一种功率半导体芯片电极结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种功率半导体芯片电极结构，包括电极片，所述电极片包括电极片本体和电流输出端；所述电极片本体上设置有一组去应力槽。所述去应力槽设置在电极片本体两对边上，且两对边上的去应力槽错位排列。本实用新型解决了普通金属与硅片膨胀系数差别大，用来做电极片容易造成硅片热膨胀拉裂的问题，且结构简单，加工方便；还可以根据输出电流的大小进行调整电极片的结构。可广泛应用于功率半导体芯片领域。
【专利说明】一种功率半导体芯片电极结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种功率半导体芯片，尤其涉及一种功率半导体芯片电极结构。【背景技术】
[0002]大功率半导体芯片设有上下电极，电极所选用的材料尽量与硅片线膨胀系数接近、热传导率较高的、电阻率低的材料，如钥片、钨。但钥、钨材料价格高，属稀有金属。为降低成本，可以选用常用金属，例如铜、铁等。铜具有比钥更好的热传导率、低的电阻率的优点。但缺点是线膨胀系数大，只适应制作小功率芯片的上下电极，铜价格约是钥的百分之二十。
[0003]因此，需要考虑如何对常用金属进行结构上的改进，解决因线膨胀系数大与硅片不匹配问题。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的是提供一种功率半导体芯片电极结构，解决常用金属与硅片膨胀系数差别大，硅片热膨胀拉裂的问题。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种功率半导体芯片电极结构，包括电极片，所述电极片包括电极片本体和电流输出端；所述电极片本体上设置有一组去应力槽。
[0006]优选的，所述去应力槽设置在电极片本体两对边上，且两对边上的去应力槽错位排列。
[0007]进一步的，所述电极片为铜片，所述电极片本体的边宽为2?8mm，所述同一边上相邻两去应力槽间的距离为2?6_。所述去应力槽的宽度为0.1?3_，去应力槽深2?8mm ο
[0008]优选的，所述电极片本体的边宽为5mm，所述同一边上相邻两去应力槽间的距离为4_。所述去应力槽的宽度为0.7mm,去应力槽深3_。
[0009]为满足不同电流输出对电极片的要求，所述电极片至少设置一组电极片本体，所述电极片本体的个数与功率半导体芯片电流的输出大小相适配。
[0010]本实用新型的有益效果:通过在电极片本体上设置去应力槽，通过电极片受热后去应力槽的伸缩变化，使得电极片与硅片的热膨胀系数更接近，避免硅片受热易拉裂的问题。所述去应力槽错位排列，去应力效果更好。所述电极片为铜片，成本低，导热性好，电阻率低，能够将芯片工作产生热量及时传导出去，降低因电极上产生的压降所造成的损耗。
[0011]下面结合附图和实施例，对本实用新型作进一步详细说明。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型的主视图。
[0013]图2为多个电极片本体并列布置的主视图。【具体实施方式】
[0014]实施例1:如图1所示，一种功率半导体芯片电极结构，包括电极片，所述电极片包括电极片本体I和电流输出端2 ;所述电极片本体I上设置有一组去应力槽3。所述电极片为铜片，去应力槽3设置在电极片本体I两对边上且两对边上的去应力槽3错位排列。
[0015]所述电极片本体I的边宽为2?8mm，所述同一边上相邻两去应力槽3间的距离为2?6mm。所述去应力槽3的宽度为0.1?3mm,去应力槽3深2?8mm。
[0016]优选的，所述电极片本体I的边宽为5mm，所述同一边上相邻两去应力槽3间的距离为4_。所述去应力槽3的宽度为0.7mm,去应力槽3深3_。
[0017]如图2所示，所述电极片至少设置一组电极片本体1，所述电极片本体I的个数与功率半导体芯片电流的输出大小相适配。根据电流输出大小，可以设置多个并列的电极片本体I。
【权利要求】
1.一种功率半导体芯片电极结构，包括电极片，所述电极片包括电极片本体(I)和电流输出端(2);其特征在于:所述电极片本体(I)上设置有一组去应力槽(3)。
2.根据权利要求1所述的功率半导体芯片电极结构，其特征在于:所述去应力槽(3)错位排列。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体芯片电极结构，其特征在于:所述去应力槽(3 )设置在电极片本体(I)两对边上。
4.根据权利要求3所述的功率半导体芯片电极结构，其特征在于:所述电极片为铜片，所述电极片本体(I)的边宽为2?8mm，所述同一边上相邻两去应力槽(3)间的距离为2?6mm ο
5.根据权利要求4所述的功率半导体芯片电极结构，其特征在于:所述去应力槽(3)的宽度为0.1?3mm,去应力槽(3)深2?8_。
6.根据权利要求4所述的功率半导体芯片电极结构，其特征在于:所述电极片本体(I)的边宽为5mm，所述同一边上相邻两去应力槽(3)间的距离为4mm。
7.根据权利要求5所述的功率半导体芯片电极结构，其特征在于:所述去应力槽(3)的宽度为0.7mm，去应力槽(3)深3mm。
8.根据权利要求1或2所述的功率半导体芯片电极结构，其特征在于:所述电极片至少设置一个电极片本体(1)，所述电极片本体(I)的个数与功率半导体芯片电流的输出大小相适配设置。
【文档编号】H01L29/41GK203415580SQ201320478215
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年8月6日 优先权日:2013年8月6日
【发明者】王民安, 黄富强, 王日新, 汪杏娟, 叶民强, 项建辉 申请人:安徽省祁门县黄山电器有限责任公司