一种发光二极管电极结构及其制造工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种发光二极管电极结构及其制造工艺，所述发光二极管电极结构包括发光组件，所述发光组件下方设有n电极层，所述发光组件上方设有p电极层，所述p电极层上方设有p焊盘，所述p电极层与p焊盘之间设有阻障层。本发明在现有发光二极管P电极结构中的p电极层与焊盘之间增加了阻障层，减小了对准的误差，使得p电极层、阻障层与p焊盘完全对齐，因此提高了生产效率且降低了产品的不良率。
【专利说明】一种发光二极管电极结构及其制造工艺
【技术领域】
[0001] 本发明属于发光二极管制造【技术领域】，具体涉及一种发光二极管电极结构及其制 造工艺。
【背景技术】
[0002] 发光二极管由于具备有寿命长、体积小、发热量低、耗电量少、反应速度快、无幅射 及单色性发光之特性及优点，因此被广泛应用于指示灯、广告广告牌、交通号志灯、汽车车 灯、显示器面板、通讯器具、消费电子等各项产品中。
[0003] 现有技术中的发光二极管结构如图2所示，主要由η电极层、发光组件、p电极层 和Ρ焊盘层构成，其中Ρ电极结构只包括Ρ电极层和Ρ焊盘，由于Ρ电极层和Ρ焊盘在生产 时是分开来制造，这样就会造成对准误差，增加产品的不良率。
【发明内容】
[0004] 发明目的：本发明的目的是为了解决现有技术中的不足，提供一种可提高生产效 率且降低产品不良率的发光二极管电极结构及其制造工艺。
[0005] 技术方案：本发明所述的一种发光二极管电极结构，包括发光组件，所述发光组件 下方设有η电极层，所述发光组件上方设有ρ电极层，所述ρ电极层上方设有ρ焊盘，所述 Ρ电极层与Ρ焊盘之间设有阻障层。
[0006] 作为优选，所述阻障层的厚度为〇· 1?1 μ m。
[0007] 作为优选，所述阻障层的材料为钛、钨、钽、钥上述材料的合金，或上述材料的硅化 合物、氮化合物或硅氮化合物。
[0008] 作为优选，所述ρ电极层为金锌合金、金铍合金或钛钼合金。
[0009] 作为优选，所述P焊盘为钛和铝的合金、钛和金的合金或钛、铝和金的合金，所述P 焊盘的总厚度为0. 5~3. 0 μ m。
[0010] 制造上述发光二极管电极结构的工艺，包括如下步骤： (1) 微影：在透光衬底的一个表面涂布感光材料；在该表面的上方放置光罩，该光罩上 设有与所述图案相同的图案；曝光：使平行光经过光罩对感光材料进行选择性的曝光，使 光罩的图案完整的转移至透光衬底的表面上；显影，使感光材料获得与光罩图案相同或互 补的图案； (2) 在半导体迭层的窗口层上沉积ρ电极层材料； (3) 在ρ电极层上沉积阻障层材料； (4) 在阻障层上沉积ρ焊盘材料； (5) 使用托举（Lift-off)制程，定义ρ焊盘图案； (6) 进行退火工序以得到奥姆接触：退火的工序在300-550°C的炉管中10秒至3分钟 或快速热退火炉1秒至1分钟中执行。
[0011] 有益效果：本发明在现有发光二极管P电极结构中的ρ电极层与焊盘之间增加了 阻障层，减小了对准的误差，使得P电极层、阻障层与P焊盘完全对齐，因此提高了生产效率 且降低了产品的不良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0012] 图1为本发明一个实施例的结构示意图。
[0013] 图2为现有技术中发光二极管的结构示意图。
【具体实施方式】
[0014] 如图1所不的一种发光二极管电极结构，包括发光组件2,发光组件2下方设有η 电极层1，发光组件2上方设有ρ电极层3, ρ电极层3上方设有ρ焊盘5, ρ电极层3与ρ焊 盘5之间设有阻障层4,阻障层4的厚度为0. 1?1 μ m，阻障层4的材料为钛、钨、钽、钥上述 材料的合金，例如TiW、TaW，或上述材料的硅化合物、氮化合物或硅氮化合物，例如TiN、WN、 TaN、TaSiN、WSiN、TWN，ρ电极层3为金锌合金、金铍合金或钛钼合金，ρ焊盘5为钛和铝的 合金、钛和金的合金或钛、错和金的合金，P焊盘5的总厚度为0. 5~3. 0 μ m。生产这种发光 二极管电极结构的工艺，包括如下步骤： (1) 微影：在透光衬底的一个表面涂布感光材料；在该表面的上方放置光罩，该光罩上 设有与所述图案相同的图案；曝光：使平行光经过光罩对感光材料进行选择性的曝光，使 光罩的图案完整的转移至透光衬底的表面上；显影，使感光材料获得与光罩图案相同或互 补的图案； (2) 在半导体迭层的窗口层上沉积ρ电极层材料； (3) 在ρ电极层上沉积阻障层材料； (4) 在阻障层上沉积ρ焊盘材料； (5) 使用托举（Lift-off)制程，定义ρ焊盘图案； (6) 进行退火工序以得到奥姆接触：退火的工序在300-550°C的炉管中10秒至3分钟 或快速热退火炉1秒至1分钟中执行。
【权利要求】
1. 一种发光二极管电极结构，包括发光组件（2)，所述发光组件（2)下方设有η电极层 (1)，其特征在于：所述发光组件（2)上方设有ρ电极层（3)，所述ρ电极层（3)上方设有ρ 焊盘（5)，所述ρ电极层（3)与ρ焊盘（5)之间设有阻障层（4)。
2. 根据权利要求1所述的一种发光二极管电极结构，其特征在于：所述阻障层（4)的厚 度为0· 1?1 μ m。
3. 根据权利要求1所述的一种发光二极管电极结构，其特征在于：所述阻障层（4)的材 料为钛、钨、钽、钥上述材料的合金，或上述材料的硅化合物、氮化合物或硅氮化合物。
4. 根据权利要求1所述的发光二极管电极结构，其特征在于：所述ρ电极层（3)为金锌 合金、金铍合金或钛钼合金。
5. 根据权利要求1所述的发光二极管电极结构，其特征在于：所述ρ焊盘（5)为钛和铝 的合金、钛和金的合金或钛、错和金的合金，所述P焊盘（5)的总厚度为0. 5~3. Ο μ m。
6. 制造如权利要求1所述的发光二极管电极结构的工艺，其特征在于：包括如下步 骤： (1) 微影：在透光衬底的一个表面涂布感光材料；在该表面的上方放置光罩，该光罩上 设有与所述图案相同的图案；曝光：使平行光经过光罩对感光材料进行选择性的曝光，使 光罩的图案完整的转移至透光衬底的表面上；显影，使感光材料获得与光罩图案相同或互 补的图案； (2) 在半导体迭层的窗口层上沉积ρ电极层材料； (3) 在ρ电极层上沉积阻障层材料； (4) 在阻障层上沉积ρ焊盘材料； (5) 使用托举（Lift-off)制程，定义ρ焊盘图案； (6) 进行退火工序以得到奥姆接触：退火的工序在300-550°C的炉管中10秒至3分钟 或快速热退火炉1秒至1分钟中执行。
【文档编号】H01L33/38GK104064651SQ201310088691
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2013年3月20日 优先权日:2013年3月20日
【发明者】廖丰标 申请人:江苏扬景光电有限公司