专利名称：一种图形化金凸块的制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种图形化金凸块的制作工艺。
背景技术：
目前很多新型液晶显示面板产品如液晶电视、平板计算机和手机等的液晶显示面板必须连接集成电路以控制显示信号，为了使这些液晶显示面板产品能够达到更轻、更薄和更短等要求，常常采用玻璃覆晶式封装方法封装产品的液晶显示面板和集成电路。玻璃覆晶式封装由导电粒子当做一个接口来连接集成电路上的金凸块与液晶显示面板，通过导电粒子可以将集成电路的控制信号传到液晶显示面板，从而驱动液晶显示面板内的液晶，液晶旋转后显现出画面。随着玻璃覆晶式封装技术的发展，导电粒子的直径由常见的5um减小至2.5um，这样集成电路上的金凸块的粗糙度就格外的重要，当金凸块的粗糙度较大时，导电粒子难以与金凸块接触，不能很好地将集成电路的控制信号传到液晶显示面板，严重影响画面质量。为了提高画面质量，目前常采用减小金凸块的粗糙度的方法来使导电粒子易于与金凸块接触。由于金凸块一般采用电镀工艺，而电镀最大的特性就是它会延着被电镀的对象等方向性的成长，简单的说就是被电镀对象原本是什么形状，电镀工艺完成后它原本的形状保持不变，只是在原对象的表面上形成了一层镀上去的金属层。也就是说，金凸块的粗糙度取决于集成电路表面的钝化层的厚度，钝化层愈厚则金凸块的粗糙度就愈大。为了减小金凸块的粗糙度，在进行玻璃覆晶式封装时就必须减小钝化层的厚度。钝化层为集成电路的最表层，它具有保护集成电路的功能，能够水气和刮伤等对集成电路所造成的伤害，而且它也规范了钝化层上的焊料限定区域。当钝化层的厚度减小后，集成电路的可靠性会降低，容易造成集成电路上的杂质快速扩散迁移，导致集成电路产品失效，因此钝化层不能无限度地降低厚度，通过减小钝化层来降低金凸块的粗糙度以提升液晶显示面板画面质量的工艺方法已经不适用。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种图形化金凸块的制作工艺，能够使金凸块表面图形化，金凸块表面形成与导电粒子大小相近的凹槽，便于金凸块与导电粒子接触，提升液晶显示面板画面质量。为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是:提供一种图形化金凸块的制作工艺，包括以下步骤:
a)提供一集成电路晶片，所述集成电路晶片上设有键合块，所述键合块的一部分嵌入集成电路晶片；
b)在集成电路晶片表面形成钝态保护层，键合块上的钝态保护层只去除一部分，键合块上的钝态保护层的图形依据所需金凸块的外形来确定； c)在钝态保护层和键合块上沉淀金属层；
d)在金属层上形成光刻胶层，给光刻胶层开口，光刻胶层的开口位置正对键合块上的金属层；
e)在键合块上的金属层上形成金凸块；
f)除去光刻胶层；
g)除去金凸块底部以外的金属层。在本发明一个较佳实施例中，在步骤a)中，所述键合块为铝垫。在本发明一个较佳实施例中，在步骤b)中，临近键合块边缘的钝态保护层的厚度大于其它部位的钝态保护层的厚度。在本发明一个较佳实施例中，临近键合块边缘的钝态保护层的厚度与其它部位的钝态保护层的厚度均由所需金凸块的厚度和所述钝态保护层的机械强度决定。在本发明一个较佳实施例中，在步骤c)中，所述金属层包括粘附层、阻挡层和导电层，所述粘附层、阻挡层和导电层依次叠合，所述粘附层粘附在钝态保护层上。在本发明一个较佳实施例中，所述粘附层、阻挡层和导电层采用真空溅镀法依次形成。在本发明一个较佳实施例中，在步骤d)中，所述光刻胶层采用曝光法和显影法形成开口。在本发明一个较佳实施例中，在步骤e)中，所述金凸块采用电镀法形成。本发明的有益效果是:通过钝化层的图形化来使金凸块表面图形化，使金凸块表面形成与导电粒子大小相近的凹槽，便于金凸块与导电粒子接触。
图1是玻璃覆晶式封装的部分结构 图2是图1的局部放大图。附图中各部件的标记如下:1、集成电路晶片；2、键合块；3、纯态保护层；4、金凸块；401、第二凹槽；5、导电粒子。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。请参阅图1至图2，本发明实施例公开了一种图形化金凸块的制作工艺，包括以下所述步骤。第一步:提供一集成电路晶片1，所述集成电路晶片I上设有键合块2，所述键合块2的一部分嵌入集成电路晶片I。在本实施例中，所述键合块2为铝垫。第二步:在集成电路晶片I表面形成钝态保护层3，键合块2上的钝态保护层3只去除一部分，键合块2上的钝态保护层3的图形依据所需金凸块4的外形来确定。临近键合块2边缘的钝态保护层3的厚度大于其它部位的钝态保护层3的厚度，临近键合块2边缘的钝态保护层3的厚度与其它部位的钝态保护层3的厚度均由所需金凸块4的厚度和钝态保护层3的机械强度决定。在保证所述集成电路晶片I具有一定可靠性的前提下确定钝态保护层3的最小厚度，再依据所需金凸块4的厚度来确定键合块2边缘的钝态保护层3与其它部位的钝态保护层3的厚度差。在本实施例中，所述键合块2上的钝态保护层3上均匀分布有若干第一凹槽(图未标)，第一凹槽底部即为键合块2的表面。因此,键合块2上一部分设有钝态保护层3,—部分没有钝态保护层3。在本实施例中，第一凹槽的横截面为圆形。在本发明中，第一凹槽的横截面不限于圆形，也可以为其它形状。第三步:在钝态保护层3和键合块2上沉淀金属层(图未示)。所述金属层包括粘附层、阻挡层和导电层，所述粘附层、阻挡层和导电层依次叠合，所述粘附层粘附在钝态保护层上。所述粘附层、阻挡层和导电层采用真空溅镀法依次形成。在本实施例中，所述金属层采用钛-钨-金结构。第四步:在金属层上形成光刻胶层，给光刻胶层开口，光刻胶层的开口位置正对键合块2上的金属层。所述光刻胶层采用曝光法和显影法形成开口，露出键合块2上金属层。第五步:在键合块2上的金属层上形成金凸块4。所述金凸块4采用电镀法形成。由于金凸块4沿着钝态保护层3等方向性的成长，且键合块2上的钝态保护层3上有第一凹槽，那么形成的金凸块4的表面也会形成第二凹槽401，且第二凹槽401与第一凹槽大小相同。金凸块4的制作是玻璃覆晶式封装的步骤之一，在玻璃覆晶式封装中，通过导电粒子5接触集成电路晶片I上的金凸块4接收信号，导电粒子5将信号传到液晶显示面板，使液晶显示面板显示画面。导电粒子5的直径略大于第一凹槽的横截面的直径。因此，第一凹槽的大小是参照导电粒子5的大小确定的。在本实施例中，导电粒子5接近金凸块4时容易与第二凹槽401接触，便于金凸块4与液晶显示面板之间进行信号传输。本发明通过钝态保护层3的图形化来使金凸块4表面图形化，使金凸块4表面形成与导电粒子5大小相近的第二凹槽401，便于金凸块4与导电粒子5接触，在保证集成电路晶片I具有一定可罪性的如提下提闻液晶显不屏画面质量。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种图形化金凸块的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤: a)提供一集成电路晶片，所述集成电路晶片上设有键合块，所述键合块的一部分嵌入集成电路晶片； b)在集成电路晶片表面形成钝态保护层，键合块上的钝态保护层只去除一部分，键合块上的钝态保护层的图形依据所需金凸块的外形来确定； c)在钝态保护层和键合块上沉淀金属层； d)在金属层上形成光刻胶层，给光刻胶层开口，光刻胶层的开口位置正对键合块上的金属层； e)在键合块上的金属层上形成金凸块； f)除去光刻胶层； g)除去金凸块底部以外的金属层。
2.如权利要求1所述的图形化金凸块的制作工艺，其特征在于，在步骤a)中，所述键合块为招垫。
3.如权利要求1所述的图形化金凸块的制作工艺，其特征在于，在步骤b)中，临近键合块边缘的钝态保护层的厚度大于其它部位的钝态保护层的厚度。
4.如权利要求3所述的图形化金凸块的制作工艺，其特征在于，临近键合块边缘的钝态保护层的厚度与其它部位的钝态保护层的厚度均由所需金凸块的厚度和所述钝态保护层的机械强度决定。
5.如权利要求1所述的图形化金凸块的制作工艺，其特征在于，在步骤c)中，所述金属层包括粘附层、阻挡层和导电层，所述粘附层、阻挡层和导电层依次叠合，所述粘附层粘附在钝态保护层上。
6.如权利要求5所述的图形化金凸块的制作工艺，其特征在于，所述粘附层、阻挡层和导电层采用真空溅镀法依次形成。
7.如权利要求1所述的图形化金凸块的制作工艺，其特征在于，在步骤d)中，所述光刻胶层采用曝光法和显影法形成开口。
8.如权利要求1所述的图形化金凸块的制作工艺，其特征在于，在步骤e)中，所述金凸块采用电镀法形成。
全文摘要
本发明公开一种图形化金凸块的制作工艺，包括以下步骤提供一集成电路晶片，所述集成电路晶片上设有键合块，所述键合块的一部分嵌入集成电路晶片；在集成电路晶片表面形成钝态保护层，键合块上的钝态保护层只去除一部分，键合块上的钝态保护层的图形依据所需金凸块的外形来确定；在钝态保护层和键合块上沉淀金属层；在金属层上形成光刻胶层，给光刻胶层开口，光刻胶层的开口位置正对键合块上的金属层；在键合块上的金属层上形成金凸块；除去光刻胶层；除去金凸块底部以外的金属层。通过上述方式，本发明能够使金凸块表面图形化，形成与导电粒子大小相近的凹槽，便于金凸块与导电粒子接触。
文档编号H01L21/60GK103117236SQ201310058369
公开日2013年5月22日 申请日期2013年2月25日 优先权日2013年2月25日
发明者余家良 申请人:江苏汇成光电有限公司