嵌合型连接端子及其制造方法
【专利摘要】本发明的嵌合型连接端子是由导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子和凹端子构成的嵌合型连接端子，在该嵌合型连接端子上，在凸端子以及凹端子中的一个端子的与另一个端子相接触的触点部的表面上，形成在长边方向上互相间隔开的多个沟道或凹部，若将这些沟道或凹部的宽度设作a(μm)，将深度设作b(μm)，将在长边方向上相邻的沟道与沟道之间或凹部与凹部之间的距离设作c(μm)，将凸端子与凹端子相嵌合并固定的状态下凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离设作L(μm)，将因该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d(μm)，则满足d≤b、d≤a≤L、a+c≤L。
【专利说明】嵌合型连接端子及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种嵌合型连接端子及其制造方法，尤其涉及一种在互相嵌合的凸端子与凹端子的表面形成有Sn镀层的嵌合型连接端子及其制造方法。
【背景技术】
[0002]以往以来，作为凸端子与凹端子互相嵌合的嵌合型连接端子的材料，使用在铜或铜合金等导体原材料的最外层实施了 Sn镀敷的Sn镀敷材料。尤其是，Sn镀敷材料的接触电阻较小，且从接触可靠性、耐腐蚀性、焊接性、经济性等观点来看，Sn镀敷材料被用作为汽车、信息通信设备、工业设备等所使用的各种连接端子的材料。
[0003]近年来，在汽车等的连接端子中，通过端子的小型化来使弹簧部的板厚变薄，另夕卜，由于无法确保足够的弹簧位移量，使得凸端子与凹端子之间的触点上接触载重变小。尤其是，若在由Sn镀敷材料构成的嵌合型连接端子上，凸端子与凹端子之间的触点上接触载重变小，则该触点上的微小滑动所引起的微滑动磨损将使得接触可靠性变差，从而产生问题。
[0004]为了解决该问题，提出了通过在形成于小型端子的基材上的Sn镀层的表面形成Ag-Sn合金层，来抑制因小型端子的微滑动磨损而引起的电接触电阻的上升，从而提高电连接可靠性(例如参照日本专利特开2010-37629号公报)。
[0005]另外，还提出了通过设置具有对接触片的压接进行增强的弹簧片的增强构件，从而获得不易因滑动而产生微滑动磨损的较强的压接(例如参照日本专利特开2006-134681号公报)，以及通过设置将对方侧端子的标签的前端部保持于相对位移限制状态的保持部，从而防止端子金属配件间的微滑动磨损(例如参照日本专利特开2006-80004号公报)。
[0006]此外，还提出了通过在电连接器的一个连接器的电触电上设置角柱状突起部，并在其上方使另一个连接器的电触电滑动，从而使得焊料等杂质不易粘附在电连接器的电触点上，并使得不容易发生接触不良(例如参照日本专利特开2001-266990号公报)，以及通过在凸连接器与凹连接器嵌合固定的状态下使凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离小于凸端子与凹端子之间的触点部的接触部分的接触痕迹的范围，从而即使在高滑动环境下仍能防止连接可靠性的下降(例如参照日本专利特开2005-141993号公报)。
[0007]然而，如在Sn镀层的表面形成Ag-Sn合金层的日本专利特开2010-37629号公报所示，若对导体原材料的最外层实施Au或Ag等昂贵的贵金属镀敷，或者作为导体原材料使用高强度材料来提高接触载重，则成本将会上升很多。
[0008]另外，如日本专利特开2006-134681号公报以及日本专利特开2006-80004号所示，即使通过端子的结构来使触点部难以移动从而防止滑动的产生，但若在由SN镀敷材料构成的嵌合型连接端子上，接触载重变小，则触点也容易移动，难以抑制因微小的滑动而产生的微滑动磨损。
[0009]此外，即使如日本专利特开2001-266990号所示那样，电连接器的一个连接器的电触点上设置角柱状突起部，或这如日本专利特开2005-141993号所示那样，通过在凸连接器与凹连接器的嵌合固定状态下使凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离小于凸端子与凹端子之间的触点部的接触部分的接触痕迹的范围，在由Sn镀敷材料构成的嵌合型连接端子上，仍无法充分地防止在发生微小的滑动时产生的Sn镀敷的磨损粉的氧化物堆积于触点部，从而无法充分地抑制微滑动磨损。
【发明内容】
[0010]因此，本发明鉴于上述现有问题，其目的在于，提供一种嵌合型连接端子及其制造方法，能够在由导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子与凹端子构成的嵌合型连接端子上，低成本且充分地抑制因微滑动磨损而引起的电阻值的上升。
[0011]本发明人为解决上述问题通过专心研究发现，在由导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子与凹端子构成的嵌合型连接端子上，在凸端子以及凹端子的一个端子的与另一个端子相接触的触点部的表面上，形成在长边方向上互相间隔开的多个沟道或凹部，若将这些沟道或凹部的宽度设作a ( μ m)，将深度设作b ( μ m)，将在长边方向上相邻的沟道与沟道之间或凹部与凹部之间的距离设作c(ym)，将凸端子与凹端子相嵌合并固定的状态下凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离设作L( μ m)，将因该滑动可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d( μ m),则通过满足d < b、(K a < L、a+c ( L,从而能低成本且充分地抑制因微滑动磨损而引起的电阻值的上升，由此完成本发明。
[0012]也就是说，本发明的嵌合型连接端子是由在导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子与凹端子构成的嵌合型连接端子，该嵌合型连接端子的特征在于，在凸端子以及凹端子的一个端子的与另一个端子相接触的触点部的表面上，形成在长边方向上互相间隔开的多个沟道或凹部，若将这些沟道或凹部的宽度设作a ( μ m)，将深度设作b ( μ m)，将在长边方向上相邻的沟道与沟道之间或凹部与凹部之间的距离设作c ( μ m)，将凸端子与凹端子相嵌合并固定的状态下凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离设作L( μ m)，将因该滑动可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d( μ m),则满足满足d < b、d < a < L、a+c ( L。
[0013]在该嵌合型连接端子上，优选为，多个沟道是在凸端子的长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上延伸的、平面形状大致呈矩形的细长的沟道。另外，多个凹部优选为是在凸端子的长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上互相大致等间隔地相隔开、并且其角部相邻配置的平面形状大致呈矩形的凹部。另外，基材优选为由铜或铜合金构成，Sn镀层优选为由纯度在99.9质量％以上的Sn构成。此外，优选为，嵌合型连接端子是箱型的连接端子，凸端子的触点部设置于弹性片上。另外，优选为，滑动距离L为1000 μ m,最大粒径d为10 μ m，进一步优选为，滑动距离L为250 μ m,最大粒径d为30 μ m。
[0014]另外，本发明的嵌合型连接端子的制造方法是由在导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子与凹端子构成的嵌合型连接端子的制造方法，该嵌合型连接端子的制造方法的特征在于，在凸端子以及凹端子中的一个端子在导电性基材的表面上与另一个端子相接触的触点部所对应的部分上，将沟道或凹部的宽度设作a( μ m)，将深度设作b ( μ m)，将在长边方向上相邻的沟道与沟道之间或凹部与凹部之间的距离设作c(ym)，将凸端子与凹端子相嵌合并固定的状态下凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离设作L(ym)，将因该滑动可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作(Ι(μπι)，在该情况下，形成了在长边方向上互相间隔开的多个沟道或凹部之后，在凸端子与凹端子的导电性基材上形成Sn镀层，以满足d ≤b、d ≤a ≤ L、a+c≤ L0
[0015]或者，本发明的嵌合型连接端子的制造方法是由在导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子与凹端子构成的嵌合型连接端子的制造方法，该嵌合型连接端子的制造方法的特征在于，在凸端子与凹端子的导电性基材上形成Sn镀层之后，在凸端子以及凹端子中的一个端子的与另一个端子相接触的触点部的表面上，将沟道或凹部的宽度设作a(ym)，将深度设作b ( μ m)，将在长边方向上相邻的沟道与沟道之间或凹部与凹部之间的距离设作c(ym)，将凸端子与凹端子相嵌合并固定的状态下凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离设作L ( μ m)，将因该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d ( μ m)，在该情况下，形成在长边方向上互相间隔开的多个沟道或凹部，以满足d≤b、d≤a≤L、a+c ≤ L0
[0016]在上述嵌合型连接端子的制造方法中，优选为，多个沟道是在凸端子的长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上延伸的、平面形状大致呈矩形的细长的沟道。另外，多个凹部优选为在凸端子的长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上互相大致等间隔地间隔开、并且角部相邻配置的平面形状大致呈矩形的凹部。另外，基材优选为由铜或铜合金构成，Sn镀层优选为由纯度在99.9质量％以上的Sn构成。此外，优选为，嵌合型连接端子是箱型的连接端子，凸端子的触点部设置于弹性片上。另外，优选为，滑动距离L为1000 μ m,最大粒径d为10 μ m,进一步优选为，滑动距离L为250 μ m,最大粒径d为 30 μ m。
[0017]根据本发明，在由导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子与凹端子构成的嵌合型连接端子上，能低成本且充分地抑制因微滑动磨损而引起的电阻值的上升。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1A是本发明的嵌合型连接端子的一个实施方式的凸端子与凹端子的触点部的俯视图。
[0019]图1B是图1A的IB-1B线剖视图。
[0020]图1C是表示使用图1A的凸端子的本发明的嵌合型连接端子的一个实施方式的凸端子与凹端子的触点部的剖视图。
[0021]图2A是表示图1A的凸端子的与凹端子的触点部的变形例的俯视形状的图。
[0022]图2B是图2A的IIB-1IB线剖视图。
[0023]图3A是表示图1A以及图2A的凸端子的与凹端子相接触的触点部的剖面形状的变形例I的图。
[0024]图3B是表示图1A以及图2A的凸端子的与凹端子相接触的触点部的剖面形状的变形例2的图。
[0025]图3C是表示图1A以及图2A的凸端子的与凹端子相接触的触点部的剖面形状的变形例3的图。
[0026]图4是作为本发明的嵌合型连接端子的示例将箱型的连接端子的一部分截断后的侧视图。
【具体实施方式】
[0027]下面，参照附图对本发明的嵌合型连接端子及其制造方法的实施方式进行详细说明。
[0028]如图1A~图1C所示，本发明的嵌合型连接端子的一个实施方式由能互相嵌合的凸端子10与凹端子12构成。凸端子10与凹端子12的导电性基材的表面上，形成有(优选由纯度在99.9质量％以上的Sn构成的)Sn镀层，凸端子10的与凹端子12 (的半球状的锯齿12a)相接触的触点部的表面上形成有细长形的多个细微的沟道10a，该沟道IOa在凸端子10的长边方向上互相大致等间隔地间隔开且在宽度方向上延伸，其平面形状以及剖面形状大致呈矩形。
[0029]形成这些沟道10a，将其宽度(凸端子10的长边方向的长度)设为a，深度设为b，将在长边方向上相邻的沟道IOa与沟道IOa之间的距离设作C，将凸端子10与凹端子12相嵌合并固定的状态(嵌合固定状态)下凸端子10与凹端子12之间可能产生的滑动距离设作L，将因该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d，在该情况下，使得满足d < b、d < a < L、a+c ^ L0[0030]具体而言，形成沟道10a，将凸端子10与凹端子12相嵌合并固定的状态下在凸端子10与凹端子12之间可能产生的滑动距离L设为ΙΟΟΟ(μπι)，将由于该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径d设为10(μπι)，使得满足10(μπι)≤b、10 ( μ m)≤a≤1000 ( μ m)、a+c≤1000 ( μ m)，优选为，将滑动距离L设为250 ( μ m)，将磨损粉的氧化物的最大粒径d设为30 ( μ m)，使得满足30 ( μ m)≤b、30 ( μ m)≤a≤250 ( μ m)、a+c ^ 250 ( μ m)。
[0031]另外,如图2A~图2B所示,也可以不使用形成有沟道IOa的凸端子10,而是使用形成有多个微细的凹部的凸端子110，该多个微细的凹部在长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上互相大致等间隔地相隔开，并且角部相邻(或大致抵接)配置，其平面形状以及剖面形状大致呈矩形。
[0032]形成这些凹部110a，将其宽度(凸端子110的长边方向的长度)设为a，深度设为b，将在长边方向上相邻的凹部IlOa与凹部IlOa之间的距离设作C，将凸端子110与凹端子12相嵌合并固定的状态下凸端子110与凹端子12之间可能产生的滑动距离设作L，将因该滑动可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d，在该情况下，使得满足d ( b、d ^ a ^ L> a+c ^ L。
[0033]具体而言，形成凹部110a，将凸端子110与凹端子12相嵌合并固定的状态下在凸端子Iio与凹端子12之间可能产生的滑动距离L设为1000(μπι)，将由于该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径d设为10&!11)，使得满足10&111) Sb、10 ( μ m)≤a≤1000 ( μ m)、a+c≤1000 ( μ m)，优选为，将滑动距离L设为250 ( μ m)，将磨损粉的氧化物的最大粒径d设为30 ( μ m)，使得满足30 ( μ m)≤b、30 ( μ m)≤a≤250 ( μ m)、a+c ^ 250 ( μ m)。
[0034]此外，将滑动距离L设为1000 (μ m)，优选设为250 (μ m)，这是由于，在凸端子10或110与凹端子12相嵌合并固定的状态(凸端子10或110与凹端子12之间(3N以下的)施加了微小载重的状态)下，凸端子10或110与凹端子12之间可能产生的滑动距离L为30~1000 μ m,通常为50~250 μ m。另外,将磨损粉的氧化物的最大粒径d设为10 ( μ m),优选设为30 ( μ m)，这是由于已知磨损粉的氧化物的最大粒径d虽然通常为3 μ m左右，但是磨损粉的氧化物即使凝结大小也几乎在10 μ m以下，不会超过30 μ m。[0035]由此，通过形成沟道IOa或凹部110a，从而在使凸端子10或110与凹端子12相嵌合并固定的状态下，凸端子10或110与凹端子12之间产生的磨损粉的氧化物落入沟道IOa或凹部IlOa中，能防止凸端子10或110的与凹端子12相接触的触点部的表面上堆积磨损粉的氧化物，从而能抑制因微滑动磨损而产生的电阻值的上升，提高电连接可靠性。
[0036]另外，可以在该嵌合型连接端子的凸端子10或110与凹端子12的导电性基材的表面与Sn镀层之间，从导电性基材侧向Sn镀层侧按照Ni镀层、Cu镀层的顺序形成这两个镀层，也可以按照Ni镀层、Cu镀层、CuSn镀层的顺序形成这三个镀层，也可以形成CuSn镀层或Ni镀层。
[0037]另外，作为嵌合型连接端子的凸端子10或110与凹端子12的导电性基材，优选使用由铜或铜合金构成的导电性基材，能够使用由Cu-N1-Sn类合金(例如同和金属技术有限公司(日文=DOWA Λ ^ )^r ^ 9株式会社)生产的NB-109、NB-105等铜合金)、磷铜、黄铜等构成的导电性基材。尤其是作为凹端子10或110的导电性基材，也可以使用由Be铜或钛铜等高强度的铜合金构成的导电性基材，但由于这些铜合金的成本高，因此优选使用由成本较低的Cu-N1-Si类(Colson)合金、Cu-N1-Sn类合金、磷铜等构成的导电性基材,作为凸端子12的导电性基材，优选使用由黄铜构成的导电性基材。另外，作为凸端子10或110与凹端子12的导电性基材，也可以使用由不锈钢(SUS)等铁类材料或铝合金等构成的导电性基材。
[0038]本发明的嵌合型连接端子的制造方法的一个实施方式中，在凸端子10或110在导电性基材的表面上与凹端子12相接触的触点部所对应的部分上，将沟道IOa或凹部IlOa的宽度设作a，将深度设作b，将在长边方向上相邻的沟道IOa与沟道IOa之间或凹部IlOa与凹部IlOa之间的距离设作C，将凸端子10或110与凹端子12相嵌合并固定的状态下凸端子10或110与凹端子12之间可能产生的滑动距离设作L，将因该滑动可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d，在该情况下，在形成细长的多个细微的沟道IOa或多个细微的凹部IlOa之后，在凸端子10或110与凹端子12的导电性基材上形成Sn镀层，使得满足d≤b、d≤a≤L、a+c ( L，其中，所述多个细微的沟道IOa在长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向 上延伸，其平面形状以及剖面形状大致呈矩形，所述多个细微的凹部IlOa在长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上互相大致等间隔地相隔开，并且角部相邻(或大致相抵接)配置，其平面形状以及剖面形状大致呈矩形。
[0039]或者，在凸端子10或110与凹端子12的导电性基材上形成Sn镀层之后，在凸端子10或110的与凹端子12相接触的触点部的表面上，将沟道IOa或凹部IlOa的宽度设作a，将深度设作b，将在长边方向上相邻的沟道IOa与沟道IOa之间或凹部IlOa与凹部IlOa之间的距离设作C，将凸端子10或110与凹端子12相嵌合并固定的状态下凸端子10或110与凹端子12之间可能产生的滑动距离设作L，将因该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d，在该情况下，形成细长的多个细微的沟道IOa或多个细微的凹部110a，使得满足d≤b、d≤a≤L、a+c ( L，其中，所述多个细微的沟道IOa在长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上延伸，其平面形状以及剖面形状大致呈矩形，所述多个细微的凹部IlOa在长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上互相大致等间隔地相隔开，并且角部相邻(或大致相抵接)配置，其平面形状以及剖面形状大致呈矩形。
[0040]在这些嵌合型连接端子的制造方法中，形成沟道10a，具体而言，将凸端子10与凹端子12相嵌合并固定的状态下在凸端子10与凹端子12之间可能产生的滑动距离L设为1000 (μ m)，将由于该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径d设为10(μπι)，使得满足10(μπι) ^ bUO(ym)≤a≤1000 ( μ m)、a+c ( 1000 ( μ m)，优选为，将滑动距离L设为250 (ym),将磨损粉的氧化物的最大粒径d设为30 ( μ m)，使得满足30 ( μ m) Sb、30 ( μ m) < a < 250 ( μ m)、a+c < 250 ( μ m)。另外，形成凹部110a,具体而言,将凸端子110与凹端子12相嵌合并固定的状态下在凸端子110与凹端子12之间可能产生的滑动距离L设为ΙΟΟΟ(μπι)，将由于该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径d设为10(μπι)，使得满足10 ( μ m)≤b、10 ( μ m)≤a≤1000 ( μ m)、a+c≤1000 ( μ m),优选为，将滑动距离L设为250 (ym),将磨损粉的氧化物的最大粒径d设为30 ( μ m)，使得满足30 ( μ m) Sb、30 ( μ m) ^ a ^ 250 ( μ m)、a+c ^ 250 ( μ m)。
[0041]对于沟道IOa或凹部IlOa的形成，可以通过对利用按压加工形成为端子形状的凸端子10或110在导电性基材(沟道IOa或凹部110形成前实施Sn镀敷时为Sn镀层)的表面上与凹端子12相接触的触点部所对应的部分进行按压加工、蚀刻加工、放电加工、机械加工或激光加工来实现。另外，也可以在实施Sn镀敷时形成沟道IOa或凹部110a。在该情况下，从成本的角度来看，优选进行电镀，但根据需要也可以进行回流处理。
[0042]另外，凸端子10或110的沟道IOa或凹部IlOa的剖面形状可以变形成各种形状，如图3A所示，可以是波浪形，如图3B所示，也可以是大致三角形，如图3C所示，可以是在沟道IOa或凹部I IOa之间形成大致半球状的凸部的形状。此外，在图3A~图3C的变形例中，可以将凸端子10或110的在长边方向上相邻的沟道IOa与沟道IOa之间或凹部IlOa与凹部IlOa之间的距离c视作为O。
[0043]另外，也可以不在凸端子10或110上形成沟道IOa或凹部110a，而是在与凸端子10或110相嵌合的凹端子的与凸端子相接触的触点部的表面形成与沟道IOa或凹部IlOa相同形状的沟道或凹部。例如，如图4所示，在将本发明的嵌合型连接端子的实施方式适用于箱型的连接端子的情况下，也可以不在凸端子10或110上形成沟道IOa或凹部110a，而是在隆起部(压纹部)112c上形成与沟道IOa或凹部IlOa相同形状的沟道或凹部，其中，该隆起部(压纹部)112c与半球状的锯齿部(接触突起部)112a或弹性片112a相对，该锯齿部(接触突起部)112a设置于凹端子112的弹性片(弹簧部)112a。
[0044]另外，在厚度为0.15~0.25mm的薄形平板状的导体基材上利用实施了 Sn镀敷的Sn镀敷材料来制作凸端子10或110以及凹端子12的情况下，为了防止Sn镀敷材料破损，优选将沟道IOa或凹部IlOa的深度b设在80 μ m以下，更优选设置在70 μ m以下。
[0045]下面，对本发明的嵌合型连接端子及其制造方法的实施例进行详细说明。
[0046]实施例1
[0047]首先，准备在由厚度为0.25mm的Cu-N1-Sn类合金(同和金属技术有限公司生产的NB109-EN材料)构成的平板状的导体基材上实施了厚度为I μ m的(由纯度在99.9质量％以上的Sn构成的)Sn镀敷的两片Sn镀敷材料。利用模具对一片Sn镀敷材料进行按压加工，如图1A~图1C所示，其一个面上，形成有多个宽度a=100 μ m、深度Β=50μπι、间隔C=IOOym的沟道，从而形成具有沟道的平板状试验片(作为凸端子的试验片)。将对另一片Sn镀敷材料进行锯齿加工(Rl_的半球状的压纹加工)而获得的试验片作为具有锯齿的试验片(作为凹端子的试验片)。[0048]接下来，将具有沟道的平板状试验片固定于电动式微滑动磨损试验装置的载物台上，使具有锯齿的试验片的锯齿与该具有沟道的平板状试验片相接触后，以0.7N的载重将具有锯齿的试验片按压至具有沟道的平板状试验片的表面，并在水平方向上在单程200 μ m的范围内使固定有具有沟道的平板状试验片的锯齿以在一秒内进行一次往返的滑动速度进行30次往返，从而进行滑动试验，并通过4端子法连续地对该滑动试验后的具有沟道的平板状试验片与具有锯齿的试验片之间的触点部的电阻值进行测定。其结果是，滑动试验中的电阻值的最大值为2πιΩ。此外，比具有沟道的平板状试验片的沟道的宽度要小的磨损粉的氧化物(氧化锡粉末)进入该沟道中。
[0049]实施例2
[0050]不使用实施例1的沟道，而是如图2Α?图2Β那样，利用模具对一片Sn镀敷材料进行按压加工，并形成宽度a=100 μ m、深度b=50 μ m、间隔c=100 μ m的多个凹部，除此以外使用与实施例1相同的试验片，并通过与实施例1相同的方法测定触点部的电阻值，其结果是，滑动试验中的电阻值的最大值为2πιΩ。此外，比具有凹部的平板状试验片的沟道的宽度要小的磨损粉的氧化物(氧化锡粉末)进入该沟道中。
[0051]比较例
[0052]除了不形成实施例1的沟道以外，使用与实施例1相同的试验片，并通过与实施例1相同的方法来测定触点部的电阻值，其结果是，滑动试验中的电阻值的最大值为248πιΩ。此外，在平板状试验片的表面残留有磨损粉的氧化物(氧化锡粉末)，具有锯齿的试验片的锯齿未与平板状试验片相接触。另外，凝聚在平板状试验片上的磨损粉的大小在ΙΟμπι以下。
【权利要求】
1.一种嵌合型连接端子，所述嵌合型连接端子由导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子和凹端子构成，其特征在于， 在凸端子以及凹端子中的一个端子的与另一个端子相接触的触点部的表面上，形成在长边方向上互相间隔开的多个沟道或凹部，若将这些沟道或凹部的宽度设作a( μ m)，将深度设作b ( μ m)，将在长边方向上相邻的沟道与沟道之间或凹部与凹部之间的距离设作c(ym)，将凸端子与凹端子相嵌合并固定的状态下凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离设作L ( μ m)，将因该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d ( μ m)，则满足d ≤ b> d ≤ a ≤ L> a+c ≤ L。
2.如权利要求1所述的嵌合型连接端子，其特征在于， 所述多个沟道是在所述凸端子的长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上延伸的、平面形状大致呈矩形的细长的沟道。
3.如权利要求1所述的嵌合型连接端子，其特征在于， 所述多个凹部是平面形状大致呈矩形的凹部，该凹部在所述凸端子的长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上互相大致等间隔地相隔开，并且其角部相邻配置。
4.如权利要求1所述的嵌合型连接端子，其特征在于， 所述基材由铜或铜合金构成。
5.如权利要求1所述的嵌合型连接端子，其特征在于， 所述Sn镀层由纯度在99.9质量％以上的Sn构成。
6.如权利要求1所述的嵌合型连接端子，其特征在于， 所述嵌合型连接端子是箱型的连接端子，所述凹端子的触点部设置于弹性片。
7.如权利要求1所述的嵌合型连接端子，其特征在于， 所述滑动距离L为1000 μ m,所述最大粒径d为10 μ m。
8.如权利要求1所述的嵌合型连接端子，其特征在于， 所述滑动距离L为250 μ m,所述最大粒径d为30 μ m。
9.一种嵌合型连接端子的制造方法，该嵌合型连接端子由导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子和凹端子构成，所述嵌合型连接端子的制造方法的特征在于， 在凸端子以及凹端子中的一个端子在导电性基材的表面上与另一个端子相接触的触点部所对应的部分上，将沟道或凹部的宽度设作a(ym)，将深度设作Μμπι)，将在长边方向上相邻的沟道与沟道之间或凹部与凹部之间的距离设作c ( μ m)，将凸端子与凹端子相嵌合并固定的状态下凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离设作L( μ m)，将因该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作d ( μ m)，在该情况下，在形成在长边方向上互相间隔开的多个沟道或凹部之后，在凸端子与凹端子的导电性基材上形成Sn镀层，使得满足d^b>d^a^L> a+c ^ L。
10.一种嵌合型连接端子的制造方法，该嵌合型连接端子由导电性基材上形成有Sn镀层的凸端子和凹端子构成，所述嵌合型连接端子的制造方法的特征在于， 在凸端子与凹端子的导电性基材上形成Sn镀层之后，在凸端子以及凹端子中的一个端子的与另一个端子相接触的触点部的表面上，将沟道或凹部的宽度设作a(ym)，将深度设作b ( μ m)，将在长边方向上相邻的沟道与沟道之间或凹部与凹部之间的距离设作c(ym)，将凸端子与凹端子相嵌合并固定的状态下凸端子与凹端子之间可能产生的滑动距离设作L(ym)，将因该滑动而可能产生的磨损粉的氧化物的最大粒径设作(1(μπι)，在该情况下，形成在长边方向上互相间隔开的多个沟道或凹部，使得满足d < b、d < a < L、a+c ^ L。
11.如权利要求9或10所述的嵌合型连接端子的制造方法，其特征在于， 所述多个沟道是在所述凸端子的长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上延伸的、平面形状大致呈矩形的细长的沟道。
12.如权利要求9或10所述的嵌合型连接端子的制造方法，其特征在于， 所述多个凹部是平面形状大致呈矩形的凹部，所述凹部在所述凸端子的长边方向上互相大致等间隔地相隔开且在宽度方向上互相大致等间隔地相隔开，并且其角部相邻配置。
13.如权利要求9或10所述的嵌合型连接端子的制造方法，其特征在于， 所述基材由铜或铜合金构成。
14.如权利要求9或10所述的嵌合型连接端子的制造方法，其特征在于， 所述Sn镀层由纯度在99.9质量％以上的Sn构成。
15.如权利要求9或10所述的嵌合型连接端子的制造方法，其特征在于， 所述嵌合型连接端子是箱型的连接端子，所述凹端子的触点部设置于弹性片。
16.如权利要求9或10所述的嵌合型连接端子的制造方法，其特征在于， 所述滑动距离L为1000 μ m,所述最大粒径d为10 μ m。`
17.如权利要求9或10所述的嵌合型连接端子的制造方法，其特征在于， 所述滑动距离L为250 μ m,所述最大粒径d为30 μ m。
【文档编号】H01R13/03GK103858287SQ201280050203
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2012年10月10日 优先权日:2011年10月14日
【发明者】小野寺晓史, 中村将寿, 菅原章, 成枝宏人 申请人:同和金属技术有限公司, 矢崎总业株式会社