专利名称：湿法刻蚀机台装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀机台装置。
背景技术：
在半导体相关制程中，湿法刻蚀通常使用单一的液体喷嘴对晶圆表面喷洒化学试齐U。图1为本发明现有技术提供的湿法刻蚀机台装置的正视结构示意图。参照图1，晶圆
11放置在可旋转的平台12上，晶圆11正上方设置有液体喷嘴13，单一的液体喷嘴13在进行湿法刻蚀的过程中，液体喷嘴13正下方区域喷洒的液体的压强最大，液体量也最多，其余围绕液体喷嘴13正下方的辐射区域喷洒的液体量相对较少，整片晶圆的表面湿法刻蚀量的均匀度的调整通过唯一的液体喷嘴13的流量和运动轨迹进行调整，使得单一喷嘴对晶圆表面液体分布调节能力不强，以及对晶圆表面不同区域的温度无法调节，进而对晶圆表面湿法刻蚀量的均匀 度产生不良影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供了一种湿法刻蚀机台装置，以解决晶圆表面刻蚀量的均匀度调整能力有限的问题。为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是:提供一种湿法刻蚀机台装置，包括放置晶圆的平台，在所述平台上方设置有多个喷嘴，每个喷嘴连接加热元件和流量调节元件。进一步地，所述多个喷嘴呈直线型分布在可旋转平台上方。进一步地，所述多个喷嘴均匀分布在所述平台上方。进一步地，所述多个喷嘴随机分布在所述平台上方。本发明提供的湿法刻蚀机台装置，在平台上方设置多个喷嘴，使得通过调节与每个喷嘴连接的加热元件以及流量调节元件，控制晶圆表面液体的流量分布和温度大小，实现晶圆表面刻蚀量的灵活调整。
图1为本发明现有技术提供的湿法刻蚀机台装置的正视结构示意图；图2a为本发明实施例一提供的湿法刻蚀机台装置的正视结构示意图；图2b为本发明实施例一提供的湿法刻蚀机台装置的俯视结构示意图；图3为本发明实施例二提供的湿法刻蚀机台装置的俯视结构示意图。
具体实施例方式以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种湿法刻蚀机台装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。本发明的核心思想在于，本发明提供的湿法刻蚀机台装置，在平台上方设置多个喷嘴，使得通过调节与每个喷嘴连接的加热元件以及流量调节元件，控制晶圆表面液体的流量分布和温度大小，实现晶圆表面刻蚀量的灵活调整。实施例一图2a为本发明实施例一提供的湿法刻蚀机台装置的正视结构示意图。参照图2a，本发明提供的湿法刻蚀机台装置，包括放置晶圆21的平台22，在所述平台22上方设置有多个喷嘴23，每个喷嘴23连接加热元件24和流量调节元件25。图2b为本发明实施例一提供的湿法刻蚀机台装置的俯视结构示意图。参照图2b，所述多个喷嘴23呈直线型分布在可旋转的平台22上方，在利用喷嘴23进行喷洒的过程中，通过可旋转的平台22，使从喷嘴23喷洒处的化学刻蚀液可以大范围地进行喷洒。与喷嘴23连接的加热元件24能够调节喷洒处的化学刻蚀液的温度，并且通过流量调节元件25调节化学刻蚀液量，因此，根据晶圆表面不同区域的表面刻蚀量的不同要求，可以调节相应喷嘴23的加热元件24以及流量调节元件25以满足表面刻蚀量。最终实现晶圆整个表面刻蚀量的灵活调整。实施例二图3为本发明实施例二提供的湿法刻蚀机台装置的俯视结构示意图。参照图3，根据晶圆表面刻蚀量的不同要求，在晶圆21的上方设置有均匀分布的喷嘴23，平台22不可旋转，每个喷嘴23连接有加热元件24以及流量调节元件25,调节加热元件24以及流量调节元件25，可以使各个喷嘴23喷洒出符合要求的化学刻蚀液，以控制其下方的晶圆表面区域。当然，根据晶圆表面每个不同区域的湿法刻蚀量分布喷嘴时，喷嘴可以随机分布，并且对与喷嘴连接的加热元件和流量调节元件加以控制。显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些 改动和变型在内。
权利要求
1.一种湿法刻蚀机台装置，包括放置晶圆的平台，其特征在于，在所述平台上方设置有多个喷嘴，每个喷嘴连接加热元件和流量调节元件。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机台装置，其特征在于，所述多个喷嘴呈直线型分布在可旋转平台上方。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机台装置，其特征在于，所述多个喷嘴均匀分布在所述平台上方。
4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机台装置，其特征在于，所述多个喷嘴随机分布在所述平台上方。
全文摘要
本发明提供了一种湿法刻蚀机台装置，包括放置晶圆的平台，在所述平台上方设置有多个喷嘴，每个喷嘴连接加热元件和流量调节元件。本发明提供的湿法刻蚀机台装置，在平台上方设置多个喷嘴，使得通过调节与每个喷嘴连接的加热元件以及流量调节元件，控制晶圆表面液体的流量分布和温度大小，实现晶圆表面刻蚀量的灵活调整。
文档编号H01L21/306GK103219232SQ20131008449
公开日2013年7月24日 申请日期2013年3月15日 优先权日2013年3月15日
发明者黄耀东, 张明华, 李芳 , 刘文燕, 严钧华 申请人:上海华力微电子有限公司