺等有机物构成的材料为首，铜、招等金属或ITO (indium tin oxide)、氮化娃(SiNx)、二氧化娃(SiO2)等无机材料这样的具有多种多样的表面状态的电路构件电路连接构件10含有绝缘性物质11及导电性粒子7。导电性粒子7不仅配置于相对的第一电路电极22与第二电路电极32之间，还配置于主面21a与31a之间。在本实施方式的电路构件的连接结构I中，第一电路电极22和第二电路电极32是通过导电性粒子7而电连接的。因此，第一电路电极22和第二电路电极32之间的连接电阻充分降低。因而，可使第一电路电极22和第二电路电极32之间的电流的流动顺利进行，充分发挥电路具有的功能。另外，通过使导电性粒子7成为上述的配合比例，还可以显示出电连接的各向异性。下面，说明电路连接构件不含有导电性粒子时的本发明的电路构件的连接结构的优选实施方式。图2是表示本发明电路构件的连接结构的一个实施方式的概略断面图。如图2所示，本实施方式的电路构件的连接结构2，具有彼此相对的第一电路构件20及第二电路构件30，在第一电路构件20与第二电路构件30之间设有将它们连接的电路连接构件
15。第一电路构件20,具有第一电路基板21和在电路基板21的主面21a上形成的第一电路电极22。另外，根据情况，在电路基板21的主面21a上还可以形成绝缘层(未图示)。另一方面，第二电路构件30，具有第二电路基板31和在第二电路基板31的主面31a上形成的第二电路电极32。另外，根据情况，在电路基板31的主面31a上也可以形成绝缘层(未图示)。电路连接构件15，含有绝缘性物质11但不含有导电性粒子7。因此，通过使其直接接触或充分接近进行电连接，使得在第一电路电极22和第二电路电极32之间产生期望量的电流流动。此时，通过调节第一电路电极22和第二电路电极32之间的位置，可显示出电连接的各向异性。电路连接构件10和15，具有本发明的粘接片的粘接层的固化物。因此，可以充分防止电路连接构件10和15的一部分被剥离、除去，或者，防止支承基材45的一部分残存。这样，可以充分提高电路连接构件10和15与第一电路构件20或第二电路构件30的粘接强度。因此，可形成第一电路电极22和第二电路电极32之间的电连接。〈电路构件的连接结构的制造方法〉下面，参照作为工序图的图3，说明上述电路构件的连接结构的制造方法。另外，在这里对于粘接剂组合物含有热塑性树脂、自由基聚合性化合物及自由基聚合引发剂的情况进行说明。首先，制备上述第一电路构件20和在支承基材45上设置了薄膜状电路连接材料40的粘接片(参照图3 (a))。薄膜状电路连接材料40是将电路连接材料成形为薄膜状而形成。电路连接材料含有粘接剂组合物5和根据需要含有导电性粒子。在这里，粘接剂组合物5使用上述本发明的粘接剂组合物。薄膜状电路连接材料40的厚度在7 28 μ m为宜。薄膜状电路连接材料40的厚度小于7 μ m时，在电路电极22、23之间电路连接材料往往填充不足。另一方面，超过28 μ m时，不能充分地将电路电极22和32之间的粘接剂组合物排除干净，往往难以确保电路电极·22和32之间的导通。接着，使薄膜状电路连接材料40 —侧朝向第一电路构件20，将上述粘接片载于第一电路构件20的形成了电路电极22的面上。此时，薄膜状电路连接材料40为薄膜状，容易操作。因此，可容易地使薄膜状电路连接材料40介于第一电路构件20与第二电路构件30之间，第一电路构件20与第二电路构件30的连接操作可以很容易地进行。然后，在图3(a)的箭头A及B方向上对粘接片加压，将薄膜状电路连接材料40暂时固定于第一电路构件20上。此时，也可以一边加热、一边加压。但是，加热温度为薄膜状电路连接材料40中的粘接剂组合物不会固化的温度，即比自由基聚合引发剂产生自由基的温度低的温度。接着，将支承基材45从薄膜状电路连接材料40上剥离(参照图3 (b))。剥离支承基材45时，可以将支承基材45剥离，不会出现将薄膜状电路连接材料40的一部分或全部从基板上剥离或者支承基材45的一部分残存的情况。接着，如图3 (C)所示，使第二电路电极朝向第一电路构件20，将第二电路构件30载于薄膜状电路连接材料40上。然后，一边加热薄膜状电路连接材料40，一边在图3 (C)的箭头A及B方向上以第一和第二电路构件20、30为中介进行加压。此时的加热温度是自由基聚合引发剂能产生自由基的温度。这样，在自由基聚合引发剂中产生自由基，引发了自由基聚合性化合物的聚合。这样，薄膜状电路连接材料40被固化处理，实现正式连接，得到如图I所示的电路构件的连接结构。加热温度例如为90 200°C，连接时间例如为I秒 10分。这些条件可以根据使用用途、粘接剂组合物及电路构件适当选择，根据需要也可进行后固化。如上所述，制造电路构件的连接结构时，在所得电路构件的连接结构中，可以使导电性粒子7与相对的电路电极22、32双方接触，充分地降低电路电极22、32间的连接电阻。另外，通过加热薄膜状电路连接材料40，在电路电极22与电路电极32之间的距离足够小的状态下，粘接剂组合物5固化，形成绝缘性物质11，第一电路构件20与第二电路构件30是通过电路连接构件10坚固地连接。即，在所得到的电路构件的连接结构中，电路连接构件10是由含上述粘接剂组合物的电路连接材料的固化物构成的。因此，可以充分防止电路连接构件10的一部分被剥离、除去或者支承基材45的一部分残存的情况。这样，可以充分提高电路连接构件10与电路构件20或30的粘接强度，充分降低电路电极22、32之间的连接电阻。另外，粘接剂组合物5可以至少包含通过加热产生自由基的自由基聚合引发剂，也可以代替该自由基聚合引发剂，使用仅通过光照射产生自由基的自由基聚合引发剂来。此时，薄膜状电路连接材料40的固化处理时，可进行光照射来代替加热。此外，根据需要可使用通过超声波、电磁波等产生自由基的自由基聚合引发剂。另外，作为粘接剂组合物5中的固化成分，可以使用环氧树脂和潜在性固化剂。另外，可使用其他导电材料代替导电性粒子。作为其他的导电材料，可举出粒子状或短纤维状的碳、镀金的镍线等金属线等。薄膜状电路连接材料40由本发明的粘接片的粘接层构成，因此，可在比以往更宽范围的温度条件下将薄膜状电路连接材料40暂时固定于基板上。因此，在暂时固定后剥离支承基材45时，可以充分防止薄膜状电路连接材料40与支承基材45 —起由基板上剥离， 或者薄膜状电路连接材料40的一部分被剥离、除去，或者支承基材45的一部分残存。这样，使用薄膜状电路连接材料40制造电路连接构件的连接结构时的工艺范围拓宽，可提高生产合格率。另外，在电路连接材料不含有导电性粒子7时，采用该制造方法得到的连接结构如图2所示。〈半导体器件〉下面，说明本发明的半导体器件的实施方式。图4是表示本发明的半导体器件的一个实施方式的概略断面图。如图4所示，本实施方式的半导体器件3具有半导体元件50和形成半导体支承部件的基板60，在半导体元件50和基板60之间设有将它们电连接的半导体元件连接构件80。另外，半导体元件连接构件80被层叠于基板60的主面60a上，半导体元件50进一步被层叠于该半导体元件连接构件80上。基板60具有电路图案61，电路图案61是在基板60的主面60a上通过半导体连接构件80或者直接地与半导体元件50电连接。然后，利用密封材料70将它们密封，形成半导体器件3。半导体元件50的材料并无特别地限制，可使用硅、锗的14族半导体元件；GaAs、InP、GaP、InGaAs、InGaAsP、AIGaAs、InAs、GaInP、Al InP、AlGaInP、GaNAs、GaNP、GaInNAs、GaInNP、GaSb、InSb、GaN、AlN、InGaN、InNAsP 等 13-15 族化合物半导体元件；HgTe、HgCdTe、CdMnTe, CdS、CdSe, MgSe, MgS, ZnSe, ZeTe 等 12 — 16 族化合物半导体元件；以及 CuInSe(CIS)等各种各样的物质。半导体元件连接构件80含有绝缘性物质11及导电性粒子7。导电性粒子7是不仅配置于半导体元件50与电路图案61之间，也配置于半导体元件50与主面60a之间。在于本实施方式的半导体器件3中，半导体元件50与电路图案61是通过导电性粒子7而电连接的。因此，半导体元件50及电路图案61间的连接电阻充分地减低。因此，可以使半导体元件50及电路图案61间的电流流动顺利，可充分地发挥半导体具有的功能。另外，通过将该导电性粒子7设定为上述的配合比例，还可显示出电连接的各向异性。另外，在半导体元件连接构件80不含有导电性粒子7的场合(未图示)，通过使半导体元件50与电路图案61直接接触或者充分地靠近而进行电连接，使得所期望的量的电流流动。
半导体元件连接构件80是由本发明粘接片中的粘接层的固化物构成。因此，可以充分地防止半导体元件连接构件80的一部分被剥离、除去或者支承基材45的一部分残存。这样，半导体元件连接构件80与半导体元件50及基板60的粘接强度可以充分地提高。因此，半导体元件50及电路图案61之间电连接成为可能。以上，对于本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明不限于此。
实施例以下，通过实施例更详细地说明本发明，但本发明不限于这些实施例。<粘接剂组合物的制备>制备导电性粒子在聚苯乙烯粒子的表面上设置厚度O. 2μπι的由镍构成的层，进而在该由镍构成的层的表面上,设置厚度O. 02 μ m的由金构成的层。这样,得到平均粒径4 μ m、比重2. 5的导电性粒子。<制备粘接剂组合物(I) >在苯氧基树脂(重均分子量45000、联合碳化物公司制造、商品名“PKHC”)30质量 份中，添加2官能环氧树脂(大日本油墨公司制造、商品名“HP - 4043D”)20质量份、硅烷偶联剂(信越硅酮公司制造、商品名“SH6040”)I质量份、二氧化硅填料(r γ-^r λ V >7 7^公司制造、商品名“SE2050、平均粒径O. 4 O. 6 μ m”)5质量份、以及咪唑环氧加合物微胶囊(旭化成公司制造、商品名“V K々二 7 3941HP”)35质量份，再添加甲苯25质量份和乙酸乙酯25质量份，进行搅拌混合，得到粘接剂组合物(I)。<制备粘接剂组合物(II ) > 在100体积份的粘接剂组合物(I)中添加10体积份的上述导电性粒子，进行搅拌混合，得到粘接剂组合物(II )。<制备粘接剂组合物(III) >在苯氧基树脂(重均分子量45000、联合碳化物公司制造、商品名“PKHC”)65质量份中，添加2官能环氧树脂(油化壳牌环氧公司制造、商品名“EP828”)35质量份、硅烷偶联齐U(信越硅酮公司制造、商品名“SH6040”)4质量份、作为填充材料的氢氧化铝5质量份、苄基锍盐(三新化学工业公司制造、商品名“SI - 60L”)5质量份，再添加甲苯25质量份和乙酸乙酯25质量份，进行搅拌混合，得到粘接剂组合物(III)。<制备粘接剂组合物(IV) >在100体积份的粘接剂组合物(III)中添加10体积份的上述导电性粒子，进行搅拌混合，得到粘接剂组合物(IV)。〈制备粘接剂组合物(V)〉在苯氧基树脂(东都化成公司制造、商品名“ZX1356 — 2”)50质量份中，添加多官能丙烯酸脂(东亚合成化学公司制造、商品名“7 口二 7 M315”)15质量份、聚氨酯丙烯酸脂(共荣化学公司制造、商品名“AT - 600”)35质量份、硅烷偶联剂(信越硅酮公司制造、商品名“SZ6030”)5质量份、作为自由基聚合引发剂的2，5 —二甲基一 2，5 — (2 一乙基己酰基过氧化)己烷(日本油脂公司制造)3质量份，再添加甲苯25质量份和乙酸乙酯25质量份，进行搅拌混合，得到粘接剂组合物(V)。
<制备粘接剂组合物(VI) >在100体积份的粘接剂组合物(V )中添加10体积份的上述导电性粒子，进行搅拌混合，得到粘接剂组合物(VI)。实施例I将粘接剂组合物(I) (VI)分别涂布于作为支承基材的对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷表面处理、帝人杜邦薄膜公司制造、商品名“ 二一 >
夕^ A70”)上，在70°C下加热10分钟挥发除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚10 μ m的粘接层。进而，在粘接层上，作为保护膜配置PET膜(膜厚19 μ m、用聚硅氧烷表面处理、帝人杜邦薄膜公司制造、商品名“ C 二一 > 7么31”)，在辊温度401、线压1\10化/111、速度Im/ 分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。实施例2将粘接剂组合物(I ) (VI)分别涂布于作为支承基材的PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷表面处理、帝人杜邦薄膜公司制造、商品名“ 二一 > ^ ^ A70”)上，在70°C下加热10分钟挥发除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚12 μ m的粘接层。进而，在粘接层上，作为保护膜配置聚乙烯(PE)膜(膜厚20 μ m、Tamapoly公司制造、商品名“NF — 13”)，在辊温度40°C、线压IX 104N/m、速度Im/分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。实施例3将粘接剂组合物(I ) (VI)分别涂布于作为支承基材的PET膜(膜厚38 μ m、用聚硅氧烷表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaCTR — 4”)上，在70°C下加热10分钟挥发除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚20 μ m的粘接层。进而，在粘接层上，作为保护膜配置PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaBD”)，在辊温度40°C、线压lX104N/m、速度Im/分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。实施例4将粘接剂组合物(I ) (VI)分别涂布于作为支承基材的PET膜(膜厚38 μ m、用聚硅氧烷表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaCTR-4”)上，在70°C下加热10分钟挥发除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚23 μ m的粘接层。进而，在粘接层上，作为保护膜配置PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaBD”)，在辊温度40°C、线压IX 104N/m、速度Im/分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。实施例5将粘接剂组合物(I ) (VI)分别涂布于作为支承基材的PET膜(膜厚40 μ m、用烷基醇酸进行表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FiImbynaNSC”)上，在70°C下加热10分钟挥发、除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚20 μ m的粘接层。进而，在粘接层上配置PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaBD”)作为保护膜，在辊温度40°C、线压I X104N/m、速度Im/分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。实施例6将粘接剂组合物(I ) (VI)分别涂布于作为支承基材的取向聚丙烯(OPP)膜(膜厚40 μ m、东洋纺织公司制造、商品名“W〗>& P2002”)上，在70°C下加热10分钟挥发、除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚23 μ m的粘接层。进而，在粘接层上配置PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaBD”)作为保护膜，在辊温度40°C、线压lX104N/m、速度Im/分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。实施例7将粘接剂组合物(I ) (VI)分别涂布于作为支承基材的聚乙烯(PE)膜(膜厚40 μ m、Tamapoly公司制造、商品名“NF — 13”)上,在70°C下加热10分钟挥发、除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚23 μ m的粘接层。进而，在粘接层上配置PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaBD”)作为保护膜，在辊温度40°C、线压lX104N/m、速度Im/分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。比较例I将粘接剂组合物(I ) (VI)分别涂布于作为支承基材的PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、帝人杜邦薄膜公司制造、商品名“ 一 >A70”)上，在70°C
下加热10分钟挥发、除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚17 μ m的粘接层。进而，在粘接层上配置PET膜(膜厚19 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、帝人杜邦薄膜公司制造、商品名“ C工一 ^ ^ A31”)作为保护膜，在辊温度40°C、线压lX104N/m、速度Im/分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。比较例2将粘接剂组合物(I) (VI)分别涂布于作为支承基材的PET膜(膜厚40 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaCTR —2”)上，在70°C下加热10分钟挥发、除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚40 μ m的粘接层。进而，在粘接层上配置PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaBD”)作为保护膜，在辊温度40°C、线压I X104N/m、速度Im/分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。比较例3将粘接剂组合物(I) (VI)分别涂布于作为支承基材的PET膜(膜厚100 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaCTR — 2”)上，在70°C下加热10分钟挥发、除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚45 μ m的粘接层。进而，在粘接层上配置PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaBD”)作为保护膜，在辊温度40°C、线压lX104N/m、速度Im/分钟进行层压，分别制备粘接片。比较例4将粘接剂组合物(I) (VI)分别涂布于作为支承基材的PET膜(膜厚100 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaCTR — 2”)上，在70°C下加热10分钟挥发、除去溶剂等，在PET膜上形成膜厚65 μ m的粘接层。进而，在粘接层上配置PET膜(膜厚25 μ m、用聚硅氧烷进行表面处理、藤森工业公司制造、商品名“FilmbynaBD”)作为保护膜，在辊温度40°C、线压I X 104N/m、速度Im/分钟的条件下进行层压，分别制备粘接片。表I中示出上述实施例和比较例中制备的粘接片的支承基材的厚度Ts、粘接层的厚度Ta、保护膜的厚度Tp、支承基材和保护膜的材质、以及表面处理的种类。<粘接片的暂时压接>首先，制备具有ITO (氧化铟锡)布线图案的玻璃基板(〕-二 W # 7059、外形38mmX28mm的矩形、厚度O. 7mm)。另外，从实施例I 6和比较例I 3中制备的粘接片上预先剥离、除去保护膜。接着，将粘接片切成宽2. 5mm、长20mm，使得粘接层与ITO布线面接触，将粘接片配置于玻璃基板上，得到层叠体。接着，使用内藏由金属构成的平台和加热器的金属压接头(5mmX 30mm)，在上述层叠体的层叠方向上对上述层叠体加热及加压，进行暂时固定。此时的加热温度，作为粘接层的温度为80°C或30°C，加压时间为2秒钟，加压压力为IMPa。〈暂时固定后粘接片的评价〉从暂时固定的粘接片上剥离支承基材，按照以下标准评价粘接层的暂时固定的状态。另外，支承基材的剥离是在剥离角度90°、剥离速度IOOmm/分钟的条件下进行。表2中示出暂时固定时的加热温度为80°C时的结果，表3中示出30°C时的结果。评价I
A :使用粘接剂组合物(I) (VI)中的任一种时,仅剥离、除去支承基材。
B :使用粘接剂组合物(I) (VI)中的任一种时，在剥离、除去支承基材时，粘接层也从基板上剥尚、除去。评价2A :使用粘接剂组合物(I) (VI)中的任一种时，仅除去支承基材，粘接层的边缘部仍粘合在玻璃基板上。B :使用粘接剂组合物(I) (VI)中的任一种时，剥离支承基材后，发现粘接层的边缘部粘合不良。另外，由于在评价I中粘接层从基板上被剥离、除去，在评价2中不能确认粘接层边缘部的粘合不良的情况以“”表示。评价3A :使用粘接剂组合物(I) (VI)中的任一种时，没有发现暂时固定后粘接剂组合物附着于压接头上。B :使用粘接剂组合物(I) (VI)中的任一种时，发现暂时固定后粘接剂组合物附着于压接头上。综合评价评价I和2两者都为A时合格(A)评价I和2中的至少一方为B时不合格(B)表I
权利要求
1.一种粘接片在制造电路连接用片中的应用，该粘接片具有支承基材和设置于该支承基材上且包含粘接剂组合物的粘接层，其特征在于，所述支承基材的厚度Ts和所述粘接层的厚度Ta满足下述式(I)表示的条件，并且，所述厚度Ts为42 μ m以下，.O. 40 ( Ta/Ts ^ O. 65 (I)。
2.根据权利要求I所述的应用，其中，所述粘接片为，在所述粘接层上进一步设置了保护膜，并且，所述保护膜的厚度Tp为所述厚度Ts以下。
3.根据权利要求2所述的应用，其中，所述支承基材和所述粘接层之间的剥离强度是在所述保护膜和所述粘接层之间的剥离强度以上。
4.根据权利要求I 3中任一项所述的应用，其中，所述粘接剂组合物含有热塑性树月旨、自由基聚合性化合物和自由基聚合引发剂。
5.根据权利要求I 3中任一项所述的应用，其中，所述粘接剂组合物含有热塑性树月旨、热固性树脂和潜在性固化剂。
6.根据权利要求4所述的应用，其中，所述粘接剂组合物还含有导电性粒子。
7.根据权利要求5所述的应用，其中，所述粘接剂组合物还含有导电性粒子。
8.根据权利要求I 7中任一项所述的应用，其中，所述支承基材具有选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、取向聚丙烯膜、聚乙烯膜和聚酰亚胺膜构成的组中的一种以上的膜。
9.电路构件的连接结构的制造方法，具有 将具有支承基材和设置于该支承基材上且包含粘接剂组合物的粘接层的粘接片，载于在第一电路基板的主面上形成了第一电路电极的第一电路构件上，从而将所述粘接层暂时固定于所述第一电路构件上的步骤； 将所述支承基材从所述粘接层剥离的步骤； 将在第二电路基板的主面上形成了第二电路电极的第二电路构件，按照所述第二电路电极朝着所述第一电路构件的方式载于所述粘接层上，在将所述第一电路电极和所述第二电路电极对向配置的状态下进行电连接的步骤， 其中，所述支承基材的厚度Ts和所述粘接层的厚度Ta满足下述式(I)表示的条件，并且，所述厚度Ts为42 μ m以下， .O. 40 ^ Ta/Ts ^ O. 65(I)。
10.根据权利要求9所述的电路构件的连接结构的制造方法，其中，所述粘接片为，在所述粘接层上进一步设置了保护膜，并且，所述保护膜的厚度Tp为所述厚度Ts以下。
11.根据权利要求10所述的电路构件的连接结构的制造方法，其中，所述支承基材和所述粘接层之间的剥离强度是在所述保护膜和所述粘接层之间的剥离强度以上。
12.根据权利要求9 11中任一项所述的电路构件的连接结构的制造方法，其中，所述粘接剂组合物含有热塑性树脂、自由基聚合性化合物和自由基聚合引发剂。
13.根据权利要求9 11中任一项所述的电路构件的连接结构的制造方法，其中，所述粘接剂组合物含有热塑性树脂、热固性树脂和潜在性固化剂。
14.根据权利要求12所述的电路构件的连接结构的制造方法，其中，所述粘接剂组合物还含有导电性粒子。
15.根据权利要求13所述的电路构件的连接结构的制造方法，其中，所述粘接剂组合物还含有导电性粒子。
16.根据权利要求9 15中任一项所述的电路构件的连接结构的制造方法，其中，所述支承基材具有选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、取向聚丙烯膜、聚乙烯膜和聚酰亚胺膜构成的组中的一种以上的膜。
全文摘要
本发明提供一种粘接片、使用其的电路构件的连接结构及半导体器件。本发明提供一种粘接片在制造电路连接用片中的应用，该粘接片具有支承基材和设置于该支承基材上且包含粘接剂组合物的粘接层，其特征在于，所述支承基材的厚度Ts和所述粘接层的厚度Ta满足下述式(1)表示的条件，并且，所述厚度Ts为42μm以下。0.40≤Ta/Ts≤0.65(1)。
文档编号H01L21/683GK102942881SQ20121042110
公开日2013年2月27日 申请日期2007年5月8日 优先权日2006年5月9日
发明者佐藤和也, 藤井正规, 白川哲之 申请人:日立化成工业株式会社