无衬底结构的功率器件制造工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开的一种无衬底结构的功率器件制造工艺，由以下步骤组成：(1)制备产品晶圆和衬底晶圆；(2)在产品晶圆上形成一氢离子注入层；(3)在衬底晶圆上形成一层多孔硅氧化层；(4)将氢离子注入层表面贴在多孔硅氧化层表面上；(5)将产品晶圆的氢离子注入层以外的部分从氢离子注入层的层底处剥离掉,然后对剥离面进行抛光处理；(6)在氢离子注入层上加工出功率器件；(7)将衬底晶圆剥离下来形成无衬底结构的功率器件。本发明与现有技术相比的优点在于：(1)两次剥离保证所有的晶圆都不浪费；剥离下来的晶圆还可以重复使用。(2)制备的功率器件真正无衬底，最大限度降低功率器件的导通电阻。
【专利说明】无衬底结构的功率器件制造工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及功率器件制备【技术领域】，特别涉及一种无衬底结构的功率器件制造工艺。
【背景技术】
[0002]对于功率器件，特别是低压功率器件，衬底电阻占整个器件导通电阻的比重很大，所以尽可能薄的衬底对降低器件的导通电阻意义重大。通常，用机械研磨的方式来减薄。这有两个问题，其一，受设备能力的限制，不太可能减薄到几个微米；其二，研磨工艺会浪费衬底材料，不利于环保。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决技术问题在于针对现有功率器件制备过程中衬底电阻较大所带来的问题而提供一种无衬底结构的功率器件制造工艺。
[0004]本发明所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现:
[0005]一种无衬底结构的功率器件制造工艺，由以下步骤组成:
[0006](I)制备广品晶圆和衬底晶圆；
[0007](2)在所述产品晶圆的正面注入氢离子形成一氢离子注入层；
[0008](3)将所述衬底晶圆的正面进行多孔硅化，然后进行多孔硅氧化形成一层多孔硅氧化层；所述多孔硅氧化层的厚度为I?10um ；
[0009](4)将产品晶圆的氢离子注入层表面贴在衬底晶圆的多孔硅氧化层表面上；
[0010](5)加热将产品晶圆的氢离子注入层以外的部分从氢离子注入层的层底处剥离掉然后对剥离面进行抛光处理；
[0011](6)在产品晶圆的氢离子注入层上加工出功率器件；
[0012](7)采用化学方法将衬底晶圆从产品晶圆的氢离子注入层表面与衬底晶圆的多孔硅氧化层的结合面处剥离下来形成无衬底结构的功率器件。
[0013]由于采用了如上的技术方案，本发明与现有技术相比的优点在于:
[0014](I)两次剥离保证所有的晶圆都不浪费；剥离下来的晶圆还可以重复使用。
[0015](2)制备的功率器件真正无衬底，最大限度降低功率器件的导通电阻。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为产品晶圆注入氢离子的示意图。
[0017]图2为形成有多孔硅氧化层的衬底晶圆结构示意图。
[0018]图3为将产品晶圆的氢离子注入层表面贴在衬底晶圆的多孔硅氧化层表面上的示意图。
[0019]图4为加热将产品晶圆的氢离子注入层以外的部分从氢离子注入层的层底处剥离的示意图。
[0020]图5为在产品晶圆的氢离子注入层上加工出功率器件的示意图。
[0021]图6为采用化学方法将衬底晶圆从产品晶圆的氢离子注入层表面与衬底晶圆的多孔硅氧化层的结合面处剥离下来形成无衬底结构的功率器件的示意图。
【具体实施方式】
[0022]参见附图，图中给出的一种无衬底结构的功率器件制造工艺，由以下步骤组成:
[0023](I)制备广品晶圆10和衬底晶圆20 ；
[0024](2)参见图1，在产品晶圆10的正面注入氢离子形成一氢离子注入层11 ;氢离子的注入方法为现有技术，可参见中国专利200710186310.7公开的半导体衬底的制造方法坐寸ο
[0025](3)参见图2，将衬底晶圆20的正面进行多孔硅化，然后进行多孔硅氧化形成一层多孔硅氧化层21 ;多孔硅氧化层21的厚度为I?10um ;在衬底晶圆上形成多孔硅氧化层的方法为现有技术。
[0026](4)参见图3，将产品晶圆10的氢离子注入层11表面贴在衬底晶圆20的多孔硅氧化层21表面上；
[0027](5)加热将产品晶圆10的氢离子注入层11以外的部分12从氢离子注入层11的层底处剥离掉然后对剥离面进行抛光处理；
[0028](6)在产品晶圆10的氢离子注入层11上按常规工艺加工出功率器件13 ；
[0029](7)采用化学方法将衬底晶圆20从产品晶圆10的氢离子注入层10表面与衬底晶圆20的多孔硅氧化层21的结合面处剥离下来形成无衬底结构的功率器件13。
【权利要求】
1.一种无衬底结构的功率器件制造工艺，其特征在于，由以下步骤组成: (1)制备广品晶圆和衬底晶圆； (2)在所述产品晶圆的正面注入氢离子形成一氢离子注入层； (3)将所述衬底晶圆的正面进行多孔硅化，然后进行多孔硅氧化形成一层多孔硅氧化层；所述多孔娃氧化层的厚度为I?10um ； (4)将产品晶圆的氢离子注入层表面贴在衬底晶圆的多孔硅氧化层表面上； (5)加热将产品晶圆的氢离子注入层以外的部分从氢离子注入层的层底处剥离掉然后对剥离面进行抛光处理； (6)在产品晶圆的氢离子注入层上加工出功率器件； (7)采用化学方法将衬底晶圆从产品晶圆的氢离子注入层表面与衬底晶圆的多孔硅氧化层的结合面处剥离下来形成无衬底结构的功率器件。
【文档编号】H01L21/30GK104078336SQ201410312421
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年7月2日 优先权日:2014年7月2日
【发明者】杨凡力 申请人:上海朕芯微电子科技有限公司